DE3140675A1 - Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium - Google Patents

Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
DE3940820A1 (de) * 1989-12-11 1991-06-13 Leybold Ag Verfahren zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4505782A (en) * 1983-03-25 1985-03-19 Lfe Corporation Plasma reactive ion etching of aluminum and aluminum alloys
JPH061770B2 (ja) * 1984-01-30 1994-01-05 株式会社日立製作所 ドライエツチング方法
GB2171360A (en) * 1985-02-19 1986-08-28 Oerlikon Buehrle Inc Etching aluminum/copper alloy films
JPS61235576A (ja) * 1985-04-10 1986-10-20 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JP2681058B2 (ja) * 1986-04-03 1997-11-19 アネルバ株式会社 ドライエッチング方法
JPH0727890B2 (ja) * 1986-09-19 1995-03-29 日本電気株式会社 ドライエツチング方法
US5397433A (en) * 1993-08-20 1995-03-14 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for patterning a metal layer
JP6061384B2 (ja) * 2013-01-17 2017-01-18 国立大学法人静岡大学 アルミ・樹脂接合体の製造方法及びアルミ・樹脂接合体

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2022025A (en) * 1978-06-05 1979-12-12 Hitachi Ltd Method of dry-etching aluminium and aluminium alloys
GB2026394A (en) * 1978-07-31 1980-02-06 Western Electric Co Dry etching process using plasma
GB2026397A (en) * 1978-07-27 1980-02-06 Eaton Corp Process for gas plasma vapour etching of aluminium surfaces
DE2930200A1 (de) * 1978-08-02 1980-02-21 Texas Instruments Inc Verfahren zum aetzen von metallfilmen mit einem gasplasma
DE2930291A1 (de) * 1978-07-31 1980-02-21 Western Electric Co Verfahren zur herstellung eines gegenstandes unter verwendung von plasmaaetzung
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2022025A (en) * 1978-06-05 1979-12-12 Hitachi Ltd Method of dry-etching aluminium and aluminium alloys
GB2026397A (en) * 1978-07-27 1980-02-06 Eaton Corp Process for gas plasma vapour etching of aluminium surfaces
GB2026394A (en) * 1978-07-31 1980-02-06 Western Electric Co Dry etching process using plasma
DE2930291A1 (de) * 1978-07-31 1980-02-21 Western Electric Co Verfahren zur herstellung eines gegenstandes unter verwendung von plasmaaetzung
DE2930200A1 (de) * 1978-08-02 1980-02-21 Texas Instruments Inc Verfahren zum aetzen von metallfilmen mit einem gasplasma
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chapman, B.N. et.a.: Plasma Etching of positively Biased Wafer. In: IBM TDB, Vol. 22, Nr. 3, Aug. 1979, S. 1175-1176 *
Gartner, H.M. et al.: Isotropic and Anistropic Etching in a Diode System. In: IBM TDB, Vol. 20, Nr. 5, Okt. 1977, S. 1744-1745 *
Smolinsky, G. et al.: Plasma etching of III-V compound semiconductor. In: J. Vex. Sci. Technol, Jan./Febr. 1981, S. 12-16 *
Vossen, J.L.: Glow Discharge Phenomena in Plasma Etching and Plasma Deposition. In: J. Electrochem.Soc.: Solid-State Science and Technology, Febr. 1979, Bd. 126, Nr. 2, S. 319-324 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
DE3940820A1 (de) * 1989-12-11 1991-06-13 Leybold Ag Verfahren zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
DE3940820C2 (de) * 1989-12-11 1998-07-09 Leybold Ag Verfahren zur Behandlung von Werkstücken durch reaktives Ionenätzen

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Publication number Publication date
DE3140675C2 (enExample) 1991-03-07
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JPS57123978A (en) 1982-08-02
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GB2087315A (en) 1982-05-26

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