EA000027B1 - Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения - Google Patents
Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- EA000027B1 EA000027B1 EA199600075A EA199600075A EA000027B1 EA 000027 B1 EA000027 B1 EA 000027B1 EA 199600075 A EA199600075 A EA 199600075A EA 199600075 A EA199600075 A EA 199600075A EA 000027 B1 EA000027 B1 EA 000027B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- oxide
- melting
- magnesium
- calcium
- monocrystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Adornments (AREA)
Description
Изобретение относится к области производства искусственных кристаллов для ювелирной промышленности. Его использование экономически выгодно, так как запасы природного топаза ограничены и его добыча требует серьезных затрат. Кроме этого в связи с дороговизной природный топаз практически не используется в бижутерной промышленности.
Известен оптический монокристаллический материал, содержащий двуокись циркония или гафния и окись иттербия, в который для его окраски вводят ионы переходных и редкоземельных элементов (авт.св. СССР № 565 432, кл. С ЗОВ 29/16 от 30.06.78).
Недостатком известного оптического монокристалла является значительное отличие окраски от природного топаза. Наиболее близким аналогом является монокристаллический материал на основе диоксида циркония или гафния, в который в качестве добавок вводят окислы редкоземельных элементов (патент США №3,984,524,1976).
К основным недостаткам этого материала относится необходимость использования для имитации окраски природного топаза окислов редкоземельных металлов, являющихся дорогостоящими, что делает производство экономически невыгодным.
Известен способ получения монокристаллов на основе твердых растворов тугоплавких окислов (авт. св. СССР № 1048857, кл. С ЗОВ 11/00), включающий нагрев материала в «холодном» контейнере, плавление его с образованием гарнисажа, затравление от его дна и последующую направленную кристаллизацию с вращением контейнера, при этом затравление ведут в течение 1-2 ч. К основным недостаткам способа относится необходимость вращения контейнера и очень длительный процесс затравления, резко снижающий производительность.
Наиболее близким аналогом является способ по авт.св. СССР №1558039, кл. С 30В 11/00, в соответствии с которым кристалл выращивают в холодном контейнере путем расплавления исходной шихты прямым высокочастотным нагревом, погружением затравки сверху в центр расплава и его охлаждением с последующей спонтанной кристаллизацией, причем охлаждение начинают вести с центра поверхности расплава и до начала спонтанной кристаллизации вращают затравку или контейнер. К недостаткам способа относится необходимость вращения контейнера или затравки.
Общим недостатком обоих способов является необходимость последующего отжига полученных кристаллов, так как они имеют значительные остаточные температурные напряжения.
В предлагаемом изобретении эти недостатки устранены тем, что в монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий и окрашивающую добавку для имитации природного голубого топаза, в качестве окрашивающей добавки введена металлическая медь, а кристалл имеет следующее соотношение компонентов, мас. % :
Оксид кальция, магния или иттрия 16 - 30
Медь металлическая 0,1- 0,5
Оксид циркония или гафния Остальное
В способе получения кристалла выращиванием его в водоохлаждаемом контейнере путем проплавления исходной шихты за счет передачи электромагнитной энергии индукционным методом металлическая медь вводится в исходную шихту на завершающей стадии ее проплавления единым куском, а отжиг полученного кристалла не производится.
Пример. Для получения монокристаллического ювелирного материала, имитирующего топаз, готовят исходную шихту, содержащую от 16 до 30 % оксида кальция, магния или иттрия и оксид циркония или гафния. Приготовленную таким образом шихту проплавляют в холодном контейнере и непосредственно перед началом кристаллизации в расплав единым куском вводят металлическую медь в количестве 0,1 - 0,5 % по массе расплава. После этого осуществляют спонтанную кристаллизацию, а полученные кристаллы не отжигают.
Основным преимуществом данного монокристаллического материала является то, что в качестве окрашивающей добавки вместо оксидов редкоземельных металлов используется металлическая медь, что значительно удешевляет кристалл. Кроме этого способ получения кристалла может быть реализован любым из известных методов выращивания в холодном контейнере, а полученные кристаллы не требуют дополнительного отжига, что в свою очередь удешевляет способ их получения.
Claims (2)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий, и окрашивающую добавку, отличающийся тем, что в качестве окрашивающей добавки он содержит металлическую медь при следующем соотношении компонентов, мас. %:Оксид кальция, магния или иттрия 16-30Металлическая медь 0,1-0,5Оксид циркония или гафния Остальное
- 2. Способ получения монокристаллического ювелирного материала по п. 1 выращиванием кристаллов в водоохлаждаемом контейнере путем проплавления исходной шихты при индукционном нагреве, отличающийся тем, что металлическую медь вводят в исходную шихту на завершающей стадии ее проплавления одним куском.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EA199600075A EA000027B1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EA199600075A EA000027B1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EA199600075A2 EA199600075A2 (ru) | 1997-03-31 |
EA199600075A3 EA199600075A3 (ru) | 1997-09-30 |
EA000027B1 true EA000027B1 (ru) | 1998-02-26 |
Family
ID=8161400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EA199600075A EA000027B1 (ru) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
EA (1) | EA000027B1 (ru) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3316909A1 (de) * | 1983-05-09 | 1985-01-24 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
JPS61178496A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Seiko Epson Corp | コランダムの製造方法 |
JPS61236697A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Seiko Epson Corp | ブル−サフアイヤの単結晶合成法 |
JPS61236698A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Seiko Epson Corp | アレキサンドライト単結晶の合成法 |
EP0331360A1 (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-06 | Hitachi, Ltd. | Method of preparing an oxide high-temperature superconducting material |
JPH0297496A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶 |
DE3904868A1 (de) * | 1989-02-17 | 1990-08-23 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur zuechtung von mischkristallen aus schmelzen oxidischer vielstoffsysteme |
RU2034099C1 (ru) * | 1991-06-06 | 1995-04-30 | Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья | Шихта для получения ювелирных кристаллов |
RU2046159C1 (ru) * | 1991-12-27 | 1995-10-20 | Юрий Карлович Лингарт | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления |
RU94008773A (ru) * | 1994-03-14 | 1996-04-27 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" | Бесцветный синтетический монокристалл |
RU94008750A (ru) * | 1994-03-14 | 1996-04-27 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" | Окрашенный монокристалл |
-
1996
- 1996-09-27 EA EA199600075A patent/EA000027B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3316909A1 (de) * | 1983-05-09 | 1985-01-24 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
JPS61178496A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Seiko Epson Corp | コランダムの製造方法 |
JPS61236697A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Seiko Epson Corp | ブル−サフアイヤの単結晶合成法 |
JPS61236698A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Seiko Epson Corp | アレキサンドライト単結晶の合成法 |
EP0331360A1 (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-06 | Hitachi, Ltd. | Method of preparing an oxide high-temperature superconducting material |
JPH0297496A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶 |
DE3904868A1 (de) * | 1989-02-17 | 1990-08-23 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur zuechtung von mischkristallen aus schmelzen oxidischer vielstoffsysteme |
RU2034099C1 (ru) * | 1991-06-06 | 1995-04-30 | Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья | Шихта для получения ювелирных кристаллов |
RU2046159C1 (ru) * | 1991-12-27 | 1995-10-20 | Юрий Карлович Лингарт | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления |
RU94008773A (ru) * | 1994-03-14 | 1996-04-27 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" | Бесцветный синтетический монокристалл |
RU94008750A (ru) * | 1994-03-14 | 1996-04-27 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" | Окрашенный монокристалл |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EA199600075A3 (ru) | 1997-09-30 |
EA199600075A2 (ru) | 1997-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108425029A (zh) | 一种不含银耐脆断18k玫瑰金及其加工工艺 | |
US3984524A (en) | Single crystals based on stabilized zirconium dioxide or hafniun dioxide | |
US4820487A (en) | Gold alloy | |
EA000027B1 (ru) | Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения | |
US4093502A (en) | Process for synthesizing and growing single crystalline beryl | |
US4634492A (en) | Chrysoberyl single crystal and method of producing the same | |
RU2065414C1 (ru) | Способ получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов | |
CN108677044A (zh) | 一种高强度银饰品的加工方法 | |
US4525460A (en) | Single-crystal material based on aluminium garnets | |
JPS5551797A (en) | Production of vanadium diboride and tantalum diboride single crystal from aluminum bath | |
RU2075559C1 (ru) | Способ получения окрашенных кристаллов берилла | |
JPH0254318B2 (ru) | ||
JPS60155597A (ja) | クリソベリル単結晶の製造方法 | |
US3567642A (en) | Hydrothermal process for growing crystals having the structure of beryl in an alkaline halide medium | |
JPS61266397A (ja) | 宝飾用合成フオルステライト単結晶 | |
SU415324A1 (ru) | ||
JPS5823360B2 (ja) | アンテイカザイニヨリアンテイカサレタニサンカジルコニウム マタハ ニサンカハフニウムオシユセイブントスルタンケツシヨウ | |
RU2132416C1 (ru) | Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) | |
JPS58120597A (ja) | 光彩効果を示すクリソベリル単結晶及びその製造方法 | |
US4024013A (en) | Method of producing citrine crystals | |
SU509559A1 (ru) | Способ изготовлени корундовыхизделий | |
McCluhan et al. | Alloy and Process for Producing Ductile and Compacted Graphite Cast Irons | |
CN108715946A (zh) | 一种不含银耐脆断14k玫瑰金及其加工工艺 | |
JPH0429618B2 (ru) | ||
JPS60155593A (ja) | クリソベリル単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KG MD TJ TM |
|
MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): KZ RU |