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Bildpositionsdetektor
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Die Erfindung betrifft einen Bildpositionsdetektor, insbesonde ihre
eine VorrIchtung, die ein LicIitaufnahmeelcment und eine Signalprozessorschaltung
zur Ermittlung der Position des auf dem Lichtaufnahmeelement erzeugten Bildes aufweist.
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Es gibt bereits verschiedene Bildpositionsdetektoreinrichtungen, von
denen eine in der DE-OS 1 956 014 beschrieben ist. Das Lichtaufnahmeelement wird
dabei durch eine Anordnung von zahlreichen Lichtaufnahmeeinheiten wie Photodioden
gebildet, und eine Schaltung empfängt von jeder Lichtaufnahmeeinheit das Ausgangssignal
und stellt fest, welche der Lichtaufnahmeeinheiten das Bild empfängt. Da jede Lichtaufnahmeeinheit
eine bestimmte Größe haben muß und da eine Anzahl von Lichtaufnahmeeinheiten vorgesehen
ist, um einen bestimmten Grad der Genauigkeit zu erzielen, hat das Lichtaufnahmeelement
ziemlich große Abmessungen.
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Eine verbesserte Bildpositionsdetektorvorrichtung ähnlich der vorstehend
beschriebenen ist in der DE-OS 29 09 090 erläutert. Die für die Erfassung der Bildposition
dabei verwendete Schaltung erlaubt das Erfassen eines Bildes, das auf einer einzigen
Einheit der Anordnung von lichtaufnehmenden Einheiten gebildet ist oder auf zwei
oder mehr Einheiten in übergreifender oder überbrückender Weise, so daß die Genauigkeit
der Feststellung erhöht ist. Die Schaltung ist jedoch komplizierter und braucht
mehr Bauteile.
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Ein weiterer Typ von Bildpositionsdetektor ist in der japanischen
Patentveröffentlichung 50-29 330 beschrieben.
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Danach wird das Lichtaufnahmeelement von einer rechteckigen Photoleiterplatte,
z. B. aus CdSe gebildet, an deren einer langer Seite ein Elektrodengurt und an deren
gegenüberliegender langer Seite ein Widerstandsgurt angeordnet sind, Jeder Gurt
besitzt an seinem Ende für einen äußeren Anschluß ei ne Klemme. Ei ne oy,tinche
Anordnun befindet sich vor dem lichtaufnehmenden Element, die ein Linienbild hervorruft,
das das Element derart überkreuzt, daß das Linienbild sich vom Elektrodengurt senkrecht
über die Photoleiterplatte zum Widerstandsgurt hin erstreckt. Wenn das Linienbild
ausreichend hell ist, ändert ein Querschnittsbereich der Photoleiterplatte, der
von dem Linienbild getroffen wird, seinen Widerstand auf nahezu Null, und wenn die
übrigen Bereiche der Photoleiterplatte ausreichend dunkel sind, ist ein Strompfad
über das Linienbild zwischen dem Elektrodengurt und dem Widerstandsgurt gebildet,
der somit einen geschlossenen Stromkreis zwischen den Klemmen über einen Teil des
Elektrodengurtes, die Photoleiterplatte entlang dem I,inicnbild und einen Teil des
Widercitantlsgurtes herstellt. Die Länge des im geschlossenen Strompfad enthaltenen
Widerstandsgurtes bestimmt dann die Position des Bildes, so daß diese mit Hilfe
des Widerstaiidswertes festgestellt werden kann.
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Wenngleich der Bildpostionsdetektor nach der japanischen Patentveröffentlichung
50-29 330 einen einfacheren Aufbau als die-erstgenannten Vorrichtungen hat, sind
damit doch folgende Nachteile verbunden: (a) Die Photoleiterplatte ist nur schwach
empfindlich und hat eine ziemlich langsame Ansprechgeschwindigkeit. Sie kann also
nur ein helles Objekt, das sich relativ lancJsam bewegt, erfassen. Wenn die Bildpositionsdetektorvorrich-
tung
eine eigene Lichtquelle besitzt, die Lichtstrahlen auf das Objekt aussendet und
das reflektierte Licht empfängt, muß die Lichtquelle einen sehr hellen Lichtstrahl
hervorbringen, der wiederum ein helles Bild auf dem Lichtaufnahmeelement erzeugt.
Derart starke Lichtquellen verursachen jedoch klobige Abmessungen der Vorrichtung;
(b) Da das Bild in Gestalt einer Linie auftritt und da es den Elektrodengurt und
den Widerstandsgurt kreuzen muß, ist es nötig, den geometrischen Ort des Linienbildes
in seiner I.ängsrichtung auszurichten. Mit anderen Worten, wenn iis Linienbild einen
der Gurte nicht kreuzt, gibt die Bildpositionsdetektorvorrichtung keine korrekte
Positionsangabe für das Bild auf dem Lichtaufnahmeelement an.
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Ziel der Erfindung ist es, die oben beschriebenen Nachteile im wesentlichen
zu beseitigen, so daß mit der Erfindung eine verbesserte Bildpositionsdetektorvorrichtung
geschaffen wird, die ein verbessertes Lichtaufnahmeelement besitzt und eine verbesserte
elektrische Schaltung, die mit diesem Lichtaufnahmeelement verbunden ist, um die
Position des auf der Einheit hervorgerufenen Bildes festzustellen.
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Ferner ist es für die Erfindung wesentlich, eine Bildpositionsdetektorvorrichtung
der oben beschriebenen Art zu schaffen, mit der der Einfluß von Rausch- oder Streusignalen,
die durch Umfeldlicht erzeugt werden, unterdrückt werden kann.
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Die erfindungsgemäße Bildpositionsdetektorvorrichtung soll überdies
kompakt und zu geringen Kosten leicht herstellbar sein.
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Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit einer Bildpositionsdetektorvorrichtung,
welche Lichtaufnahmemittel zum Aufnehmen eines Bildes aufweist, die dann ein durch
das Bild hervorgerufenes elektrisches Signal erzeugen, sowie eine Signalverarbeitungsschaltung
für die Verarbeitung des elektrischen Signals uncl zum Frz(ucleTl e tnes Positionssignals,
das die Position des Bildes auf den LlchtavlEnalllulernitteln erkennen läßt. Gekennzeichnet
ist die Erfindung dadurch, daß die Lichtaufnahmemittel eine Halbleitervorrichtung
aufweisen mit einem Substrat aus n- oder p-Halbleitermaterial, auf dem wenigstens
ein Bereich der entgegengesetzten Leitfähigkeitstype ausgebildet ist. Dieser Bereich
der entgegenyesetzten Leitfähigkeitstype erzeugt,wenn das Bild auf das Substrat
fällt, einen Photostrom als elektrisches Signal, das der Signalverarbeitungsschaltung
zugeführt wird.
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Anhand verschiedener Ausführungsformen, die in der Zeichnung näher
dargestellt sind, wird die Erfindung nachfolgend im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a eine schematische Ansicht eines Lichtaufnahmeelementes gemäß der Erfindung,
in der die Grundstruktur dargestellt ist; Fig. ib einen Schnitt nach der Linie Ib
- Ib in Fig. 1a; Fig. 1c ein Ersatzschaltbild des Lichtaufnahmeelementes der Fig.
1a mit einer zugehörigen Schaltung zum Messen des vom Lichtaufnahmeelement erzeugten
Stroms;
Fig. 1d ein Diagramm über die Beziehung zwischen der Position
des auf dem Lichtaufnahmeelement erzeugten Bildes und dem von ihm hervorgebrachten
Strom; Fig. 2a das Schemabild eines anderen Grundaufbaus des Lichtaufnahmeelementes
nach der Erfindung in Draufsicht; Fig. 2b eine Schnittdarstellung nach der Linie
1Ib - lib in Fig. 2a; Fig. 2c ein Schaltbild mit einer Ersatzschaltung des Lichtaufnahmeelementes
der Fig. 2a und einer zugehörigen Schaltung zum Messen der von dem Lichtaufnahmeelement
erzeugten Ströme; Fig. 2d ein Diagramm der Beziehungen zwischen der Position eines
auf dem Lichtaufnahmeelement der Fig. 2a hervorgerufenen Bildes und den davon erzeugten
Strömen; Fig. 3a eine Draufsicht eines wiederum anderen Lichtaufnahmeelementes gemäß
der Erfindung; Fig. 3b einen Schnitt nach der Linie Ilib -IIIb in Fig. 3a; Fig.
3c ein Diagramm der Beziehung zwischen der Position des auf dem Lichtaufnahmeelement
der Fig. 3a hervorgerufenen
Bildes und den davon erzeugten Strömen;
Fig. 4 das Scllaltbild eines Bildpositionsdetektors nach einem ersten Ausftihrungsbeispiel
der Erfindung; Fig. 5 das Schaltbild eines Bildpositionsdetektors nach einem zweiten
Ausführungsbeispiel der Erfindung; Fig. 6 einen Plan der Ausgangssignale, die von
den Komparatoren in der Schaltung der Fig. 5 abgegeben werden; Fig. 7 eine schematische
Draufsicht einer ersten Abwandlungsform eines Licht aufnahmeelementes gemäß der
Erfindung; Fig. 8 ein Diagramm der Beziehung zwischen Strom und Position des Bildes
auf dem Lichtaufnahmeelement der Fig. 7; Fig. 9 eine Ansicht wie Fig. 7, in der
jedoch speziell eine Variation des Elementes hervorgehoben ist; Fig. 10 eine zweite
Abwandlungsform des Lichtaufnahmeelementes nach der Erfindung in diagrammar tiger
Ansicht; Fig. 11 ein Diagramm der Beziehung zwischen Strom und Position des Bildes
auf dem Lichtaufnahmeelement der Fig.
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10; und
Fig. 12 bis 17 schematisierte Ansichten
von weiteren Modifikationen des Lichtaufnahmeelementes gemäß der Erfindung.
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Die Figuren 1a und 1b zeigen den Grundaufbau eines Lichtaufnahmeelementes
2, das in einer erfindungsgemäßen Bildpositionsdetektorvorrichtung verwendet wird;
das Element besteht aus einer n-Halbleiterplatte 4, in der ein p-Halbleiterbereich
6, z. B. durch Störstellendiffusion, ausgebildet I,';t. Wcnn auf dem 13i Ltiauf
nnllmcclcmcn t 2 an einer vom p-Bereich 6 um die Strecke D entfernten Stelle ein
Linienbild mit einer Breite von 15,7 ß erzeugt wird, wirkt das Lichtaufnahmeelement
2 als Photodiode und erzeugt einen Photostrom I, der zwischen der Halbleiterplatte
4 und dem Bereich 6 fließt.
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Ein Ersatzschaltbild des Lichtaufnahmeelementes 2 ist in der Fig.
1c zusammen mit einer Strommeßschaltung dargestellt, die die Größe des erzeugten
Photostroms I mißt. Die Strommeßschaltung wird durch eine Spannungsquellc Vcc, einen
Transistor Tr und ein Strommeßgerät A gebildet. Aus der Schaltung der Fig. 1c ist
erkennbar, daß an der Photodiode (Lichtaufnahmeelement) 2 eine negative Vor spannung
Vcc-Vbc anliegt, wobei Vbe die Spannung zwischen Basis und Emitter des Transistors
Tr ist. Aus Versuchen wurde eine Kurve gemäß Fig. 1d gewonnen. An der Abszisse der
Fig. 1d ist der Abstand D in ß und auf der Ordinate der normierte Strom in einer
logarithmisch komprimierten Skala aufgetragen. Das Diagramm zeigt, daß der Strom
1 mit größer werdendem Ahstand D stark abnimmt.
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Aus den Versuchen sind folgende Tatsachen abzuleiten: (i) Ist die
Intensität des einfallenden Lichtes konstant, dann ist der erzeugte Photostrom vom
Abstand D abhängig;
(ii) Ist der Abstand D fest, dann verhält sich
der erzeugte Photostrom I proportional zur Lichtintensität.
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Durch Ausnutzung der Tatsache (i) ist es möglich, durch Messen des
erzeugten Stroms I den Abstand D zu bestimmen, sofern das auftreffende Licht konstant
ist. Unter Ausnutzung der Tatsachen (i) und (ii) ist es möglich, durch die Messung
des erzeugten Stroms I den Abstand D zu bekommen und den gemessenen Strom durch
eine Messung der Lichtintensität zu korrigieren.
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Zur Durchführung obiger Gedanken, insbesondere des letzteren, ist
ein verbessertes Lichtaufnahmeelement 10 entwickelt worden, das nachfolgend in Verbindung
mit den Figuren 2a bis 2d beschrieben wird.
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Das verbesserte Lichtaufnahmeelement 10 hat einen ähnlichen Aufbau
wie das oben beschriebene Lichtaufnahmeelement 2, besitzt jedoch zwei p-Bereiche
14 und 16 in der n-Halbleiterplatte 12. Die p-Bereiche 14 und 16 haben voneinander
einen bestimmten Abstand, beispielsweise 835 . cnn das Linienbild 8 mit einer Breite
von 15,7 ß zwischen den p-Bereichen 14 und 16 auftrifft, dann wirken diese Bereiche
14 und 16 zusammen mit der n-Halbleiterplatte 12 als zwei unabhängige Photodioden,
so daß ein Strom zwischen der Halbleiterplatte 12 und dem Bereich 14 und ebenfalls
ein Strom zwischen der Halbleiterplatte 12 und dem Bereich'16 fließ.
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Damit ist ein Strom 11, der durch den Bereich 14 fließt, abhängig
vom Abstand D1 zwischen dem Linienbild 8 und dem Bereich 14, und ein Strom I2 ,
der durch den Bereich 16 fließt, abhängig vom Abstand D2 zwischen dem Linienbild
8 und dem Bereich 16.
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Ein Schaltbild mit dem Lichtaufnahmeelement 10 und einer Strommeßschaltung
für das Messen der Ströme 11 und I2, die
durch die Bereiche 14
und 16 fließen, zeigt die Fig. 2c.
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Die Strommeßschaltung enthält zwei Transistoren Tr1 und Tr2, zwei
Strommesser A1 und A2 und eine Spannungsquelle Vcc. In der Fig. 2c sind Spannungen
Vbe1 und Vbe2 als die Spannungen zwischen Basis und Emitter der Transistoren Trl
bzw.
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Tr2 bezeichnet. Die Beziehung zwischen Strom I1 und Abstand D1 sowie
zwischen Strom I2 und Abstand D2 ist jeweils in der Fig. 2d aufgezeichnet, in der
an der Abszisse die Abstände D1 bzw. D2 und an der Ordinate die normierten Ströme
I1 und I2 in logarithmischem Maßstab aufgetragen sind.
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In der Fig. 2d zeigt die Kurve den Strom I1, der durch den Bereich
14' fließt, welche der Kurve in der Fig. ld ähnlich ist, sowie eine weitere Kurve
16' des Stroms durch den Bereich 16. Da die Bereiche 14 und 16 symmetrisch zur Mitte
des Lichtaufnahmeelementes 10 angeordnet sind, sind auch die Kurven 14' und 16'
bezüglich der Mittellinie symmetrisch.
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Die beiden Ströme 11 und I2 können zwar aufgrund der Helligkeit des
Linienbildes 8 und auch aufgrund von Änderungen des Umfeidlichtes variierten, doch
treten solche änderungen ja mit demselben Maß für beide Ströme I1 und I2 auf, so
daß es möglich ist, durch Bildung des Verhältnisses zwischen den Strömen I1 und
I2 , also eines Parameters I1/I2, eine Beziehung zu den Abständen D1 oder D2 unabhängig
von der Helligkeit des Linienbildes 8 oder der Umfeldhelligkeit herzustellen. Mit
anderen Worten, mit Hilfe.eines derartigen Verhältniswertes können die oben beschriebenen
Anderungen in ihrer Wirkung ausgeschaltet werden, so daß die Abstände D1 oder D2
durch Verwendung nur des Parameters I1/I2 gewonnen werden können.
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Als nächstes werden bevorzugtc Ausführungsbeispiele der Ab-5 tandsmeßvorr
ich tung gemäß der Erfindung beschrieben.
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Zunächst werden die Figuren 3a und 3b betrachtet, die ein erfindungsgemäßes
Lichtaufnahmeelement 20 zeigen. Das Lichtaufnahmeelement 20 enthält eine n-Halbleiterplatte
22 von Rechteckgestalt. Auf der oberseitigen Fläche der n-Halbleiterplatte 22 sind
zwei längliche Bereiche 24 und 26 vom p-Halbleitertyp beispielsweise durch Diffusion
einer Störstellensubstanz wie Bor, Gallium oder Indium ausgebildet. Die zwei länglichen
Bereiche 24 und 26 haben einen bestimmten Absiand voneinan(1cr und vcr]aufen qenau
zucjnander parallel. Uber die Oberseite der n-Halbleiterplatte 22 ist eine transparente
dünne Schicht 28 (etwa 1 A stark) aus Siliziumoxid (SiO2) ausgebreitet, die elektrisch
nicht leitend ist. Die Schicht 28 hat enge Schlitze 28a, 28b und 28c über den Bereichen
24 und 26 sowie an einer Stelle, die sich nicht zwischen den Bereichen 24 und 26
befindet, etwa eine Zone benachbart im Bereich 26 und vom Bereich 24 entfernt, wie
dies in der Fig. 3b dargestellt ist. Elektroden 30a, 30b und 30c sind auf der Siliziumoxidschicht
28 über den Schlitzen 28a, 28b und 28 c angebracht, so daß sie mit den p-Bereichen
24 und 26 und der n-Platte 22 verbunden sind.
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Es sei bemerkt, daß die Elektroden 30a und 30b ausreichend lang sind,
so daß sie die Bereiche 24 und 26 vollständig bedecken und dadurch verhindern, daß
die p-Bereiche 24 und 26 direkt durch die Lichtstrahlen getroffen werden, so daß
keinerlei unerwünschte Ströme durch die Lichtstrahlen, die direkt auf die Bereiche
24 und 26 fallen könnten, erzeugt werden. Die Elektroden 30a, 30b und 30c sind über
entsprechende Zuführleitungen wie den Verbindungsdrähten 26a, 26b und 26c mit Anschlußklemmen
32a, 32 und 32c auf einem Keramiksubstrat 34 verbunden. Das Keramiksubstrat 34 wird
durch eine Grundplatte gebildet, die eine Aussparung oder Vertiefung 36a für die
Aufnahme des lichtaufnehmenden Elementes 20 hat, und einer Dccklttc 38. Die Anschlüsse
32a,
32b und 32c werden zwischen der Grundplatte 36 und der Deckplatte 38 gehalten. Eine
elektrisch leitende Schicht 40 befindet sich zwischen dem Lichtaufnahmeelement 20
und der Grundplatte 36. Es sei hier bemerkt, daß die Anschlüsse 32a, 32b, 32c und
die Schicht 40 aus einem metalllsierten Film bestehen, der z. B. aus Wolfram in
einer Dicke von etwa 10 Z hercjestellt ist.
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Wenn ein Bild 8 von z. B. Kreisform auf dem Lichtaufnahmeelement 24
zwischen den Elektroden 30a und 30b auftrifft, wird zwischen dem p-Bereich 24 und
dem n-Bereich 22 ein Photostrom IL1 hervorgerufen, und folglich fließt der so erzeugte
Strom ILl zwischen den Elektroden 24e und 24g.
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Zugleich wird ein Photostrom IL2 zwischen dem p-Bereich 26 und dem
n-Bereich 22 erzeugt, und es fließt ein Strom zwischen den Elektroden 24f und 24g.
Wie aus der vorangehenden Beschreibung verständlich, steht der Strom IL1 in Beziehung
zum Abstand D1 zwischen dem Bereich 24 und dem Fleck, an dem das Bild 8 gebildet
ist, und der Strom IL2 in 12cziehung zum Abstand D2 zwischen dem Bereich 26 und
dem leck, an dem das Bild 8 gebildet ist. Die Beziehung zwischen dem Strom ILl und
dem Abstand D1 sowie zwischen dem Strom IL2 und dem Abstand D2 ist in dem Diagramm
der Fig. 3c dargestellt, in dem die Abszisse die Abstände D1 bzw. D2 und die Ordinate
in logarithmischem Maßstab die Ströme logIL1 bzw. logIL2 anzeigt.
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In der Fig. 4 ist eine Ausführungsform einer Bildpositionsdetektorvorrichtung
gezeigt, in der das Lichtaufnahmeelement 20 aus den Figuren 3a bis 3c und eine Signalverarbeitungsschaltung
CKT1 eingesetzt sind. Das Lichtaufnahmeelement 20 wird in Verbindung mit einer Optik
verwendet, die eine mm?l 1 i.n',(? 42 aufweist, voll der ein bild e eines 1 2.iclgegenstandes
auf dem Lichtaufnahmeelement 20 abgebildet wird. Die gezeigte Optik erhält das vom
Gegenstand abge-
gebene Licht. Die Anschlüsse 32a und 32b des Lichtaufnahmeelements
20, die in Fig. 4 schematisiert dargestellt sind, sind mit der Signalverarbeitungsschaltung
CKT1 verbunden, und zwar genauer mit Eingängen von Lichtmeßschaltungen 44 und 46,
um das Rausch- oder Störsignal zu eliminieren, das durch das Umfeldlicht hervorgerufen
wird, und um nur das gewünschte Signal zu verstärken. Der Anschluß 32c ist an Masse
geführt und außerdem mit den Masseanschlüssen der Lichtmeßschaltungen 44 und 46
verbunden. Letztere haben jeweils gleichen Aufbau und sind im einzelnen in der DE-OS
30 30 635 beschrieben.
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Der Ausgang der Lichtmeßschaltung 4 ist einer logarithmierenden Schaltung
48 aus mehreren in Reihe liegenden Dioden zugeführt. Eine an den Dioden 48 auftretende
Spannung steht somit in Beziehung zum logarithmierten Wert des diesen Dioden zugeführten
Stroms. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel erhalten die Dioden 48 den Strom IL1,
so daß an der Anode der Dioden 48 eine Spannung des Wertes logIL1 auftritt.
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Gleiches gilt für den Ausgangswert der Lichtmeßschaltung 46 die mit
einer logarithmierenden Schaltung 50 verbunden ist, welche aus in Reihe liegenden
Dioden besteht, so daß gemäß der Erfindung an der Diode der Dioden 50 eine Spannung
des Wertes logIL2 abgreifbar ist.
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Die Spannungen logIL1 und logIL2 werden einem Differentialverstärker
52 aus Transistoren Tr3, Tr4, Tr5 und Tr6 und einer Konstantstromquelle 54 eingegeben.
Genauer ist die Spannung logIL1 an die Basis des Transistors Tr3 und die Spannung
logIL2 an die Basis des Transistors Tr4 geführt.
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Im Differentialverstärker 52 wird die Spannung logIL2 von der Spannung
logIL1 subtrahiert, und der dieser Differenz (logIL1 - logIL2) entsprechende Wert
tritt am Emitter des
Transistors Tr6 auf. Der Fachmann erkennt,
daß diese Differenz (loglLl - logIL2) gleich ist log(IL1/IL2), was der Logarithmus
des Verhältnisses zwischen den Strömen IL1 und IL2 ist. Die Differenz (logIL1 -
logIL2) wird dann einem Verstärkertransistor Tr7 und weiter einem Widerstand 56
für die Verstärkung der Differenz(logIL1 - logIL2) auf einen gewünschten Pege3wert
Zucfiihrt und auch zum Ändern der Impedanz. An der Ausgangsklemme 58 tritt somit
eine Spannung auf, die dem Wert log(IL1/IL2) entspricht, und dieser Wert zeigt die
Position des Bildes auf dem Lichtaufnahmeelement 20 an.
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Da das Lichtaufnahmeelement 20 aus einem Halbleiter besteht, wird
die oben beschriebene Bildpositionsdetektorvorrichtung (ausschließlich der Linsenanordnung)
vorzugsweise durch einen einzigen Chip von Halbleitersubstrat als IC-Einrichtung
ausgebildet, um sowohl Größe als auch Herstellungskosten der Bildpositionsdetektorvorrichtung
zu verringern.
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Gerade Vorrichtungen mit klcinen Abmessungen eignen sich für den Einsatz
in einer Kamera.
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In der Fig. 5 ist eine Bildpositionsdetektorvorrichtung nach einem
zweiten Ausführungsbeispiel gezeigt. Der Vergleich mit dem ersten Ausführungsbeispiel
zeigt, daß die verwendete Optik des zweiten Ausführungsbeispiels einen Strahlprojektor
aufweist, der von einer Lichtquelle, z. B.
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einer Leuchtdiode 60, und einer Linse 62, die einen punktförmigen
Lichtstrahl auf einen Zielgegenstand lenkt, gebildet wird. Die Linse 62 zusammen
mit der Leuchtdiode 60 befindet sich in bestimmtem Abstand zur Sammellinse 42, wobei
ihre optischen Achsen etwa zueinander parallel liegen.
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Der reflektierte Punktlichtstrahl wird von der Sammellinse 42 zusammengefaßt,
wodurch auf dem Lichtaufnahmeelement 20 cin punktförmiger Liciitfeck gebildet wird.
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Es sei bemerkt, daß das in der Fig. 5 gezeigte zweite Ausfährungsbeispiel
auch die Optik verwenden kann, die im ersten Ausführungsbeispiel cJezciell ist,
oder daß das erste Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 die Optik des zweiten Ausführungsbeispiels
verwenden kann.
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Beim zweiten Ausführungsbeispiel ist das Lichtaufnahmeelement 20 mit
einer Signalverarbeitungsschaltung CKT2 verbunden, zu der die Lichtaufnahmeschaltungen
44 und 46 und die Logarithmierschaltungen 48 und 50 gehören, die so aufgebaut sind,
wie sie bereits in Verbindung mit der Signalverarbeitungsschaltung CKT1 beschrieben
wurden.
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Der Ausgang der Logarithmierschaltung 48, die das Spannungssignal
logIL1 hervorbringt, ist mit dem Direkteingang eines Operationsverstärkers 64 verbunden,
der Ausgang der Logarithmierschaltung 50, die das Spannungssignal logIL2.hererbringt,
mit dem Invertiereingang des Operationsverstärkers 64. Der Operationsverstärker
64 gibt an seine' Ausgangsklemme CO ein H-Signal ab, wenn logIL1 größer als logIL2
ist, dagegen ein L-Signal bei logIL1 kleiner als logIL2.
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Die Spannung loglL1 von der Logarithmierschaltung 48 wird außerdem
dem Direkteingang der beiden Operationsverstärker 66 und 72 und die Spannung logIL2
der Logarithmierschaltung 50 dem Direkteingang der beiden Operationsverstärker 68
und 74 zugeführt.
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Es sei hier bemerkt, daß die Operationsverstärker 66 und 68 zusammen
mit npn-Transistoren T8 und T9 und der Konstantstromquelle 70 einen Maximalspannungsdetektor
MAX bilden, der die ihm zugeführte Maximal spannung feststellt und hervordringt,
und daß die Operationsvcrstcirker 72 und 74 zusammen mit pnp-Transistoren T10 und
T11 und der Konstantstromquelle 76 einen Minimalspannungsdetektor MIN bilden, der
die Minimalspannung feststellt und hervorbringt, die
ihm zugeführt
wird.
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Der Aufbau des Maximalspannungsdetektor MAX ist folgender.
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Der Ausgang des Operationsverstärkers 66 ist mit der Basis des Transistors
T8 verbunden, dessen Kollektor mit einer Konstantspannungsquelle +V in Verbindung
steht, während sein Emitter unmittelbar auf den Umkehreingang des Operationsverstärkers
66 rückgeführt ist, so daß ein Spannungsfolger gebildet wird. Somit ist die vom
Emitter des Transistors T8 hervorgebrachte Spannung dieselbe wie die dem Direkteingang
des Operationsverstärkers 66 zugeführteSpannung. In gleicher Weise ist der Ausgang
des Operationsverstärkers 68 mit der Basis des Transistors T9 verbunden, dessen
Kollektor mit der Konstantspannungsquelle +V Verbindung hat, während sein Emitter
unmittelbar auf den Umkehrei ngang des Operationsverstärkers 68 rückgeführt ist.
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Die Emitter der Transistoren T8 und T9 sind miteinander an einem gemeinsamen
Punkt J1 verbunden. Die Ronstantstromquelle 70 liegt zwischen diesem gemeinsamen
Punkt J1 und Masse.
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Der Aufbau des Minimalspannungsdetektors MIN ist dem des Maximalspannungsdetektors
MAX ähnlich und unterscheidet sich in folgenden Punkten. Die Kollektoren der Transistoren
T10 und T11 liegen an Masse, und die Konstantspannungsquelle 76 ist zwischen die
Konstantspannungsquelle +V und einen Verbindungspunkt J2 cin(lescllaltet, an den
die beiden Bmitter der Transistoren T10 und T11 geführt sind.
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Der Ausgang dcs Maximalspannungsdetektors MAX, d.h. der Verbindungspunkt
J1, ist mit dem Direkteingang eines Operationsverstärkers 78 verbunden, dessen Umkehreingang
mit einer Konstantspannungsquelle, z. B. einer Batterie 88, Verbindung hat. Die
Konstantspannungsquelle 88 gibt eine Referenzspannung einer bestimmten Größe ab.
Der Ausgang des
Operationsverstärkers 78 ist auf die äußere Anschlußklemme
C5 geführt. Wenn der Verbindungspunkt J1 eine Spannung hat, die höher als die Referenzspannung
ist, wird vom Operationsverstärker 78 an der Klemme C5 ein H-Signal erzeugt. Wenn
der Operationsverstärker 78 ein L-Signal erzeugt, bedeutet dies, daß das auf dem
Lichtaufnahmeelement 20 hervorgerufene Bild für die Erkennung zu dunkel ist, da
der Gegenstandsabstand zu groß ist (unendlicher Abstand). Der Verbindungspunkt J1
ist außerdem über in Reihe liegende Widerstände 90, 92, 94 und 96 mit einer Konstantstromquelle
98 in Verbindung, die mit ihrer anderen Seite an Masse liegt, wodurch die am Verbindungpunkt
J1 auftretende Spannung in geeigneter Weise geteilt wird, und an den Enden der aneinandergrenzenden
Widerstände Teilspannungen auftreten, d.h. z. B. zwischen den Widerständen 90 und
92 oder zwischen dem Widerstand 96 und der Xonstantstromquelle 98. Die Verbindung
zwischen den Widerständen 90 und 92 ist mit dem Umkehreingang eines Operationsverstärkers
80 verbunden. Gleiches gilt für die Verbindungen zwischen den Widerständen 92 und
94, zwischen den Widerständen 94 und 96 und zwischen dem Widerstand 96 und der Konstantstromquelle
98, die'jeweils mit den Umkehreingängen von Operationsverstärkern 82, 84 bzw. 86
verbunden sind.
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Der Ausgang des Minimalspannungsdetektors MIN, d.h. der Verbindungspunkt
J2, ist mit der Direkteingang der Operationsverstärker 80, 82, 84 und 86 verbunden,
deren jeweilige Ausgänge an äußere Anschlußklemmen Cl, C2, C3 und C4 geführt sind.
Die Operationsverstärker 80, 82, 84 und 86 bilden einen Diskriminator DIS, der eine
Kombination von H- und L-Signalen an den Klemmen C1 bis C4 bildet, welche auf dem
Verhältnis der Ausgangswerte der Maximal- und Minimal-Spannungsdetektoren MAX und
MIN beruhen.
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Als nächstes wird die Arbeitsweise der oben beschriebenen Bildpositionsdetektorvorrichtung
in Verbindung mit den Figuren 3c, 5 und 6 beschrieben. Wenn sich das auf dem Lichtaufnahmeelement
20 erzeugte Bild in seiner linken Hälfte befindet, d.h., wenn D1 kleiner als D2
in Fig. 3c ist, ist die Beziehung zwischen logIL1 und logIL2 so, daß logIL1 größer
als logIL2 ist mit der Folge, daß der Operationsverstärker 64 ein H-Signal an seiner
Klemme CO erzeugt. Bei in det sich dagegen das Bild in der rechten Hälfte, dann
ist die Beziehung umgekehrt, so daß der Operationsverstärker 64 ein L-Signal erzeugt.
Mit anderen Worten, das Ausgangssignal des Verstärkers 64 gibt Auskunft darüber,
ob sich das Bild in der rechten oder linken Hälfte des Lichtaufnahmeelements 20
befindet.
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Im Maximalspannungsdetektor MAX erzeugt der Transistor T8 eine Spannung,
die dieselbe Größe wie die Spannung hat, die dem Direkte ngang des Operationsverstärkers
66 zugeführt wird, d.1i. logIL1, und der Emitter des Transistors T9 bringt eine
Spannung hervor, die dieselbe Größe wie die Spannung hat, die dem Direkteingang
des Operationsverstärkers 68 zugeführt wird, also logIL2. Da die Emitter dieser
Transistoren T8 und T9 miteinander am Verbindungspunkt J1 verbunden sind, erhalten
die beiden Umkehreingänge der Verstärker 66 und 68 die größere der Spannungen logIL1
und logIL2.
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Ist logIL1 größer als logIL2, befindet sich das Bild also in der linken
Hälfte des Lichtaufnahmeelementes 20, dann erhalten die beiden Umkehreingänge der
Verstärker 66 und 68 die Sl)annullcg logIL1. Der Operationsverstärker 68 erzeugt
dann ein L-Signal, wodurch Transistor T9 gesperrt wird. Damit hält der Verbindungspunkt
J1 die Spannung loqIL1, die die yrößcrc der beiden Spannungen loglLl und logIL2
ist, welche dem Maximalspannungsdetektor MAX zugeführt wird.
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Im Minimalspannungsdetektor MIN erzeugt der Emitter des Transistors
T10 eine Spannung logIL1, die dieselbe Größe wie die Spannung hat, die dem Direkteingang
des Operationsverstärkers 72 zugeführt wird, und der Emitter des Transistors T11
erzeugt eine Spannung logra,2, tlic e.;el be Cr5Be wie die Spannung hat, die dem
Direkteingang des Operationsverstärkers 74 zugeführt wird. Da die Emitter dieser
Transistoren T10 und T11 miteinander im Verbindungspunkt J2 verbunden sind, erhalten
beide Umkehreingänge der Verstärker 72 und 74 den kleineren Wert der beiden Spannungen
logIL1 und logIL2. Ist logIL1 größer als logIL2, dann erhalten die beiden Umkehreingänge
der Verstärker 72 und 74 die Spannung logIL2. Der Operationsverstärker 72 gibt dann
ein H-Signal ab, wodurch der Transistor T10 gesperrt wird.
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Somit hält der Verbindungspunkt J2 die Spannung logIL2, also den kleineren
Wert der beiden Spannungen logIL1 und logIL21 die dem Minimalspannungsdetektor MIN
zugeführt werden.
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Die vom Maximalspannungsdetektor MAX erzeugte Spannung, d.h. die Spannung
des Verbindungspunktes J1,wird in vier verschiedene Spannungspegelwerte durch die
in Reihe liegenden Widerstände 90, 92, 94 und 96 unterteilt, und die so entstandenen
Teilspannungen werden mit der vom Minimalspannungsdetektor MIN hervorgebrachten
Spannung, d.h. also der Spannung des Verbindungspunktes J2, verglichen. Wenn die
Spannung von J1 nahezu gleich der Spannung von J2 ist, sind sämtliche Teilspannungen
kleiner als die Spannung des Verbindungspunktes J2, so daß in diesem Fall sämtliche
Verstärker 80, 82, 84 und 86 H-Signal an ihren Ausgängen C1 bis C4 haben, wie dies
in der Tabelle der Fig. 6 in den Sl,niton Z5 und ZG aufgeführt ist. Ist die Spannung
des Verbindungspunktes J1 etwas größer als die Spannung des Verbindungspunktes J2,
dann kann die erste Teilspannung, die sich zwischen den Widerständen 90 und 92 ergibt,
grösser als die Spannung des Verbindungspunktes 52 sein, und
die
übrigen Teilspannungen werden kleiner als die Spannung dieses Verbindungspunktes
J2 sein. In diesem Fall gibt der Verstärker 80 L-Signal an seiner Ausgangsklemme
C1 ab, während die übrigen Verstärker 82, 84 und 86 H-Signal produzieren, wie dies
in den Zeilen Z4 und Z7 in Fig. 1 gezeigt ist.
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Nimmt die Spannung des Verbindungspunktes J2 zu, so ändern die Verstärker
ihre Ausgangswerte von H nach L in einer Abstufung zu den höheren Bezugsziffern
hin. Diese Änderung läßt fünf unterschiedliche Kombinationen von Ausgangswerten
der Ausgangsklemmen C1 bis C4 zu, was in der Fig. 6 aus den Spalten Z1 bis Z5 bzw.
Z6 bis Z10 zu erkennen ist. Die Kombinationen in den Spalten Z1 bis Z5 der Fig.
6 ergeben sich, wenn der Verstärker 64 H-Signal abgibt, wenn also logIL1 größer
als logIL2 ist, während die Kombinationen der Spalten Z6 bis Z10 sich ergeben, wenn
der Verstärker 64 L-Signal erzeugt, wenn also logiLl kleiner als logIL2 ist.
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Die Kombinationen in den einzelnen Spalten erhält man also, wenn das
Bild in einer bestimmten Zone zwischen den beiden p-Bereichen 24 und 26 auf dem
Lichtaufnahmeelement 20 gebildet wird. Die Spalten Z1 bis Z10 bezeichnen also zehn
verschiedene Zonen auf dem Lichtaufnahmeelement, wie dies in der Fig. 3c angedeutet
ist, wobei die Breite jeder einzelnen Zone durch entsprechende Wahl des Widerstandswertes
der Widerstände 90, 92, 94 und 96 beeinflußbar ist. Es ist also durch Kombination
der Ausgangswerte der Klemmen CO bis C5 möglich, genau die Position des Bildes auf
dem Lichtaufnahmeelement 20 festzustellen.
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I,s versteht sich , daß dirc1i Unterte lien d<:'r Spannung des
Verbindungspunktes J1 in mehrere rleilwerte die Anzahl der Zonen erhöht werden kann,
so daß damit eine Erhöhung der Detektorauflösung und -genauigkeit möglich ist.
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In Fig. 7 ist eine erste Abwandlungsform des Lichtaufnahmeelementes
100 gezeigt, das im Vergleich mit dem LichtaufnahmeeAemcnt 20 weitere Elektroden
30d und 30e besitzt die parallel und in GecJcnüberstellunc3 zueinander sowie in
senkrechter Richtung zu den Elektroden 30a und 30b angeordnet sind, so daß das Bild
8 zwischen den Elektroden 30a und 30b und auch zwischen den Elektroden 30d und 30e
auftrifft.
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Es sei bemerkt, daß unter den Elektroden 30d und 30e ebenfalls ein
Streifen eines p-Bereichs in derselben Weise wie unter den Elektroden 30a und 30b
ausgebildet ist. Wenn also ein Bild 8 auf dem Lichtaufnahmeelement 100 entsteht,
fließt Strom durch die Elektrode 30d, der in einer Beziehung zu dem Abstand zwischen
dem Bild und der Elektrode 30d steht, und ein weiterer Strom durch die Elektrode
30e, der in einer Beziehung zum Abstand zwischen dem Bild 8 und der Elektrode 30e
steht. Die Elektroden 30a und 30d sind gemeinsam an einen Anschluß 32a und die Elektroden
30b und 30c an den gemeinsamen Anschluß 32b geführt.
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Bei Ausbildung eines Bildes 8 auf dem Lichtaufnahmeelement 100 fließt
ein Strom über die Elektrode 30a und ein weiterer über die Elektrode 30d. Verschiebt
sich das Bild von der Elektrode 30a weg oder zu ihr hin, jedoch parallel zur Elektrode
30d, so ändert sich der Strom von der Elektrode 30a in einer weiten Spanne, während
der Strom von der Elektrode 30d konstant bleibt. Das Änderungsausmaß des Stroms
von der Elektrode 30a bleibt groß auch nach der logarithmischen Kompression, wie
dies in Fig. 8 gestrichelt gezeichnet ist. Eine strichpunktierte Linie in Fig. 8
stellt den Strom von der Elektrode 30d dar, der ebenfalls logarithmiert worden ist.
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Wenn die Ströme von den Elektroden 30a und 30d jedoch zusammengefaßt
und diese Summe dann logarithmiert worden ist, ändert sich der logarithmierte Stromwert
nur mäßig, wie
dies die ausgezogene Linie in Fig. 8 wiedergibt.
Dies stellt für die Auswahl geeigneter Operationsverstärker und anderer elektrischer
Bauteile, die eine gewisse Betriebsspanne haben, einen Vorteil dar. Gleiches gilt
auch für die von den Elektroden 30b und 30e abgenommenen Ströme.
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Das I,ici taufnahmeelemen t iui der Fig. 9 stellt eine Vlriante gegenüber
dem der Fig. 7 dar. Anstelle einer äußeren Zusammenfassung der Elektroden 30a und
3d sind diese unmittelbar auf der Halbleiterplatte 22 miteinander in Verbindung.
Dasselbe gilt für die Elektroden 30b und 30e.
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Da das Lichtaufnahmeelement der Fig. 9 in derselben Weise arbeitet
wie das der Fig. 7, kann eine nähere Beschreibung hier unterbleiben.
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In der Fig. 10 ist eine zweite Abwandlungsform des Lichtaufnahmeelementes
102 gezeigt, bei der wenigstens eine der Elektroden 30a, 30b, im vorliegenden Fall
die Elektrode 30a, eine Aussparung 30R von einer Breite W und einer Tiefe R auf
cit'.r 30lJ gegenelektroden 30b zugewandten Seite Jiat , so daß dadurch ein Teil
des p-Bereichs freiliegt. Bei der Verschiebung des Bildes 8 gegen die Elektrode
30a steigt der Strom von der Elektrode 30a in der oben beschriebenen Weise an, und
wenn das Bild 8' sich über die Elektrode 30a schiebt, sinkt der Strom allmählich,
wie es die ausgezogene Linie im Bereich B' der Fig. 11 erkennen läßt. Das Ausmaß
der Stromabnahme wird groß, wie durch die strichpunktierte Linie dargestellt, wenn
die Breite W der Aussparung 30R sehr klein ist. Eine derart graduelle Abnahme des
Stromwertes, die die ausgezogene Kurve zeigt, kann zur Anzeige benützt werden, daß
das Bild 8 auf die Elektrode 30a trifft.
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Eine dritte Ausfü}1rungsform des erfindungsgemäßen Lichtaufnahmeelementes
104 zeigt Fig. 12 mit Elektroden 30a und 30e, die den in die n-lialbleiterplatte
22 hineindiffundierten
p-Bereich überdecken. Es ist zwar in der
Fig. 12 keine Masseelektrode gezeigt, doch ist diese vorhanden, wie bereits in Verbindung
mit der n-Halbleiterplatte 22 an früherer Stelle beschrieben.
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Auch die nachfolgend angesprochenen Ausführungsbeispiele besitzen
eine derartige Masseelektrode, die jedoch in der Darstellung und der nachfolgenden
Beschreibung der Kürze wegen weggelassen ist. Auch versteht es sich, daß sich unter
den jeweils in der Beschrcibung-erwähnten Elektroden die p-Bereiche befinden.
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Sobald das Bild 8 sich gegenüber der Elektrode 30a und parallel zur
langgestreckten Elektrode 30e verschiebt, steht der von der Elektrode 30a abgegebene
Strom in Beziehung sowohl zur Position des Bildes als auch zu seiner Helligkeit,
während der von der Elektrode 30e stammcnde Strom nur eine Abhängigkeit von der
Helligkeit des Bildes aufweist. Durch Ausnützen der Stromwerte von den Elektroden
30a und 30e ist es deshalb möglich, ein Signal zu gewinnen, das nur von der Position
des Bildes 8 abhängig ist.
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Ein viertes Ausführungsbeispiel eines Lichtaufnahmeelementes 106 mit
vier Elektroden 30f, 30g, 30h und 30i, die auf einer Diagonalen der n-Halbleiterplatte
22 mit bestimmtem Abstand zueinander in Verschiebungsrichtung des langgestreckten
Bildes 8 angeordnet sind und jeweils einen p-Bereich überdecken, ist in der Fig.
13 gezeigt. Mit dieser Anordnung ist es möglich, die Position des Bildes 8, die
sich sehr stark ändern kann, festzustellen.
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Fig 14 zeigt eine fünfte Ausführungsform eines Lichtaufnahmeelementes
108, auf dem mehrere (z. B. vier) Elektroden 30j, 30k, 30m und 30n parallel zur
Verschiebungsriclltung des Bildes 8 aufgereiht sind. Eine (nicht gezeigte) Schal-
tung
dient dazu, zu erkennen, welche der Elektroden 30j, 30k, 30m und 30n den höchsten
Strom abgibt. Mit dieser Anordnung kann die Lage des Bildes 8 in digitaler Form
bestimmt werden. Werden außerdem die Elektroden noch dichter angeordnet, läßt sich
die Bildposition mit hoher Genauigkeit erkennen.
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Ein sechstes Ausführungsbeispiel des Lichtaufnahmeelementes 10 mit
zwei langgestreckten Elektroden 30p und 30q zeigt Fig. 15. Dabei ist die eine Ele]ntrode
30p gegenüber der Bildverschiebungsrichtung etwas schräg gestellt, während die andere
Elektrode 30q parallel zurBildverschiebungsrichtung liegt. Durch Wahl der Schrägung
der Elektrode 30p kann eine bestimmte Stromänderungscharakteristik in Bezug auf
die Bildverschiebung erhalten werden.
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Fig. 16 zeigt ein siebtes Ausführungsbeispiel des Lichtaufnahmeelementes
112. Mehrere, z. B. drei, langgestreckte p-Bereiche 25a, 25b und 25c befinden sich
zwischen den langgestreckten Elektroden 30a und 30b. Die p-Bereiche 25a, 25b und
25c sind nicht von Elektroden überdeckt und vcrlaufen zueinander mit bestimmtem
Abstand parallel. Wenn das Bild 8 sich über einen dcr p-Bereiche 25a, 25b, 25c hinwegbewegt,
bleibt der an den Elektroden 30a oder 30b abgenommene Strom konstant, und stellt
man eine solche konstante Stromphase fest, so kann damit die Position des Bildes
8 erkannt werden.
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Fig. 17 zeigt ein achtes Ausführungsbeispiel des Lichtaufnahmeelementes
114 mit Elektroden 30s und 30t zusätzlich zu den Elektroden 30a und 30b. Die Elektroden
30s und 30t verlaufen parallel zueinander und einander gegenübergestellt oberhalb
und unterhalb einer Fläche zwischen den Elektroden 30a und 30b. Wenn die Elektroden
30s und 30t mit Schaltungen gleich denen in den Figuren 4 oder 5 verbunden sind,
'kann
die Position des Bildes in zwei Dimensionen bestimmt werden.
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In der Beschreibung wurde davon ausgegangen, daß die Halbleiterp1aLtci
22 ein n-iialbleitermaterial ist, in das ein p-Störstellenmaterial hineindiffundiert
ist. Sclbstverständlich können die beiden Leitungstypen vertauscht sein Auch ist,
die Erfindung nicht an das Hineindiffundieren gebunden, sondern die p-Bereiche können
beispielsweise auch durch Ioneninjektion gebildet sein. Wenn das Lichtaufnahmeelement
aus Halbleitermaterial gebildet ist, läßt sich eine Schaltung, wie die in den Figuren
4 oder 5 gezeigte, die mit dem Lichtaufnahmeelement in Verbindung steht, als integrierte
Schaltung auf derselben Halbleiterplatte ausbilden. Damit erhält man kompakte Abmessungen
der Bildpositionsdetektorvorrichtung nach der Erfindung, die sich besonders für
den Einsatz in einer Kamera eignet.
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Wenn ein auf der Platte hervorzurufendes Bild ausreichend klein im
Vergleich zum Abstand zwischen den Elektroden ist, basiert das von den Elektroden
hervorgebrachte Stromsignal auf dem durch dieses Bild hervorgerufenen Photostrom.
Sämtliche von den Elektroden abgegebenen Signale enthalten dann dieselbe Information
von der Helligkeit des Bildes. Durch Bilden eines Verhältnisses zwischen den gewonnenen
Signalen kann deshalb ein Signal erhalten werden, das von der Helligkeit des Bildes
unabhängig ist und nur mit der Position des Bildes in Beziehung steht. Das Signal
muß also nicht hinsichtlich eines Fehlers korrigiert werden, der durch Helligkeitsänderungen
entsteht oder durch die Abweichung zwischen den optischen Achsen der Lichtabgabeeinrichtung
und der Lichtempfangseinrichtung. Es ist außerdem unnötig, irgendwelche mechanischen
Abstimmungen vorzunchmen, wie etwa die Ausrichtung der Position einer Zylinderlinse,
die für die Herstellung eines langgestreckten Bildes benutzt wird.
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