DE3447624C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Auf­ zeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Als photoleitfähige Materialien für elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien wurden bisher gewöhnlich anor­ ganische Materialien, wie Se, ZnO oder CdS, und organische Materialien, wie Poly-N-vinylcarbazol (PVK) oder Trinitro­ fluorenon (TNF) verwendet. In jüngerer Zeit hat jedoch amorphes Silicium (im folgenden: a-Si) zunehmendes Inte­ resse gewonnen. Dies beruht vermutlich darauf, daß elektro­ photographische Aufzeichnungsmaterialien mit a-Si als photoleitfähiger Schicht konstant stabile elektrophoto­ graphische Eigenschaften zeigen und daher stets Bilder von hoher Qualität ergeben.

Herkömmliche elektrophotographische a-Si-Aufzeichnungs­ materialien haben jedoch folgende Mängel: (1) aufgrund des starken Dunkelabfalls zeigen sie ungenügende Aufladbar­ keit; (2) bei der Verwendung in Kopiermaschinen oder Druckmaschinen ergeben sie verschwommene Bilder und weiße Flecke in den Bildbereichen; (3) die Schichtträgerober­ flächen neigen zu Verunreinigungen, was abnormale Bilder zur Folge hat; (4) ihre Temperatur- und Feuchtigkeits­ beständigkeit ist ungenügend. Diese Mängel treten auch bei herkömmlichen anorganischen oder organischen elektro­ photographischen Aufzeichnungsmaterialien in größerem oder kleinerem Umfang auf, so daß auch sie verbesserungsbe­ dürftig sind.

Beispielsweise ist aus der DE-OS 33 21 135 ein elektrostato­ graphisches Aufzeichnungsmaterial bekannt, daß auf einem Schicht­ träger eine photoleitfähige Schicht aus amorphem, hydriertem und/oder fluoriertem Silicium sowie über und/oder unter der photoleitfähigen Schicht eine Schicht aus stickstoffhaltigem, amorphem, hydriertem und/oder fluoriertem Silicium aufweist. Dieser Aufbau ist jedoch für sich nicht zur Behebung der geschilderten Mängel geeignet, da er entsprechend der Ziel­ setzung der DE-OS 33 21 135 eine Ladungsinjektion aus dem Schichtträger in die darauf aufgebrachten Schichten verhindern soll.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein verbessertes elektro­ photographisches Aufzeichnungsmaterial bereitzustellen, das die Herstellung scharfer Bilder ohne weiße Flecken in den Bild­ bereichen ermöglicht und bei dem keine abnormalen Bilder auf­ grund von Verunreinigungen der Schichtträgeroberfläche auf­ treten.

Umfangreiche Untersuchungen zur Lösung dieser Aufgabe haben nun gezeigt, daß die Rekombination von Ladungsträgern nicht an der Grenzfläche zum Schichtträger erfolgen soll, sondern an einer neu geschaffenen Grenzfläche, um den Einfluß der verunreinigten, elektrisch leitenden Schichtträgerober­ fläche zu verringern. Es wurde auch gefunden, daß diese Maßnahme dazu geeignet ist, den Gradienten zu verbessern und das Auftreten von weißen Flecken und Streifen zu ver­ meiden.

Gegenstand der Erfindung ist das im Hauptanspruch gekennzeich­ nete elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial.

Das erfindungsgemäße elektrophotographische Aufzeichnungs­ material weist auf einem Schichtträger nacheinander eine Zwischenschicht und eine photoleitfähige Schicht auf, wo­ bei die Zwischenschicht die Funktion hat, Ladungsträger, die mit den während der Aufladung aus dem Schichtträger injizierten Ladungsträgern homopolar sind, zu den haupt­ sächlichen Ladungsträgern zu machen.

In der Zeichnung zeigt

Fig. 1 eine schematische Ansicht eines elektrophoto­ graphischen Aufzeichnungsmaterials mit einer Zwischen­ schicht 2 und einer photoleitfähigen Schicht 3 auf einem elektrisch leitenden Schichtträger 1;

Fig. 2 eine schematische Ansicht eines elektrophoto­ graphischen Aufzeichnungsmaterials, das zusätzlich eine Schutzschicht 4 auf der photoleitfähigen Schicht 3 aufweist.

Die Zwischenschicht 2 des erfindungsgemäßen Aufzeichnungs­ materials hat die Funktion, daß Ladungsträger, die mit den bei der Aufladung aus dem Schichtträger 1 injizierten Ladungsträgern homopolar sind, die überwiegenden Ladungs­ träger werden. Bei einem Aufzeichnungsmaterial für ein elektrophotographisches Verfahren mit positiver Aufladung muß dementsprechend die Zwischenschicht 2 vom n-Typ und die photoleitfähige Schicht 3 vom i-Typ oder p-Typ sein. Im Falle eines Aufzeichnungsmaterials für ein elektrophoto­ graphisches Verfahren mit negativer Aufladung muß die Zwischenschicht 2 vom p-Typ und die photoleitfähige Schicht 3 vom i-Typ oder n-Typ sein. Die photoleitfähige Schicht 3 hat somit gegenüber der Zwischenschicht 2 die umgekehrte Polarität oder Intrinsic-Eigenschaften.

Im folgenden wird das erfindungsgemäße Aufzeichnungs­ material unter der Annahme näher erläutert, daß es für ein elektrophotographisches Verfahren mit positiver Aufladung eingesetzt wird. Die bei der Aufladung aus dem Schicht­ träger 1 injizierten Ladungsträger sind Elektronen. In diesem Fall wird eine Schicht vom n-Typ, in der Elektronen die hauptsächlichen Ladungsträger sind, als Zwischen­ schicht 2 und eine Schicht vom p-Typ, in der Lochladungen von umgekehrter Polarität die hauptsächlichen Ladungsträger werden, als photoleitfähige Schicht 3 angewandt. Bei der Belichtung im Anschluß an die Aufladung rekombinieren somit Lochladungen, die auf der photoleitfähigen Schicht 3 zu dem Schichtträger 1 hin wandern, mit Elektro­ nen, die aus dem Schichtträger 1 injiziert werden, an der Grenzfläche zwischen den p- und n-Schichten, d. h. an der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 3 und der Zwischenschicht 2.

Als elektrisch leitende Schichtträger 1 eignen sich her­ kömmliche Materialien, z. B. Al oder Edelstahl. Zusätzlich können Kunststoffolien, Papiere, Gläser und dergleichen verwendet werden, deren Oberflächen leitfähig gemacht worden sind, z. B. durch Auflaminieren oder Aufdampfen von Metallen oder Imprägnieren mit leitfähigen Substanzen. Der Schichtträger 1 kann beliebige Konfigurationen annehmen, z. B. zylinder-, band- oder plattenförmig sein.

Die Zwischenschicht 2 kann hergestellt werden aus organi­ schen Materialien, z. B. Harzen, oder anorganischen Mate­ rialien, z. B. Siliciumoxid oder Magnesiumfluorid. Vorzugs­ weise wird jedoch die Zwischenschicht 2 hergestellt aus amorphen Materialien, die im wesentlichen aus Silicium, mindestens einem Element aus der Gruppe Stickstoff, Sauer­ stoff und Kohlenstoff und mindestens einem Element aus der Gruppe Wasserstoff und Fluor bestehen..

Wenn die Zwischenschicht 2 aus einem organischen Material besteht, muß diesem ein Akzeptor und/oder Donator zuge­ setzt werden. Bei einer Zwischenschicht vom p-Typ sollte diese einen Akzeptor allein enthalten, oder wenn sie sowohl einen Akzeptor als auch einen Donator enthält, sollte die Konzentration des Akzeptors erhöht werden. Ist die Zwischen­ schicht andererseits vom n-Typ sollte sie einen Donator allein enthalten, oder wenn sie sowohl einen Donator als auch einen Akzeptor enthält, sollte die Donatorkon­ zentration erhöht werden.

Als Akzeptoren und Donatoren werden die herkömmlichen Materialien verwendet. Geeignete Akzeptoren sind z. B. Chinon, Nitroverbindungen, Nitrile, Säureanhydride und Alkyl­ halogenide. Geeignete Donatoren sind z. B. Olefine, aroma­ tische Verbindungen und Amine.

Zwischenschichten des Typs, bei denen dem organischen Mate­ rial (z. B. einen Polyesterharz, Urethanharz, Phenolharz, Polyethylenharz oder Fluorharz) ein Charge-transfer-Mate­ rial zugesetzt worden ist, werden in einer Dicke von etwa 0,1 bis 0,5 µm, vorzugsweise etwa 0,2 bis 2,0 µm, z. B. nach dem Tauch- oder Rakelverfahren hergestellt.

Zwischenschichten aus anorganischem Material werden z. B. durch Vakuumbedampfen oder Sputtern in einer Dicke von etwa 0,1 bis 5 µm, vorzugsweise etwa 0,2 bis 2,0 µm, her­ gestellt.

Vorzugsweise wird die Zwischenschicht aus einem amorphen Material hergestellt, das im wesentlichen aus Silicium, mindestens einem Element aus der Gruppe Stickstoff, Sauer­ stoff und Kohlenstoff und mindestens einem Element aus der Gruppe Wasserstoff und Fluor besteht. In diesem amor­ phen Material überwiegt a-Si.

Im Falle einer Zwischenschicht 2 aus dem genannten amor­ phen Material können dem a-Si zusätzlich Elemente aus der Gruppe IIIA des Periodensystems (z. B. B, Al, Ga, In oder Tl) der Elemente aus der Gruppe VA des Periodensystems (z. B. P, As oder Sb) wahlweise zugesetzt werden.

Die Zwischenschicht kann nach bekannten Methoden herge­ stellt werden, z. B. durch Glimmentladung, Sputtern, Ionen­ plattieren, Elektronenstrahl- oder Ionenimplantierbeschich­ tung. Hierbei sind die Glimmentladung und das Aufsputtern in verschiedener Hinsicht von Vorteil.

Bei der Glimmentladung kann das Rohgas gegebenenfalls mit einem Verdünnungsgas in einem geeigneten Verhältnis ver­ mischt werden, worauf man das Gemisch in einen Vakuumsedi­ mentationsraum mit dem Schichtträger 1 einleitet und in ein Plasma überführt. Als Rohgase eignen sich Si; N, O und/oder C; H und/oder F sowie jene, die durch Vergasen einer gasförmigen oder in ein Gas überführbaren Substanz mindestens eines Elements aus der Gruppe IIIA oder VA des Periodensystems erhalten worden sind. Das Rohgas kann durch Vermischen der jeweiligen Rohgase der Einzelkompo­ nenten in dem gewünschten Mischungsverhältnis oder durch Mischen des Rohgases von 2 oder mehr Komponenten mit dem Rohgas einer Komponente hergestellt werden.

Als Ausgangsmaterialien für die genannten Rohgase eignen sich z. B. SiH₄ und Si₂H₆, die Si und H als Atombestandteile enthalten, B₂H₆, das H und B als Atombestandteile enthält, sowie H₂ und N₂.

Beim Aufsputtern genügt die Verwendung eine Einkristalls oder eines polykristallinen Si-Plättchens oder Si-haltigen Plättchens als Target, das in eine geeigneten Gasatmos­ phäre zum Sputtern eingesetzt wird. Als Gase eignen sich hierbei die für die Glimmentladung genannten Rohgase. Die für beide Methoden verwendeten Verdünnungsgase sind z. B. He, Ne, Ar oder H₂.

Da die erfindungsgemäße Zwischenschicht 2 die Funktion haben soll, Ladungsträger, die homopolar zu den während der Aufladung aus dem Schichtträger injizierten Ladungsträgern sind, zu den überwiegenden Ladungsträgern zu machen, muß die Herstellung der Schicht 2 entsprechend dieser Funktion erfolgen. In Abhängigkeit davon, ob die aus dem amorphen Material hergestellte Zwischenschicht 2 vom p- oder n-Typ ist, ändern sich die Mengen der Dotierungselemente in dem a-Si (N, O und/oder C; H und/oder F; sowie gegebenen­ falls Elemente aus den Gruppen IIIA und VA).

Versuche haben gezeigt, daß der Gehalt des a-Si an N, O oder C im Bereich von 0,5 bis 30, vorzugsweise 5 bis 20 Atomprozent, der Gehalt an H oder F im Bereich von 5 bis 40, vorzugsweise 10 bis 35 Atomprozent liegen soll. Bei den gegebenenfalls verwendeten Elementen aus den Gruppen IIIA oder VA des Periodensystems liegt die Dotierungsmenge vorzugsweise im Bereich von 50 bis 1000 ppm. In der Praxis bezeichnen die genannten 50 bis 1000 ppm für Elemente der Gruppe IIIA das Gasmischungsverhältnis für B₂H₆, da unter den Elementen der Gruppe IIIA in großem Umfang B verwendet wird. In ähnlicher Weise bezeichnen die genannten 50 bis 1000 ppm für Elemente der Gruppe VA das Gasmischungsver­ hältnis von PH₃, da unter den Elementen der Gruppe AV in großem Umfang P eingesetzt wird.

Die Dicke der a-Si-Zwischenschicht beträgt gewöhnlich 10 nm bis 5 µm, vorzugsweise 50 nm bis 1 µm. Wenn die Zwischen­ schicht dünner als 10 nm ist, treten die erzeugten Ladungs­ träger aus der photoleitfähigen Schicht durch die Zwischen­ schicht in den Schichtträger aufgrund des sogenannten Tunnel-Effekts über, so daß eine Rekombination auf der Schichtträgeroberfläche erfolgt. Wenn die Zwischenschicht dicker als 5 µm ist, erreichen die aus dem Schichtträger injizierten Ladungsträger nur schwer die Grenzfläche zwischen der Zwischenschicht und der photoleitfähigen Schicht.

Wie oben beschrieben, ist die photoleitfähige Schicht vom n- oder i-Typ, wenn die Zwischenschicht 2 vom p-Typ ist, und vom p- oder i-Typ, wenn die Zwischenschicht 2 vom n-Typ ist. Dementsprechend können anorganische Leiter, wie z. B. Se, Se-AS und Se-Tl (jeweils vom p-Typ) CdS (Cu-do­ tiert; n-Typ) und ZnO (n-Typ) als solche in der photoleit­ fähigen Schicht verwendet werden.

Im Falle der Herstellung der Zwischenschicht 2 aus dem genannten amorphen Material ist die photoleitfähige Schicht 3 vorzugsweise ein a-Si-System. Dieses wird durch Dotieren des a-Si mit H und/oder F und außerdem gegebenenfalls min­ destens einem Element aus der Gruppe N, O und C erhalten. Die photoleitfähigen Schichten vom a-Si-System werden je nach den unterschiedlichen Kombinationen und Zusatzmengen der genannten Elemente in solche vom p-, i- und n-Typ unterteilt. Dies ist auch auf die aus dem genannten amorphen Material hergestellte Zwischenschicht anwendbar. Zur Her­ stellung einer photoleitfähigen a-Si-Schicht vom p-Typ setzt man der photoleitfähigen Schicht vom a-Si-System vor­ zugsweise Elemente der Gruppe IIIA in geeigneten Mengen zu. Im Falle von B genügt z. B. der Zusatz von B₂H₆ in einer Menge von etwa 100 bis 1000 ppm, ausgedrückt als Gas­ mischungsverhältnis. Um eine photoleitfähige a-Si-Schicht vom n-Typ herzustellen, dotiert man vorzugsweise mit Ele­ menten der Gruppe VA in geeigneten Mengen, obwohl auch ohne Zusatz derartiger Verunreinigungen ein gewisser n-Typ erzielt werden kann, insbesondere im Falle von a-Si : H, a-Si : N : H und a-Si : C : N : H. Im Falle von P genügt z. B. der Zusatz von PH₃ in einer Menge von etwa 10 bis 1000 ppm, aus­ gedrückt als Gasmischungsverhältnis. Um eine photoleitfähige a-Si-Schicht vom i-Typ herzustellen, genügt im Falle von a-Si : N : H und a-Si : C : N : H der Zusatz von B₂H₆ in einer Menge von etwa 10 bis 100 ppm, ausgedrückt als Gasmischungs­ verältnis. In diesem Zusammenhang ist bemerkenswert, daß im Falle von a-Si : C : H die photoleitfähige a-Si-Schicht als solche ohne Zusatz weiterer Verunreinigungen vom i-Typ ist.

Die Dicke der photoleitfähigen Schicht beträgt 5 bis 100 µm, vorzugsweise 10 bis 40 µm. Wenn die photoleitfähige Schicht dünner als 5 µm ist, läßt sich kein ausreichendes Oberflächenpotential aufrechterhalten und das eingestrahlte Licht erreicht die Zwischenschicht, wo es überschüssige Ladungsträger erzeugt. Hierdurch kommt es zu einem stören­ den Einfluß der Schichtträger-Grenzfläche. Wenn die photo­ leitfähige Schicht andererseits dicker als 100 µm ist, schält sie sich leicht ab und die Herstellungkosten des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials steigen.

Die photoleitfähige a-Si-Schicht 3 kann nach denselben Methoden wie die amorphe Zwischenschicht 2 hergestellt werden.

In dem erfindungsgemäßen elektrophotographischen Aufzeich­ nungsmaterial stehen die photoleitfähige Schicht 3 und die Zwischenschicht 2 in einer spezifischen Beziehung. Dem­ entsprechend ist es notwendig, die Materialien für diese Schichten geeignet auszuwählen.

Gegebenenfalls wird auf der photoleitfähigen Schicht 3 eine Schutzschicht 4 in einer Dicke von etwa 0,05 bis 5,0 µm, vorzugsweise etwa 0,1 bis 2,0 µm, ausgebildet. Für diese Schutzschicht 4 geeignete Materialien sind z. B. Siliciumnitrid, Siliciumcarbid, Siliciumoxid, Bornitrid und Bornitrid-carbid.

Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial kann sowohl in üblicher Weise für Kopiermaschinen als auch als Druck­ trommel von Druckmaschinen eingesetzt werden, die nach dem elektrophotographischen Verfahren arbeiten.

Erfindungsgemäß wird eine Zwischenschicht zwischen dem Schichtträger und der photoleitfähigen Schicht angewandt, die die Funktion hat, daß Ladungsträger, die homopolar zu den bei der Aufladung aus dem Schichtträger injizierten Ladungsträgern sind, zu den überwiegenden Ladungsträgern werden. Es könnte auch Funktion der Zwischenschicht sein, den Fluß von Ladungsträgern von der Seite des Schicht­ trägers in die photoleitfähige Schicht zu verhindern und den Durchtritt von Ladungsträgern, die in der photoleitfähigen Schicht aufgrund der Belichtung entstehen, von der Seite der photoleitfähigen Schicht zur Schichtträgerseite zu er­ möglichen. Ein elektrophotographisches Aufzeichnungs­ material dieser Art wäre jedoch nicht dazu geeignet, die erfindungsgemäße Aufgabe zu lösen, da bei ihm das elektrische Restpotential erhöht und der Einfluß von Verunreinigungen auf der Schichtträgeroberfläche verstärkt würde.

Erfindungsgemäß werden folgende Vorteile erzielt:

• (a) Die Rekombination von Ladungsträgern erfolgt an der Grenzfläche zwischen der Zwischenschicht und der photoleitfähigen Schicht, wodurch das elektrische Rest­ potential verringert oder vollständig abgebaut wird und Verunreinigungen auf der Schichtträgeroberfläche keinen störenden Einfluß auf die Bilder ausüben. Dies bedeutet, daß scharfe Bilder erhalten werden und bei der Herstellung und Handhabung des Aufzeichnungs­ materials weniger hohe Anforderungen an die Oberflächen­ reinheit gestellt werden. Dies bringt sowohl kosten- als auch verfahrensmäßige Vorteile mit sich.
• (b) Aufgrund des Vorsehens einer Zwischenschicht ist das Filmwachstum der photoleitfähigen Schicht bei der Her­ stellung des elektrophotographischen Aufzeichnungs­ ++materials in Oberflächen- und Filmrichtung gleich­ mäßig, so daß abnormale Punkte (z. B. kristallisierte Bereiche) und dementsprechend abnormale Bilder ver­ ringert auftreten.

Beispiel

Auf einer Aluminiumtrommel (Schichtträger) von 80 mm Durch­ messer und 340 mm Länge werden mit einer koaxialen zylin­ drischen Glimmentladungseinrichtung unter den in Tabelle 1 genannten Bedingungen und mit den dort genannten Gasen eine Zwischenschicht und eine photoleitfähige Schicht aus­ gebildet. Insgesamt werden 6 erfindungsgemäße Aufzeich­ nungsmaterialien unter folgenden Verfahrensbedingungen her­ gestellt: Schichtträgertemperatur 230°C; Entladungs­ frequenz 13,56 MHz; elektrische Entladungsleistung 0,24 W/cm³; Reaktionsdruck 1,07 mbar. Die Filmdicke der Zwischenschicht wird auf etwa 400 nm, die der photoleitfähigen Schicht auf etwa 18 µm eingestellt.

Tabelle 1

• (1) Das Aufzeichnungsmaterial Nr. 1 wird in eine Trocken­ kopiermaschine (+6,5 kV Coronaent­ ladung) eingespannt und zur kontinuierlichen Herstellung von 100 000 Kopien eingesetzt. Hierbei entstehen scharfe Bilder, die völlig frei sind von abnormen Bild­ bereichen mit weißen Flecken oder Streifen und über­ legene Gradation besitzen. Setzt man das Aufzeich­ nungsmaterial Nr. 1 zum Vergleichen in eine Kopiermaschine ein, in der die Aufladung mit -6,5 kV erfolgt, so ent­ stehen beim Kopieren abnormale Bilder mit zahlreichen weißen Flecken und Streifen, die vermutlich durch die Anwesenheit von Verunreinigungen auf der Schicht­ trägeroberfläche verursacht werden.
• Diese Erscheinung wird auch bei den elektrophoto­ graphischen Aufzeichnungsmaterialien Nr. 3, 4 und 5 für die positive Aufladung beobachtet.
• Zum Vergleich stellt man ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial wie das Aufzeichnungsmaterial Nr. 1 her, das jedoch keine Zwischenschicht aufweist. Verwendet man dieses Vergleichsmaterial unter denselben Bedingungen (+6,5 kV Coronaentladung) zur Herstellung von Kopien, so tritt im Vergleich zu dem erfin­ dungsgemäßen Beispiel eine außerordentlich hohe Zahl von weißen Flecken und Streifen auf.
• (2) Das Aufzeichnungsmaterial Nr. 2 wird unter denselben Bedingungen wie das Aufzeichnungsmaterial Nr. 1 zur Herstellung von Kopien verwendet, wobei bei der Auf­ ladung mit -6,5 kV scharfe Bilder, bei der Aufladung mit +6,5 kV jedoch abnormale Bilder erhalten werden.
• Diese Erscheinung tritt auch bei dem Aufzeichnungs­ material Nr. 6 für die negative Aufladung auf.

Der Ausdruck "Intrinsic-Eigenschaften" bezieht sich z. B. auf die Eigenschaft von i-Halbleitern, daß die Ladungs­ trägerkonzentration vom Halbleitermaterial selbst und weniger von dessen Gehalt von Verunreinigungen oder Kristall­ defekten abhängt.

Claims (13)

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger, auf den nacheinander eine Zwischenschicht und eine photoleitfähige Schicht aufgebracht sind, die jeweils aus verschiedenen Mate­ rialien vom i-, n- oder p-Leitfähigkeitstyp bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß entweder (i) die Zwischenschicht vom n-Typ und die photoleitfähige Schicht vom i- oder p-Typ oder (ii) die Zwischen­ schicht vom p-Typ und die photoleitfähige Schicht vom i- oder n-Typ ist, wobei die in der Zwischenschicht haupt­ sächlich vorhandenen Ladungsträger dieselbe Polarität aufweisen wie die beim Aufladen des Aufzeichnungsmate­ rials aus dem Schichtträger in die Zwischenschicht inji­ zierten Ladungen und die beim Belichten im Anschluß an die Entladung auf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht vorhandenen Ladungen in den belichteten Bereichen durch die Rekombination mit den Ladungen entgegengesetzter Polarität an der Grenzfläche zwischen photoleitfähiger Schicht und Zwischenschicht neutralisiert werden.

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die photoleitfähige Schicht und die Zwischenschicht jeweils aus einem amorphen Material bestehen.

3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zwischenschicht aus amorphem Silicium besteht, das mindestens ein Element aus der Gruppe Stick­ stoff, Sauerstoff und Kohlenstoff und mindestens ein Element aus der Gruppe Wasserstoff und Fluor enthält.

4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zwischenschicht Stickstoff, Sauerstoff und/oder Kohlenstoff in einer Menge von 0,5 bis 30 Atom­ prozent und Wasserstoff und/oder Fluor in einer Menge von 5 bis 40 Atomprozent enthält.

5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht außerdem Elemente aus der Gruppe IIIA oder VA des Periodensystems in einer Menge von 50 bis 1000 ppm enthält.

6. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht eine Dicke von 0,01 bis 5 µm hat.

7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zwischenschicht eine Dicke von 0,05 bis 1 µm hat.

8. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus amorphem Silicium besteht, das mindestens eines der Elemente Wasserstoff und Fluor enthält.

9. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die photoleitfähige Schicht Wasserstoff und/oder Fluor in einer Menge von 5 bis 40 Atomprozent enthält.

10. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht außer­ dem mindestens ein Element aus der Gruppe Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff in einer Menge von 0 bis 20 Atomprozent enthält.

11. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht außerdem Elemente aus der Gruppe IIIA oder VA des Periodensystems in einer Menge von 10 bis 1000 ppm enthält.

12. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht eine Dicke von 5 bis 100 µm hat.

13. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die photoleitfähige Schicht eine Dicke von 10 bis 40 µm hat.