DE3110287A1

DE3110287A1 - Druckgeraet mit scharfeinstelldetektor

Info

Publication number: DE3110287A1
Application number: DE19813110287
Authority: DE
Inventors: Suzuki Tokyo Akiyoshi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1980-03-18
Filing date: 1981-03-17
Publication date: 1982-03-18
Also published as: JPH028297B2; DE3110287C2; JPS56130707A; US4395117A

Description

Druckgerät mit Scharfeinstelldetektor

Die Erfindung bezieht sich auf ein Druckgerät und insbesondere auf ein Druckgerät vom sog. Projektionstyp, das zur Bildung eines Maskenbildes auf einem Wafer ein 0 optisches Abbildungssystem benutzt.

Bisher sind als Druckgeräte vom Projektionstyp, Druckgeräte mit Einmalbelichtung, bei denen die gesamte Fläche einer Maske als Einheit auf ein Wafer belichtet wird, Druckgeräte vom Abtasttyp, bei denen ein gutes Bild (gewöhnlich ein bogenförmiger Schlitz) eines Teils einer Maske auf ein Wafer projiziert wird und die Maske und das Wafer kontinuierlich in senkrechter Richtung relativ zu der optischen Achse des Abbildungssystems bewegt werden, wodurch das gesamte Bild der Maske auf das Wafer belichtet wird, sowie Schritt- und Wiederhol-Druckgeräte bekannt, bei denen das Bild einer Maske, auf der ein gewöhnlich einem Chip entsprechendes Schaltungsmuster aufgezeichnet ist, auf einem Wafer mittels eines optischen Verkleinerungs-Projektionssystems gebildet wird, und das Wafer schrittweise relativ zu der Maske und dem optischen Abbildungssystem bewegt wird, wobei die Belichtung während jeder Be-

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- tf- Λ DE 1096

wegung des Wafers durchgeführt wird. Als optische Abbildungssysteme sind sowohl solche bekannt, die ein Beugungssystem (ein sog. Linsensystem) verwenden, als auch solche, die ein Reflexionssystem (ein sog. Spiegel-Abbildungssystem) verwenden.

Bei diesen Druckgeräten vom Projektionstyp bewirkt jede Veränderung des Abstandes zwischen der Maske und dem Wafer, die von irgendeiner Änderung in der Raumtemperatur, der Nicht-Ebenheit des Wafers, die sich aufgrund einer Verbiegung des Wafers ergibt, etc. herrührt, eine Unscharfe des Maskenbildes auf dem Wafer. Aus diesem Grunde ist es bislang praktiziert worden, den Abstand zwischen der Maske und dem Wafer mittels eines Luftsensors zu messen und entweder die Maske oder das Wafer in Richtung der optischen Achse auf der Grundlage des gemessenen Wertes zu bewegen, um hierdurch den Abstand konstant zu halten.

Eine Unscharfe des Maskenbildes auf dem Wafer rührt jedoch nicht nur von irgendwelchen Änderungen des Abstandes zwischen der Maske und dem Wafer, sondern auch von irgendwelchen Änderungen der optischen Charakteristik

des optischen Abbildungssystems her, welche wiederum aus nc

einer Ausdehnung oder einem Zusammenziehen der Fassung des optischen Abbildungssystems aufgrund irgendeiner Änderung der Raumtemperatur resultiert. Die Messung einer derartigen Unscharfe kann nicht unter Verwendung des Luftsensors

durchgeführt werden.
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Der einzig mögliche Weg die Unscharfe des Maskenbildes, die durch eine Fluktuation der optischen Charakteristik verursacht wird, zu messen, ist, die Maske und das Waferbild gleichzeitig mittels eines Mikroskops zu beobachten und den Abbildungszustand zu erfassen.

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Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Druckgerät mit einem Scharfeinstelldetektor zu schaffen, der auch die Unscharfe des Maskenbildes, die durch irgendeine Änderung der optischen Charakteristik des optischen Abbildungssystems verursacht wird, zu messen in der Lage ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Messung des Abstandes zwischen der Maske und dem Wafer mit einem in das optische Abbildungssystem aufge-]0 nommenen Teil durchgeführt wird.

Der Abstand zwischen der Maske und dem Wafer, in dem sich das optische Abbildungssystem befindet, wird im folgenden als der optische Abstand bezeichnet. 15

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 und 2 das Prinzip des Scharfeinstell-

Meßsystems, das bei dem erfindungsgemäßen Druckgerät anwendbar ist,

Fig. 3 die optische Anordnung des erfindungsgemäßen Druckgeräts,

Fig. 4 das optische Pupillen-Aufteilsystem gemäß Fig. 3,

Fig. 5 die Oberfläche eines Wafers, und

Fig. 6 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung.

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Die Fig. 1 und 2 erläutern das Prinzip des Scharfeinstell-Meßmechanismus des erfindungsgemäßen Druckgeräts. In den Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein Abbildungsobjektiv. Licht von dem Objektpunkt auf der r optischen Achse des Objektivs 1 wird auf den Schnittpunkt A zwischen einer Bildebene P und der optischen Achse abgebildet. Der durch den Abbildungslichtfluß am Punkt A gebildete Winkel ist _+ O₁ , wenn die numerische Apertur NA des Objektivs 1 sinö·] ist. Die erfindungsgemäße Meß-

IQ methode ist darauf gerichtet, den Abbildungslichtfluß mit einer "Breite" 2G₁ in mehrere Lichtflüsse aufzuteilen und die Scharfeinstellposition mittels der Verwendung eines oder mehrerer der Teillichtflüsse zu messen. Die folgende Beschreibung erfolgt exemplarisch unter Verwendung von zwei Teillichtflüssen, von denen jeder, wie in Fig. 1 gezeigt, eine Breite άθ hat. Wie in dem Querschnitt gezeigt ist, ist der Winkel, der durch den Mittelpunkt dieser dünnen Lichtflüsse mit der Breite d<3 mit der optischen Achse gebildet wird, ©„. Diese zwei Lichtflüsse bilden Abbildungsflecke am Schnittpunkt zwischen der AbbiIdungsebene und der optischen Achse. Die beiden Lichtflüsse sind im nichtfokussierten Zustand auf einer Ebene Q, die einen Abstand d von der Ebene P hat. Die Stellen, an denen die beiden Lichtflüsse die Ebene Q schneiden, sind unterschiedliche Stellen, die symmetrisch zu der optischen Achse sind. Folglich ist es durch Messung, ob die beiden Lichtflüsse miteinander koinzident oder ob sie nicht koinzident sind, möglich, den Abbildungszustand der Lichtflüsse zu unterscheiden. Der Abbildungszustand kann auch dadurch unterschieden werden, daß lediglich ein Lichtfluß verwendet und entschieden wird, ob die Stelle, an der der Lichtfluß die Ebene schneidet, auf der optischen Achse liegt oder ob dies nicht der Fall ist.

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Ferner ist der Abstand zwischen der Stelle, an der der Lichtfluß die Ebene schneidet und der optischen Achse gegeben durch

1 = dtane₂-

Durch Messen dieses Abstandes 1 kann der Abstand d zwischen den Ebenen Q und P erhalten werden. Somit ist es möglich, die Ebene Q mittels des erhaltenen Abstandes 1 zu korrigieren.

Fig. 2 zeigt das Prinzip für die Messung des optischen Abstandes zwischen einer Maske 2 und einem Wafer 3.

Zwei Teillichtstrahlen (Lichtflüsse) 4 und 5 von dem Schnittpunkt 0 zwischen der optischen Achse des optischen Abbildungssystems 1 und der Maske 2 überlappen einander an dem Schnittpunkt A der Scharfeinstellebene P und der optischen Achse. Die beiden überlappten Lichtflüsse werden regulär durch das Wafer reflektiert und der reflektierte Lichtfluß 4 bewegt sich längs des Weges des Lichtflusses 5 zurück, während der Lichtfluß 5 sich längs des Weges des Lichtflusses 4 zurückbewegt. Die beiden Lichtflüsse überlappen einander am Punkt 0. Im folgenden wird angenommen, daß das Wafer 3 auf einer Ebene Q angeordnet ist, die einen Abstand d von der Scharfeinstellebene P hat, wobei die Maske 2 und das Objektiv 1 fest verbleiben. Der Lichtfluß 4 wird durch das Wafer auf

^ou der Ebene Q, wie angezeigt, zu 4' reflektiert. In gleicher Weise wird der Lichtfluß 5 wie angezeigt zu 5' reflektiert. Die reflektierten Lichtflüsse 4' und 5' breiten sich in Richtung auf das Objektiv 1 -aus, als'wenn sie von einer Ebene P' kommen würden, die einen Abstand d von der Ebene P hat, und überlappen einander an einem Punkt O¹ auf der optischen Achse, der einen Abstand 2ß²d von dem Punkt 0

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hat. Die beiden reflektierten Lichtflüsse 4' und 5'

schneiden dann die Maske an Stellen, die jeweils einen Abstand L von der optischen Achse haben. Die Beobachtung des überlappzustandes der beiden Lichtflüsse kann dadurch c durchgeführt werden, daß ein Verfahren zur Beobachtung der Lichtflüsse mittels eines zwischen dem Wafer 3 und dem optischen Abbildungssystem 1 angeordneten halbdurchlässigen Spiegel, ein Verfahren zur Beobachtung der Lichtflüsse mittels eines zwischen der Maske 2 und dem Abbildungs-

IQ system 1 angeordneten halbdurchlässigen Spiegels oder ein Verfahren zur Beobachtung der Lichtflüsse durch die Maske 2 verwendet wird. Die letztgenannte Methode ist unter dem Gesichtspunkt der Lichtmenge die am meisten zu bevorzugende. Im Falle eines Druckgerätes, das das Abbildungsobjektiv 1 zur Bildung eines reduzierten Maskenbildes verwendet, sind das zweite und das dritte Verfahren vorzuziehen, da die Größe der Abweichung zwischen den 'meiden Lichtflüssen durch die Vergrößerung der Abbildungslinse 1 vergrößert wird. Nimmt man an, daß dünne Abbil- dungslichtflüsse verwendet werden, deren Breite ^θ₂ auf der Waferseite ist, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, so wird die Abweichung L auf der Maskenoberfläche ausgedrückt als

Die Größe L ist die zu messende Größe. Wenn beispielsweise tanö₂ =1/4,

ß = 10 und d =* 1 μΐη ist, dann erhält man eine Größe von

L = 5 μια,
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die zu messende Größe ist 2L; damit kann eine Abweichung von 10 um auf der Maskenoberfläche gemessen werden. Dies

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ist, wenn auf einem vergrößerten Maßstab abgebildet wird, eine Größe, die leicht mittels eines Bildsensors oder eines Positionsbestimmungselements gemessen werden kann.

In der Beschreibung der Fig. 1 und 2 sind die beiden Lichtflüsse so ausgebildet, daß sie auf die Waferoberfläche aus symmetrischen Richtungen in bezug auf die optische Achse auftreffen und die Meßebene in die Nachbar-. schaft des Schnittpunktes zwischen der optischen Achse und dem Wafer eingestellt ist, wobei die Meßebene von dieser Position beabstandet sein kann. In diesem Fall jedoch muß das von der Waferoberfläche regulär reflektierte Licht auf das Objektiv 1 umgekehrt einfallen; deshalb sind der Einfallswinkel des Meßlichtes und die Position der Meßebene beschränkt. Um diese Beschränkungen in einem gewissen Ausmaß zu beseitigen, sollte wünschenswerterweise ein telezentrisches Objektiv als Abbildungsobjektiv verwendet werden. In diesem Fall muß das telezentrische Objektiv nicht immer ein beidseitiges telezentrisches Objektiv sein, sondern es kann auch ein einseitiges telezentrisches Objektiv sein. Fig. 3 zeigt die optische Anordnung eines Druckgeräts, bei dem ein beidseitiges telezentrisches Verkleinerungs-Pro j ektionsob j ektiv verwendet wird und das eine Scharfeinstellbestimmungseinrichtung vom"Zwei-Flußtyp"zur Bestimmung der Größe der Abweichung zwischen zwei Lichtflüssen durch eine Maske hat.

Mit 1 ist ein beidseitiges telezentrisches Verkleinerungsobjektiv bezeichnet. Mit 2 ist eine Maske bezeichnet, die von einem festen Maskenträger 6 getragen wird. Mit 7 ist ein Waferträger bezeichnet, der in Richtungen x, y und Q mittels eines Antriebsmotors 8 bewegbar ist. Mit 7¹ ist ein Meßlichtgenerator bezeichnet, der zwei Lichtflüsse 4 und 5 erzeugt, die einen symmetrischen Winkel miteinander in bezug auf die optischen Achsen der Linsen 8 und 9 bilden.

- Μ""— ήθ - DE 1096

Beispiele für den Generator 7' sind in den Fig. 4 gezeigt. In Fig. 4A bezeichnet das Bezugszeichen 10 eine Lichtquelle, 11 ein Objektiv zur Bildung des Bildes der Lichtquelle auf der Oberfläche einer Zweiöffnungs-Maske 12, 13 eine planparellele Platte, die in Pfeilrichtung drehbar ist, damit das gebildete Bild der Lichtquelle vibriert, und das Bezugszeichen 14 eine Linse zur erneuten Abbildung des Bildes der Punktlichtquelle auf der Oberfläche einer Maske mit einer Öffnung.

Durch Drehen der planparallelen Platte wird das Bild der Punktlichtquelle alternierend in den Öffnungen der Zweiöffnungs-Maske 12 gebildet. Das Punktlichtquellenbild wird durch die Linse 14 erneut abgebildet, wodurch die beiden Meßlichtstrahlen 4 und 5 mit Neigungen in bezug auf die optische Achse erhalten werden. Fig. 4B zeigt ein Beispiel, das eine Faser mit zwei Austrittsflächen verwendet. Die Lichtquelle 10 wird auf die Eintrittsfläche der Faser 16 durch die Linse 11 abgebildet. Das Licht tritt aus den zwei Austrittsflächen der Faser 16 aus. Diese Lichtstrahlen werden auf eine Maske 15 mit einer Öffnung durch die Linse 14 gerichtet. Die Maske mit einer Öffnung ist in der Brennebene der Linse 14 angeordnet. Folglich kreuzen die Lichtstrahlen, die aus den entsprechenden Öffnungen ausgetreten sind, einander in der Öffnung der Maske 15. Somit werden zwei Meßlichtstrahlen erhalten. Wenn Meßlichtstrahlen, die sich in der Zeitabfolge unterscheiden, wie sie mittels des in Fig. 4A gezeigten Generators erhalten werden, mittels des Generators gemäß Fig. 4B erhalten werden sollen, kann

° eine Lichtunterbrechungsplatte 17, die in Pfeilrichtung bewegbar ist, auf den Austrittsoberflächen der Faser 16 angeordnet werden.

Die folgende Beschreibung soll wieder in Verbindung 35

mit Fig. 3 erfolgen. B ist ein Punkt, an dem die Meßlicht-

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strahlen 4 und 5 von dem Meßlichtgenerator 7 einander auf der optischen Achse schneiden. Dieser Punkt ist konjugiert zu dem Punkt O auf der Maske 2 in bezug auf die Linsen 8, 9. Folglich erscheinen die Meßlichtstrahlen 4 und 5 so, als wenn sie von dem Punkt 0 auf der Maske austreten würden. Somit schafft der Punkt O einen Referenzpunkt zur Messung des optischen Abstandes zwischen der Maske 2 und dem Wafer 3.

jO Meßlichtstrahlen 4 und 5, die aus dem Punkt 0

ausgetreten sind, treten in das Projektionsobjektiv 1 ein und bewegen sich dann in Richtung auf das Wafer 3. In Fig. 5 ist die Positionsbeziehung zwischen dem Wafer 3 und diesen Meßlichtstrahlen gezeigt. Wie aus Fig. 5 offensichtlich ist, werden die Meßlichtstrahlen zu den Abschnitten 19 ohne Schaltung außerhalb eines Abschnittes 18 gerichtet, in dem das Schaltungsmuster der Maske 2 gebildet ist. Somit kann Licht derselben Wellenlänge wie das Drucklicht als Meß licht verwendet werden, wodurch das Problem der chromatischen Aberration des Objektivs 1 beseitigt ist.

Die Meßlichtstrahlen 4 und 5, die auf das Wafer 3 aufgetroffen sind, bewegen sich wieder hin zu der Maske 2, wie bereits in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben.

Wenn das System scharfgestellt ist, sind die Meßlichtstrahlen 4 und 5 miteinander koinzident auf der Maskenoberfläche; wenn das System nicht scharfgestellt ist, sind die Meßlichtstrahlen nicht miteinander koinzident.

Diese Koinzidenz bzw. Nichtkoinzidenz kann mittels eines optischen Beobachtungssystems oder einem optischen Abweichungsmeß- und Lesesystems gemessen werden, das auf

der Maskenseite angeordnet ist.
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Im folgenden soll das optische Beobachtungssystem beschrieben werden.

Die Meßlichtstrahlen von der Maske werden durch die Linse 9, den halbdurchlässigen Spiegel 20, die Linse 21 und den halbdurchlässigen Spiegel 22 hin zu dem Beobachtungssystem gerichtet. Eine Feldlinse 23 ist in einer mit der Maske 2 in bezug auf die Linsen 9 und 21 konjugierten Ebene angeordnet. Die Zustandsbilder der Meßlichtstrahlen 4 und 5, die auf dieser Feldlinse abgebildet werden, können mittels eines Mikroskops 24 beobachtet werden.

Das optische Abweichungsmeß- und Lesesystem weist eine Photosensor-Anordnung 25, beispielsweise einen CCD, auf, die in der Maskenbildebene der Linsen 9 und 21 angeordnet ist. Die Größe der Abweichung L, die in Fig. 2 gezeigt ist, wird mittels dieser Photosensor-Anordnung 25 gelesen. Durch Verwendung der gelesenen Größe der Abweichung L und der vorstehend erläuterten Gleichung

^ζυ kann der "Unscharfe"-Abstand d erhalten werden und der Waferträger 7 wird automatisch in Richtung der optischen Achse bewegt. Ob der Unscharfe-Abstand d ^¹⁶ Richtung auf das Objektiv 1 hin oder die entgegengesetzte Richtung hat, kann durch Messen der Phase in einem Fall entschieden

werden, in dem der das Meßlicht emittierende Meßlichtgenerator verwendet wird.

In dem optischen System gemäß Fig. 3 sind die

Oberflächen 12, 17 des Meßlichtgenerators und die Pupillen-

ebene des Objektivs 1 konjugiert zueinander. Dies dient zur Verhinderung der Gegenwirkung des Meßlichts durch das Objektiv 1.

Fig. 6 zeigt eine Anordnung, bei der die vorliegende Erfindung tatsächlich in einer Ausrichteinheit eingebaut

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^ ist. In Fig. 6 ist mit 5 0 ein optisches Abbildungssystem zur Bildung des Bildes einer Maske 51 auf einem nicht gezeigten Wafer bezeichnet. Bezugszeichen 52 bezeichnet eine Objektivlinse und 53 eine Relaislinse. Durch Kombic nation dieser beiden Linsen wird das Bild der Maske einmal nahe eines Gesichtsfeld-Aufteilprismas 55 gebildet. Da die Bilder in der linken und rechten Beobachtungsfläche nahe des Gesichtsfeld-Aufteilprismas 55 gebildet werden,, wird eine Beobachtung in dem aufgeteilten Feld möglich.

IQ Mit 56 ist eine Feldlinse, mit 57 ein Erektor und mit 58 ein Okular bezeichnet. Eine Linse 59 und eine Faser 60 entsprechen einer Lichtquelle für das Sichtlicht. Mit den Bezugszeichen 61 bis 65 ist das erfindungsgemäße optische System bezeichnet. An der Stelle 62 ist ein Schlitz konjugiert zu der Maske in bezug auf die Linsen 5 2 und 61. Andererseits wird in diesem System das Licht von der Lichtquelle durch die Faser 65, deren Endfläche konjugiert zu der Lage der Pupille des optischen Abbildungssystems 50 in bezug auf das Linsensystem 63 bis 52 konjugiert ist, gerichtet. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine planparallele Platte 64 zwischen 65 und 63 angeordnet; diese führt eine Vibrationsbewegung um eine bestimmte Achse ähnlich der Vibratorplatte eines photoelektrischen Mikroskops aus, um hierdurch die scheinbare Position der Faser zu verschieben. Die Lage des Beleuchtungslichtstrahles wird durch Vibration dieser planparallelen Platte variiert; wenn die Art der Bewegung des Bildes mittels des vorstehend erläuterten Prinzips erfaßt wird, kann der Scharfeinstellzustand des Systems erkannt werden. Der Kontrolllichtstrahl des Scharfeinstellzustandes wird mittels eines Strahlteilers 54 gerichtet und die Kontrolle wird mittels eines Bildsensors 67 durchgeführt. Wenn das optische Abbildungssystem 5 0 keine chromatische Aberration hat wie beispielsweise ein Spiegel, können unterschiedliche Wellenlängenbereiche für die Strahlen 6 0 und 65 verwendet

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] werden. Wenn das optische Abbildungssystem eine Linse aufweist und chromatische Aberration hat, ist es vorteilhaft, dieselbe Wellenlänge für die Strahlen 6 0 und 65 zu verwenden. Dies ist jedoch keine unbedingte Erfordernis, jedoch wenn die Lage von 62 vorsätzlich von der konjugierten Fläche der Maske abweicht, wobei die chromatische Aberration des optischen Abbildungssystems in Rechnung gestellt ist, können unterschiedliche Wellenlängen für 60 und 65 verwendet werden.

Beschrieben wird ein Druckgerät, bei dem das Bild

einer Maske auf ein Wafer durch ein optisches Abbildungssystem projiziert und auf dem Wafer gedruckt wird. Dieses Gerät hat einen Detektor zur Messung der Scharfeinstellung oder der Nichtscharfeinstellung des auf das Wafer projizierten Maskenbildes. Der Detektor führt die Messung dadurch durch, daß er optisch den optischen Abstand zwischen der Maske und dem Wafer mißt. Die Messung dieses Abstandes wird dadurch durchgeführt, daß ein Meßlichtstrahl auf dem Wafer über das optische Projektionssystem auftrifft und die Größe der Verschiebung der Lage des reflektierten Lichts in einer optisch zu dem Wafer parallelen Ebene gemessen wird.

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Claims

Patentansprüche

1. Druckgerät mit Scharfeinstelldetektor, gekennzeichnet durch einen Maskenträger (6) zum Tragen einer Maske (2), einen Waferträger (7) zum Tragen eines Wafers (3), ein optisches Abbildungssystem (1) zur Projektion des Bildes der Maske auf das Wafer, ein optisches System, das durch das optische Abbildungssystem auf das Wafer Meßlicht mit einer bestimmten Neigung in bezug auf die optische Achse des Abbildungssystems richtet, und eine Einrich-0 tung zum Beobachten der Lage des von dem Wafer reflektierten Meßlichtes, wobei der scharfgestellte Zustand in Abhängigkeit davon ermittelt wird, ob die Position des Meßlichtes eine vorbestimmte Position ist oder ob dies nicht der Fall ist.

2. Druckgerät mit Scharfeinstelldetektor, gekennzeich-■ net durch einen Maskenträger (6) zum Tragen einer Maske (2), einen Waferträger (7) zum Tragen eines Wafers (3), ein optisches Abbildungssystem zum Projizieren eines verkleinerten Bildes der Maske auf das Wafer, ein optisches System, das durch das optische Abbildungssystem auf das Wafer Meßlicht mit einer vorgegebenen Neigung in bezug auf die optische Achse des optischen Abbildungssystems richtet, und eine Einrichtung zur Beobachtung der Position des von dem Wafer reflektierten Meßlichtes, nachdem es erneut

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durch das optische Abbildungssystem gegangen ist.

3. Druckgerät mit Scharfeinstellungsdetektor, gekennzeichnet durch einen Maskenträger zum Tragen einer Maske, einen Waferträger zum Tragen eines Wafers, ein optisches Abbildungssystem zur Projektion des Bildes der Maske auf das Wafer, ein optisches System, das bewirkt, daß Meßlicht mit einer vorgegebenen Neigung in bezug auf die optische Achse des optischen Abbildungssystems durch eine bestimmte Stelle der Maske und durch das optische Abbildungssystem hindurchgeht und das das Meßlicht auf das Wafer richtet, und eine Einrichtung zur Beobachtung der Position des von dem Wafer reflektierten Meßlichtes.

4. Druckgerät mit Scharfeinstellungsdetektor, gekennzeichnet durch einen Maskenträger zum Tragen einer Maske, einen Waferträger zum Tragen eines Wafers, ein optisches Abbildungssystem zur Projektion des BiI-des der Maske auf das Wafer, das mindestens auf der Maskenseite telezentrisch ist, ein optisches System, das durch das optische Abbildungssystem hin zu einer nicht auf der optischen Achse befindlichen Stelle des Wafers Meßlicht mit einer vorgegebenen Neigung in bezug auf die optische Achse des optischen Abbildungssystems richtet, und durch eine Einrichtung zur Beob-. achtung der Stelle des von dem Wafer reflektierten Meßlichtes·