DE3439803A1 - Abschaltthyristor - Google Patents
AbschaltthyristorInfo
- Publication number
- DE3439803A1 DE3439803A1 DE19843439803 DE3439803A DE3439803A1 DE 3439803 A1 DE3439803 A1 DE 3439803A1 DE 19843439803 DE19843439803 DE 19843439803 DE 3439803 A DE3439803 A DE 3439803A DE 3439803 A1 DE3439803 A1 DE 3439803A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductivity type
- type
- base layer
- layer
- turn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 83
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1012—Base regions of thyristors
- H01L29/102—Cathode base regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/744—Gate-turn-off devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
_ 4 —
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf einen Abschaltthyristor. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Abschaltthyristor,
der in der Lage ist, den großen Anodenstrom innerhalb einer kurzen Zeitspanne zu unterbrechen.
Ein Abschaltthyristor wurde als ein Halbleiterelement vorgeschlagen
und in den praktischen Gebrauch umgesetzt, das in der Lage ist, eine Schaltfunktion durchzuführen, d.h.,
das in der Lage ist, als Reaktion auf ein Gate-Signal einen Strom ein- oder auszuschalten. Vor kurzem wurde ein solcher
Abschaltthyristor als neues Leistungs-Halbleiterelement aktuell und ein solches Element, das Anodenströme in der
Größenordnung bis 2500A abschalten kann, wurde entwickelt.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer geschichteten
Struktur eines herkömmlichen Abschaltthyristors darstellt. Der Abschaltthyristor weist eine vierfachgeschichtete Struktur auf mit einer Emitterschicht 1 vom
P-Typ, einer Basisschicht 2 vom N-Typ, einer Basisschicht 3 vom P-Typ und einer Emitterschicht 4 vom N-Typ, wobei
diese stufenweise mit der untersten beginnend gebildet werden. Die Emitterschicht 4 vom N-Typ wird jedoch in eine
Mehrzahl von Bereichen in planarer Weise unterteilt, und die Oberfläche der Basisschicht 3 vom P-Typ wird mit P+-
Schichtbereichen 5 zur Herstellung eines Ohm'sehen Kontaktes
gebildet. Eine Anodenelektrode 6 wird auf der Ober-
fläche der Emitterschicht 1 vom P-Typ gebildet und Kathodenelektroden
7 werden auf der Oberfläche der Emitterschicht vom N-Typ gebildet und dann werden die P -Schichtbereiche
auf der Basis vom P-Typ zur Stromsteuerung gebildet.
Fig. 2 ist eine vergrößerte Ansicht, die den Stromfluß durch die Basisschicht 3 vom P-Typ, wenn der in Fig. 1 dargestellte
Abschaltthyristor ausgeschaltet ist, zeigt, wobei der Strom entlang der Pfeillinien fließt.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung, die das gegenseitige Verhältnis der jeweiligen zeitabhängigen Änderungen
des Unterbrechungsanodenstroms (Imri_), der Vorwärtsspannung
(VD) und des Gate-Stroms (Iq0) des Abschaltthyristors
zeigt. In der Figur gibt die Ordinate den Strom oder die Spannung wider und die Abszisse gibt die Zeit wider, worin
t der Ausschaltzeit entspricht. Der Anodenstrom fließt
wie in Fig. 2 gezeigt im Falle der Unterbrechung in die Gate-Elektroden 8 und daher werden die Träger in der Basisschicht
3 vom P-Typ mit dem Strom zu der Gate-Elektrode allmählich herausgezogen, dadurch wird der sich im leitfähigen
Zustand befindliche Bereich verschmälert, so daß der Thyristor letztendlich ausgeschaltet werden kann. Wenn
der Anodenstrom ausgeschaltet ist, wird der Strom jedoch in dem allmählich verschmälerten Bereich im leitfähigen
Zustand konzentriert, mit dem Ergebnis, daß thermische Zerstörung oder ähnliches in dem verschmälerten Bereich
im leitfähigen Zustand auftreten kann. Mittlerweile wurde erkannt, daß es als Verbesserung anzusehen ist, wenn die
Träger wirksam und schnell aus der oben beschriebenen Basisschicht 3 vom P-Typ herausgezogen werden. Zu diesem
Zweck wurden Verbesserungen überlegt, die darin bestehen,
daß die Weite L jedes Emitter-Schichtbereichs schmäler gemacht oder, daß die Verunreinigungskonzentration der Basisschicht
3 vom P-Typ so viel wie möglich vergrößert wird. Obgleich ein gewöhnlicher Abschaltthyristor so aufgebaut
ist, daß die Weite L jedes Emitter-Schichtbereichs 4 vom N-Typ so schmal wie einige 100 μΐη gewählt wird, ist es notwendig,
daß die Weite L noch viel schmäler gewählt wird in dem Fall, in dem der größere Anodenstrom über das Gate
abgeschaltet wird. Wenn die Weite L des Emitter-Schichtbereichs 4 vom N-Typ jedoch schmäler gewählt wird, so entstehen
Probleme damit, daß die Kathodenfläche verkleinert wird, die Herstellung schwierig wird, die Ausbeuterate
verringert wird und ähnliches. Wenn die Verunreinigungskonzentration der gesamten Basisschicht 3 vom P-Typ vergrößert
wird, so wird die Übergangswirkung der Ladungsträger von dem Emitter-Schichtbereich 4 vom N-Typ zur Basisschicht 3
vom P-Typ allmählich vergrößert, wodurch ein Stromverstärkungsfaktor o<y eines NPN-Transistors, bestehend aus dem
Emitter-Schichtbereich 4 vom N-Typ, der Basisschicht 3 vom P-Typ, und der Basisschicht 2 vom N-Typ, mit der Vergrößerung
der Verunreinigungskonzentration der Basisschicht 3 vom P-Typ verkleinert wird.
Wie inzwischen ausreichend bekannt ist, muß um einen Abschaltthyristor
vom Sperrzustand in Vorwärtsrichtung aus einzuschalten, die Summe des oben beschriebenen Stromverstärkungsfaktors
<*Npjvr des NPN-Transistors und des Stromverstärkungsfaktors
0^PNp des PNP-Transistors, bestehend aus
der Basisschicht 3 vom P-Typ, der Basisschicht 2 vom N-Typ und der Emitter-Schicht 1 vom P-Typ, größer sein als 1.
Wenn die Verunreinigungskonzentration der Basisschicht 3 vom P-Typ zu stark vergrößert wird, so werden die oben beschriebenen
Bedingungen nicht angetroffen, mit dem Ergebnis, daß die Einschaltfunktion des Abschaltthyristors nicht
durchführbar ist. Dementsprechend kann die Verunreinigungskonzentration der Basisschicht 3 vom P-Typ nicht über einen
bestimmten Wert hinaus vergrößert werden.
Da ein herkömmlicher Abschaltthyristor in der oben beschriebenen Weise aufgebaut ist, bringt dies den Nachteil mit
sich, daß die Ausschaltzeitspanne so lang ist, daß der Thyristor nicht als ein Hochfrequenzumformer verwendet werden
kann, während ein Unterbrechungsanodenstrom klein ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Abschaltthyristor vorzusehen, der die oben beschriebenen Nachteile eines herkömmlichen
Abschaltthyristors nicht besitzt.
Kurz zusammengefaßt bezieht sich die Erfindung auf einen Abschaltthyristor mit einer Emitter-Schicht eines Leitfähigkeitstyps,
einer Basisschicht des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
und einer Basisschicht des einen Leitfähigkeitstyps, die aufeinanderfolgend gebildet werden, einem
Emitter-Schichtbereich des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der auf planarer Weise auf der Oberflächenschicht
der Basisschicht des einen Leitfähigkeitstyps gebildet wird, einer Elektrode, der anderen Elektrode, und einer Gate-Elektrode,
die auf den Oberflächen der Emitter-Schicht des einen Leitfähigkeitstyps, des Emitter-Schichtbereichs des
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und der Basisschicht des einen Leitfähigkeitstyps z.B. gebildet werden, einem
Gate-Signal, das an die Gate-Elektrode so angelegt wird, daß der Strom zwischen der einen und anderen Elektrode anoder
ausgeschaltet werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht einer hohen Verunreinigungskonzentration
des einen Leitfähigkeitstyps in der Basisschicht des einen Leitfähigkeitstyps unter der Gate-Elektrode und unter den
Randteilen des Emitter-Schichtbereichs des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, und die Tiefe der Schicht
der hohen Verunreinigungskonzentration des einen Leitfähigkeitstyps tiefer gewählt wird als der Emitter-Schichtbereich
des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und» flacher ist als die Basisschicht des einen Leitfähigkeitstyps.
Erfindungsgemäß wird ein Abschaltthyristor vorgesehen, der einen größeren Anodenstrom innerhalb einer kurzen Zeitspanne
unterbrechen kann, verglichen mit einem herkömmlichen Abschaltthyristor.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand
der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus eines herkömmlichen Abschaltthyristors;
Fig. 2 eine Ansicht des Ladungsflusses des Anodenstroms,
wenn der herkömmliche Abschaltthyristor ausgeschaltet ist;
Fig. 3 eine graphische Darstellung, die die Änderungen der Spannung und des Stroms, wenn der herkömmliche
Abschaltthyristor ausgeschaltet ist, zeigt;
Fig. 4 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus eines Abschaltthyristors gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung;
Fig. 5 eine Ansicht des Ladungsflusses des Anodenstroms
wenn der Abschaltthyristor der Ausführungsform wie in Fig. 4 gezeigt ausgeschaltet ist;
Fig. 6 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Abschaltthyristors, der mit einer Glaspassivierung versehen ist;
Fig. 7 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Abschaltthyristors, der als Planar-Typ mit einem Schutzring und einem Kanalschnitt verwendet wird;
Fig. 8 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abschaltthyristors, ausgeführt als Kurzanodentyp,
und
Fig. 9 eine Schnittansicht eines geschichteten Aufbaus
einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abschaltthyristors, ausgeführt als Typ mit ausgeätzten
Gates.
Fig. 4 ist eine Schnittansicht, die einen geschichteten Aufbau einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigt. Der grundsätzliche
Aufbau der Ausführungsform wie in Fig. 4 gezeigt ist fast der gleiche wie der in Fig. 1 gezeigte und weist
ein Silizium-Wafer einer üblichen Verunreinigungskonzentration
einer Basisschicht 2 vom N-Typ auf, die einerDiffusion
einer Gruppe III Verunreinigung (wie z.B. Af , Ga, B oder
ähnlichen) auf beiden daraufliegenden Oberflächen unterzogen wird, wodurch eine Emitter-Schicht 1 vom P-Typ und eine
Basisschicht 3 vom P-Typ auf beiden Oberflächen des Silizium-Wafers
gebildet werden. Dann wird, wie gezeigt, zu der Konzentration, die höher ist als die der Basisschicht 1 vom
P-Typ, eine Verunreinigung der Gruppe III (B) auf eine Oberfläche des Silizium-Wafers diffundiert. Mit anderen Worten,
es wird eine P+-Schicht in Bereichen 9 unter den unteren Randteilen
der Emitter-Schichtbereiche 4 vom N-Typ, die anschließend gebildet werden, und in Bereichen 10 unter den
Gate-Elektroden 8, die anschließend so gebildet werden, daß die P+-Schicht tiefer sein kann als die Emitter-Schicht 4
vom N-Typ und flacher als die Basisschicht 3 vom P-Typ, gebildet. Dann wird eine Verunreinigung der Gruppe V (P)
so diffundiert, daß die oben beschriebenen Emitter-Schichtbereicne 4 vom N-Typ gebildet werden können. Dann werden
auf den Oberflächen der Emitter-Schicht 1 vom P-Typ den Emitter-Schichtbereichen 4 vom N-Typ und den P+-Bereichen
10 auf dem Basisbereich 3 vom P-Typ eine Anodenelektrode 6, Kathodenelektroden 7 und Gate-Elektroden 8 gebildet. Der
so aufgebaute erfindungsgemäße Abschaltthyristor hat einen Aufbau, bei dem die P -Schicht in den unteren zentralen
Teil eines Emitter-Schichtbereichs 4 vom N-Typ verschoben wurde, wodurch ein geeigneter0( erreicht wird. Durch geeignete
Wahl der Verunreinigungskonzentrationen der P+- Schichtenbereiche 9 und 10 erhält man einen Abschaltthyristor
mit ausgezeichneten An- und Abschaltcharakteristiken (besonders eine Ausschaltcharakteristik).
Bezogen auf Fig. 5 wird die Arbeitsweise des oben beschrie-
t A *
- 11 -
benen Abschaltthyristors beschrieben. Bezogen auf Fig. 5 fließt, wenn ein negativer Puls an die Gate-Elektroden 8
angelegt wird, der Anodenstrom zwischen der Kathodenelektrode 6 und den Gate-Elektroden 8, und dann werden die Ladungsträger
des Anodenstroms schnell zu der Gate-Elektrode 8 durch die Teile 9 und 10 der P+-Schichten geringen Widerstands
herausgezogen. Die in der Basisschicht 3 vom P-Typ gespeicherten Ladungsträger werden ebenfalls schnell zur
Gate-Elektrode 8 durch die Teile 9 und 10 geringen Widerstands herausgezogen. Durch die oben beschriebene Arbeitsweise
kann die Ausschaltzeit drastisch auf ungefähr 8 με
von herkömmlichen 15 με reduziert werden.
Im vorangegangenen wurde ein Abschaltthyristor von einem Typ, der eine Gate-Elektrode besitzt, die auf einer Basisschicht
vom P-Typ gebildet wurde, beschrieben; es wird jedoch darauf hingewiesen, daß die Erfindung in gleicher
Weise auf einen Abschaltthyristor mit einem Aufbau, in dem das Verhältnis zwischen P-Typ und N-Typ umgekehrt ist, angewendet
werden kann.
Die oben beschriebene Ausführungsform war vom Mesa-Typ;
diese sollte jedoch lediglich als Beispiel und nicht als Einschränkung verstanden werden, insoweit die Erfindung auch
auf einen Glaspassivierungstyp wie z.B. in Fig. 6 gezeigt, angewendet werden kann. Insbesondere ist, bezogen auf Fig.
6 wie auf Fig. 4, wobei die gleichen Bezugszeichen, die gleiche oder ähnliche Teile kennzeichnen, eine Glaspassivierung
11 in der in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform vorgesehen.
Die Erfindung kann auch auf einen Planar-Typ, wie in Fig.
gezeigt, angewendet werden. Bezogen auf Fig. 7 wie auch Fig. 4 sind, wobei die gleichen Bezugszeichen die gleichen
oder ähnlichen Teile kennzeichnen, ein P-Schutzring 12 und ein N -Kanalschnitt 13 in der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform
vorgesehen.
Die Erfindung kann auch auf einen wie in Fig. 8 gezeigten Kurzanodentyp angewendet werden. Insbesondere werden, bezogen
auf Fig. 8 wie Fig. 4, wobei die gleichen Bezugszeichen die gleichen oder ähnlichen Teile kennzeichnen, N+-Schichtbereiche
14 eines Kurzanodentyps in der in Fig. 8 gezeigten Ausführungsform gebildet.
Die Erfindung kann auch auf einen wie in Fig. 9 gezeigten Typ mit ausgeätztem Gate angewendet werden. Insbesondere
sind, bezogen auf Fig. 9 wie Fig. 4, wobei die gleichen Bezugszeichen die gleichen oder ähnlichen Teile kennzeichnen,
die Gate-Bereiche 8' in der Basisschicht 3 vom P-Typ
bis zu einer Höhe niedriger als die Emitter-Schicht 4 vom N-Typ abgeätzt.
Es wird weiter darauf hingewiesen, daß in jeder dieser Ausführungsformen
das Verhältnis von P-Typ und N-Typ umgekehrt werden kann, verglichen mit der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform.
Eine Reihe anderer verschiedenartiger Modifikationen können, ohne daß dabei der Sinn und der Bereich
der Erfindung verlassen wird, und die die gleiche Funktion wie die in Fig. 4 gezeigte Ausführungsform besitzen, durchgeführt
werden.
- Leerseite -
Claims (7)
- PATENTANWALT DIPL.-PHYS. LUTZ H. PRÜFER · D-8OOO MÜNCHEN 9OS1914 3 98 O 3Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, Tokyo / JapanAbschaltthyristorPATENTANSPRÜCHEfly Abschaltthyristor miteiner Emitter-Schicht (1) des einen Leitfähigkeitstyps, einer Basisschicht (2) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die auf der Emitter-Schicht (1) des einen Leitfähigkeitstyps gebildet ist, einer Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps, die auf der Basisschicht (2) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, einem Emitter-Bereich (4) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der auf einem Teil der Oberflächenschicht der Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps gebildet ist, einer Elektrode (6), die auf der Oberfläche der Emitter-Schicht (l) des einen Leitfähigkeitstyps gebildet ist, der anderen Elektrode (7), die auf der Oberfläche des Emitter-BereichsPATENTANWALT DIPL-PHYS. LUTZ H. PRÜFER · D-8OOO MÜNCHEN 90 · HARTHAUSER STR. 25d · TEL (O 89) 640 640(4) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und einer Gate-Elektrode (8) auf der Oberfläche der Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps, dadurch gekennzeichnet, daß Schichtbereiche (10, 9) einer hohen Verunreinigungskonzentration des einen Leitfähigkeitstyps in der Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps direkt unter der Gate-Elektrode (8) und direkt unter den Randteilen des Emitter-Bereichs (4) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet sind und die Tiefe eines jeden Schichtbereichs (10, 9) der hohen Verunreinigungskonzentration des einen Leitfähigkeitstyps tiefer gewählt ist als der Emitter-Bereich (4) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und flacher als die Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps.
- 2. Abschaltthyristor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß eine Glaspassivierung (11) vorgesehen ist.
- 3. Abschaltthyristor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps teilweise auf der Oberflächenschicht der Basisschicht (2) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird,ein Schutzring (12) einer hohen Verunreinigungskonzentration des einen Leitfähigkeitstyps so gebildet wird, daß er den Basisschichtbereich (3) des einen Leitfähigkeitstyps umschließt, undein Kanalschnitt (13) einer hohen Verunreinigungskonzentration des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps außerhalb der Schutzringschicht (12) vorgesehen ist.
- 4. Abschaltthyristor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß kurze Schichtbereiche (14) einer hohen Verunreinigungskonzentration des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps vorgesehen sind.
- 5. Abschaltthyristor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß Gate-Bereiche (81) in der Basisschicht (3) des einen Leitfähigkeitstyps abgeätzt sind.
- 6. Abschaltthyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Typ ein P-Typ ist und der andere Typ ein N-Typ ist.
- 7. Abschaltthyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Typ ein N-Typ ist und der andere Typ ein P-Typ ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58228042A JPS60119776A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3439803A1 true DE3439803A1 (de) | 1985-06-05 |
DE3439803C2 DE3439803C2 (de) | 1990-07-26 |
Family
ID=16870285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843439803 Granted DE3439803A1 (de) | 1983-11-30 | 1984-10-31 | Abschaltthyristor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4609933A (de) |
JP (1) | JPS60119776A (de) |
DE (1) | DE3439803A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3620618A1 (de) * | 1985-06-26 | 1987-01-08 | Hitachi Ltd | Gto-thyristor |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61214471A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Res Dev Corp Of Japan | ゲ−ト制御半導体装置 |
EP0366916B1 (de) * | 1988-10-04 | 1995-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Halbleiteranordnung mit kurzgeschlossener Anode und Verfahren zu deren Herstellung |
JP4748149B2 (ja) * | 2007-12-24 | 2011-08-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2644654A1 (de) * | 1976-09-03 | 1978-03-09 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement |
EP0008535A2 (de) * | 1978-08-18 | 1980-03-05 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Von einem Gate gesteuerte Halbleiteranordnung |
EP0009367A1 (de) * | 1978-09-14 | 1980-04-02 | Hitachi, Ltd. | Durch eine Steuerelektrode abschaltbarer Thyristor |
DE2846637A1 (de) * | 1978-10-11 | 1980-04-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement mit mindestens einem planaren pn-uebergang und zonen- guard-ringen |
EP0015649A1 (de) * | 1979-02-16 | 1980-09-17 | Fujitsu Limited | Thyristor |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54111790A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor switchgear |
JPS574101A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-09 | Hitachi Ltd | Moisture sensitive element |
JPS5773956A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-08 | Hitachi Ltd | Glass coated semiconductor device |
JPS5778172A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Hitachi Ltd | Gate turn-off thyristor |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58228042A patent/JPS60119776A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-18 US US06/662,080 patent/US4609933A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-31 DE DE19843439803 patent/DE3439803A1/de active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2644654A1 (de) * | 1976-09-03 | 1978-03-09 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement |
EP0008535A2 (de) * | 1978-08-18 | 1980-03-05 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Von einem Gate gesteuerte Halbleiteranordnung |
EP0009367A1 (de) * | 1978-09-14 | 1980-04-02 | Hitachi, Ltd. | Durch eine Steuerelektrode abschaltbarer Thyristor |
DE2846637A1 (de) * | 1978-10-11 | 1980-04-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement mit mindestens einem planaren pn-uebergang und zonen- guard-ringen |
EP0015649A1 (de) * | 1979-02-16 | 1980-09-17 | Fujitsu Limited | Thyristor |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, 1976, Vol. ED-23, Nr.8, S.883-887 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3620618A1 (de) * | 1985-06-26 | 1987-01-08 | Hitachi Ltd | Gto-thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4609933A (en) | 1986-09-02 |
JPS60119776A (ja) | 1985-06-27 |
DE3439803C2 (de) | 1990-07-26 |
JPH026229B2 (de) | 1990-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3707867C2 (de) | ||
DE2554296C2 (de) | Integrierte C MOS-Schaltungsanordnung | |
DE2217456C3 (de) | Transistorschaltung mit Antisättigungsschaltung | |
DE1564527B1 (de) | Halbleiterschalter fuer beide stromrichtungen | |
DE1154872B (de) | Halbleiterbauelement mit einem mindestens drei pn-UEbergaenge aufweisenden Halbleiterkoerper | |
DE69127949T2 (de) | Thyristor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69017348T2 (de) | Thyristor und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
DE2257846B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung | |
DE2121086B2 (de) | ||
DE3628857A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE3881264T2 (de) | Gate-steuerbare bilaterale Halbleiterschaltungsanordnung. | |
DE2021160C2 (de) | Thyristortriode | |
DE1213920B (de) | Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps | |
DE3838964C2 (de) | ||
DE3038186C2 (de) | Darlington-Halbleitervorrichtung | |
DE3200807A1 (de) | Leistungshalbleiteranordnung | |
DE2320563A1 (de) | Vierschichttriode | |
DE69223738T2 (de) | MOS-Gate-kontrollierter Thyristor | |
DE3439803A1 (de) | Abschaltthyristor | |
DE3002897A1 (de) | Torgesteuerter halbleiterbaustein | |
DE1171534B (de) | Flaechen-Vierzonentransistor mit einer Stromverstaerkung groesser als eins, insbesondere fuer Schaltzwecke | |
DE3604173A1 (de) | Lateraltransistor | |
DE69319465T2 (de) | Gate-Turn-Off-Thyristor und dessen Verwendung in Leistungwandlern | |
DE1439674C3 (de) | Steuerbares und schaltbares pn-Halbleiterbauelement für große elektrische Leistungen | |
DE2848576C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |