DE3131987A1 - "verfahren zum herstellen einer spannungsarmen ausnehmung sowie eines gebietes eines leitungstyps in einem halbleiterkoerper und von mehreren halbleitervorrichtungen auf einem halbleiterkoerper" - Google Patents

"verfahren zum herstellen einer spannungsarmen ausnehmung sowie eines gebietes eines leitungstyps in einem halbleiterkoerper und von mehreren halbleitervorrichtungen auf einem halbleiterkoerper"

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3334095A1 (de) * 1983-09-21 1985-04-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche
DE102004030573A1 (de) * 2004-06-24 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4454647A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
US4454646A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
US4528065A (en) * 1982-11-24 1985-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and its manufacturing method
FR2538616B1 (fr) * 1982-12-28 1986-01-24 Thomson Csf Procede de fabrication collective de diodes hyperfrequence avec encapsulation incorporee et diodes ainsi obtenues
US4456501A (en) * 1983-12-22 1984-06-26 Advanced Micro Devices, Inc. Process for dislocation-free slot isolations in device fabrication
US4569701A (en) * 1984-04-05 1986-02-11 At&T Bell Laboratories Technique for doping from a polysilicon transfer layer
US4604161A (en) * 1985-05-02 1986-08-05 Xerox Corporation Method of fabricating image sensor arrays
US4978418A (en) * 1988-08-18 1990-12-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Controlled ion implant damage profile for etching
JP2956097B2 (ja) * 1989-12-13 1999-10-04 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JPH03117312U (enExample) * 1990-03-12 1991-12-04
DE4427515C1 (de) * 1994-08-03 1995-08-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung
US5691248A (en) * 1995-07-26 1997-11-25 International Business Machines Corporation Methods for precise definition of integrated circuit chip edges
DE19710375C2 (de) * 1997-03-13 2002-11-07 Micronas Semiconductor Holding Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen
US5994230A (en) * 1997-12-16 1999-11-30 Opto Power Corp Method for cold cleaving of laser wafers into bars
JP2000058802A (ja) 1998-01-13 2000-02-25 Stmicroelectronics Srl Soiウェハの製造方法
EP0948034B1 (en) * 1998-04-03 2005-01-05 STMicroelectronics S.r.l. A method for manufacturing an SOI wafer
EP0957515A1 (en) 1998-05-15 1999-11-17 STMicroelectronics S.r.l. Method for manufacturing an SOI wafer
US6664503B1 (en) 1999-09-07 2003-12-16 Asahi Glass Company, Ltd. Method for manufacturing a magnetic disk
US6391213B1 (en) * 1999-09-07 2002-05-21 Komag, Inc. Texturing of a landing zone on glass-based substrates by a chemical etching process
US6482330B1 (en) * 1999-10-01 2002-11-19 Komag, Inc. Method for manufacturing a data storage card
JP2001267555A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6642127B2 (en) * 2001-10-19 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dicing a semiconductor wafer
NL1019613C2 (nl) * 2001-12-19 2003-06-20 Micronit Microfluidics Bv Werkwijze voor het verdelen van een substraat in een aantal individuele chipdelen.
JP4579489B2 (ja) * 2002-09-02 2010-11-10 新光電気工業株式会社 半導体チップ製造方法及び半導体チップ
US6897128B2 (en) * 2002-11-20 2005-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device, plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4554901B2 (ja) * 2003-08-12 2010-09-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US7008861B2 (en) * 2003-12-11 2006-03-07 Cree, Inc. Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same
US20050244600A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 Wycech Joseph S Method and apparatus for forming a finished article of manufacture and a finished article of manufacture made by a new and novel process
JP4480182B2 (ja) * 2007-09-06 2010-06-16 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド用基板及びインクジェット記録ヘッドの製造方法
CN102113100A (zh) * 2008-08-07 2011-06-29 株式会社藤仓 半导体装置的制造方法
JP5508533B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-04 浜松ホトニクス株式会社 光吸収基板の製造方法、及びそれを製造するための成形型の製造方法
JP5530522B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5693074B2 (ja) * 2010-07-26 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8703517B2 (en) * 2010-10-29 2014-04-22 Denso Corporation Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including Removing a Reformed Layer
JP5263261B2 (ja) * 2010-10-29 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US8637967B2 (en) 2010-11-15 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Method for fabricating a semiconductor chip and semiconductor chip
US20160148875A1 (en) * 2013-08-08 2016-05-26 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor element substrate, and method for producing same
US8883648B1 (en) * 2013-09-09 2014-11-11 United Microelectronics Corp. Manufacturing method of semiconductor structure
JP6838893B2 (ja) * 2016-08-25 2021-03-03 キヤノン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2018042208A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社ディスコ 表面弾性波デバイスチップの製造方法
JP2024035335A (ja) * 2022-09-02 2024-03-14 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2721086A1 (de) * 1976-05-14 1977-12-01 Int Plasma Corp Verfahren zum abaetzen einer siliziumdioxidschicht von einer unterlage
DE2737686A1 (de) * 1976-09-03 1978-03-09 Philips Nv Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
US4137100A (en) * 1977-10-26 1979-01-30 Western Electric Company Forming isolation and device regions due to enhanced diffusion of impurities in semiconductor material by laser

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586547A (en) * 1969-03-18 1971-06-22 Us Army Method of producing a silicon avalanche diode
US3615956A (en) * 1969-03-27 1971-10-26 Signetics Corp Gas plasma vapor etching process
US3579815A (en) * 1969-08-20 1971-05-25 Gen Electric Process for wafer fabrication of high blocking voltage silicon elements
US3795557A (en) * 1972-05-12 1974-03-05 Lfe Corp Process and material for manufacturing semiconductor devices
US3852876A (en) * 1973-01-02 1974-12-10 Gen Electric High voltage power transistor and method for making
US3970819A (en) * 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US3962052A (en) * 1975-04-14 1976-06-08 International Business Machines Corporation Process for forming apertures in silicon bodies
DD136670A1 (de) * 1976-02-04 1979-07-18 Rudolf Sacher Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterstrukturen
JPS586951B2 (ja) * 1977-09-28 1983-02-07 松下電器産業株式会社 電子回路装置
JPS5467773A (en) * 1977-11-09 1979-05-31 Seiko Instr & Electronics Ltd Production of semiconductor device
JPS5490032A (en) * 1977-12-28 1979-07-17 Mitsubishi Electric Corp Plasma etching method
US4256514A (en) * 1978-11-03 1981-03-17 International Business Machines Corporation Method for forming a narrow dimensioned region on a body
JPS5575232A (en) * 1978-12-01 1980-06-06 Toshiba Corp Separating method of semiconductor element
US4257827A (en) * 1979-11-13 1981-03-24 International Business Machines Corporation High efficiency gettering in silicon through localized superheated melt formation
JPS5671937A (en) * 1979-11-19 1981-06-15 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Manufacture of semiconductor device
US4274909A (en) * 1980-03-17 1981-06-23 International Business Machines Corporation Method for forming ultra fine deep dielectric isolation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2721086A1 (de) * 1976-05-14 1977-12-01 Int Plasma Corp Verfahren zum abaetzen einer siliziumdioxidschicht von einer unterlage
DE2737686A1 (de) * 1976-09-03 1978-03-09 Philips Nv Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
US4137100A (en) * 1977-10-26 1979-01-30 Western Electric Company Forming isolation and device regions due to enhanced diffusion of impurities in semiconductor material by laser

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Philips techn. Rdsch.", Bd. 38, Nr. 7/8, 1979, S. 203-214 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3334095A1 (de) * 1983-09-21 1985-04-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche
DE102004030573A1 (de) * 2004-06-24 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
DE102004030573B4 (de) * 2004-06-24 2009-01-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
US7485550B2 (en) 2004-06-24 2009-02-03 Infineon Technologies Ag Method for producing semiconductor elements

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Publication number Publication date
FR2489041B1 (enExample) 1984-03-16
JPH0210576B2 (enExample) 1990-03-08
FR2489041A1 (fr) 1982-02-26
JPS5789225A (en) 1982-06-03
US4325182A (en) 1982-04-20

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