DE3316909A1 - Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung - Google Patents

Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung

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Albrecht Rabenau
Heinz 7000 Stuttgart Schulz
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description

  • Neue Mischkristalle, Verfahren zu ihrer Herstellung und
  • ihre Verwendung Beschreibung Die Erfindung betrifft neue Mischkristalle, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung als feste ionenleitende Elektrolyten in einer elektrochemischen Zelle.
  • Die Verwendung fester, gut ionenleitender Elektrolyte in Batterien, d. h. Primärzellen oder Sekundärzellen, ist von erheblicher technischer Bedeutung, da feste Elektrolyte 1) bei verschwindender Elektronenteilleitfähigkeit die Selbstentladung der Batterie nahezu verhindern und damit eine lange Lagerfähigkeit ermöglichen, 2) als feste Körper bei der Verwendung in Feststoffbatterien das Dichtungsproblem herkömmlicher Zellen mit flüssigen Elektrolyten umgehen und 3) den Bau von Hochtemperatur-Hochenergiezellen mit flüssigen Elektroden und einem festen Separator ermöglichen.
  • Die bisher bekannten, für den genannten Zweck verwendbaren Festelektrolyte lassen jedoch noch zu wünschen übrig. Zum Teil ist ihre Beständigkeit unbefriedigend, insbesondere bei höheren Temperaturen, zum Teil genügt die Leitfähigkeit den zu stellenden Anforderungen nur unbefriedigend.
  • Technische Bedeutung haben vor allem Festelektrolyten auf Basis von Lithiumverbindungen, wie Lithiumnitrid, oder von Natriumverbindungen, wie Na-ß-Alumina (Na2O.llA1203) und die Mischkristallreihe Nal+xSixZr2P3~xO12, in der x einen Wert von größer als 0 bis 3 aufweist, und die unter der Bezeichnung Nasicon bekannt ist, erlangt. Es handelt sich hier um ein eindimensionales Mischphasensystem. Der Austausch von P gegen Si und Na ist möglich.
  • Ebenfalls bekannt sind Mischkristalle der Formel Na1+xM2-1/3x+ySixZ3-x O12-2/3x-y mit 0,01 # x # 3; 0 # y # 0,5, worin M = Zr, Ti, Hf; Z = P, Sb, Bi, U, Nb, Ta, welche im Vierstoffsystem P205-SiO2-Na2O-ZrO2, eine Fläche beschreibt (DE-OS 30 32 894).
  • Die maximale Ionenleitfähigkeit (abhängig von der Zusammensetzung) ist in beiden Systemen mit o300°C #2x10-1 (ohm cm)-1 etwa gleich. Ebenfalls haben beide Systeme die Eigenschaft gemeinsam, daß die Leitfähigkeit ungefähr im Mischungsbereich 1.6 C x ~ 2.4 stark erhöht ist. Hier weist die Struktur bei Raumtemperatur monokline (C2/c) Symmetrie auf und geht oberhalb 1500C in die gleiche rhomboedrische Symmetrie (R3c) über, wie sie außerhalb des Bereichs bei allen Temperaturen auftritt.
  • Nunmehr wurde eine neue Mischkristallreihe aufgefunden, welche in ihrer Beständigkeit und Leitfähigkeit dem Nasicon und dem Vierstoff system gemäß DE-OS 30 32 894 überlegen ist. Gegenüber Na-ß-Alumina ist die neue Substanzserie wesentlich einfacher zu synthetisieren und weist eine hohe Stabilität gegenüber Feuchtigkeit auf bei vergleichbarer Leitfähigkeit.
  • Gegenstand der Erfindung sind daher Mischkristalle der allgemeinen Formel Na M V -x012; Z-x-4y=o in der M eines der Ubergangselemente der IV. Gruppe des Periodischen Systems, Zr, Ti, Hf oder Mischungen davon, Y eines der Elemente Si, Ge, Al, Z eines der Elemente der V. Gruppe des Periodischen Systems, P, As, Sb, Bi, V, Nb, Ta oder Mischungen davon, x eine Zahl von 0 bis 2.99, Y eine Zahl von 0,0025 bis 1 und Z eine Zahl von 0,01 bis 4 bedeuten.
  • Die erfindungsgemäßen neuen Verbindungen liegen als Mischkristalle im Kristallfeld, definiert durch die quasibinären Schnitte NaZr2P3 012 Na5ZrP3012 oder Na5ZrP3012 --- Na4Zr2Si3 012 vor. Die beigefügte Zeichnung stellt dieses Mischfeld graphisch dar.
  • Die neuen Mischkristalle der Erfindung sind einphasig und schließen an das eindimensionale NASICON in Form einer Fläche an, bilden also ein 2-dimensionales System. Dies stellt gegenüber NASICON eine wesentliche Verbesserung dar, da bisher alle Versuche, den hochleitenden Mischungsbereich von NASICON herzustellen zu zweiphasigen Systemen mit ZrO2 als zweite Phase geführt haben.
  • Die erfindungsgemäßen neuen Mischkristalle sind chemisch besonders beständig, insbesondere gegenüber dem als Elektrode bei Verwendung der Kristalle als Festkörperelektrolyt in einer Batterie in Betracht kommenden- Natrium.
  • Im erfindungsgemäßen Mischkristall ist M vorzugsweise Zirkonium (Zr) oder ein Gemisch von Zr und Hf (handelsübliches Zr enthält normalerweise Hf). Die gleichen Eigenschaften können aber auch erhalten werden, wenn M aus Ti oder Hf alleine oder im Gemisch miteinander bzw.
  • mit Zr besteht.
  • Z besteht vorzugsweise aus Phosphor, obwohl auch die anderen oben aufgeführten Elemente der V. Gruppe des Periodischen Systems den Phosphor darin zumindest teilweise ersetzen können.
  • Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung der oben beschriebenen neuen Mischkristalle welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Komponenten des Mischkristalls in den jeweils für eine bestimmte gewünschte Zusammensetzung erforderlichen molaren Anteilen entweder a) in feinpulveriger Form gemischt und bei einer möglichst hohen Temperatur, jedoch unter Vermeidung des Auftretens einer flüssigen Phase, so lange calciniert werden, bis im Röntgendiagramm kein MO2-Peak mehr erkennbar ist, wobei gegebenenfalls das Calcinieren ein- oder mehrfach unterbrochen wird, um das Material erneut fein zu vermahlen oder b) gelöst, aus der Lösung in Gel-form ausgefällt werden und das Gel calciniert wird oder c) in feinpulveriger Form unter Zusatz eines Phosphatüberschusses und der auf den ZrO2-Gehalt bezogenen drei- bis sechsfachen Menge B203 gemischt, mehrere Tage auf 1100 bis 13000C erhitzt, langsam auf 450 bis 5500C abgekühlt werden und das erhaltene Produkt mit heißer verdünnter Säure behandelt wird.
  • Die oben beschriebenen drei Varianten des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens lassen die erfindungsgemäßen Mischkristalle jeweils in gleicher Qualität erhalten, jedoch ist der Aufwand bei den Varianten b) und c) im allgemeinen, insbesondere hinsichtlich des Zeitbedarfs, etwas geringer.
  • Bei.Methode a) werden die Komponenten in Form geeigneter Verbindungen, ZrO2 beispielsweise als ZrOC12, Na2O als Carbonat, P205 als primäres Ammoniumphosphat eingesetzt.
  • SiO2 wird zweckmäßig als solches verwendet. Die feinpulverisierte Mischung der Komponenten wird dann langsam bis auf eine Temperatur von über 1000"C, vorzugsweise 1020 bis 10800C erhitzt. Das Aufheizen erfolgt vorzugsweise langsam mit wiederholten Unterbrechungen, bei denen neu vermahlen wird.
  • Die Gelvariante b) wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß Na und M in Form der Carbonate gemischt und mit verdünnter HNO3 zersetzt werden. Nach dem Abdampfen der Säure wird mit Alkohol und einer Alkohol löslichen Organo-Silikat-Verbindung, insbesondere einem Tetraalkylorthosilikat, gemischt und die Mischung durch Zusatz von NH3 geliert. Dann wird Z in Form einer geeigneten löslichen Verbindung wie primäres Ammoniumphosphat, zugesetzt und das Gel stufenweise bis auf eine Temperatur von etwa 7500C erhitzt und danach vermahlen. Anschließend erfolgt Calcinierung wie bei Methode a), jedoch ohne Unterbrechung zur Vermahlung.
  • Die Flußmittel-Methode gemäß c) setzt einen Phosphatüberschuß voraus. Die Ausgangskomponenten werden wieder in Form geeigneter Verbindungen gemischt, Na zweckmäßig als Carbonat, M in Form von MO2, z. B. ZrO2, Y als Y02, z. B. SiO2, Z beispielsweise als sekundäres Phosphat.
  • Dann wird die drei- bis sechsfache, vorzugsweise etwa 4fache Menge B203 als Flußmittel, bezogen auf die MO2-Menge, zugesetzt und das Gemisch langsam auf 1100 bis 1300, vorzugsweise 1150 bis 12500C aufgeheizt und 1 bis 3 Tage bei dieser Temperatur gehalten. Dann wird langsam bis auf 550 bis 450 OC abgekühlt, wobei die Abkühlungsgeschwindigkeit 1 bis 100C pro Stunde betragen sollte. Mit heißer, stark verdünnter Salpetersäure wird dann das Flußmittel gelöst, wobei die erfindungsgemäßen Mischkristalle zurückbleiben. Die Kristallgröße liegt hier im allgemeinen zwischen 20 und 500 ijm. Das Verfahren lehnt sich an an das in Croatica Chemica Acta 39, 145 bis 148 (1967) beschriebene Verfahren der Kristallzüchtung mittels Flußmittel.
  • Wie bereits erwähnt, sind die erfindungsgemäßen Mischkristalle ionenleitende Festkörper. Erfindungsgemäß werden sie daher als feste ionenleitende Elektrolyten in einer elektrochemischen Zelle, insbesondere in Hochleistungstemperaturzellen oder Raumtemperaturzellen sowie elektrochromen Anzeigen verwendet. Da sie sich besonders durch Stabilität gegenüber metallischem Natrium auszeichnen, werden sie vorzugsweise in elektrochemischen Zellen mit einer Anode auf Basis Natrium oder einer Natriumlegierung verwendet.
  • Unter elektrochemischer Zelle werden hierbei generell neben Batterien auch andere Anordnungen, bei denen die ionenleitenden Eigenschaften eines Elektrolyten technisch ausgenutzt werden, verstanden. Die Anode enthält dabei immer Natrium, muß aber nicht daraus bestehen. Außer Natrium selbst kommen in Betracht Natriumlegierungen oder andere elektronenleitende Substanzen, wie Natrium in einer Graphitmatrix.
  • Für die Kathode können die gleichen Substanzen verwendet werden, die im Zusammenhang mit elektrochemischen Zellen, welche einen Elektrolyten aus Nasicon oder Na-ß-Alumina enthalten, bekannt sind.
  • Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
  • Beispiel 1 4/Lt Na3Zr1,75 SiP2O12 (X=l; y=3f4; z=2) Die Komponenten werden in den der Zusammensetzung entsprechenden molaren Mengen eingesetzt, Zr als ZrOCl2x 81120, 2 als Na2CO3, P als NH4H2PO4 und Si als SiO2. Die Mischung wird in einer Achatkugelmühle eine Stunde gründlich vermahlen, danach in einen 25 ml Platin-Tiegel überführt und gewogen. Anschließend wird 12 Stunden bei 1500C, 12 Stunden bei 200"C und 6 Stunden bei 250"C im Trockenschrank erhitzt. Dann wird die Mischung in einen Muffelofen überführt und 12 Stunden bei 5000C, 4 Tage bei 950"C und einen Tag bei 10500C gehalten. Nach jeder Temperaturerhöhung wird die Mischung gewogen und erneut eine halbe Stunde in der Achatkugelmühle gemahlen, solange bis der theoretische Wert für das Gewicht der Oxidmischung erreicht ist. Anschließend wird die Probe im Ofen abkühlen gelassen und röntgenographisch auf Einphasigkeit überprüft. Das Pulverdiffraktionsspektrum zeigt, daß das Produkt einphasig ist und rhomboedrische Symmetrie aufweist (bei Zimmertemperatur).
  • Aus dem Kristallpulver wurde eine Keramikpille durch Kaltpressen und 1 Tag bei 1100°C Sintern hergestellt und daran folgende Leitfähigkeitsdaten bestimmt: (250C) = 9,2 x 10-5 (acm) 1 &(3000C) = 2,6 x 10 2 (Acm) 1 Die Aktivierungsenergie wurde zu# E = 0,34 eV/Teilchen bestimmt.
  • Beispiel 2 Na4Zr1,25P3O12 (x=0; y=3/4; z=3) Na2CO3 und Zr-Carbonat werden in den für die obige Zusammensetzung berechneten Verhältnissen in einen Becher aus Tetrafluorethylen eingewogen und mit verdünnter HNO3 zersetzt. Nach dem Abdampfen des überschüssigen HNO3 wird der Rückstand erkalten gelassen und gleichzeitig mit Ethanol und SiO2 in Form von Tetraethylorthosilikat gründlich vermischt und sofort durch Zusatz von konzentriertem Ammoniak geliert. Zur Vervollständigung der Gelierung wird die Probe 1 Tag stehen gelassen, dann wird der der Formel entsprechende Phosphatgehalt in Form von NH4H2PO4 zugemischt und die Mischung einen Tag bei 2000C im Trockenschrank erhitzt. Dann wird auf 7500C erhitzt, wobei die Nitrate abrauchen und das erhaltene Produkt vermahlen. Die so erhaltene Mischung braucht nur noch auskristallisiert zu werden. Dies erfolgt durch 1 Tag Halten bei 8500C und 3 Tage bei 10000C.
  • Bei der Herstellung von Kristallen mit hohem Si-Gehalt erwies sich für die abschließende Calcinierung eine Temperatur von etwa 11000C als zweckmäßig.
  • 13eispiel 3 Herstellung von Na5ZrP3012 (x=0; y=l; z=4) nach der Fluxmethode Die für obige Zusammensetzung berechneten Mengen ZrO2, SiO2 und Na2CO3 werden im Platintiegel eingewogen und gut vermischt. Phosphat wird in Form von Na2HPO4x2H2O mit 20 % stöchiometrischem Überschuß ebenfalls zugemischt. Anschließend wird B203 in der vierfachen Menge, bezogen auf eingesetztes ZrO2, zugemischt und die Mischung wird innerhalb eines Tages im Muffelofen auf 12000C aufgeheizt, die Schmelze zwei Tage bei dieser Temperatur gehalten und dann langsam mit einer Geschwindigkeit von 8 bis 10°C pro Stunde auf etwa 5000C abgekühlt. Dann wird mit HNO3 leicht angesäuertes siedendes Wasser zugesetzt und damit das Flußmittel herausgelöst. Man erhält das Produkt in Form von Kristallen mit einer Größe zwischen etwa 20 und 500 ßm.

Claims (6)

  1. Patentansprüche 1. Mischkristalle der allgemeinen Formel Nal+ M Y Z -x012; Z-x-4y=o in der M eines der Ubergangsmetalle der IV. Gruppe des Periodensystems, Zr, Ti, Hf oder Mischungen davon, Y eines der Elemente Si, Ge, Al, Z eines der Elemente der V. Gruppe des Periodensystems, P, As, Sb, Bi, V, Nb, Ta oder Mischungen davon und x eine Zahl von 0 bis 2,99, y eine Zahl von 0,0025 bis 1, z eine Zahl von 0,01 bis 4 bedeuten.
  2. 2. Mischkristall nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß M Zr oder ein Gemisch von Zr mit Hf oder Ti ist.
  3. 3. Mischkristall nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Z P oder ein Gemisch von P, As, V, Nb, Ta, Bi oder Sb ist.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung eines Mischkristalls nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Komponenten des Mischkristalls in den jeweils für eine bestimmte gewünschte Zusammensetzung erforderlichen molaren Anteilen entweder a) in feinpulveriger Form gemischt und bei einer möglichst hohen Temperatur, jedoch unter Vermeidung des Auftretens einer flüssigen Phase, so lange calciniert werden, bis im Röntgendiagramm kein MO2-Peak mehr erkennbar ist, wobei gegebenenfalls das Calcinieren ein- oder mehrfach unterbrochen wird, um das Material erneut fein zu vermahlen, oder b) gelöst, aus der Lösung in Gel-form ausgefällt werden und das Gel calciniert wird oder c) in feinpulveriger Form unter Zusatz eines Phosphatüberschusses und der, auf den MO2-Gehalt bezogen, 3- bis 6-fachen Menge B203 gemischt, mehrere Tage auf 1100 bis 13000C erhitzt, langsam auf 450 bis 550"C abgekühlt werden und das erhaltene Produkt mit heißer verdünnter Säure behandelt wird.
  5. 5. Verwendung eines Mischkristalls nach einem der Ansprüche 1 bis 3 als fester ionenleitender Elektrolyt in einer elektrochemischen Zelle.
  6. 6. Verwendung eines Mischkristalls nach Anspruch 1 bis 3 als fester Elektrolyt in einer elektrochemischen Zelle gemäß Anspruch 5 mit einer Anode auf Basis Natrium oder einer Natriumlegierung.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3639312A1 (de) * 1986-11-17 1988-05-26 Battelle Institut E V Festkoerperelektrode zur bestimmung von natriumionenkonzentrationen in loesungen
DE4033388A1 (de) * 1990-10-20 1992-04-23 Bosch Gmbh Robert Schichtsystem fuer gassensoren und verfahren zu dessen herstellung
EA000027B1 (ru) * 1996-09-27 1998-02-26 Олег Валерьевич Бакунов Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения
RU2479076C1 (ru) * 2012-03-05 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук Твердый электролит на основе оксида гафния
EP3154066A4 (de) * 2014-09-17 2018-01-24 LG Chem, Ltd. Zusammensetzung zur formung eines leitfähigen musters und harzstruktur mit leitfähigem muster

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5815018A (ja) * 1981-07-13 1983-01-28 Asahi Chem Ind Co Ltd 新規な複リン酸塩

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3639312A1 (de) * 1986-11-17 1988-05-26 Battelle Institut E V Festkoerperelektrode zur bestimmung von natriumionenkonzentrationen in loesungen
DE4033388A1 (de) * 1990-10-20 1992-04-23 Bosch Gmbh Robert Schichtsystem fuer gassensoren und verfahren zu dessen herstellung
DE4033388C3 (de) * 1990-10-20 1998-01-29 Bosch Gmbh Robert Schichtsystem für Gassensoren und Verfahren zu dessen Herstellung
EA000027B1 (ru) * 1996-09-27 1998-02-26 Олег Валерьевич Бакунов Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения
RU2479076C1 (ru) * 2012-03-05 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук Твердый электролит на основе оксида гафния
EP3154066A4 (de) * 2014-09-17 2018-01-24 LG Chem, Ltd. Zusammensetzung zur formung eines leitfähigen musters und harzstruktur mit leitfähigem muster
US10297363B2 (en) 2014-09-17 2019-05-21 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern

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