DE3443823C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial gemäß Oberbegriff von Anspruch 1. Ein derartiges Aufzeichnungsmaterial ist aus der GB-A-21 11 704 bekannt.
Aufzeichnungsmaterialien vom a-Si : C-Typ, die eine photoleitfähige Schicht aus amorphem Siliciumcarbid aufweisen, sind als sehr hart und witterungsbeständig bekannt. Die Energiedifferenz Eg kann bei ihnen durch Veränderung des Kohlenstoffgehalts (C) geregelt werden. Ein repräsentatives Beispiel für ein derartiges Aufzeichnungsmaterial vom a-Si : C-Typ ist ein Material mit einer lichtempfindlichen Schicht der Formel a-Si x C1-x : H. Dieses Aufzeichnungsmaterial ist jedoch aufgrund seiner schlechten Lichtempfindlichkeit und Aufladbarkeit für die Praxis ungeeignet. Außerdem ist die Haltbarkeit von Aufzeichnungsmaterialien des a-Si : C-Typs für die praktische Anwendung ungenügend. Insbesondere Aufzeichnungsmaterialien dieses Typs mit Al als Schichträger haben den Nachteil, daß sich die lichtempfindliche Schicht leicht von dem Schichtträger abschält und das Aufzeichnungsmaterial nicht über längere Zeit eingesetzt werden kann.
In der GB-A-21 11 704 ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial beschrieben, dessen doppelschichtige lichtempfindliche Schicht z. B. amorphes Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff sowie Bor als Dotierungsmittel enthalten kann.
Aus der DE-A-28 55 718 ist die Verwendung von Schutz- und Antireflexschichten bei elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien bekannt. Die DE-A-32 15 151 beschreibt die Verwendung von z. B. a-Si : N : H in einer doppelschichtigen Sperrschicht von elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien.
Die Merkmale dieser bekannten Aufzeichnungsmaterialien sind jedoch für sich allein nicht dazu geeignet, die oben genannten Mängel zu beheben.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial bereitzustellen, das hohe Lichtempfindlichkeit und hohes Aufladungspotential sowie ausgezeichnete Haltbarkeit, d. h. geringe Abschälneigung der lichtempfindlichen Schicht von dem Schichtträger besitzt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials;
Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials; und
Fig. 3 ein schematisches Diagramm einer Plasma-Glimmentladungsvorrichtung zur Herstellung des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials.
Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial weist auf einem Schichtträger eine lichtempfindliche Schicht auf, welche ein amorphes Siliciumcarbid-nitrid der Formel a-Si : C : N(H und/oder X) (X bedeutet Halogen) umfaßt.
Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials besteht aus einem Schichtträger 5 und einer darauf ausgebildeten photoleitfähigen Schicht 1 a. Die photoleitfähige Schicht 1 a umfaßt eine lichtempfindliche Schicht 3 a, eine Schutz- und Antireflexschicht 2 zum Schutz der Oberseite der lichtempfindlichen Schicht 3 a und zur Verringerung der Reflexion von einfallendem Licht durch die lichtempfindliche Schicht 3 a sowie eine Sperrschicht 4, die zwischen der lichtempfindlichen Schicht 3 a und dem Schichtträger 5 angeordnet ist und dazu dient, die Injektion von negativen oder positiven Ladungsträgern von dem Schichtträger 5 in die lichtempfindliche Schicht 3 a zu unterbinden.
Die in Fig. 2 gezeigte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials besteht aus einem Schichtträger 5 und einer darauf ausgebildeten photoleitfähigen Schicht 1 b. Die photoleitfähige Schicht 1 b umfaßt eine lichtempfindliche Schicht 3 a, eine Schutz- und Antireflexschicht 2 zum Schutz der Oberseite der lichtempfindlichen Schicht 3 a und zum Verringern der Reflexion von einfallendem Licht durch die lichtempfindliche Schicht 3 a sowie eine p-Halbleiterschicht 3 b zwischen der lichtempfindlichen Schicht 3 a und dem Schichtträger 5. Die p-Halbleiterschicht 3 b dient dazu, die Injektion von negativen Ladungsträgern von dem Schichtträger in die lichtempfindliche Schicht 3 a bei der positiven Aufladung vor der Erzeugung von latenten elektrostatischen Bildern zu verhindern und dadurch den Dunkelabfall der lichtempfindlichen Schicht 3 a zu verringern. Andererseits erleichtert sie den Abbau von positiven Ladungen durch den Schichtträger 5, wenn die lichtempfindliche Schicht 3 a bildmäßig belichtet wird.
Selbstverständlich kann die p-Halbleiterschicht 3 b durch eine n-Halbleiterschicht ersetzt werden, wodurch die Injektion von positiven Ladungsträgern (Löchern) von dem Schichtträger 5 in die lichtempfindliche Schicht 3 a bei der negativen Aufladung vor der Erzeugung von elektrostatischen Bildern blockiert wird. Andererseits wird die Ableitung von negativen Ladungsträgern aus der lichtempfindlichen Schicht 3 a durch den Schichtträger 5 erleichtert, wenn die lichtempfindliche Schicht 3 b belichtet wird. Als Ladungsträger-Sperrschichten in der photoleitfähigen Schicht 1 b können somit sowohl n- als auch p-Halbleiterschichten angewandt werden.
Für den Schichtträger werden elektrisch leitende Materialien verwendet, z. B. Al, Edelstahl, Ni, Cr, Mo, Au, Ir, Ta, Nb, Ti, V, Pt, Pd und Legierungen dieser Elemente, sowie elektrisch leitende Materialien, die aus (i) einer elektrisch leitenden Dünnschicht mindestens einer Komponente, die ausgewählt ist unter den obengenannten Metallen und Legierungen sowie Metalloxiden, wie in In₂O₃ und SnO₂, und (ii) einem elektrisch isolierenden Trägermaterial für die elektrisch leitende Dünnschicht besteht, z. B. Papier oder Polymermaterialien, wie Polyestern, Polyethylen, Polycaarbonat, Polypropylen, Polyvinylchlorid oder Polystyrol, Keramikmaterialien oder Glas.
Erfindungsgemäß wird die Oberfläche des Schichtträgers vorzugsweise angerauht, z. B. auf eine Rauhigkeit von etwa 0,05 bis 1,0 µm, um ein Abschälen der lichtempfindlichen Schicht 1 a und 1 b von dem Schichtträger 5 zu verhindern. Hierdurch wird die Haltbarkeit des Aufzeichnungsmaterials wesentlich verbessert.
Die lichtempfindliche Schicht 3 a umfaßt erfindungsgemäß das obengenannte amorphe Siliciumcarbid-nitrid. Das amorphe Siliciumcarbid-nitrid kann mit mindestens einem Element dotiert sein, das unter B, Al, Ga, In und Tl von Gruppe III-A und P, As, Sb und Bi von Gruppe V-A des Periodensystems ausgewählt ist. Durch diese Dotierung können die elektrischen Eigenschaften der lichtempfindlichen Schicht 3 a geregelt und verändert werden, z. B. zum p- oder n-Typ. Die zum Dotieren der lichtempfindlichen Schicht 3 a verwendete Menge dieser Elemente beträgt vorzugsweise 10 bis 10 000 ppm, insbesondere 50 bis 5000 ppm.
Als Materialien für die lichtempfindliche Schicht 3 a können a-Si : C : N : (H und/oder X) (X bedeutet Halogen) verwendet werden. Erfindungsgemäß ist es notwendig, daß die lichtempfindliche Schicht 3 a aus einem Material besteht, das zumindest a-Si, C, N, H und/oder Halogen enthält. Deshalb können auch z. B. a-Si : C : N : O (H und/oder X) und a-Si : C : N : S (H und/oder X) eingesetzt werden.
Die lichtempfindliche Schicht 3 a hat vorzugsweise eine Dicke von 5 bis 100 µm, insbesondere 10 bis 50 µm.
Die Schutz- und Antireflexschicht schützt die lichtempfindliche Schicht 3 a und verringert die Reflexion von einfallendem Licht durch die lichtempfindliche Schicht 3 a. Vorzugsweise hat die Schutz- und Antireflexschicht, die auf der Oberseite der lichtempfindlichen Schicht 3 a ausgebildet wird, einen Brechungsindex zwischen dem Brechungsindex von Luft und dem Brechungsindex der lichtempfindlichen Schicht, wobei ein Brechungsindex n von 1,44 bis 2,30 besonders bevorzugt ist.
Als Materialien für die Schutz- und Antireflexschicht eignen sich Aluminiumoxid (Al₂O₃), Titanoxid (TiO₂), Siliciumoxid (SiO₂), Zinnoxid (SnO₂), Magnesiumfluorid (MgF₂), Tantaloxid (Ta₂O₃) und Mischungen dieser Materialien. Die Oberflächenschutzschicht hat vorzugsweise eine Dicke von 0,02 bis 1,0 µm.
Zwischen der lichtempfindlichen Schicht 3 a und dem Schichtträger 5 ist eine Sperrschicht 4 vorgesehen. Diese Sperrschicht 4 blockiert die Injektion von negativen oder positiven Ladungsträgern aus dem Schichtträger 5 in die lichtempfindliche Schicht 3 a während der Aufladung vor der Erzeugung latenter elektrostatischer Bilder, wodurch der Dunkelabfall der lichtempfindlichen Schicht 3 a verringert und das Ableiten von positiven bzw. negativen Ladungsträgern aus der lichtempfindlichen Schicht 3 a durch den Schichtträger 5 während der bildmäßigen Belichtung erleichtert werden kann. Die Zwischenschicht 4 dient somit in der photoleitfähigen Schicht 1 a als Ladungsträger-Sperrschicht.
Geeignete Materialien für die Zwischenschicht 4 sind a-Si : N : H, a-Si : N : O : H, a-Si : C : O : H, a-Si : C : H, a-Si : C : N : O : H, B : N : H, B : N : O : H, B : C : N : H, a-Si : N : X, a-Si : N : O : X, a-Si : C : O : X, a-Si : C : X, a-Si : C : N : O : X, B : N : X, B : N : O : X und B : C : N : X (wobei X Halogen bedeutet). Die Sperrschicht 4 hat vorzugsweise eine Dicke von 0,01 bis 1 µm, insbesondere 0,02 bis 0,5 µm.
Die erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien können unter Verwendung der in Fig. 3 schematisch dargestellten Plasma-Glimmentladungs-Zersetzungsvorrichtung hergestellt werden. In dieser Vorrichtung ist eine Vakuumkammer 6 mit einer Hochfrequenz-Spannungsquelle 10 verbunden. In der Vakuumkammer 6 ist eine Elektrode 7 angeordnet, an der ein Trägermaterial 9 befestigt ist. Die Vakuumkammer 6 ist mit Gaszylindern 24 bis 28 über Gasventile 19 bis 23, Strömungsreglern 14 bis 18 und ein Gasventil 12 verbunden. Die Gaszylinder 24, 25, 26, 27 und 28 enthalten z. B. SiH₄ oder SiF₄, N₂ oder NH₃ oder CH₄, H₂ bzw. Dotiergase. Entsprechend der gewünschten Zusammensetzung der auf dem Trägermaterial 9 auszubildenden photoleitfähigen Schicht werden die notwendigen Gase über die Gasventile 19 bis 23 und 12 der Vakuumkammer 6 zugeführt, wobei man die Strömungsregler 14 bis 18 entsprechend einstellt. Auf diese Weise werden die Sperrschicht 4 oder die Halbleiterschicht 3 b, die lichtempfindliche Schicht 3 a und die Schutz- und Antireflexschicht nacheinander auf dem Trägermaterial 9 abgeschieden. Nach Abscheiden jeder Schicht werden nicht benötigte Zersetzungsgase über ein Hauptventil 13 aus der Vakuumkammer 6 abgeleitet.
Beispiel 1 Herstellung der Sperrschicht
Unter Verwendung der Vorrichtung von Fig. 3 wird eine Sperrschicht aus a-Si : N : H mit einer Dicke von 0,3 µm auf eine Aluminiumtrommel mit einer Oberflächenrauhigkeit von 0,2 µm unter folgenden Bedingungen ausgebildet:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄(20%)/H₂500 N₂100
Die über die Hochfrequenz-Spannungsquelle zum Zersetzen der Gase angelegte Energiedichte beträgt 0,25 W/cm². Während des Abscheidens der Sperrschicht auf die Aluminiumtrommel werden eine Trommeltemperatur von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 1,06 mbar eingehalten.
Herstellung der lichtempfindlichen Schicht
Auf der erhaltenen a-Si : N : H-Sperrschicht wird eine lichtempfindliche Schicht aus a-Si : C :N : H(B) mit einer Dicke von 20 µm unter folgenden Bedingungen ausgebildet:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄(20%)/H₂500 N₂ 20 CH₄ 10 B₂H₆ (1000 ppm)/H₂ 10
Die über die Hochfrequenz-Spannungsquelle zur Zersetzung der Gase angewandte Energiedichte beträgt 0,20 W/cm². Während der Abscheidung der lichtempfindlichen Schicht auf der Sperrschicht werden eine Temperatur der Aluminiumtrommel von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 1,06 mbar eingehalten.
Herstellung der Schutz- und Antireflexschicht
Auf der erhaltenen lichtempfindlichen Schicht wird eine Schutz- und Antireflexschicht aus a-Si : O : H mit einer Dicke von 0,3 µm unter folgenden Bedingungen ausgebildet:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄(20%)/H₂500 CO₂100
Die über dieHochfrequenz-Spannungsquelle zur Zersetzung der Gase zugeführte Energiedichte beträgt 0,20 W/cm². Während der Abscheidung der Schutz- und Antireflexschicht auf der lichtempfindlichen Schicht werden eine Temperatur der Aluminiumtrommel von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 1,06 mbar eingehalten.
Auf diese Weise erhält man ein erfindungsgemäßes elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial Nr. 1.
Beispiel 2
Das Verfahren von Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch verwendet man bei der Herstellung der lichtempfindlichen Schicht SiF₄ (20%)/H₂ anstelle von SiH₄ (20%)/H₂. Man erhält ein erfindungsgemäßes elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial Nr. 2 mit einer lichtempfindlichen Schicht aus a-Si : C :N : F(B) von 23 µm Dicke.
Die erfindungsgemäßen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien Nr. 1 und 2 werden jeweils in einen handelsüblichen Kopierer eingesetzt und zur Herstellung von 5000 Kopien verwendet. Hierbei werden über die gesamte Dauer des Tests klare Kopien erhalten und es ist kein Abschälen der photoleitfähigen Schicht von der Aluminiumtrommel feststellbar.
Vergleichsbeispiel 1
Das Verfahren von Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch ersetzt man die in Beispeiel 1 verwendete Aluminiumtrommel mit einer Oberflächenrauhigkeit von 0,2 µm durch eine Aluminiumtrommel mit einer Oberflächenrauhigkeit von 0,01 µ. Das erhaltene elektrophotographische Vergleichs-Aufzeichnungsmaterial wird in dem oben beschriebenen Kopiertest eingesetzt. Ab etwa der 500sten Kopie schält sich die photoleitfähige Schicht allmählich von der Aluminiumtrommel ab.
Beispiel 3 Herstellung der Sperrschicht
Unter Verwendung der Vorrichtung von Fig. 3 wird eine Sperrschicht aus a-Si : N : O : H mit einer Dicke von 0,04 µm auf einer Aluminiumtrommel mit einer Oberflächenrauhigkeit von 0,2 µm unter folgenden Bedingungen ausgebildet:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄(20%)/H₂500 N₂100 CO₂ 50
Die über die Hochfrequenz-Spannungsquelle zum Zersetzen der Gase angelegte Energiedichte beträgt 0,22 W/cm². Während des Abscheidens der Sperrschicht auf die Aluminiumtrommel werden eine Trommeltemperatur von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 0,8 mbar eingehalten.
Herstellung der lichtempfindlichen Schicht
Auf die erhaltene a-Si : N : O : H-Sperrschicht wird unter folgenden Bedingungen eine lichtempfindliche Schicht aus a-Si : C : N : H(B) in einer Dicke von 23 µm aufgebracht:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄ (20%)/H₂500 CH₄ 10 N₂ 20 B₂H₆ (1000 ppm)/H₂ 10
Die über die Hochfrequenz-Spannungsquelle zur Zersetzung der Gase angewandte Energiedichte beträgt 0,20 W/cm². Während der Abscheidung der lichtempfindlichen Schicht auf der Sperrschicht werden eine Temperatur der Aluminiumtrommel von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 1,06 mbar eingehalten.
Herstellung der Schutz- und Antireflexschicht
Auf der erhaltenen lichtempfindlichen Schicht wird eine Schutz- und Antireflexschicht aus a-Si : O : H in einer Dicke von 0,2 µm unter folgenden Bedingungen ausbebildet:
Verwendete GaseStrömungsgeschwindigkeit (cm³)
SiH₄(20%)/H₂500 CO₂100
Die über die Hochfrequenz-Spannungsquelle zur Zersetzung der Gase angewandte Energiedichte beträgt 0,22 W/cm². Während der Abscheidung der Schutz- und Antireflexschicht auf der lichtempfindlichen Schicht werden eine Temperatur der Aluminiumtrommel von 230°C und ein Druck in der Vakuumkammer von 0,8 mbar eingehalten.
Das auf diese Weise erhaltene erfindungsgemäße elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial Nr. 3 hat die folgenden elektrophotographischen Kenndaten, die in dem folgenden Diagramm dargestellt sind:
Sättigungs-Aufladungspotential:630 V (bei Aufladung mit + 6,5 kV) Dunkelabfall nach 20 sec:0,65 Lichtempfindlichkeit gegenüber
weißem Licht:0,9 µJ/cm² (Belichtungsmenge, die zur Verringerung des Potentials von 400 V auf 100 V erforderlich ist)
Aufzeichnungsmaterial Nr. 3
Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial Nr. 3 wird in einem handelsüblichen Kopierer eingesetzt und zur Herstellung von 100 000 Kopien verwendet. Hierbei werden über die gesamte Dauer des Tests klare Kopien eerhalten und es ist kein Abschälen der photoleitfähigen Schicht von der Aluminiumtrommel feststellbar. Auch tritt keine Verschlechterung der elektrophotographischen Kenndaten auf.
Vergleichsbeispiel 2
Das Verfahren von Beispiel 3 wird wiederholt, jedoch wird die Sperrschicht in dem Aufzeichnungsmaterial Nr. 3 weggelassen.
Das erhaltene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wird demselben Kopiertest wie in Beispiel 3 unterzogen, wobei ab etwa der 10 000. Kopie eine leichte Abschälung der lichtempfindlichen Schicht von der Aluminiumtrommel feststellbar ist. Es werden folgende elektrophotographische Kenndaten bestimmt:
Sättigungs-Aufladungspotential:520 V Dunkelabfall nach 20 sec:0,48 Lichtempfindlichkeit gegenüber
weißem Licht:1,0 µJ/cm²
Sämtliche drei Kenndaten sind somit schlechter als bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial Nr. 3.
Vergleichsbeispiel 3
Das Verfahren von Beispiel 3 wird wiederholt, jedoch ersetzt man die in dem Aufzeichnungsmaterial Nr. 3 verwendete lichtempfindliche Schicht durch eine lichtempfindliche Schicht aus a-Si : C : H(B).
Das erhaltene Aufzeichnungsmaterial hat folgende elektrophotographische Kenndaten:
Sättigungs-Aufladungspotential:480 V Dunkelabfall nach 20 sec:0,50 Lichtempfindlichkeit gegenüber
weißem Licht:2,0 µJ/cm²
Somit sind alle drei Kenndaten schlechter als bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial Nr. 3.
Vergleichsbeispiel 4
Das Verfahren von Beispiel 3 wird wiederholt, jedoch läßt man die Schutz- und Antireflexschicht in dem Aufzeichnungsmaterial Nr. 3 weg.
Das erhaltene Aufzeichnungsmaterial hat folgende elektrophotographische Kenndaten:
Sättigungs-Aufladungspotential:550 V Dunkelabfall nach 20 sec:0,56 Lichtempfindlichkeit gegenüber
weißem Licht:1,50 µJ/cm²
Somit sind alle drei Kenndaten schlechter als bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial Nr. 3.

Claims (8)

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger und einer darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht aus einem amorphen Silicium-carbid-nitrid der Zusammensetzung a-Si : C : N(H und/oder X), wobei X ein Halogen ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Schichträger und der lichtempfindlichen Schicht eine Ladungsträger-Sperrschicht vorgesehen ist, die aus a-Si : N : H, a-Si : N : O : H, a-Si : C : O : H, a-Si : C : H, a-Si : C : N : O : H, B : N : H, B : N : O : H, B : C : N : H, a-Si : N : X, a-Si : N : O : X, a-Si : C : O : X, a-Si : C : X, a-Si : C : N : O : X, B : N : X, B : N : O : X oder B : C : N : X besteht, und auf die lichtempfindliche Schicht eine Schutz- und Antireflexschicht aufgebracht ist, die aus Aluminiumoxid (Al₂O₃), Titanoxid (TiO₂), Siliciumdioxid (SiO₂), Zinnoxid (SnO₂), Magnesiumfluorid (MgF₂), Tantaloxid (Ta₂O₃) oder Gemischen dieser Materialien besteht.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Silicium-carbid-nitrid mit mindestens einem Element aus der Gruppe B, Al, Ga, In, Tl, P, As, Sb und Bi in einer Menge von 10 bis 10 000 ppm dotiert ist.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutz- und Antireflexschicht einen Brechungsindex zwischen dem Brechungsindex von Luft und dem Brechungsindex der lichtempfindlichen Schicht hat.
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutz- und Antireflexschicht einen Brechungsindex von 1,44 bis 2,30 hat.
5. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtträgers eine Rauhigkeit von 0,05 bis 1,0 µm hat.
6. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsträger-Sperrschicht eine Dicke von 0,01 bis 1,0 µm hat.
7. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht eine Dicke von 5 bis 100 µm hat.
8. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutz- und Antireflexschicht eine Dicke von 0,02 bis 1,0 µm hat.
DE19843443823 1983-12-01 1984-11-30 Elektrophotographischer photoleiter Granted DE3443823A1 (de)

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