DE3313335A1 - Daten-mehrfachleitungs-vorladeschaltung - Google Patents
Daten-mehrfachleitungs-vorladeschaltungInfo
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Description
_-2 .- ··' · · 33Ί3335
OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD., Tokyo, Japan
' Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorladeschaltung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1..
•Monolithische integrierte Schaltungsbauteile, z.B. Pestwertspeicher (ROMs), Direktzugriffspeicher (RAMs)
und Zentraleinheiten (CPUs) enthalten Daten-Mehrfachleitungen zum wahlweisen Abgeben und Aufnehmen von
Datensignalen. Im allgemeinen wird jede Bit-Leitung der gemeinsamen Daten-Mehrfachleitung in derartigen
Bauteilen zu Anfang auf eine logische "1" (Betriebsspannung VDD) eingestellt, bevor Datensignale aus ei*-
ner internen Speicherschaltung in eine andere interne Speicherschaltung übertragen werden. Aufgrund der
Schaltkapazität jeder Bit-Leitung der Daten-Mehrfachleitung
dauert die Ausbildung von Datensignalen auf der Daten-Mehrfachleitung, nachdem jede Bit-Leitung
der Daten-Mehrfachleitung auf eine logische "1".oder Betriebsspannung VDD voreingestellt worden ist, eine
verhältnismäßig lange Zeit, beispielsweise etwa"150
bis 300 Nanosekunden. Um diese Schwierigkeit zu vermeiden, wird üblicherweise eine Daten-Mehrfachleitungs-Vorladeschaltung
für die Daten-Mehrfachleitung verwendet, um den Anfangszustand der Daten-Mehrfachleitung
mit hoher Geschwindigkeit einzustellen.
Die Daten-Mehrfachleitungs-Vorladeschaltung enthält
eine Ladeschaltung zum Verringern der für die Ausbildung des Anfangszustands der Daten-Mehrfachleitung erforderlichen
Zeit, indem zwangsweise eine logische "1" auf jeder Bit-Leitung der Daten-Mehrfachleitung ausgebildet
wird, bevor das Datensignal auf die Daten-Mehrfachleitung gegeben wird.
Im allgemeinen umfaßt ein Zustandszyklus zur Übertragung von Daten aus einer Speicherschaltung), ZoBo einem
Register, in einen anderen Speicher, z„Bo ein Registers,
die folgenden drei Schrittes
Im ersten Schritt wird in die Vorladeschaltung ein
Vorladesteuersignal eingegeben und die Daten-Mehrfachleitung durch deren Ausgangssignal auf eine Betriebsspannung
(eine logische "1") aufgeladen»
Im zweiten Schritt werden ein Lesesignal in ein 10- . wähltes internes Register eingegeben und Datensignale
. aus dem Register zur Daten-Mehrfachleitung ausgegeben,.
.Im dritten Schritt werden ein Schreibsignal in ein deres ausgewähltes internes Register eingegeben und
auf der Mehrfachleitung anstehende Datensignale darin 15- gespeichert.
Eine bekannue Vorladeschaltung benötigt jedoch drei
•;Signalgeber zur Erzeugung jeweils eines Vorladesteuersignals,
eines Lesesignals und eines Schreib signals,, Ferner hat die bekannte Vorladeschaltung den Nachteils,
20, daß ein Zustandszyklus ein Taktsignal aus drei bis fünf Zyklen benötigt, was eine lange Betriebszeit zur
Verarbeitung der Daten in dein einen Zustand bedeutete
Ein weiterer Nachteil der bekannten Schaltung "besteht
darin, daß sie die Mehrfachleitung in einem, festen Zyklus in einen Setzzustand bzw. den Zustand logisch
"1" einstellt, so daß die Zeit zum Einstellen der Daten auf der Daten-Mehrfachleitung verhältnismäßig lang
ist. So ist es bei einer bekannten Schaltungj, die in
• einer monolithischen Zentraleinheit GPU verwendet schwierig, die Dauer eines Zustandezyklus unter 100
NanoSekunden zu verringern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorladeschaltung der gattungsgeraäßen Art anzugeben,mittels
der es möglich ist, ein Bauteil, das" Daten-Mehrfachleitungen aufweist, insbesondere ein Bauteil in
Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit hoher Geschwindigkeit zu betreiben.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet.
Die erfindungsgemäße Vorladeschaltung benötigt nur
einen Zyklus eines Taktsignals in dem einen Zustand, so daß ihre Vorladezeit und ihr Betriebsenergieverbrauch
geringer ist. Da ferner nur ein Taktsignal als Vorladetaktsignal, Datenfreigabesignal und Schreibtaktsignal
verwendet werden kann, kann die Zeitgeberschaltung der Vorladeschaltung vereinfacht werden.
Da die Schreib- und Leseoperation unmittelbar' nach ' dem Laden der Daten-Mehrfachleitung beginnt, kann diese
Vorladeschaltung mit hoher Geschwindigkeit arbeiten.
Die Erfindung und ihre Weiterbildungen.werden .nachstehend
anhand der Zeichnung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild des Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Daten-Mehrfachieitungs-Vorladeschaltung
und
Fig. 2 ein Taktdiagramm, das den Signalverlauf an verschiedenen Stellen oder Verbindungspunkten in der Schaltung
nach Fig. 1 veranschaulicht.
Die Daten-Mehrfachleitungs-Vorladeschaltung 1 nach den
Fig. 1 und 2 enthält eine Ladeschaltung 2, eine Vorladungsfühlschaltung
3 und eine Steuersignalerzeugungs-
— 5 —
schaltung 4. Die Ladeschaltung 2 enthält mehrere Feldeffekttransistoren 5 vom P-Typ, deren Drain-Elektroden
alle mit einer gemeinsamen, eine Betriebsspannung VDD erzeugenden Betriebsspannungsquelle„
deren Source-Elektroden mit einer Daten-Mehrfachleitung 6 und deren Gate-Elektroden gemeinsam mit einer
Leitung 7 verbunden sind. Die Vorladungsfühlschaltung 3 enthält eine UND-Schaltung 8 und eine Schmitt-Pufferschaltung
9. Die Eingänge der UND~Schaltung 8 sind mit der Daten-Mehrfachleitung 6 verbunden, während ihr Ausgang
mit dem Eingang der Schmitt-Pufferschaltung 9 verbunden ist. Die Steuersignalerzeugungsschaltung 4 ent-.
hält vorzugsweise ein Daten-Flipflop. Der Datenanschluß D des Flipflop ist mit der Betriebsspannungsquelle Vjjjj»
.15 sein Q-Anschluß mit den Gate-Elektroden der MQS-FeIdeffekttra'nsistoren
5 und sein Rücksetzanschluß R mit dem Ausgang der· Pufferschaltung 9 verbunden.
Ein Taktgenerator 10 erzeugt ein Vorladungstakt- und
Schreibsignal B in Abhängigkeit von einem Taktsignal
£0 A, wobei der Ausgangsanschluß des Taktgenerators 10
mit einer Leitung 11 und einem Setz-(Takt-)-Anschluß ' des Flipflop verbunden ist. Die Eingänge eines Registers
12, das als Speichereinrichtung dient, sind jeweils mit einer der Bit-Leitungen der Daten~Mehrfachleitung
6 und sein Ausgang mit einer Gatter-Schaltung 13 verbunden. Die Gatter-Schaltung 13 wird durch
mehrere 3-Zustands-Schaltungen 14 gebildet, deren Ausgänge mit der Daten-Mehrfachleitung 6 verbunden sind*
Der Ausgang einer zwei Eingänge aufweisenden UWD«Schal~
tung 15. ist mit dem Schreibanschluß W des Registers 12 verbunden. Die beiden Eingänge der UND-Schaltung 15 sind
mit dem Ausgang des Taktgenerators 10 einerseits und ei«
ner Schreibsteuersignalleitung 16 andererseits verbunden. Der Ausgang einer zwei Eingänge aufweisenden UMD-Schal=
tung 17 ist mit der Gatter-Schaltung 13 verbunden, um
dieser ein Gatter-Auftast- bzw. Freigabesignai zuzuführen.
Die Eingänge der UND-Schaltung 17.sind mit einer Lesesteuersignalleitung 18 einerseits und dem . ·
Gate der MOS-Feldeffekttransistören 5 andererseits
verbunden. Die Eingänge· eines Registers 19, das als
Speichereinrichtung dient, sind jeweils mit einer der Bit-Leitungen der Daten-Mehrfachleitung .6 und die Ausgänge
des Registers 19 mit einer Ausgabe-Gatter-Schaltung 20 verbunden. Die Gatter-Schaltung 20 enthält mehrere
3-Zustands-Schaltungen 21, deren Ausgänge jeweils mit einer der Bit-Leitungen der Daten-Mehrfachleitung
6 verbunden sind. Ferner ist der Ausgang einer zwei Ein-• gange aufweisenden UND-Schaltung 22 mit dem Schreiban-.
Schluß W des Registers 19 verbunden. Der eine Eingang
der UND-Schaltung 22 ist mit dem'Ausgang des Taktgenerators 10 und der andere mit einer Schreibs.teuersignälleitung
23 verbunden. Der Ausgang einer zwei Eingänge aufweisenden UND-Schaltung 24 ist mit .der Gatter-Schaltung
20, der eine Eingang der UND-Schaltung 24 mit einer DatenfreigabeSignalleitung 25 und der andere Eingang
mit den Gates der MOS-Feldeffekttransistören 5
verbunden. '
Während des Betriebs sei angenommen, daß alle Bit-Leitungen 0 bis 7 der gemeinsamen Daten-Mehrfachleitung 6.
im Zustand S das Binärzeichen 01011010 darsteilen, die
Schreibsteuersignalleitung 16 und die Lesesteuersignalleitung
25 im logischen Zustand "0" und die Lesesteuersignalleitung 18 sowie die Schreibsteuersignalleitung
23 im logischen Zustand "1" sind. Wenn.im ersten .Zustand S das Ausgangssignal B' des Taktgenerators 10
von logisch "1" auf logisch "0" wechselt; wird das
Flipflop 4 gesetzt, so daß das Vorladesteuersignal C
am Ausgang Q von logisch "1" auf logisch "0" wechselt (siehe (B) und (C) bei II in Fig. 2). Die MOS-FeId-.
effekttransistören 5 der Ladeschaltung 2 sind daher
' leitend, so daß alle Bit-Leitungen der Daten-Mehrfachleitung
6 im Takt bzw. in der Zeit T1 auf die Betriebsspannung Vj>q oder auf logisch "1" aufgeladen werden
(siehe (M), (N), (0), (Q), (R), (S)5 (T) in Fig., 2).
Wenn dann alle Bit-Leitungen der Daten-Mehrfachleitung
6 als nächstes auf logisch "1st eingestellt sind,
. überträgt die Vorladungsfühlschaltung 3 ein Rücksetzsignal D oder ein "1"-Signal während der Zeitspanne
Tp an den Rücksetzanschluß R (siehe (D) bei (III) in
Fig. 2). Durch dieses Rücksetzsignal D wird das Flipflop 4 von logisch "0" auf logisch "1" zurückgesetzt,
wie es bei (IV) in Fig. 2 dargestellt ist. Die MOS-Feldeffekttransistören
5 der Ladeschaltung 2 werden daher ausgeschaltet bzw. gesperrt, so daß die Verbindung
zwischen der Ladeschaltung 2 und der Daten-Mehrfachleitung 6 unterbrochen ist.
Wenn dann als nächstes ein Lesesteuersignal E und ein
Schreibsteuersignal K zu logisch "0" und sowohl das Schreibsteuersignal G als auch das Schreibsteuersig-r
nal I zu logisch "1" werden, gibt die UND-Schaltung . 24 ein Datenfreigabesignal von logisch "1" ab, so daß
die Gatter-Schaltung 20 öffnet und das im Register 19 gespeicherte Speicherzeichen 01011010 zur Datenmehr«=
fachleitung 6 überträgt (siehe (V), (J), (M), (N), (O)9
(P), (Q), (R), (S) und (T) in Fig.2). Das Rücksetzsignal D der Vorladungsfühlschaltung 3 wechselt daher von
"1" auf. "0", wie es in Fig» 2(D) dargestellt ist» Wenn dann als nächstes das Schreibtaktsignal B von "0" auf
"1" viechselt, wie es in Fig. 2(B) dargestellt ist, wird
der Inhalt der Daten-Mehrfachleitung 6 in Abhängigkeit vom Schreibsignal, wie es in Fig» 2(H) dargestellt ist?
im Register 12 abgespeichert, womit ein Zyklus des Schaltungsbetriebs beendet ist.
Wenn dann als nächstes das Ausgangssignal B des Taktgenerators
10 von "1" auf "O" wechselt, gibt das Flipflop 4 das Vorladesteuersignal C von logisch "0" ab ·
(vgl. (VII) in Fig. 2). Die MOS-Feldeffekttransistoren'
5 der Ladeschaltung 2 v/erden daher leitend, so daß die Daten-Mehrfachleitung 6 auf die Betriebsspannung V
bzw. logisch "1" aufgeladen bzw. eingestellt wird.
Auf. die gleiche V/eise, wie oben beschrieben, kann das Datensignal aus der Daten-Mehrfachleitung 6 ausgelesen
.10 bzw. in diese übertragen werden.
Die erfindungsgemäße Daten-Mehrfachleitungs-Vorladeschaltuhg
macht es daher möglich, eine integrierte MOS-Schaltung, z.B. eine Zentraleinheit CPU, mit einer Geschwindigkeit
von weniger als. 50 NanoSekunden während
eines Zyklus zu betreiben. Die Erfindung ist auch bei · allen anderen Schaltungen, die Daten-Mehrfächleitungen'
aufweisen, insbesondere bei Zentraleinheiten,. RAMs und ROMs in Form integrierter monolithischer Schaltungen
anwendbar.
Claims (1)
10415
OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD., Tokyo, Japan Patentansprüche
/ 1 .J Daten-Mehrfachleitungs-Vorladeschaltung mit einer
Ladeschaltung zum Laden einer gemeinsamen Daten-Mehrfachleitung
in Abhängigkeit von einem Vorladungssteuersignal, wobei die Daten-Mehrfachleitung mehrere
Bit-Leitungen auf v/eist,
ge.kennzeichnet durch' eine Vorladungsfühlschaltung (jj) zum Erzeugen eines
Rücksetzsignals (D), das der Ladeschaltung (2) zugeführt wird, wenn alle Bit-Leitungen (1 bis 7) der
Daten-Mehrfachleitung (6) geladen sind, und eine Steuersignalerzeugungsschaltung
(4) zum Abbrechen des Vorladevorgangs der Daten-Mehrfachleitung (6), wenn in die
Steuersignalerzeugungsschaltung (4) ein Vorladetaktsignal (B) eingegeben wird, und zum Erzeugen des der
Ladeschaltung (2) zugeführten VorladeSteuersignals,
wenn das Rücksetzsignal (D) in die· Steuerschaltung (4) .eingegeben wird.
• 2. Vorladeschaltung nach Anspruch 1, d a du rch gekennzeichnet,
' daß die Ladeschaltung (2) mehrere MOS-Feldeffekttran-.
sistoren (5) aufweist, daß die Vorladungsfühlschaltung
(3) eine UND-Schaltung und eine Schmitt-Pufferschaltung
aufweist und daß die Steuersignalerzeugungsschaltung
(4) ein Daten-Flipflop aufweist.
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ID=13345327
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DE19833313335 Granted DE3313335A1 (de) | 1982-04-23 | 1983-04-13 | Daten-mehrfachleitungs-vorladeschaltung |
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D2 | Grant after examination | ||
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