DE3134502C2 - Verfahren zur Vorbehandlung von mit Haftschichten versehenen Isolatorplatten vor der stromlosen Verkupferung - Google Patents
Verfahren zur Vorbehandlung von mit Haftschichten versehenen Isolatorplatten vor der stromlosen VerkupferungInfo
- Publication number
- DE3134502C2 DE3134502C2 DE3134502A DE3134502A DE3134502C2 DE 3134502 C2 DE3134502 C2 DE 3134502C2 DE 3134502 A DE3134502 A DE 3134502A DE 3134502 A DE3134502 A DE 3134502A DE 3134502 C2 DE3134502 C2 DE 3134502C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solution
- adhesive layer
- catalyst
- plate
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 title abstract description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- -1 alkyl phenol ether Chemical compound 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 2
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 29
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
- H05K3/387—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Mit der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer gedruckten Schaltungsplatte zur Verfügung gestellt, welches das Ausbilden einer einen Galvanisierungsfilm bildenden Haftschicht auf der vollständigen freiliegenden Oberfläche einer isolierenden Platte umfaßt, sowie das Aufrauhen der Haftschichtoberfläche, das Ablagern eines Katalysators für stromlose Galvanisierung aus einer Katalysatorlösung auf der Haftschichtoberfläche, das Maskieren der auf diese Weise behandelten Oberfläche der isolierenden Platte mit Ausnahme des Teiles, auf dem eine Schaltung ausgebildet werden soll, und dann das Ausführen eine stromlosen Kupfergalvanisierung auf dem Katalysator der Platte, so daß eine Schaltung darauf ausgebildet wird, wobei gemäß der Erfindung eine Behandlung der aufgerauhten Haftschichtoberfläche mit einer Alkalilösung durchgeführt wird, bevor der Katalysator darauf abgelagert wird, sowie eine Behandlung der maskierten isolierenden Platte mit einer ein Tensid enthaltenden wäßrigen Lösung, vor dem Durchführen der stromlosen Kupfergalvanisierung. Das vorstehende Verfahren stellt eine höhere Kupferausnutzung und eine größere Haftfestigkeit der Kupfergalvanisierung an der Platte sicher.
Description
Die Erfindung betrifft ein beim Herstellen gedruckter
Schaltungen einsetzbares Verfahren, die eine Leiterschaltung bzw. eine elektrisch leitende Verbindungen aufweisende Schaltung bildet bzw. umfaßt, und zwar betrifft die
Erfindung ein zum Herstellen einer gedruckten Schaltungsplatte einsetzbares Verfahren, mit dem es möglich
ist, das gewünschte Metallisieren zu erzielen, während die für das stromlose Metallisieren benutzte Lösung in
einem stabilen Zustand erhalten wird.
Bisher umfaßte die Herstellung von gedruckten Schaltungen durch stromloses Metallisieren die folgenden
Verfahrensschritte: (1) Ablagern einer Haftschicht, die synthetischen Gummi bzw. Kautschuk enthält, auf einer
Isolierenden Platte; (2) Aufrauhen der abgelagerten Haftschicht; (3) Ablagern eines Katalysators für stromloses
Metallisieren auf der aufgerauhten Oberfläche; (4) Maskleren der gesamten Oberfläche außer dem Teil, auf dem
die Schaltung ausgebildet werden soil; und (5) Ausführen des stromlosen Metallisieren. Dieses bekannte Verfah
renliaf einige ernsthafte: Nachteile, wie. beisplelswelsf
ί· elne'nlchtzüfiledensteHendeiHaftfäJügkeit desMeiallisie
hmgsfllmsv die "ein slöh Wölben, Au rschwellen, Au fquel
■ Ien;oder dergleichen. Und-AbschälendesiMetallisierungs
films während des Lötens,verursachi; sowie eine instabile
• Ausfallens" des abgelagerten Katalysators^ was· zu eine
verminderten Metallisieningsleistungsfähigkeit bzw
einem verminderten;·Metallisierungswirkungsgrad um
ίο einer verminderten Kupferausnutzung führt.
; Zum Verbessern des Anhaftens; dieses ,Katalysator
wurde vorgeschlagen, die aufgerauhte Haftschichtober fläche einer Alkalibehandlung zu unterwerfen, um dii
schwache Schicht auf der Haftschicht zu entfernen JPtO!
is Nr. 22 841/1980) oder eine Tensidbehandlung nach den
Maskleren vorzusehen, um die partielle Metalltsierungs
qualltät zu verbessern-(JP-OS Nr. 1 09£25/1976).
Die US-PS 42 16 246 und die DE-AS. 26 10471
beschreiben das Aufrauhen der Haftschicht und das Auf
bringen eines Katalysators, wobei nirgendwo die Alkali
behandlung und die Behandlung mit einem Tensic
offenbart- und nahegelegt wird.
Die US-PS 42 ! 1 564 gibt über die Anwendung voi
stromlosem Verkupfern von gedruckten Schaltung«
zwar eine alkalische Behandlung beschrieben, jedocr
keine Tensidbehandlung.
Alkalibehandlung und keine Tensidbehandlung als Vor behandlung zu entnehmen. Die erfindungsgemäße Korn
blnatlon von Verfahrensschritten ist also in keiner de oben zitierten Literaturstellen vorbeschrieben. Aufgab«
der Erfindung war es also, die bestehenden Verfahre
sen und die Lösung, die für das stromlose Metallisieret
verwendet wird, während des gesamten Betriebes Ir
einem stabilen Zustand gehalten werden kann.
chen ersichtlich gelöst.
Die Instabilität der für das stromlose Metallisieren ver
wendeten Lösung wird einer graduellen Abtrennung de: Katalysators von der Metalllsierungsoberfläche und einei
sich daraus ergebenden Ansammlung desselben in den
Metallisierungsbad zugeschrieben, was eine Ausfällung von Metallen von der Wand- und Bodenoberfläche des
Metalllsferungsbehälters zur Folge hat. Im Rahmen de
vorliegenden Erfindung wurde gefunden, daß diese Erscheinung durch Aufnahme dir» folgenden beiden Ver
so fahrensschrltte kontrolliert werden kann: Behandeln de aufgerauhten Haftschlchloberfläche auf der isolierender
Schalungsplatte mit einer Alkalllösung, und welterhlt
Behandeln der maskierten Platte (maskiert mit Aus
nähme des Teils, auf dem die Schaltung ausgebildet wer
den soll) mit einem Tensld. Es wurde außerdem gefun
den, daß diese Behandlungen zu einer wesentlichen Ver
besserung der Kupferausnutzung der für das stromlost
co schritte führt dazu, daß einer Abtrennung des Katalyse
tors In viel stärkerem Umfang Einhalt geboten wird
als das der Fall Ist, wenn kein Tensld zum Metallisieren!
hinzugefügt wird, so daß sich eine unvorhersehbare
Wirkung gemäß der Erfindung ergibt.
Die vorliegende Erfindung sei nun in näheren Einzel·
heiten beschrieben.
Zunächst können als Isolierende Schaltungsplatter übliche Phenol- bzw. Phenolharzschichtmaterlallen
Epoxyschlchtmaterlalien» Keramiken und dergleichen
verwendet werden.
Was das Haftmaterial anbetrifft, so sind Im Rahmen
όβτ Erfindung solche Haftmaterlallen geeignet, die
grundsätzlich aus synthetischem Gummi bzw. Käu- ">
tschuk oder Phenolharz, zusammengesetzt sind, wie sie
allgemein in den Additiv-Verfahren angewandt werden. Die im Rahmen der Erfindung verwendbaren synthetischen Gummis bzw. Kautschuke umfassen Nltrilgummi
bzw. -kautschuk, Butadiengummi bzw. -kautschuk, Iso- i<
> prengumml bzw. -kautschuk, etc., während die Phenolharze vom Resoi-Typ oder Novolak-Typ sein können.
Die den Metalllslerfilm bildende Haftschicht wird auf
wenigstens einer vollständigen freiliegenden Oberfläche einer Isolierenden Platte ausgebildet, wie auch auf wenig- ι >
stens einer vollständigen freiliegenden Oberfläche von jeder von isolierenden Platten, deren Oberfläche die
äußerste Schicht bildet.
Die for die Oberflächenaufrauhung verwendete Aufrauhungslösung kaan von jeder bekannten Art sein, wie 3»
sie ungemein für das chemische Aufrauhen verwende;
wird, beispielsweise Chromschwefelsäure, Chromsäure-Borfluorsäure, etc. Mechanische MIttel, wie beispielsweise Sandstrahlen, können ebenfalls für das Aufrauhen
verwendet werden. Es können Durchgangslocher nach -'">
der Ausbildung der Haftschicht, jedoch vor dem Aufrauhen der Haftschicht, vorgesehen werden.
Die im Verfahren nach der Erfindung verwendete Alkalllösung kann eine Alkallhydroxidlösung, Ammoniak, eine Amlnlösung sein, jedoch wird gewöhnlich so
bzw. bevorzugt eine Alkallhydroxidlösung von Natriumhydroxid oder Kaliumhydroxid verwendet. Der pH-Wert
der Lösung liegt oberhalb von 11, vorzugsweise oberhalb von 12, insbesondere bei 13 bis 14. Die Behandlung
geschieht üblicherweise durch Tauchen und kann bei Raumtemperatur während einer Zeltdauer von 2 bis 10
Minuten ausgeführt werden, jedoch ist gewöhnlich eine etwa S Minuten dauernde Behandlung ausreichend.
Die Aktivierungsbehandlung kann eine übliche Behandlung unter Verwendung einer sauren *o
ZlnndDchlorldlösung und einer sauren Palladiumchloridlösung sein.
. Für die Maske, die aufgebracht wird, um eine Ablagerung des Metallislerungsfllms auf dem unnötigen bzw.
nicht dafür vorgesehenen Teil oder dem Teil, in dem die *5
Schaltung nicht ausgebildet werden soll, zu verhindern. Ist es zu bevorzugen, eine solche Maske zu verwenden,
die grundsatzlich aus einem Epoxyharz zusammengesetzt
ist bzw. besteht, und zwar aus Gründen des chemischen Widerstandes während des Metallisierungsvorgangs, aber
die Verwendung von anderen Substanzen wird dadurch nicht ausgeschlossen.
Das im erfindungsgemäßen Verfahren nach der Maskierung der Plattenoberfläche aller Teile, welche keinen
Teil der Schaltung bilden bzw. auf denen die Schaltung
nicht ausgebildet wird, verwendete Tensld kann von jeder Art sein, nämlich nichtionisch, anionisch oder
kationisch, und dieses Tensld wird in der Form einer
wäßrigen Lösung verwendet. Typische derartige Tenside sind Polyäthylenglykolalkyläther, Polyäthylenglykoj- «>
phosphorsäureester, Polyäthylenglykolalkylphenoläther, Fettsäuresalze, Alkylbenzolsulfonat und dergleichen. Die
Behandlung mit einer wäßrigen Lösung eines Tensids wird dadurch ausgeführt, daß man die. Platte In die
erwähnte wäßrige Lösung bei Raumtemperatur während 1 bis 10 Minuten eintaucht.
Zum stromlosen Metallisieren Im Verfahren nach der
Erfindung kann jedes bekannte Verfahren verwendet
werden, mit dem es möglich ist, eine Metalllsterungsschtcht aus Kupfer oder Nickel auszubilden. Gewöhnlich
Ist eine Verkupferung zu bevorzugen. Es Ist außerdem zu
bevorzugen, das stromlose Metallisieren In einem mit
Wasser gewaschenen, nassen Zustand nach der Tensldbehandlung auszuführen, well beim Trocknen der Platte
die Möglichkeit besteht, daß der Katalysator oxidiert, und außerdem kann damit in vorteilhafter Welse der
Verfahrensschritt des Trocknens weggelassen werden.
- Es besteht die Möglichkeit, andere übliche Behandlungen durchzuführen, z. B. eine übliche Säurebehandlung,
die nach der Alkatibehandlung gemäß der Erfindung ausgeführt wird, um die Lebensdauer der AJctivierungsIösung zu verlängern, oder eine entsprechende Salzsiurebehaudlung vor dem Metallisieren, und diese Behandlungen beeinflussen die Wirkung des erfindungsgemäßen
Verfahrens In keiner Weise nachteilig.
Die vorliegende Erfindung sei nachstehend weiterhin
anhand von Ausführungsbeispielen derselben näher beschrieben.
Ein handelsübliches, hitzehärtbares Harz auf der Basis eine durch Phenolharz modifizierten Nitriigummis bzw.
-kautschuks wurde auf eine Seite eines Papier-Phenol -Schichtmaterials durch AufblasbeschicJuung aufgebracht, und es wurdvj einer 80 Minuten dauernden
Warmhärtung bei 160° C ausgesetzt. Dann wurde dieses Schichtmaterial nach der Ausbildung von Durchgangslöchern an den erforderlichen Teilen in eine Chromschwefelsäure-Mischung getaucht (eine Mischung aus 60 g
CrOj und 220 ml konzentrierter Schwefelsäure wurde mit Wasser verdünnt, so daß sich eine Gesamtmenge von 1 1
ergab), und zwar erfolgte das Eintauchen bei 45° C während 7 Minuten, um die Haftschichtoberfläche aufzurauhen. Darauf folgte ein S Minuten dauerndes Waschen
mit Wasser bei Raumtemperatur und weiter ein S Minuten langes Eintauchen in eine wäßrige Lösung von Salzsäure (100 ml 36%iger Salzsäure wurde;:· mit Wasser verdünnt, so daß die Menge der Lösung 1 I wurde), um das
restliche Chrom zu entfernen.
Nach einem zusätzlichen 2 Minuten langen Waschen mit Wasser bei Raumtemperatur wurde das erwähnte
Schichtmaterial einer Alkalibehandlung ausgesetzt, die ein 10 Minuten langes Eintauchen In eine wäßrige Natrlumhydroxldlösung (pH = 13,0) bei Raumtemperatur
umfaßte, gefolgt von einem weiteren 2 Minuten langen Waschen mit Wasser bei Raumtemperatur, einem
I minutigen Eintauchen In eine wäßrige Salzsäurelösung
(500 ml von 36%lger HCI-Lösung wurden so weit mit
Wasser verdünnt, daß die gesamte Menge der Lösung 1 1 betrug), und einem 10 Minuten langen Eintauchen In
einen Sensibilisator, der Zinndichlorid und Palladiumchlorid enthielt. Nach einem zusätzlichen 2 Minuten langen Waschen mit Wasser bei Raumtemperatur wurde die
Platte während 5 Minuten in eine wäßrige Lösung getaucht, die Salzsäure und Oxalsäure enthielt (eine
Mischung aus 10 ml 36%lger HCl-LOsung und 10 g Oxalsäure wurde so weit mit Wasser verdünnt, daß sich eine
Gesamtlösungsmenge von 1 1 ergab), und weiter wurde die Platte während 2 Minuten mit Wasser gewaschen.
Die auf diese Welse behandelte Platte wurde bei 80° C
während 30 Minuten getrocknet, und dann wurde ein Maskierungsmittel der folgenden Zusammensetzung
durch Siebdruck auf den Teil aufgebracht, der für die
Ausbildung der Leiterschaltung bzw. der gedruckten Schaltung nicht erforderlich war bzw. der von der
gedruckten Schaltung frei bleiben sollte.
Zusammensetzung des Maskierungsmittels
Bisphenol A-Diglycidyläther mit . 65 Teile
einem Epoxyäquivalent von 185 bis 192
Bisphenol Α-Diglycldyläther mit 35 Teile
Bisphenol Α-Diglycldyläther mit 35 Teile
einem Epoxyäquivalent von 2000 bis 25 000
| Polyvinylbutyralharz | 25 | Teile | Viskosität | hat. |
| Siliciumoxid | 40 | Teile | von 200 cps bei 20° C | |
| Zirkon | 40 | Teile | ||
| Phthalocyaningrün | 2 | Teile | ||
| Dicyandiamid | 5 | Teile | ||
| Ν,Ν,Ν,Ν'-Tetramethylbutadienamin | 1,1 | I Teile | ||
| Sarcosin-n-oleat | 1 | Teil | ||
| Diäthylenglykolmonobutyläther | 40 | Teile | ||
| Glykolmonomethyläther eine Menge, die | ausreicht. | |||
| damit die gesamte Zusam | ||||
| mensetzung eine |
Dann wurde die Piallc während ! Stunde bei Raumtemperatur
trocknen gelassen, daraufhin «vurde sie zur Härtung des Maskierungsharzes bei 130° C während 40
Minuten erhitzt. Nach dem Kühlen wurde die Seite der Platte, auf die das Haftmittel nicht aufgebracht worden
war, ebenfalls durch Siebdruck mit Harz der erwähnten Zusammensetzung versehen, und nach einem Stehen in
atmosphärischer Luft während 1 Stunde wurde die Platte bei 1600C während 1 Stunde warmgehärte?. Wiederum
nach Kühlen wurde die Platte bei Raumtemperatur während 5 Minuten in eine Behandlungslosung getaucht, die
durch Auflösen von 2 g eines Tensids auf der Basis von
Phosphorsäureester in Wasser so, daß die Gesamtmenge 1 I betrug, hergestellt worden war.
Dann wurde diese Platte mit Wasser gewaschen und in eine Kupfermetallisierungslosung für stromloses Metallisieren
getaucht, bis sie die nachfolgende Zusammensetzung hatte, und zwar bei 72° C während 8 Stunden, so
daß sich Kupfer mit einer Dicke von 28 um nur auf dem erforderlichen Teil ausschied, so daß dadurch eine einseitige,
mit Durchgangslöchern versehene gedruckte Schaltungsplatte hergestellt wurde.
Zusammensetzung der Kupfermetallisierungslösung
CuSO< · 5H2O
Äthylendiamintetraessigsäure
37%ige Formaldehydlösung
Polyäthylenglykol
37%ige Formaldehydlösung
Polyäthylenglykol
(mittleres Molekulargewicht 600)
2,2'-Dipyrldyl
2,2'-Dipyrldyl
NaOH in einer Menge, die erforder
lich war, den pH-Wgrt auf 12,4 (bei 20° C) einzustellen
Wasser . In einer Menge, die erforder
lich war, die Gesamtmenge auf 11 zu bringen
Das stromlose Metallisieren wurde unter Verwendung der erwähnten Kupfermetallisierungslösung in der oben
J0 beschriebenen Weise fünfmal wiederholt. Die mittlere
Kupferausbeute In den fünf Wiederholungen des Metallisierungsvorgangs war über 92%.
Es wurde das gleiche Verfahren wie in Beispie! 1 wiederholt,
jedoch mit der Abwandlung, daß eine Behand-Iungslösung, die ein auf einem gexadkettlgen Alkylbenzol
basierendes Tensid und ein auf einem höheren Alkohol basierendes antonisches Tensid anstelle des auf Phosphorsäureester
basierenden Tensi^s zur Herstellung einer einseitigen, mit Durchgangslöchen versehenen bedruckten
Schaitungsplatte verwendet wurde. Die Kupferausbeute betrug 90%.
Vergleichsbeispiel 1
Das Verfahren des Beispiels 1 wurde wiederholt, jedoch mit Ausnahme der Alkalibehandlung und der
Behandlung mit einem Tensid, um eine einseitige, mit Durchgangslöchern versehene, gedruckte Schaitungsplatte herzustellen. Die Kupferausbeute betrug 45%.
Vergleichsbeispiel 2
Eine einseitige, mit Durchgangslöchern versehene, gedruckte Schaitungsplatte wurde in der gleichen Weise
wie im Beispiel 1 hergestellt, jedoch mit der Abwandlung, daß keine Alkalibehandlung durchgeführt wurde.
Die Kupferausbeute betrug 64%.
Vergleichsbeispiel 3
Eine einseitige, mit Durchgangslöchern versehene, gedruckte Schaitungsplatte wurde in der gleichen Welse
wie im Beispiel 1 hergestellt, jedoch mit der Abwandlung, daß keine Behandlung mit einem Tensid ausgeführt
wurde. Die Kupferausbeute betrug 43%.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, kann durch die Aufnahme einer Behandlung mit einer
wäßrigen Alkalllösung nach dem Aufrauhen und einer Behandlung mit einem Tensid nach dem Maskleren In
dem Verfahren nach der Erfindung die Kupferausbeute verbessert und außerdem eine Stabilisierung des Metallisierungsbads
bewirkt werden.
Claims (7)
- ■ t'·' ' Patentansprüche: - ■·"' · .L Verfahren zur Vorbehandlung von mit' Haftschichten versehenen Isolatorplatten vor der stromlosen Verküpferungi das bei der Herstellung' von gedruckten Schaltungen -eingesetzt' werden . kann, durch Aufrauhen der Oberflache der Haftschicht der Isolatorplatte, Aufbringen eines Katalysators; Maskieren der Plattenoberfläche und Ausbilden einer Schaltung auf der Platte durch stromloses' Metallisieren, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgerauhte Haftschicht mit einer Wäßrigen Alkalilösung vor dem Abscheiden des Katalysators behandelt und die Isolierende maskierte Platte mit einer tensidhaltigen wäßrigen Lösung vor dem stromlosen Metallisieren behandelt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine wäßrige Lösung eines Alkalihydroxids, Ammoniak oder Amins verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine wäßrige Natriumhydroxid-'oder Kaliumhydroxidlösung verwendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgerauhte Haftschichtoberflache durch Eintauchen in eine wäßrige Alkalilösung mit einem pH-Wert oberhalb 11 bei Raumtemperatur während 2 bis tO Minuten behandelt wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine wäßrige Lösung eines nichtionischen, anionischen oder kationischen Tensids verwendet wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine wäßrige Lösung eines Polyäthylenglykolalkyläthers, eines Polyäthylenglykolphosphorsäureesters, eines Polyäthylenglykolalkylphenoläthers, eines Fettsäuresalzes oder eines Alkylbenzolsulfonats verwendet wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch S oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß in die Tensidlösung bei Raumtemperatur während 1 bis 10 Minuten eingetaucht wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55120636A JPS605079B2 (ja) | 1980-09-02 | 1980-09-02 | プリント基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3134502A1 DE3134502A1 (de) | 1982-04-15 |
| DE3134502C2 true DE3134502C2 (de) | 1983-12-15 |
Family
ID=14791118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3134502A Expired DE3134502C2 (de) | 1980-09-02 | 1981-09-01 | Verfahren zur Vorbehandlung von mit Haftschichten versehenen Isolatorplatten vor der stromlosen Verkupferung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4378384A (de) |
| JP (1) | JPS605079B2 (de) |
| DE (1) | DE3134502C2 (de) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0074605B1 (de) * | 1981-09-11 | 1990-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum Herstellen eines Substrats für Multischichtschaltung |
| US4555414A (en) * | 1983-04-15 | 1985-11-26 | Polyonics Corporation | Process for producing composite product having patterned metal layer |
| US4685203A (en) * | 1983-09-13 | 1987-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same |
| US4610895A (en) * | 1984-02-01 | 1986-09-09 | Shipley Company Inc. | Process for metallizing plastics |
| US4592929A (en) * | 1984-02-01 | 1986-06-03 | Shipley Company Inc. | Process for metallizing plastics |
| US4639380A (en) * | 1985-05-06 | 1987-01-27 | International Business Machines Corporation | Process for preparing a substrate for subsequent electroless deposition of a metal |
| US5169680A (en) * | 1987-05-07 | 1992-12-08 | Intel Corporation | Electroless deposition for IC fabrication |
| KR960000980B1 (ko) * | 1990-03-27 | 1996-01-15 | 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 | 무전해도금용 기재 접착제, 이 접착제를 사용한 프린트 회로판 및 이의 용도 |
| US6268016B1 (en) | 1996-06-28 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Manufacturing computer systems with fine line circuitized substrates |
| US6054173A (en) | 1997-08-22 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Copper electroless deposition on a titanium-containing surface |
| US6207265B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-03-27 | Illinois Tool Works Inc. | Non-ionic circuit board masking agent |
| KR20130006139A (ko) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN108712832A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-10-26 | 四川海英电子科技有限公司 | 一种电路板导电膜施镀工艺 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT310285B (de) * | 1966-02-22 | 1973-09-25 | Photocircuits Corp | Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers für gedruckte Schaltungen |
| US3560241A (en) * | 1968-03-06 | 1971-02-02 | Ibm | Method of metallizing a polysulfone body |
| US3620804A (en) * | 1969-01-22 | 1971-11-16 | Borg Warner | Metal plating of thermoplastics |
| JPS50112231A (de) * | 1974-02-15 | 1975-09-03 | ||
| US3982045A (en) * | 1974-10-11 | 1976-09-21 | Macdermid Incorporated | Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask |
| JPS5627594B2 (de) * | 1975-03-14 | 1981-06-25 | ||
| SU638631A1 (ru) * | 1977-04-12 | 1978-12-25 | Предприятие П/Я М-5769 | Способ металлизации диэлектрика |
| GB1588475A (en) * | 1977-05-14 | 1981-04-23 | Hitachi Chemical Co Ltd | Method of adhesion between insulating substrates and metal deposits electrolessly plated thereon and method of making additive printed circuit boards |
| US4211564A (en) * | 1978-05-09 | 1980-07-08 | Hitachi, Ltd. | Chemical copper plating solution |
| JPS588597B2 (ja) * | 1978-08-07 | 1983-02-16 | 株式会社日立製作所 | プリント回路板の製造方法 |
-
1980
- 1980-09-02 JP JP55120636A patent/JPS605079B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-08-31 US US06/297,565 patent/US4378384A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-09-01 DE DE3134502A patent/DE3134502C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4378384A (en) | 1983-03-29 |
| JPS5745294A (en) | 1982-03-15 |
| JPS605079B2 (ja) | 1985-02-08 |
| DE3134502A1 (de) | 1982-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2238002C3 (de) | Verfahren zur additiven Herstellung von aus Metallabscheidungen bestehenden Mustern | |
| DE3134502C2 (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von mit Haftschichten versehenen Isolatorplatten vor der stromlosen Verkupferung | |
| DE69534804T2 (de) | Beschichtung von Kupfer | |
| DE3538652C2 (de) | ||
| DE3505579C2 (de) | ||
| DE2854385C2 (de) | Gedruckte Schaltung | |
| DE3047287C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung | |
| DE2821303A1 (de) | Verfahren zur verbesserung der haftung der oberflaeche eines isolierenden substrats | |
| DE2265194A1 (de) | Verfahren zur vorbehandlung fuer das metallisieren von kunststoffen | |
| DE2166971B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Leiterplatten | |
| EP0154909A2 (de) | Verfahren und Schichtmaterial zur Herstellung durchkontaktierter elektrischer Leiterplatten | |
| EP0060805B1 (de) | Herstellverfahren für und nach diesem Verfahren hergestellte Leiterplatten | |
| DE3140082C2 (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
| DE3800890C2 (de) | ||
| DE2635457A1 (de) | Katalytischer lack zur herstellung von gedruckten schaltungen | |
| DE2362382A1 (de) | Schutzfilm fuer aktivierte kunstharzoberflaechen von zu metallisierenden koerpern und verfahren zu deren herstellung | |
| DE1665374B1 (de) | Basismaterial aus isolierstoff zum herstellen gedruckter leiterplatten | |
| DE69730288T2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Leiterplatten mit galvanisierten Widerständen | |
| CH588940A5 (de) | ||
| DE69027530T2 (de) | Verfahren zur erhöhung des isolationswiderstandes von leiterplatten | |
| DE1665314C2 (de) | Basismaterial zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
| DE1926669B2 (de) | Verfahren zur herstellung elektrisch leitender metallmuster | |
| CH658157A5 (de) | Verfahren zum herstellen von leiterplatten mit mindestens zwei leiterzugebenen. | |
| DE2161829B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte | |
| DE2107618A1 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: C23C 3/02 |
|
| 8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: H05K 3/38 |
|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: VON FUENER, A., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. EBBINGHAUS |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |