DE3313695C2 - - Google Patents

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DE3313695C2
DE3313695C2 DE3313695A DE3313695A DE3313695C2 DE 3313695 C2 DE3313695 C2 DE 3313695C2 DE 3313695 A DE3313695 A DE 3313695A DE 3313695 A DE3313695 A DE 3313695A DE 3313695 C2 DE3313695 C2 DE 3313695C2
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DE
Germany
Prior art keywords
induction coil
coil
si3n4
screws
adjusting devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3313695A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3313695A1 (de
Inventor
Yoshizo Gotenba Shizuoka Jp Komiyama
Yosihiko Numazu Shizuoka Jp Miyazaki
Taketoshi Gotemba Shizuoka Jp Ishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Publication of DE3313695A1 publication Critical patent/DE3313695A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3313695C2 publication Critical patent/DE3313695C2/de
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • H10P14/20—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
DE19833313695 1982-04-16 1983-04-15 Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten Granted DE3313695A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1982055268U JPS58158438U (ja) 1982-04-16 1982-04-16 エピタキシヤル成長装置のコイル保持装置

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Publication Number Publication Date
DE3313695A1 DE3313695A1 (de) 1983-10-27
DE3313695C2 true DE3313695C2 (enExample) 1987-10-22

Family

ID=12993852

Family Applications (1)

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DE19833313695 Granted DE3313695A1 (de) 1982-04-16 1983-04-15 Geraet zum epitaxialen aufwachsen von schichten auf halbleitersubstraten

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JP (1) JPS58158438U (enExample)
KR (1) KR840004824A (enExample)
DE (1) DE3313695A1 (enExample)
GB (1) GB2120279B (enExample)

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Publication number Publication date
KR840004824A (ko) 1984-10-24
DE3313695A1 (de) 1983-10-27
GB2120279A (en) 1983-11-30
JPH0356042Y2 (enExample) 1991-12-16
JPS58158438U (ja) 1983-10-22
GB2120279B (en) 1986-09-10

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