DE3323963A1 - Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellen - Google Patents
Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellenInfo
- Publication number
- DE3323963A1 DE3323963A1 DE19833323963 DE3323963A DE3323963A1 DE 3323963 A1 DE3323963 A1 DE 3323963A1 DE 19833323963 DE19833323963 DE 19833323963 DE 3323963 A DE3323963 A DE 3323963A DE 3323963 A1 DE3323963 A1 DE 3323963A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper blocks
- resonator
- temperature
- compensation resonator
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 3
- 230000003019 stabilising effect Effects 0.000 title 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 greases Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/021—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising distributed capacitance and inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B2009/126—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices using impact ionization avalanche transit time [IMPATT] diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
-
- Anordnung zur Temperaturstabilisierung von Halbleiter-
- oszillatoren in Hohlleitertechnik, insbesondere für Millimeterwellen Die Erfindung betrifft eine Anordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Oszillatoren für mm-Wellen-werden häufig mit aktiven Halbleiter-Elementen wie Gunn-Elemente oder Impatt-Dioden aufgebaut. Die Schwingfrequenz der Schaltungen ist abhängig von den Abmessungen der Schaltung (z. B. Hohlleiter) und den elektrischen Eigenschaften des aktiven Elements. Vor allem letztere sind stark temperaturabhängig, was zu einer Temperaturabhängigkeit der Schwingfrequenz des Oszillators führt. Es ist bekannt, diese Temperaturdrift durch a) temperaturstabile Resonatoren hoher Güte, b) Resonatoren niedriger Güte mit geeignet gewählten: Temperaturbeiwert der Resonanzfrequenz oder c) durch aktive Regelkreise, z. B. PLL-Schaltungen zu reduzieren.
- Hochgütige Resonatoren können zwar dazu beitragen, das Rauschen des Oszillators zu reduzieren, Stabilisierungsschaltungen mit# solchen Resonatoren sind jedoch gerade im mm-Wellenbereich nur mit sehr engen Toleranzen der Hohlleiter-Schaltungselemente aufzubauen. Im übrigen besteht die Gefahr, daß z. B. bei einer starken Alterung des aktiven Elements die Stabilisierungsbandbreite verlassen wird und der Oszillator praktisch völlig unbeeinflußt von dem Stabilisierungaresonator arbeitet.
- Die Schaltungen mit aktiven Regelkreisen sind zuverlässig und erfordern keine besonderen Toleranzen der Hohlleiterbauelemente, sind aber auf Grund der benötigten Referenzquellen und Mischerschaltungen (PLL) insgesamt sehr aufwendig und teuer.
- Die Temperaturstabilisierung mit Hilfe von niedergütigen Resonatoren benutzt den Temperaturgang dieser Resonatoren zur Kompensation des Temperaturganges des eigentlichen Oszillators (mit dem-aktiven Element). Zu diesem Zweck wird der Resonator so aufgebaut, daß durch die Temperaturänderung z. B. eine der elektrisch wirksamen Abmessungen reduziert oder vergrößert wird. Dabei werden im wesentlichen entweder die Länge des Resonators beeinflußt, die Breite des Resonators oder die Eintauchtiefe eines kapazitiven Abstimmstiftes.
- Abstimmstifte sind bei Millimeterwellenfrequenzen nur schwer mit der notwendigen Präzision anzufertigen und scheiden daher praktisch aus. Die Temperaturabhängigkeit der Resonatorlängen oder-breiten wird durch Benutzung von zwei Materialien unterschiedlicher Temperatur-Ausdehnungskoeffizienten im Aufbau der Resonatoren erreicht. Bei Resonatoren mit einer temperaturabhängigen Länge müssen bei Verwendung der Materialien Kupfer und Invar in der Regel sehr große Resonatorlängen benutzt werden. Werden z. B. Invar und spezielle metallisierbare Kunststoffe mit hohen Ausdehnungskoeffizienten eingesetzt, können kurze Resonatoren ausreichen, es ergibt sich aber eine gewisse Trägheit (Zeitverschiebung) der Kompensationswirkung auf Grund der unterschiedlichen thermischen Leitfähigkeiten der Materialien.
- Bezüglich Resonatoren mit einer temperaturabhängigen Breite wurde vorgeschlagen (R. Stevens, F.A. Myers: "Temperature Compensation of Gunn Oscillators", Electronic Letters, Oktober 1974, pp. 463-464) die aktiven Elemente (Gunn-Dioden) in den Resonator direkt einzubauen, wobei die Seitenwände des Resonators durch ein metallisiertes Kunststoffmaterial mit großer Temperaturausdehnung (Plexiglas) gebildet werden. Die Benutzung von Kunststoffen hat den oben erwähnten Trägheitseffekt zur Folge und die Vereinigung von Resonator und aktiven Elementen macht den Abgleich und die Abstimmung der Schaltung schwierig.
- Weiterhin ist der bekannte Aufbau mechanisch schwingfähig, was zu Mikrofonie führen kann.
- Aufgabe der Erfindung ist es, eine Bauform des temperaturkompensierten Oszillators anzugeben, die die erwähnten Nachteile vermeidet.
- Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet. Die weiteren Ansprüche beinhalten vorteilhafte Weiterbildungen bzw. Ausbildungen der Erfindung.
- Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Figuren, die eine vorteilhafte Ausführung der Erfindung zeigen, näher erläutert.
- Zur Erleichterung von Abgleich und Abstimmung der Oszillatorschaltung wird die eigentliche Oszillatorschaltung mit dem aktiven Element getrennt von dem Kompensationsresonator aufgebaut.
- FIG, 1 zeigt die beiden Teile, links ein Hohlleiterblock mit dem Gunn-Element und rechts der Kompensationsresonator 2, der an den "aktiven" Block angeflanscht ist. Der Gunn-Oszillator 1 besteht aus einem Hohlleiterzug, der im unkompensierten Fall als Resonator dient. Die Gunn-Diode D ist in eine Hitzesenke H montiert und wird mit einem Bandstop-Filter F kontaktiert. Im unkompensierten Fall ist der Oszillator in der Ebene K mit einem metallischen Kurzschluß abgeschlossen.
- Die frequenzbestimmenden Abmessungen des Oszillators werden so gewählt, daß ein möglichst großer Abstimmbereich durch Verschiebung der Kurzschlußebene um den Ort K + erzielt wird.
- Der Kompensations-Resonator 2 wird anstelle des metallischen Kurzschlusses bei K angebracht und wirkt der temperaturabhängigen Frequenzänderung des Oszillators durch eine temperaturabhängige Änderung der Breite a des Resonators 2 entgegen. Hier wird die Breite des Hohlleiters durch eine Bi-Metall-Konstruktion geändert.
- FIG. 2 zeigt den Kompensationsresonator im Querschnitt.
- Zwei in Kupferblöcke 4 eingefräste Nuten 3 bilden einen Hohlleiter mit der Breite a. Der Schlitz 6 in der Mitte bleibt in erster Näherung wirkungslos, da beim H10-Hohlleitermodè im Schlitzbereich keine Wandströme fließen. Der verschwindend kleine Anteil an Energie, der sich im Schlitz ausbreiten kann, wird vorteilhafterweise durch eine k/4-Stufe 7 abgedrosselt. Die Kupferblöcke 4 sind in einem Halterahmen 5 aus Invar eingebettet. Die Breite B der Kupferblöcke 4 bestimmt ebenso wie die Breite a des Hohlleiters die Abstimmsteilheit des Resonators. Die Länge L des Resonators wird vorteilhafterweise durch Einlöten von kleinen Kurzschluß-Kupferblöcken in die Hohlleiterhälften festgelegt.
- Man kann, wenn die Breite des Hohlleiters nur wenig größer als Ao/2 gewählt wird (nahe der kritischen Frequenz) eine große Abstimmsteilheit erzielen.
- Der mechanische Aufbau ist solide und enthält keine mechanisch schwingfähigen Teile, so daß Mikrofonie ausgeschlossen ist.
- Der Invarrahmen 5 ragt um 2/100 mm über die Kupferblöcke 4 hinaus. Der elektrische Kontakt ist durch eine Anzahl von tiefen Schlitzen (chokes) im Oszillatorblock in der Umgebung der Hohlleiterkontakte gewährleistet. Auf diese Art wird ein Reibekontakt der Kupferteile mit dem Ostillatorbiock ausgeschlossen. Der Oszillatorblock besteht wie der Halterahmen 5 aus Invar, um im Bereich der Verschraubung Wärmespannungen zu vermeiden. Die Flächen von Osziilatorblock$und--Halterahmen 5 und die Kontaktflächen von Kupfer zu Invar sind diamantgeläppt, um jede Art von wärmebedingtem Gleiten so ungehemmt wie nur möglich stattfinden zu lassen. Auch wird so der Wärmeübergang von Invar zu Kupfer optimal und damit die thermische Einschwingzeit minimal.
- Die Kupferblöcke 4 sind vorteilhafterweise mit dem Halterahmen 5 im vorderen Bereich verstiftet und mit zwei Spreizfedern 8 in den Halterahmen geklemmt. Die Spreizfedern verstärken die Wirkung der vorher beschriebenen Hochfrequenzdrossel (X/4-Stufe 7) für den Schlitzbereich, da sie ebenfalls h /4 lang sind und damit einen Kurzschluß in den Schlitzbereich transformieren.
- Es dürfen keine Gleitmittel (Öle, Fette, Teflonfolien) zwischen den Kontaktflächen sein, da sonst Langzeitwirkungen (wie z. B. Schwund, Verharzen u. ä.) nicht ausgeschlossen werden können.
Claims (5)
- Patentansprüche Anordnung zur Temperaturstabilisierung von Halbleiteroszillatoren in Hohlleitertechnik, insbesondere für Millimeterwellen, bei welcher die Breite eines Kompensationsresonators beeinflussbar ist, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: - der eigentliche Halbleiteroszillator (1) und der Kompensationsresonator (2) sind getrennt aufgebaut, jedoch gut wärmeleitend miteinander verbunden; - der Kompensationsresonator (2) weist derartige Abmessungen auf, daß er nahe der Grenzfrequenz arbeitet; - der Kompensationsresonator (2) ist durch Nuten (3) in zwei symmetrischen Kupferblöcken (4) gebildet, welche jeweils eine Hohlleiterhälfte darstellen; - die Kupferblöcke (4) sind in einen Halterahmen (5) aus Invar eingebettet, derart, daß zwischen den Kupferblöcken ein Schlitz (6) frei bleibt.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge (L) des Kompensationsresonators (2) durch Kurzschlußkupferblöcke festgelegt ist, welche in die Nuten (3) eingelötet sind.
- 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Schlitz (6) oberhalb und unterhalb der Nuten (3) #/4-Stufen (7) eingefräst sind.
- 4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferblöcke (4) durch Spreizfedern (8) gespreizt werden.
- 5. Anordnung nach Anspruch t, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferblöcke (4) im vorderen Bereich mit dem Halterahmen (5) verstiftet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833323963 DE3323963A1 (de) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833323963 DE3323963A1 (de) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3323963A1 true DE3323963A1 (de) | 1985-01-03 |
DE3323963C2 DE3323963C2 (de) | 1987-04-16 |
Family
ID=6203044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833323963 Granted DE3323963A1 (de) | 1983-07-02 | 1983-07-02 | Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3323963A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4335232A1 (de) * | 1993-10-15 | 1995-04-20 | Daimler Benz Ag | Anordnung zur Abstrahlung von Millimeterwellen |
-
1983
- 1983-07-02 DE DE19833323963 patent/DE3323963A1/de active Granted
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Electronics Letters,Oct.74,Vol.10,No.22,S.463-464 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3323963C2 (de) | 1987-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2941826C2 (de) | Mikrowellen-Oszillator | |
DE4090507C2 (de) | Oszillatorschaltung | |
DE2802461C2 (de) | ||
DE3322304A1 (de) | Streifenleitungsdopplerradar | |
DE2816586B2 (de) | Selbstschwingende Mischschaltung | |
DE2707176C3 (de) | In Streifenleitertechnik ausgebildeter Resonanzkreis | |
DE3007580C2 (de) | Oszillator mit einem dielektrischen Resonator | |
EP0634066A1 (de) | OSZILLATOR FÜR EINE FREQUENZ VON 1,6 BIS 3 GHz | |
DE3007581C2 (de) | Oszillator mit einem dielektrischen Resonator | |
DE2331500C3 (de) | Frequenzwandler für Mikrowellen | |
DE4107166C2 (de) | Mikrowellen-Oszillatorschaltung | |
DE3436673C2 (de) | ||
DE3323963A1 (de) | Anordnung zur temperaturstabilisierung von halbleiteroszillatoren in hohlleiterttechnik, insbesondere fuer millimeterwellen | |
DE8120651U1 (de) | Temperaturstabilisierter Mikrowellen-Resonator | |
DE2015579C3 (de) | Halterung und Anschlußvorrichtung fur einen Halbleiter Mikrowellenoszil lator | |
DE19952304C2 (de) | Oszillator | |
DE10029407C2 (de) | Dämpfungsglied für eine dielektrische Übertragungsleitung, Abschlußglied für eine dielektrische und Drahtloskommunikationsvorrichtung | |
DE4410025A1 (de) | Hochfrequenzoszillator in Planarbauweise | |
DE2812410C2 (de) | Mikrowellen-Oszillator | |
DE19918583A1 (de) | Dielektrische Resonatorvorrichtung, dielektrisches Filter, Oszillator, gemeinsam verwendete Vorrichtung und elektronische Vorrichtung | |
DE3938726C2 (de) | Phasendrehglied | |
DE69723592T2 (de) | Frequenzvariabler Resonator, und Oszillator sowie frequenzvariables Filter | |
EP0163005B1 (de) | Reflexionsphasenschieber | |
DE10215423B4 (de) | Mikrowellen-Oszillator | |
DE3242738A1 (de) | Oszillator mit h(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)-hohlraumresonator und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TELEFUNKEN SYSTEMTECHNIK GMBH, 7900 ULM, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |