DE3242738A1 - Oszillator mit h(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)-hohlraumresonator und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Oszillator mit h(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)(pfeil abwaerts)1(pfeil abwaerts)-hohlraumresonator und verfahren zu seiner herstellung

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DE3242738A1 DE19823242738 DE3242738A DE3242738A1 DE 3242738 A1 DE3242738 A1 DE 3242738A1 DE 19823242738 DE19823242738 DE 19823242738 DE 3242738 A DE3242738 A DE 3242738A DE 3242738 A1 DE3242738 A1 DE 3242738A1
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Stephan Dipl.-Ing. 7901 Illerkirchberg Rust
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Telefunken Systemtechnik AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B9/14Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B9/145Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B2009/126Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices using impact ionization avalanche transit time [IMPATT] diodes

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

  • Oszillator mit H101-Hohlraumresonator und Verfahren
  • zu seiner Herstellung Die Erfindung betrifft einen Oszillator nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und ein Herstellungsverfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 9. Ein solcher Oszillator ist bekannt aus der DE-AS 25 52 352.
  • Die Problematik bei solchen Oszillatoren besteht darin, die steigenden Qualitätsanforderungen bezüglich Frequenzstabilität, niedrigem Eigenrauschen und geringer Mikrophonie bereits mit einem möglichst einfachen Aufbau des Oszillators zu erfüllen. Gleichzeitig muß die Modenreinheit gewährt sein; in diesem Zusammenhang hat sich die K 101-Hohlraumresonanz bewährt, und zwar auch wegen der Einfachheit des Aufbaus und der großen Abstimmbandbreite, da der Frequenzabstand zu den nächsten Schwingmoden bei diesem Resonanztyp am größten ist.
  • Schwierigkeiten gibt es bei der Fertigung des Resonators, da seine Hohlraumwandung, also die Innenflächen des Reso- nators, in Anbetracht der notwendigen Leerlaufgüte versilbert oder vergoldet werden muß ; und ein ausreichender Zugang zum Resonatorinneren für die Montage des Dioden-Schwingelementes (Gunn, Impatt) gegeben sein muß.
  • Um die Innenflächen eines Rechteckresonators der HIOResonanz (p I 1,2,...) galvanisch vergüten zu können, muß der Resonator in zwei Teile zerlegbar sein. Dadurch ist zwangsweise die Leerlaufgüte begrenzt, da nach der Oberflächenvergütung eine Hartverlötung der zwei Teile wegen der Diffusion des Oberflächenmaterials (Gold, Silber) ins Grundmaterial, verursacht durch die hohen Löttemperaturen (600 bis 7000C) nicht möglich ist. Eine Herabsetzung der Diffusionsvorgänge durch Verwendung eines Lotes mit niedrigerer Schmelztemperatur hat andere Nachteile zur Folge: Durch Rekristallisation des Lotes nach der Lötung (Alterung) sinkt die Haftfestigkeit bis auf einen Wert, der etwa 30 % des Wertes unmittelbar nach der Lötung entspricht. Die nötige mechanische Stabilität und somit die Zuverlässigkeit sind damit nicht mehr in ausreichendem Maße gegeben. Dazu kommt, daß die unvermeidbaren Lötrückstände Korrosion begünstigen, was eine Verschlechterung der Leerlaufgüte des Resonators bewirkt.
  • Verschraubt man die beiden Resonatorteile, so wird durch den restlichen Spalt an der Kontaktierungsstelle eine Störung im Verlauf der Stromlinien bewirkt, was zu einer Verschlechterung der Leerlaufgüte führt.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Oszillator anzugeben, der hohe Anforderungen, insbesondere bezüglich der Frequenzkonstanz erfüllt bei einfachem Aufbau.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch den Oszillator mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. durch das Herstellungsverfahren nach Anspruch 9. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Dabei ist von der Überlegung ausgegangen worden, daß die Stabilität eines Oszillators überwiegend durch die Güte seines Resonators gegeben ist. Bei niedriger Güte ist die Frequenzstabilität gering, sind die Rauschwerte schlecht, ist das Auftreten von Störmoden möglich und die Abhängigkeit von Betriebsfrequenz und Hochfrequenz-Ausgangsleistung von Schwankungen der Versorgungsspannung und des Lastwiderstandes in hohem Maße gegeben. Es kam daher darauf an, die Leerlaufgüte bei Zugrundelegung des einfachen Aufbaus möglichst weit zu erhöhen. Sie ist bei dem Oszillator nach der Erfindung groß genug, um weitgehend für den Temperaturgang der Resonanzfrequenz des Oszillators allein verantwortlich zu sein. Daraus ergab sich der zusätzliche Vorteil, einer einfachen Temperaturkompensation; denn da die Temperaturabhängigkeit des Resonators nahezu linear ist, erhält man schon bei Verwendung der gebräuchlichen Kompensationsmittel mit ebenfalls nahezu linearer Temperaturabhängigkeit einen Oszillator hoher Frequenzstabilität.
  • Die hohe Leerlaufgüte ist dabei dadurch erreicht worden, daß einerseits die Hohlraumwandung stromlos vergütet (versilbert oder vergoldet) ist, und zwar lückenlos, indem die Hartverlötung der Resonatorteile v o r h e r durchgeführt worden ist, und daß aber andererseits für den Arbeitsgang der stromlosen Vergütung zwar Durchbrüche in der Hohlraumwandung vorgesehen sind, jedoch an solchen Stellen, wo die Durchbrüche kaum einen negativen Einfluß auf die Leerlaufgüte haben. Ihrem Zweck entsprechend müssen die Durchbrüche zum Resonatorinneren wenigstens so groß sein, daß eine stromlose Oberflächenvergütung in solcher Qualität möglich ist, daß die Oberflächenschicht auf der Hohlraum- wandung des Resonators genügend homogen herstellbar ist.
  • Ein zusätzliches wesentliches Merkmal der Erfindung besteht darin, daß der zweite Durchbruch am Ort des Schwingelementes vorgesehen ist, wo er nur geringfügige Störungen im Verlauf des Resonanzstromes verursacht, da dieser hier vorwiegend über das Schwingelement fließt. Die Güteverschlechterung ist somit vernachlässigbar.
  • Anhand der Zeichnungen wird die Erfindung näher erläutert, und es werden Ausführungsbeispiele gegeben.
  • F G. 1 zeigt eine Prinzipdarstellung des Hohlraumresonators mit Koordinaten x,y,zF FIG. 2 stellt zwei Ausführungsbeispiele im Schnitt (entsprechend C-C' in Fig. 1) dar (Teilfiguren a und b) und zeigt eine Detaildarstellung in der Teilfigur 2c; FIG. 3 gibt Ausführungsmöglichkeiten für die Temperaturkompensation an.
  • In FIG. 1 sind die Strom linien aufder Oberfläche der Hohlraumwandung eines H1Ol-Hohlraumresonators durch Pfeile angegeben. Der Schnitt C-C' entlang der x/z-Ebene weist auf die FIG. 2a,b hin, der Schnitt B-B' auf die FIG. 3.
  • In FIG. 2a ist der Hohlraum 1 aus FIG. 1 wiederzuerkennen.
  • In der Ebene der Hohlraumwand 2 (vgl. auch FIG. 1) ist senkrecht zu den magnetischen Feldlinien der x/z-Ebene das Schwingelement 3 (Gunn- oder Impatt-Diode) angeOrdnet, und zwar vor einem Durchbruch-4 und in der Ebene der Hohlraumwand 2. Auf der gegenüberliegenden Seite des Hohlraumes l, ungefähr im Abstand einer halben Hohlleiterwellenlänge A /2) befindet sich eine Auskoppelblende (Iris) pw, deren Durchbruch zu einem Auskopplungsraum 6 mit koaxialer Auskopplungsanordnung 7 führt. Das den Auskopplungsraum 6 umgebende Teil ist mechanisch zweckmäßigerweise durch eine Schraubverbindung mit dem Teil verbunden, das den durch die Auskoppelblende 5 abgeschlossen Resonanz-Hohlraum 1 umgibt, wobei die Fuge F außerhalb des Resonanz-Hohlraumes l liegt.
  • Der Durchbruch in der Iris 5, also der erste Durchbruch, bildet den für die stromlose Oberflächenvergütung notwendigen ersten Zugang zum Hohirauminneren. Der zweite Zugang ist der zweite Durchbruch 4.
  • Die Verhältnisse nach FIG. 2b weichen insofern ab, als hier gegenüber der Hohlraumwand 2 in einer Hohlraumwand 8 der erste Durchbruch nicht in einer Iris vorgesehen ist, sondern ein Durchbruch 9 ähnlich dem Durchbruch 4 vorhanden ist, jedoch mit induktiver (koaxialer) Auskopplungsanordnung 10 versehen.
  • Den ersten Zugang für die stromlose Vergütung bildet der erste Durchbruch 9, dessen Abmaße den Anforderungen der Auskopplung entsprechend verschieden von den Abmaßen des Durchbruches 4 sein können. Es muß lediglich die Breitseite des Durchbruchs 9 kleiner als die halbe Wellenlänge der Betriebsfrequenz sein.
  • Zur Dimensionierung des Durchbruches 4 am Schwingelement sind in FIG. 2c Angaben gemacht: Während die Höhe bades Durchbruches über die ganze Schmalseite b des Hohlraumes 1 für eine optimale Anpassung des Schwingelementes an den Resonator variiert werden kann, muß die Breite aDkleiner als die halbe Wellenlänge der Betriebsfrequenz im freien Raum bleiben, so daß die Betriebs frequenz unterhalb der Grenzfrequenz dieses Durchbruches 4 liegt und somit eine unerwünschte Beeinflussung des Schwingverhaltens vermieden wird, insbesondere auch dann, wenn der Durchbruch 4 zum Betrachter hin durch einen elektrisch kontaktierenden Deckel abgeschlossen ist, durch dessen kontaktgabe undefinierte Verhältnisse hervorgerufen werden könnten.
  • Der so konzipierte Resonator 1 trägt den. Forderungen an eine hohe Leerlaufgüte Rechnung, indem für die notwendige Oberflächenvergütung und für den ungestörten Verlauf der Resonanzströme weitgehend gesorgt ist.
  • dadurch, daß das Schwingelement 3 im Bereich der Kurzschlußebene (x/y-Ebene) an den Resonator gekoppelt ist, sind dem Schwingelement 3 die Induktivität der nahen Hohlraumwand 2 und die aus der evanescent mode"-Welle (Welle des Dämpfungstyps) resultierende, nahezu frequenzunabhängige Induktivität parallel geschaltet. Die Ankopplung des Schwingelementes 3 an den Resonator 1 ist somit breitbandig.
  • Zur Ermittlung der optimalen Ankopplung des Schwingelementes 3 bzw. eines Auskoppelelementes (z. B. induktive Auskopplung 10 mit Auskoppelstift) an den Resonator wird die Lage des Schwingelementes bzw. des Auskoppelstiftes in bezug auf die jeweilige resonatorseitige Durchbruchkante geringfügig verändert.
  • Das kann beispielsweise dadurch geschehen, daß bei einem Versuchsresonator die Kurzschlußebene der Breite a mit dem jeweiligen Durchbruch im Resonator verschiebbar ist. Für eine ausreichende Kontaktierung können die jeweiligen Flächen mit Leitsilber versehen oder nach Festlegung der Position mit niedrig schmelzendem Lot fixiert werden.
  • Die Lage des Schwingelementes bzw. des Auskoppelstiftes ist abhängig vom Wellenwiderstand und somit vom Resonanzwiderstand des Resonators sowie der Impedanz des Schwingelementes bzw. des Lastwiderstandes. Bei kritischer Kopplung befinden sich Schwingelement sowie Auskoppelstift etwa in der Kurzschlußebene, bei unterkritischer Kopplung geringfügig im Bereich des Durchbruchs, bei überkritischer Kopplung im Bereich des Resonators. Für einen optimalen Oszillatorbetrieb sind Lastwiderstand und Schwingelement geringfügig unterkritisch gekoppelt.
  • Die Länge 1 des Durchbruches 4 bis zur Ebene 11 der Deckelkontaktierung ist zugleich als Länge einer durch den Durchbruch gebildeten Abstimmleitung für die erste Oberwelle aufzufassen, die hier ausbreitungsfähig ist, so daß eine Optimierung des Oszillators durch Variation des Abschlusses dieser Abstimmleitung vorgenommen werden kann. Aus der Richtung des Resonators ist eine Beeinflussung des Schwingelementes nur in geringem Maße gegeben, da die erste Oberwelle im H20 Schwingmodus auftritt, welcher in der Mitte der Hohlleiterbreitseite (Hohlraumwand 2 parallel zur Ebene 11) ein Spannungsminimum aufweist und somit nur schwach mit dem dort befindlichen Schwingelement (in FIG. 2c nicht gezeigt) gekoppelt ist.
  • Die fast vollständige Erhaltung der Kurzschlußfläche (Hohlraumwand 2) in der Ebene des Schwingelementes 3 ermöglicht eine nahezu unverzerrte Feldverteilung des Resonanztyps. Dadurch wird ebenso ein hoher Beitrag für eine hohe belastete Güte des Resonators geleistet wie durch die Kopplung des Schwingelementes an den Resonator bei Nutzung der "evanescent mode"-Welle (Welle des Dämpfungstyps).
  • Aufgrund der hohen Leerlaufgüte des Resonators ist der Temperaturgang des Oszillators weitgehend durch den Resonator gegeben, welcher mit einfachen Mitteln kompensiert werden kann.
  • Die platzsparende Art der Ein- und Auskopplung ohne größeren Güteverlurst des Resonators gestattet die weitere Einbringung von Ein- und Auskoppelstellen entsprechend FIG. 2d. Die Koppelstellen können mit aktiven oder passiven Bauelementen belegt und entsprechend für Amplituden- oder Frequenzmodulation bzw.
  • Amplituden- oder Frequenznachregelung, Frequenzvervielfachung, -mischung, Leistungsaddition oder auch als zusätzliche Hochfrequenz-Auskoppelstellen genutzt werden.
  • In FIG. 3a ist gezeigt, wie man zur Temperaturkompensation des Oszillators den Längsausdehnungskoeffizienten zweier Materialien nützen kann: Ein Stift 12 mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten, z.B. ein Keramikstift, taucht aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnung von Gehäuse 13 und Stift 12 in Abhängigkeit von der Temperatur bei niedrigen Temperaturen weit und bei hohen Temperaturen weniger weit in den Resonator 1 ein und kompensiert durch die unterschiedlich kapazitive Belastung den Temperaturgang des Oszillators.
  • Nachteilig ist dabei, daß der Oszillator bei Anwendungen in Systemen, die Vibrationen ausgesetzt sind, unerwünschte Mikrophonie aufgrund des langen Abstimmstiftes 12 aufweist.
  • Besser ist daher die Kompensation unter Ausnutzung der temperaturabhängigen Dielektrizitätskonstante eines Stiftmaterials entsprechend einer Weiterbildung der Erfindung, wie in FIG. 3b gezeigt. Die für die Kompensation notwendige Änderung der kapazitiven Belastung wird hier schon bei kurzen Stiftlängen erreicht, so daß der Oszillator geringe Mikrophonie aufweist. Zur Vermeidung von Verlusten durch Kriechströme in Gewinde des Stifthalters 14 müssen die Hochfrequenzströme vor dem Gewinde kurzgeschlossen sein.
  • Der Stifthalter 14 wird zu diesem Zweck auf Anschlag geschraubt, oder der dielektrische Stift 15 wird über eine genügend große Länge durch eine Bohrung geführt, so daß eine genügend große kapazitive Ableitung vor dem Gewinde stattfindet. Die dazu notwendig größere Stiftlänge verschlechtert die Vibrationsfähigkeit des Oszillators nur unerheblich, da für die Bohrung eine Länge von ungefähr t/6 ( k . Wellenlänge im Stift 15) ausreicht. Aufgrund der hohen Dielektrizitätskonstante des verwendeten dielektrischen Materials (z.B £ r 90 bei Ti02) ist der Stift dUnn und somit das Eigengewicht gering, so daß die Verschlechterung bzgl. der Mikrophonie gering bleibt.
  • Bei Oszillatoren mit kleiner Abstimmbreite kann der Stift halter 14 auf Anschlag geschraubt werden und zum Grobabgleich dienen (vgl. auch FIG. 3c). Mit einer zweiten Abstimmvorrichtung (Stifthalter 16, Stift 17) kann die Frequenz fein eingestellt werden. Bei großer Abstimmbandbreite muß die größere Länge der Bohrung für den Stift 15 vorgesehen werden, da der Grobabgleich variabel sein muß. In diesem Fall kann der Feinabgleich auch mit der Temperaturkompensation vorgenommen werden, so daß eine zusätzliche Feinabgleicheinrichtung entfällt.
  • In der FIG, 3 sind im Gegensatz zu den anderen Figuren noch Deckel 18 und 19 zum Abschluß der DurchbrUche 4 bzw. 9 dargestellt.
  • Mit Hilfe des beschriebenen Oszillators läßt sich eine hohe Leerlaufgüte erzielen, womit nicht nur die Voraussetzung für eine hohe Frequenzkonstanz, sondern auch für geringes Eigenrauschen gegeben ist. Durch die Wahl des Resonanzmodus (H10l-Hohlraumresonanz) und die Art des Aufbaues (Anpassung des Schwingelementes und der Auskopplung an den Resonator mit Hilfe von Leitungsstücken, deren Grenzfrequenz oberhalb der Betriebsfrequenz liegt) wird das Auftreten unerwünschter Schwingmoden wirksam verhindert. Aufgrund der Modenreinheit zeigt der Oszillator gutes Schaltverhalten und eignet sich für die Ansteuerung mit digitalen Signalen (Tastung der Versorgungsspannung). Wegen seiner hohen Frequenzkon stanz darf bei dem Oszillator der Fangbereich klein sein.
  • Er eignet sich damit als spannungsgeregelter Oszillator in PLL-AFC-stabilisierten Hochfrequenzquellen. Die Frequenznachregelung kann dabei über die Versorgungsspannung unter Ausnutzung des pushing Faktors erfolgen. Die Art der Temperaturkompensation (Verwendung von Materialien mit temperaturabhängiger DielektrizitAtskonstante) erlaubt die Verwendung von Abstimmstiften geringer Längen, so daß mechanische Schwingungen durch den einseitig fixierten Stift vernachlässigbar sind. Der Oszillator eignet sich daher wegen seiner geringen Mikrophonie auch für beweglichen Einsatz.

Claims (11)

  1. Patentansprüche 1. Oszillator mit # H1Ol-Hohlraumresonator mit zweipoligem Schwingelement (3>, welches in der Ebene einer Hohlraumwand (2) angeordnet ist, dadurch qekennzeichnet, daß die gesamte Hohlraumwandung weitgehend ununterbrochen durch stromlose Vergütung hochleitfähig ist and daß nur zwei Durchbrüche (9,4) vorhanden sind, von denen einer (9) für die Auskopplung vorgesehen ist, während sich der zweite (4) in der genannten Hohlraumwand (2) beim Schwingelement (3) befindet, wobei die Durchbrüche (4,9) so dimensioniert sind, daß einerseits eine lückenlose stromlose Vergütung der Hohlraumwandung möglich ist und andererseits sich in den Durchbrüchen (9,4) lediglich eine Welle vom Dämpfungstyp (evanescent mode) bei der Betriebsfrequenz ausbreiten kann.
  2. 2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Durchbrüche (9,4) als Abstimmelement für die erste Oberwelle ausgebildet ist.
  3. 3. Oszillator nach Anspruch t oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Durchbruch (4) nach außen hin mit einem elektrisch leitenden Deckel (18) elektrisch leitend verschlossen ist.
  4. 4. Oszillator nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich unter der durch stromlose Vergütung hergestellten Vergütungsschicht eine. den Hohlraumresonator teilende, aber durch Hartlot geschlossene Fuge ( ) befindet (Fig. 2b).
  5. 5. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß am dem ersten Durchbruch (9) eine induktive Auskopplung (10) vorgesehen ist.
  6. 6. Oszillator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auch der erste Durchbruch (9) nach außen hin mit einem elektrisch leitenden Deckel (19) elektrisch leitend verschlossen ist.
  7. 7. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch qekennzeichnet, daß sich unter der durch stromlose Vergütung hergestellten Vergütungsschicht eine durch Hartlot geschlossene Fuge (F') befindet,welche die Verbindung zwischen einer Auskoppelbiende (5) und der restlichen Hohlraumwandung bildet.
  8. 8. Oszillator nach einem vorangehenden Anspruch, gekennzeichnet durch einen Abstinimstift (15) mit temperaturabhängiger Dielektrizitätskonstante.
  9. 9. Oszillator nach einem vorangehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der nicht mit einem Durchbruch für das Schwingelement (3) bzw.
    das Auskoppelelement (10) versehenen Wände (20, 21 in FIG. 2d) ebenfalls einen solchen (22, 23) aufweist, in welchen ein Bauelement (24, 25) eingebracht ist, welches zur Frequenz- oder Amplitudenbeeinflussung des Oszillators, zur Frequenzmischung, Frequenzvervielfachung oder zur Leistungsaddition nutzbar ist und insbesondere eine Varaktor-, PIN-, Mischdiode, ein frequenzvervielfachender Halbleiter, eine Mischdiode, ein Halbleiterschwingelement oder auch wenigstens eine Hochfrequenz-Auskoppelung sein kann.
  10. 10. Verfahren zum Herstellen des Oszillators mit den Merkmalen eines vorangehenden Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß der geteilte Hohlraumresonator mit Hartlot zusammengelötet wird und die Hohlraumwandung anschließend stromlos vergütet wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die optimale Kopplung des Schwingelementes (3) bzw. des Auskoppelelementes (10) oder anderer Bauelemente (24, 25) an den Resonator vor der stromlosen Vergütung dadurch ermittelt wird, daß die Position des Schwingelementes (3) bzw. des Ankoppelelementes (10) bzw. der Bauelemente (24, 25) in bezug zur resonatorseitigen Durchbruchkante für festere Ankopplung in Richtung Resonatormitte und für losere Ankopplung in Richtung des nach außen führenden Durchbruchs (4, 9, 22, 23) verändert wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2552352B2 (de) * 1974-11-21 1978-06-08 Thomson-Csf, S.A., Paris Höchstfrequenzgenerator großer Leistung

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Englischsprachige Abstracts ungeprüfter, offengelegter Japanischer Patentanmeldungen, "Semiconductor Direct Oscillator" Kokai No. 52-29146 *
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