EA000027B1 - Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения - Google Patents

Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения Download PDF

Info

Publication number
EA000027B1
EA000027B1 EA199600075A EA199600075A EA000027B1 EA 000027 B1 EA000027 B1 EA 000027B1 EA 199600075 A EA199600075 A EA 199600075A EA 199600075 A EA199600075 A EA 199600075A EA 000027 B1 EA000027 B1 EA 000027B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
oxide
melting
magnesium
calcium
monocrystal
Prior art date
Application number
EA199600075A
Other languages
English (en)
Other versions
EA199600075A3 (ru
EA199600075A2 (ru
Inventor
Олег Валерьевич Бакунов
Юрий Карлович Лингарт
Original Assignee
Олег Валерьевич Бакунов
Юрий Карлович Лингарт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Олег Валерьевич Бакунов, Юрий Карлович Лингарт filed Critical Олег Валерьевич Бакунов
Priority to EA199600075A priority Critical patent/EA000027B1/ru
Publication of EA199600075A2 publication Critical patent/EA199600075A2/ru
Publication of EA199600075A3 publication Critical patent/EA199600075A3/ru
Publication of EA000027B1 publication Critical patent/EA000027B1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Adornments (AREA)

Description

Изобретение относится к области производства искусственных кристаллов для ювелирной промышленности. Его использование экономически выгодно, так как запасы природного топаза ограничены и его добыча требует серьезных затрат. Кроме этого в связи с дороговизной природный топаз практически не используется в бижутерной промышленности.
Известен оптический монокристаллический материал, содержащий двуокись циркония или гафния и окись иттербия, в который для его окраски вводят ионы переходных и редкоземельных элементов (авт.св. СССР № 565 432, кл. С ЗОВ 29/16 от 30.06.78).
Недостатком известного оптического монокристалла является значительное отличие окраски от природного топаза. Наиболее близким аналогом является монокристаллический материал на основе диоксида циркония или гафния, в который в качестве добавок вводят окислы редкоземельных элементов (патент США №3,984,524,1976).
К основным недостаткам этого материала относится необходимость использования для имитации окраски природного топаза окислов редкоземельных металлов, являющихся дорогостоящими, что делает производство экономически невыгодным.
Известен способ получения монокристаллов на основе твердых растворов тугоплавких окислов (авт. св. СССР № 1048857, кл. С ЗОВ 11/00), включающий нагрев материала в «холодном» контейнере, плавление его с образованием гарнисажа, затравление от его дна и последующую направленную кристаллизацию с вращением контейнера, при этом затравление ведут в течение 1-2 ч. К основным недостаткам способа относится необходимость вращения контейнера и очень длительный процесс затравления, резко снижающий производительность.
Наиболее близким аналогом является способ по авт.св. СССР №1558039, кл. С 30В 11/00, в соответствии с которым кристалл выращивают в холодном контейнере путем расплавления исходной шихты прямым высокочастотным нагревом, погружением затравки сверху в центр расплава и его охлаждением с последующей спонтанной кристаллизацией, причем охлаждение начинают вести с центра поверхности расплава и до начала спонтанной кристаллизации вращают затравку или контейнер. К недостаткам способа относится необходимость вращения контейнера или затравки.
Общим недостатком обоих способов является необходимость последующего отжига полученных кристаллов, так как они имеют значительные остаточные температурные напряжения.
В предлагаемом изобретении эти недостатки устранены тем, что в монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий и окрашивающую добавку для имитации природного голубого топаза, в качестве окрашивающей добавки введена металлическая медь, а кристалл имеет следующее соотношение компонентов, мас. % :
Оксид кальция, магния или иттрия 16 - 30
Медь металлическая 0,1- 0,5
Оксид циркония или гафния Остальное
В способе получения кристалла выращиванием его в водоохлаждаемом контейнере путем проплавления исходной шихты за счет передачи электромагнитной энергии индукционным методом металлическая медь вводится в исходную шихту на завершающей стадии ее проплавления единым куском, а отжиг полученного кристалла не производится.
Пример. Для получения монокристаллического ювелирного материала, имитирующего топаз, готовят исходную шихту, содержащую от 16 до 30 % оксида кальция, магния или иттрия и оксид циркония или гафния. Приготовленную таким образом шихту проплавляют в холодном контейнере и непосредственно перед началом кристаллизации в расплав единым куском вводят металлическую медь в количестве 0,1 - 0,5 % по массе расплава. После этого осуществляют спонтанную кристаллизацию, а полученные кристаллы не отжигают.
Основным преимуществом данного монокристаллического материала является то, что в качестве окрашивающей добавки вместо оксидов редкоземельных металлов используется металлическая медь, что значительно удешевляет кристалл. Кроме этого способ получения кристалла может быть реализован любым из известных методов выращивания в холодном контейнере, а полученные кристаллы не требуют дополнительного отжига, что в свою очередь удешевляет способ их получения.

Claims (2)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий, и окрашивающую добавку, отличающийся тем, что в качестве окрашивающей добавки он содержит металлическую медь при следующем соотношении компонентов, мас. %:
    Оксид кальция, магния или иттрия 16-30
    Металлическая медь 0,1-0,5
    Оксид циркония или гафния Остальное
  2. 2. Способ получения монокристаллического ювелирного материала по п. 1 выращиванием кристаллов в водоохлаждаемом контейнере путем проплавления исходной шихты при индукционном нагреве, отличающийся тем, что металлическую медь вводят в исходную шихту на завершающей стадии ее проплавления одним куском.
EA199600075A 1996-09-27 1996-09-27 Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения EA000027B1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA199600075A EA000027B1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA199600075A EA000027B1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EA199600075A2 EA199600075A2 (ru) 1997-03-31
EA199600075A3 EA199600075A3 (ru) 1997-09-30
EA000027B1 true EA000027B1 (ru) 1998-02-26

Family

ID=8161400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA199600075A EA000027B1 (ru) 1996-09-27 1996-09-27 Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения

Country Status (1)

Country Link
EA (1) EA000027B1 (ru)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316909A1 (de) * 1983-05-09 1985-01-24 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
JPS61178496A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Seiko Epson Corp コランダムの製造方法
JPS61236697A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Seiko Epson Corp ブル−サフアイヤの単結晶合成法
JPS61236698A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Seiko Epson Corp アレキサンドライト単結晶の合成法
EP0331360A1 (en) * 1988-02-26 1989-09-06 Hitachi, Ltd. Method of preparing an oxide high-temperature superconducting material
JPH0297496A (ja) * 1988-09-30 1990-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物ガーネット単結晶
DE3904868A1 (de) * 1989-02-17 1990-08-23 Philips Patentverwaltung Verfahren zur zuechtung von mischkristallen aus schmelzen oxidischer vielstoffsysteme
RU2034099C1 (ru) * 1991-06-06 1995-04-30 Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья Шихта для получения ювелирных кристаллов
RU2046159C1 (ru) * 1991-12-27 1995-10-20 Юрий Карлович Лингарт Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления
RU94008773A (ru) * 1994-03-14 1996-04-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" Бесцветный синтетический монокристалл
RU94008750A (ru) * 1994-03-14 1996-04-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" Окрашенный монокристалл

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316909A1 (de) * 1983-05-09 1985-01-24 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Neue mischkristalle, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
JPS61178496A (ja) * 1985-02-05 1986-08-11 Seiko Epson Corp コランダムの製造方法
JPS61236697A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Seiko Epson Corp ブル−サフアイヤの単結晶合成法
JPS61236698A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Seiko Epson Corp アレキサンドライト単結晶の合成法
EP0331360A1 (en) * 1988-02-26 1989-09-06 Hitachi, Ltd. Method of preparing an oxide high-temperature superconducting material
JPH0297496A (ja) * 1988-09-30 1990-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物ガーネット単結晶
DE3904868A1 (de) * 1989-02-17 1990-08-23 Philips Patentverwaltung Verfahren zur zuechtung von mischkristallen aus schmelzen oxidischer vielstoffsysteme
RU2034099C1 (ru) * 1991-06-06 1995-04-30 Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья Шихта для получения ювелирных кристаллов
RU2046159C1 (ru) * 1991-12-27 1995-10-20 Юрий Карлович Лингарт Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления
RU94008773A (ru) * 1994-03-14 1996-04-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" Бесцветный синтетический монокристалл
RU94008750A (ru) * 1994-03-14 1996-04-27 Товарищество с ограниченной ответственностью "Рандошкин лимитед" Окрашенный монокристалл

Also Published As

Publication number Publication date
EA199600075A3 (ru) 1997-09-30
EA199600075A2 (ru) 1997-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108425029A (zh) 一种不含银耐脆断18k玫瑰金及其加工工艺
US3984524A (en) Single crystals based on stabilized zirconium dioxide or hafniun dioxide
US4820487A (en) Gold alloy
EA000027B1 (ru) Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения
US4093502A (en) Process for synthesizing and growing single crystalline beryl
US4634492A (en) Chrysoberyl single crystal and method of producing the same
RU2065414C1 (ru) Способ получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов
CN108677044A (zh) 一种高强度银饰品的加工方法
US4525460A (en) Single-crystal material based on aluminium garnets
JPS5551797A (en) Production of vanadium diboride and tantalum diboride single crystal from aluminum bath
RU2075559C1 (ru) Способ получения окрашенных кристаллов берилла
JPH0254318B2 (ru)
JPS60155597A (ja) クリソベリル単結晶の製造方法
US3567642A (en) Hydrothermal process for growing crystals having the structure of beryl in an alkaline halide medium
JPS61266397A (ja) 宝飾用合成フオルステライト単結晶
SU415324A1 (ru)
JPS5823360B2 (ja) アンテイカザイニヨリアンテイカサレタニサンカジルコニウム マタハ ニサンカハフニウムオシユセイブントスルタンケツシヨウ
RU2132416C1 (ru) Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты)
JPS58120597A (ja) 光彩効果を示すクリソベリル単結晶及びその製造方法
US4024013A (en) Method of producing citrine crystals
SU509559A1 (ru) Способ изготовлени корундовыхизделий
McCluhan et al. Alloy and Process for Producing Ductile and Compacted Graphite Cast Irons
CN108715946A (zh) 一种不含银耐脆断14k玫瑰金及其加工工艺
JPH0429618B2 (ru)
JPS60155593A (ja) クリソベリル単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KG MD TJ TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): KZ RU