DE3044780A1 - Fotoelektrische einrichtung - Google Patents
Fotoelektrische einrichtungInfo
- Publication number
- DE3044780A1 DE3044780A1 DE19803044780 DE3044780A DE3044780A1 DE 3044780 A1 DE3044780 A1 DE 3044780A1 DE 19803044780 DE19803044780 DE 19803044780 DE 3044780 A DE3044780 A DE 3044780A DE 3044780 A1 DE3044780 A1 DE 3044780A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoelectric
- metallization
- elements
- solar battery
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910017937 Ag-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017984 Ag—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- XNQCXEBZBVDKAL-UHFFFAOYSA-N OSSS Chemical compound OSSS XNQCXEBZBVDKAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
- H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
HITACHI, LTD., Tokyo,
Japan
Japan
Fotoelektrische Einrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine fotoelektrische Einrichtung,
bei der eine Mehrzahl fotoelektrische Elemente, insbesondere Sperrschicht-Fotoelemente, auf einem Substrat
angeordnet ist.
Eine solche Einrichtung, z, B. ein opto-elektronischer
Koppler, mit einem Lichtabgabeteil und einem fotoelektrischen Teil, die über einen Lichtleiterteil verbunden sind,
ist für die Signalübertragung unter Isolierbedingungen einsetzbar und dient dem Zweck, Energie durch Elektrizitäts-Licht-Elektrizitäts-Umwandlung
zu übertragen.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform eines solchen optoelektronischen Kopplers. Dieser umfaßt eine Lichtquelle
bzw. einen Lichtabgabeteil 1 mit mehreren auf einem Substrat angeordneten Leuchtdioden 8 sowie einen fotoelektrischen
Teil 2 mit einer Mehrzahl Sperrschicht-Fotoelementen 9, z. B. Solarbatteriezellen, die auf einem Substrat angeordnet
sind. Der Lichtabgabeteil 1 und der fotoelektrische Teil 2 sind optisch durch einen Lichtleiterteil 3
130042/0561
gekoppelt, der aus Glas, Keramik oder einem ähnlichen Isolator besteht, der für die Erzielung einer erwünschten
Isolierung sowie einer angestrebten optischen Kopplung geeignet ist. In diesem Lichtleiterteil 3 kann
ein speziell ausgebildeter gesonderter Leitweg 3' aus optischem Glas oder einem ähnlichen lichtdurchlässigen
Werkstoff angeordnet sein, um den Übertragungswirkungsgrad für Licht, das vom Lichtabgabeteil 1 zum fotoelektrischen
Teil 2 gerichtet wird, zu verbessern, Elektrodenzuleitungen 4, 4·' und 5, 5' sind mit dem
Lichtabgabeteil 1 bzw. dem fotoelektrischen Teil 2 verbunden,
und ferner sind Halterungen 6 und 7 vorgesehen.
Ein opto-elektronischer Koppler gemäß Fig. 1 kann für
die Energiezufuhr zu einer isolierten elektronischen Einrichtung verwendet werden, und in seinem Lichtabgabeteil
1 sind viele Leuchtdioden integriert. Eine typische für die Lichtabgabezwecke eingesetzte Leuchtdiode
erzeugt eine optische Ausgangsleistung von 50 mW mit einer Wellenlänge von 800 nm. Daher müssen für die Erzeugung
einer erwünschten optischen Ausgangsleistung von z. B. 2 W 40 derartige Dioden integriert werden.
Bei Verwendung eines Lichtleiters entsprechend Fig. 1 werden ca. 40 % der optischen Ausgangsleistung von 2 W
vom Lichtabgabeteil 1 zum fotoelektrischen Teil 2 übertragen.
Es ist jedoch allgemein bekannt, daß die Verbesserung des Lichtübertragungswirkungsgrads in einer
ungleichmäßigen Verteilung der Bestrahlungsstärke am fotoelektrischen Teil 2 resultiert.
Andererseits wird, wenn die elektronische Einrichtung für die Verarbeitung digitaler Signale bestimmt ist, eine
Spannung von z. B. 5 V benötigt, um der elektronischen Einrichtung die erforderliche Betriebsspannung zuzuführen,
130042/056*
Aufgrund der speziellen Eigenschaften von Solarbatteriezellen
kann eine einzige Solarbatteriezelle, die z. B1 aus Silicium besteht, nur eine Ausgangsspannung von
bis zu ca. 0,5 V erzeugen, und selbst eine einzelne Solarbatteriezelle aus Galliumarsenid kann nur eine
Ausgangsspannung von ca. 0,7 V erzeugen. Es ist daher erforderlich, viele Solarbatteriezellen in Reihe zu
schalten, um die erwünschte Ausgangsspannung von 5 V zu erzielen.
Man sollte annehmen, daß viereckige Solarbatteriezellen bzw. -elemente entsprechend Fig. 2 am einfachsten großtechnisch
herstellbar sind. Nach Fig. 2 ist eine Mehrzahl viereckige Solarbatteriezellen 21 in einer kreisrunden
Lichtempfangsfläche 23 angeordnet. Bei einer solchen Anordnung
ergeben sich jedoch verschiedene Nachteile, die nachstehend erläutert werden. Da die Solarbatteriezellen
21 unter starker Bestrahlung oder Sonnenstrahlung eingesetzt
werden, ist im allgemeinen auf der Vorderfläche jeder Zelle 21 eine Gitterelektorde (nicht gezeigt) gebildet,
um den Oberflächenwiderstand zu verringern. Eine solche Vorderelektrode jeder Zelle ist mit einer Rückelektrode
der nächstbenachbarten Zelle elektrisch verbunden, so daß sämtliche Solarbatteriezellen elektrisch
reihengeschaltet sind. Ferner muß zwischen den benachbarten Solarbatteriezellen 21 ein geeignet bemessener Zwischenraum
22 vorgesehen sein, so daß zwischen den einzelnen Zellen 21 keine Kurzschlüsse auftreten können.
Infolgedessen wird die Packungsdichte der Solarbatteriezellen 21 so stark verringert, daß das Licht nicht
vollwirksam für die Signalübertragung nutzbar ist. Außerdem resultiert die Ungleichmäßigkeit der Lichtstärke oder
der Bestrahlungsstärke-Verteilung an der kreisrunden Lichtempfangsfläche 23 in einer Fehinapassung der elektrischen
Ausgänge der einzelnen Zellen 21, was wiederum eine verminderte Gesamtausgangsleistung des fotoelektrischen
Teils zur Folge hat.
13ÖÖ42/0S8I
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer neuen und verbesserten Fotoelektrischen Einrichtung, bei
der sämtliche vorgenannten Nachteile vermieden werden und bei der die fotoelektrischen Elemente, insbesondere
Sperrschicht-Fotoelemente, einfach und wirksam reihenschaltbar sind, wobei gleichzeitig die erforderliche
hohe Packungsdichte erzielbar ist; dabei sollen die fotoelektrischen Elemente, insbesondere Sperrschicht-Fotoelemente,
im wesentlichen gleichförmige elektrische Ausgangswerte erzeugen können, auch wenn die Bestrahlungsstärke-Verteilung
am Lichtabgabeteil ungleichmäßig ist.
Durch die Erfindung wird eine fotoelektrische Einrichtung
oder eine Sperrschicht-Fotoelementeinrichtung angegeben, die eine Mehrzahl dreieckige Solarbatteriezellen
umfaßt, die strahlenförmig auf einem Isoliersubstrat angeordnet sind, wobei auf dem Substrat eine Mehrzahl
Metallisierungsmuster gebildet ist. Jedes Metallisierungsmuster ist elektrisch mit einer Rückelektrode
der zugeordneten Solarbatteriezelle verbunden und umfaßt einen Zuleitungsteil, der so verläuft, daß er nahe
der nächstbenachbarten Solarbatteriezelle endet, und ein Zuleitungsdraht verbindet den Zuleitungsteil des
Metallisierungsmusters mit einer Vorderelektrode der nächstbenachbarten Solarbatteriezelle. Somit sind die
mehreren Solarbatteriezellen von Dreiecksform miteinander auf dem Substrat reihengeschaltet.
130042/05SJ
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht, die den Aufbau eines opto-elektronischen Kopplers
zeigt;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf die Anordnung von fotoelektronischen Bauelementen
in einer fotoelektronischen Einrichtung, die als großtechnisch am leichtesten
herstellbar betrachtet werden kann;
Fig. 3 eine schematische Ansicht der Anordnung fotoelektronischer Bauelemente in einer
fotoelektronischen Einrichtung nach der Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels
der fotoelektronischen Einrichtung nach der Erfindung;
Fig. 5 eine Schnittansicht eines Teils der Einrichtung
nach Fig. 4-;
Fig. 6 ein Beispiel für die Dimensionierung
eines der fotoelektronischen Bauelemente,
die bevorzugt in der Einrichtung nach Fig. k verwendet werden;
Fig. 7 eine größere Teilansicht einer Einzelheit des Aufbaus nach Fig. 5;
Fig. 8 eine schematische Ansicht eines weiteren
Ausführungsbeispiels der fotoelektronischen
Einrichtung nach der Erfindung;
Fig. 9 eine schematische Ansicht der Abdeckung der Einrichtung nach Fig. 8; und
Fig. 10 eine Schnittansicht, die den Aufbau der Baugruppe und der Abdeckung in der Einrichtung
nach Fig. 8 zeigt.
1 30042/066«
30U780
Bei dem Ausführungsbeispiel der fotoelektrischen Einrichtung
und/oder der Sperrschicht-Fotoelementeinrichtung entsprechend Fig. 3 sind dreieckige fotoelektrische
Elemente und/oder Sperrschicht-Fotoelemente 31 strahlenförmig bzw. radial verlaufend in einer Lichtempfangsfläche
33 (vgl. die Strichpunktlinie) angeordnet.
Durch diese Anordnung der dreieckigen fotoelektrischen
Elemente 31 kann der zwischen den benachbarten Elementen 31 zu bildende Zwischenraum auf das Minimum reduziert
werden, das für die Vermeidung von Kurzschlüssen infolge eines elektrischen Kontakts zwischen den
Elementen 31 unbedingt notwendig ist, so daß vom Lichtabgabeteil durch einen Lichtleiterteil auf den fotoelektrischen
und/oder den Sperrschicht-Fotoelement-Teil gerichtetes Licht vollwirksam für die fotoelektrische
Umwandlung oder die Umwandlung durch Sperrschicht-Fotoelemente nutzbar ist. Die Ungleichmäßigkeit der Bestrahlungsstärke-Verteilung
am fotoelektrischen Teil kann zwar in Radialrichtung verstärkt werden, wenn der optische
Übertragungswirkungsgrad des Leiterteils verbessert wird, aber eine gleichmäßige Bestrahlungsstärke-Verteilung kann
relativ leicht in Umfangsrichtung erzielt werden, wodurch
die an die einzelnen fotoelektrischen Elemente angelegte optische Eingangsgröße gemittelt wird. Somit
sind die elektrischen Ausgänge der reihengeschalteten einzelnen fotoelektrischen Elemente 31 gut anpaßbar,
so daß die Gesamtausgangsleistung des fotoelektrischen
Teils verbessert wird.
1 30042/OSSS
Unter Bezugnahme auf die Fig. 4--1O werden nachstehend
bevorzugte Ausführungsbeispiele der Einrichtung nach
der Erfindung erläutert.
Nach Fig. 4 ist eine Mehrzahl, z. B. zwölf, fotoelektronische Elemente (und/oder Sperrschicht-Fotoelemente)
4-1 wie Solarbatteriezellen von Dreiecksform radial in einer Lichtempfangsfläche angeordnet. Die Solarbatteriezellen
41 sind in dieser strahlenförmigen Anordnung auf
einem Substrat 42 aus einem elektrischen Isolierstoff wie Keramik, Epoxidglas od. dgl. vorgesehen. Die Solarbatteriezellen
41 sind z. B. mechanisch von einem Wafer bzw. Scheibchen abgeschnitten. Statt durch mechanisches Schneiden
können die mehreren Solarbatteriezellen 41 auch getrennt voneinander auf einem einzigen Wafer durch die
Lebensdauer vermindernde Isolation, z. B. durch Bestrahlen mit einem Elektronenstrahl, vorgesehen werden. Auch können
die Elemente 41 nach dem Anschließen der erforderlichen Zuleitungen an einen einzigen Wafer einzeln voneinander
getrennt mittels eines Laserstrahls od. dgl. vorgesehen werden. Das Substrat 42 weist eine Mehrzahl Metallisierungsmuster
43 auf, deren jedes elektrisch an die Rückelektrode der zugehörigen Solarbatteriezelle 41 angeschlossen
ist und einen Zuleitungsabschnitt 43' hat,
der so verläuft, daß er nahe der nächstbenachbarten Solarbatteriezelle 41 endet. Die Rückelektrode kann die
gesamte Rückfläche jeder Solarbatteriezelle 41 bedecken, und in Fig. 4 sind durch Strichlinien nur zwei der
Metallisierungsmuster 43 gezeigt, die unter den zugeordneten Solarbatteriezellen 41 liegen. Die Zuleitungsabschnitte
43' der Metallisierungsmuster 43 liegen nahe den radial äußeren Seiten der strahlenförmig auf dem
Substrat 42 angeordneten Solarbatteriezellen 41.
-n-
In einer Ausführungsform sind die Metallisierungsmuster
A-3 durch Kupferfolien gebildet, die auf das Substrat 4-2
aufgebracht sind, wenn der Substratwerkstoff Epoxidglas
ist. Bei einer anderen Ausführungsform sind die Metallisierungsmuster
A-3 durch eine Molybdänmetallisierungsschicht gebildet, die mit einem Metall, z. B. Gold oder
Vergoldung, plattiert ist. Zweckmäßigerweise werden diese Metalle verlötet.
Auf der Vorderseite jeder Solarbatteriezelle A-I ist eine
Gitterelektrode A-A- vorgesehen. (In manchen Fällen kann
auf der oberflächendiffundierten Schicht jeder Solarbatteriezelle
4-1 einfach ein Anschlußstreifen vorgesehen sein.) Die Gitterelektrode A-A- auf jeder Solarbatteriezelle
A-X ist zweckmäßigerweise elektrisch mit dem
Metallisierungsmuster 4-3 auf der Unterseite der nächstbenachbarten
Zelle 41 z. B. durch eine Zuleitung A-5 verbunden,
so daß aneinandergrenzende Zellen A-I miteinander
reihengeschaltet werden können. Ferner sind diese Metallisierungsmuster A-3 mit einer Lage Weichlot mit
den Rückelektroden der zugeordneten Solarbatteriezellen A-I verbunden. Die Rückelektroden und die Metallisierungsmuster A-3 können beide in zweckmäßiger Form, z. B.
gitterförmig, siebförmig oder in Form verstreuter Punkte,
aufgebracht sein.
Nach Fig. 5, die einen Teil der Einrichtung nach Fig. A-zeigt,
umfaßt der gezeigte Aufbau eine Solarbatteriezelle 51, ein isolierendes Substrat 52, eine Schicht
53, die durch festes Verbinden einer Rückelektrode der Zelle 51 mit einem Metallisierungsmuster, das auf das
Substrat 52 aufgebracht ist, gebildet ist, eine Gitterelektrode 5A- auf der Vorderfläche der Zelle 51 und eine
130 042/0561
- 12 - 30U78Q
Zuleitung 55, die die Gitterelektrode 5*t· der Zelle 51
elektrisch mit einem Zuleitungsabschnitt 53' verbindet, der von dem mit der Rückelektrode der nächstbenachbarten
Zelle 51 fest verbundenen Metallisierungsmuster ausgeht.
Fig. 6 zeigt ein Dimensionierungsbeispiel für jede dreieckige Solarbatteriezelle in der Einrichtung nach
Fig. 4. Das Element von Fig. 6 hat eine Dicke von ca.
A-OO um.
Fig. 7 zeigt im einzelnen einen Teil des Aufbaus einer Ausführungsform der Solarbatteriezelle, die in der Einrichtung
bevorzugt verwendet wird. Dabei umfaßt die Solarbatteriezelle ein p-leitendes Siliciumsubstrat 71 mit
einem spezifischen Widerstand von im wesentlichen 0,5-10 ilcm. Eine η-leitende Diffusionsschicht 70 ist
im Oberflächenbereich des p-leitenden Substrats 71 durch
Diffusion einer der Gruppe V des Periodensystems angehörenden Verunreinigung wie Phosphor gebildet, so daß
ein p-n-Übergang gebildet ist. Auf der Oberfläche der η-leitenden Diffusionsschicht 70 ist eine Gitterelektrode
73 durch Vakuumverdampfen eines Metalls wie Ti, Ni oder Ag und anschließendes Aufbringen einer Weichlotschicht
aufgebracht. Bei dem dargestellten Aufbau ist das Material der Gitterelektrode 73 eine Ti-Ag-Zusammensetzung.
Auf der p-leitenden Siliciumschicht 71 ist eine Metallschicht, z. B. eine Al-Legierungsschicht,
Tk gebildet und von einer Rückelektrode 75 bedeckt,
die mit einem Verfahren ähnlich demjenigen für die Herstellung der Gitterelektrode 73 aufgebracht ist. Das
Material der Rückelektrode 75 ist eine Ti-Ag-Ni-Zusammensetzung und bedeckt die gesamte Rückfläche. Ein Substrat
76 aus Keramik oder einem ähnlichen Isolierstoff
130042/0661
- 13 -
ist auf seiner einen Oberfläche mit einer Metallisierungsschicht 77 aus Metall, z. B. Kupfer, versehen, und
diese Metallisierungsschicht 77 ist mit der Rückelektrode 75 durch eine Weichlotschicht 78 fest verbunden. Die
Vorderfläche der Solarbatteriezelle ist von einem reflexionsmindernden Film 79 aus SiO2 oder einem ähnlichen
Material bedeckt, dessen Reflexionsindex und Dicke so optimiert sind, daß eine Reflexion von einfallendem
Licht verhindert wird.
Der Werkstoff für die Rückelektrode 75 sowie für die Gitterelektrode 73 ist nicht auf die vorstehend angegebenen
Werkstoffe beschränkt und kann irgendeine andere Metallzusammensetzung einschließlich Ti-Ni-Ag und
Cr-Ni-Ag sein. Außerdem kann auch die Rückelektrode 75 gitterförmig, siebförmig oder in Form verstreuter
Punkte vorgesehen sein.
Nachstehend werden die vorteilhaften Auswirkungen des
Ausführungsbeispiels erläutert. Der fotoelektrische Teil
der Einrichtung nach der Erfindung wurde dadurch gebildet, daß zwölf fotoelektrische Elemente in Reihe miteinander
verbunden wurden, wobei jedes dieser Elemente die Form eines gleichschenkligen Dreiecks mit einem
Zentriwinkel von 30 und einer Fläche von 1,07 cm hat. Das Verhältnis des aktiven Bereichs der Elemente zum
Gesamtbereich des fotoelektrischen Teils ist 0,74, wogegen dieses Verhältnis bei der Einrichtung nach Fig. 2
ca. 0,5 ist.
Der Lichtquellenteil wurde dadurch gebildet, daß kZ IR-Leuchtdioden, deren jede eine optische Nennausgangsleistung
von 50 mW erzeugt, integriert wurden. Diese Dioden wurden reihengeschaltet, und eine Spannung
130CU2/G56*
304A780
von 60 V wurde an die Eingangsanschlüsse angelegt, so daß ein Nenneingangsstrom von 0,2 A zugeführt wurde.
Der Lichtleiterteil hatte eine axiale Länge von 50 mm. Die von diesem fotoelektrischen·Teil aufgrund der
fotoelektrischen Umwandlung von vom Lichtquellenteil abgegebenem Licht, das durch den Lichtleiterteil übertragen
wurde, erhaltene elektrische Ausgangsleistung war 157 mW = 5,6 V · 28 mA.
Bei dem Ausführungsbeispiel der fotoelektrischen Einrichtung
und/oder der Sperrschicht-Fotoelementeinrichtung nach Fig. 8 kann das bei dem Ausführungsbeispiel
nach Fig. k erforderliche Verbindungsverfahren entfallen.
In Fig. 8 sind mehrere, z. B. vier, im wesentlichen dreieckige Solarbatteriezellen 81 radial angeordnet und
in einem Gehäuse 82 voneinander isoliert festgelegt. Das Gehäuse 82, das aus einem keramischen oder ähnlichen
warmfesten Isolierstoff besteht, weist Anschlußstreifen
83 zur elektrischen Verbindung mit der Rückfläche der Zellen 81 und metallisierte Schichtabschnitte 85 zum
elektrischen Verbinden der einzelnen Anschlußstreifen 83 mit zugehörigen Anschlußstiften 8A-, die von der
Außenumfangsflache des Gehäuses 82 vorspringen, auf.
Vor dem Einsetzen der Solarbatteriezellen 81 in das Gehäuse 82 wird auf die Anschlußstreifen 83 und die Anschlußstifte
84· Weichlot aufgebracht.
Eine Abdeckung 90 entsprechend Fig. 9 wird in Verbindung mit dem Gehäuse 82 verwendet. Auf der Abdeckung 90 sind
Anschlußstifte 94- und 96 gegenüber den Anschlußstiften
84- des Gehäuses 82 bzw. den stiftförmigen Elektroden
der Solarbatteriezellen 81 vorgesehen, und Metallisierungsschichtabschnitte 95 stellen elektrische Verbindungen
zwischen den Anschlußstiften 94 und 96 der jeweiligen
Paare her. Auch auf diese Anschlußstifte 94 und 96 ist
Weichlot aufgebracht.
304A780
Nach Fig. 10 ist die Abdeckung 90 von Fig. 9 auf das die Zellen enthaltende Gehäuse 82 von Fig. 8 in einer
solchen Lagebeziehung aufgesetzt, daß die zusammengehörigen Elektroden oder Stifte, die mit den Lotwarzen
versehen sind, einander gegenüberliegen, woraufhin eine Wärmebeaufschlagung erfolgt, bis der Schmelzpunkt
des Lots erreicht ist, so daß eine Verbindung durch Fließlöten erfolgt.
Mit dieser Methode kann die für das Zusammenschalten der Mehrzahl Solarbatteriezellen und für das Unterbringen
der Zellen in dem Gehäuse erforderliche Zeit eingespart
werden. Somit ist das zweite Ausführungsbeispiel in bezug auf die großtechnische Fertigung gegenüber dem
ersten Ausführungsbeispiel vorteilhafter, da bei letzterem
die genannten Verbindungs- und Unterbringungsschritte durchzuführen sind.
Die Abdeckung 90 des fotoelektrischen Teils des zweiten
Ausführungsbeispiels der Einrichtung ist zwar mit einer
Öffnung 91 dargestellt, durch die Licht zu den fotoelektrischen Elementen gelangt. Diese Öffnung 91 kann
aber mit einem lichtdurchlässigen Glas oder einem anderen lichtdurchlässigen Werkstoff abgedeckt sein. Wenn der
Umfangsbereich der Einrichtung luftdicht verschlossen
sein soll, können auf den Umfangsflachen des Gehäuses
und der Abdeckung isolierte Metallisierungsschichten vorgesehen sein, so daß die Umfangsflache der Einrichtung
luftdicht verschließbar ist, wenn die Abdeckung auf das Gehäuse aufgesetzt und mit letzterem durch
Fließlöten fest verbunden wird.
30A478Q
Das zweite Ausführungsbeispiel ist zwar beispielsweise
mit vier fotoelektrischen Elementen und/oder Sperrschicht-Fotoelementen
dargestellt, die Erfindung ist aber gleichwirksam mit einer fotoelektrischen Einrichtung
anwendbar, die mehr fotoelektrische Elemente und/oder Sperrschicht-Fotoelemente umfafit, und mit
zunehmender Anzahl dieser Elemente werden die Vorteile der Erfindung noch deutlicher.
130042/056*
Claims (8)
- Ansprüche- mehreren fotoelektrischen Elementen, die in Reihe liegend in einer Lichtempfangsfläche eines isolierenden Substrats angeordnet sind zur Erzeugung eines fotoelektrischen Umwand lungs-Ausgangswerts,dadurch gekennzeichnet,- daß die fotoelektrischen Elemente (41; 81) in der Lichtempfangsfläche strahlenförmig angeordnet sind.
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,- daß jedes fotoelektrische Element (41; 81) von
der Mitte der Lichtempfangsfläche zu deren Außenrand verläuft. - 3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,- daß jedes fotoelektrische Element (41 j 81) einen
Zentriwinkel von 360°/n (mit η = Anzahl der fotoelektrischen Elemente) hat,- wobei die beiden jeden Zentriwinkel definierenden Seiten vom Mittenteil der Lichtempfangsfläche radial verlaufen,und81-(A 5161-O2)-Schö130042/056ΪORIGINAL INSPECTED- daß die fotoelektrischen Elemente (41; 81) am Umfang der Lichtempfangsfläche reihengeschaltet sind . - 4. Einrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,- daß das Substrat (42) eine Mehrzahl Metallisierungsmuster (43) an den mehreren fotoelektrischen Elementen (41) entsprechenden Stellen aufweist,- wobei die Metallisierungsmuster (43) außerhalb der Anordnung der fotoelektrischen Elemente (41) liegende Zuleitungsabschnitte (431) aufweisen,- daß jedes fotoelektrische Element (41) an seiner Rückelektrode mit einem der Metallisierungsmuster (43) und an seiner Vorderelektrode (44) mit dem Zuleitungsabschnitt (431) des nächstbenachbarten Metallisierungsmusters (43) verbunden ist.
- 5. Einrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,- daß der Zuleitungsabschnitt (431) des Metallisierungsmusters (43) an die Vorderelektrode (44) des fotoelektrischen Elements (41) durch festes Verbinden eines Leitungsdrahts (45) zwischen beiden angeschlossen ist. - 6. Einrichtung nach Anspruch 4,
gekennzeichnet durch- eine Abdeckung (90) mit einer Metallisierungsschicht (95), deren Zuleitungsabschnitt mit der Vorderelektrode (85) des fotoelektrischen Elements (81) über einen Teil der Metallisierungsschicht verbunden ist.1 30Ö42/OSS* - 7. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,- daß das Substrat (42; 82) aus Epoxidglas besteht und die i-ietdilisierungsmuster durch Kupfer gebildet sind,
- 8. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,- daß das Substrat (42; 82) aus einem Keramikwerkstoff besteht und die Metallisierungsmuster durch vergoldetes Molybdän gebildet sind.130042/OB6I
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15438079A JPS5678180A (en) | 1979-11-30 | 1979-11-30 | Light receiving device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3044780A1 true DE3044780A1 (de) | 1981-10-15 |
DE3044780C2 DE3044780C2 (de) | 1989-02-23 |
Family
ID=15582874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803044780 Granted DE3044780A1 (de) | 1979-11-30 | 1980-11-27 | Fotoelektrische einrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4354115A (de) |
JP (1) | JPS5678180A (de) |
DE (1) | DE3044780A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3529341A1 (de) * | 1985-08-16 | 1987-02-19 | Telefunken Electronic Gmbh | Solarzellen-modul |
EP0289379A2 (de) * | 1987-04-03 | 1988-11-02 | SEXTANT Avionique | Sensor für physische Grösse |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57147284A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
US5009476A (en) * | 1984-01-16 | 1991-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein |
US4730115A (en) * | 1985-02-12 | 1988-03-08 | Logical Co., Ltd. | Transformer system and direct current power supply |
JPS6286876A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Electric Co Ltd | 時計用太陽電池 |
DE3617057A1 (de) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Barlian Reinhold | Optoelektronisches koppelelement |
US4905216A (en) * | 1986-12-04 | 1990-02-27 | Pencom International Corporation | Method for constructing an optical head by varying a hologram pattern |
JPS63112358U (de) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | ||
GB2203895B (en) * | 1987-03-25 | 1990-05-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Light receiving element |
JPH01181577A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光半導体素子 |
GB8824681D0 (en) * | 1988-10-21 | 1988-11-30 | British Telecomm | Components for electrical circuits |
US4990896A (en) * | 1989-05-09 | 1991-02-05 | Gray William F | Light responsive device for monitoring on-line indicator lights |
US5043573A (en) * | 1989-06-15 | 1991-08-27 | Moog Inc. | Electro-optic power cell |
EP0704911A3 (de) * | 1994-09-27 | 1998-01-21 | ITT Corporation | Optoelektrischer Koppler |
US5828074A (en) * | 1997-05-19 | 1998-10-27 | Mini-Systems, Inc. | Optoisolator comprising walls having photosensitive inner surfaces |
US20060048811A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-09 | Krut Dimitri D | Multijunction laser power converter |
DE102005035672B4 (de) * | 2005-07-29 | 2010-02-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Solarzellenmodul für konzentrierende Solarsysteme mit einer Vielzahl von Solarzellen auf einem flächig mit einer Metallschicht beschichteten Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102006003954A1 (de) * | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Sick Ag | Lichtgitter |
JP4225334B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2009-02-18 | トヨタ自動車株式会社 | 蓄電装置用電極および蓄電装置 |
US20100126555A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Hoozad Inc. | Concentrating photovoltaic photo-current balancing system |
US9893223B2 (en) | 2010-11-16 | 2018-02-13 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Solar electricity generation system |
JP6488590B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2019-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 導通部材、ソーラーウォッチ、太陽電池モジュール、電子機器 |
JP6326871B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2018-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発電装置、時計および発電装置の製造方法 |
DE102015007326B3 (de) * | 2015-06-12 | 2016-07-21 | Azur Space Solar Power Gmbh | Optokoppler |
DE102018109532A1 (de) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Spannungswandlervorrichtung, Spannungstransformator und Verfahren zum Wandeln einer Eingangsspannung in eine Ausgangsspannung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427797A (en) * | 1966-12-12 | 1969-02-18 | Kenjiro Kimura | Timepiece using a solar battery as the power source |
US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480783A (en) * | 1966-08-01 | 1969-11-25 | Hughes Aircraft Co | Photon coupler having radially-disposed,serially connected diodes arranged as segments of a circle |
US3560750A (en) * | 1966-10-31 | 1971-02-02 | Hitachi Ltd | Optoelectronic amplifier |
JPS5217746B1 (de) * | 1971-07-09 | 1977-05-17 | ||
JPS5353491Y2 (de) * | 1973-03-27 | 1978-12-21 | ||
DE2414209A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-09 | Max Planck Gesellschaft | Laseranordnung fuer hochdotierte optische verstaerkerelemente, insbesondere aus ultraphosphatbasis |
FR2287108A1 (fr) * | 1974-10-01 | 1976-04-30 | Radiotechnique Compelec | Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples |
US4124860A (en) * | 1975-02-27 | 1978-11-07 | Optron, Inc. | Optical coupler |
JPS51141666A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-06 | Seiko Epson Corp | Solar cell wrist watch |
GB1531263A (en) * | 1975-10-24 | 1978-11-08 | Xerox Corp | Optoelectronic device |
US4112308A (en) * | 1976-03-29 | 1978-09-05 | Burr-Brown Research Corporation | Optical coupling system |
US4068121A (en) * | 1976-05-17 | 1978-01-10 | Tally Corporation | Light collector and prism light source for photoelectric readers |
US4151005A (en) * | 1977-03-18 | 1979-04-24 | Landsman Arkady P | Radiation hardened semiconductor photovoltaic generator |
US4210923A (en) * | 1979-01-02 | 1980-07-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment |
US4249959A (en) * | 1979-11-28 | 1981-02-10 | Rca Corporation | Solar cell construction |
-
1979
- 1979-11-30 JP JP15438079A patent/JPS5678180A/ja active Pending
-
1980
- 1980-11-27 DE DE19803044780 patent/DE3044780A1/de active Granted
- 1980-11-28 US US06/211,125 patent/US4354115A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427797A (en) * | 1966-12-12 | 1969-02-18 | Kenjiro Kimura | Timepiece using a solar battery as the power source |
US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3529341A1 (de) * | 1985-08-16 | 1987-02-19 | Telefunken Electronic Gmbh | Solarzellen-modul |
EP0289379A2 (de) * | 1987-04-03 | 1988-11-02 | SEXTANT Avionique | Sensor für physische Grösse |
EP0289379A3 (en) * | 1987-04-03 | 1990-03-28 | Crouzet Societe Anonyme | Sensor of a physical parameter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5678180A (en) | 1981-06-26 |
DE3044780C2 (de) | 1989-02-23 |
US4354115A (en) | 1982-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3044780A1 (de) | Fotoelektrische einrichtung | |
EP0868751B1 (de) | Optoelektronisches sensor-bauelement | |
DE3390103C2 (de) | ||
DE102008033632B4 (de) | Solarzelle und Solarzellenmodul | |
DE102008044910A1 (de) | Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung | |
DE202010018467U1 (de) | Solarzelle | |
DE19604053A1 (de) | Optischer Koppler | |
WO2009039841A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
DE102010036187A1 (de) | Eingekapselte, fotovoltaische Konzentrations-System-Subanordnung für III-V Halbleitersolarzellen | |
DE2721250C2 (de) | Optokoppler | |
WO2014161738A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und optoelektronisches modul | |
DE102015104236B4 (de) | Photovoltaische Solarzelle | |
EP2415077A1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE102010002521B4 (de) | Solarzelle mit spezieller Busbarform, diese Solarzelle enthaltende Solarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung der Solarzelle | |
EP0051172A1 (de) | Ohmscher Kontakt auf einem lichtdurchlässigen Substrat eines Bauelements | |
EP2289107A2 (de) | Solarzelle und verfahren zu deren herstellung | |
WO2013045576A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements mit einer drahtlosen kontaktierung | |
DE3006026A1 (de) | Optoelektrischer umformer | |
DE3727825A1 (de) | Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium | |
DE10017337C2 (de) | Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente | |
DE2330785A1 (de) | Photodetektor-entzerrer | |
DE102011052318B4 (de) | Solarmodul mit Kontaktfolie und Solarmodul-Herstellungsverfahren | |
DE3206069A1 (de) | Lichtsende- und -empfangsvorrichtung | |
DE102017108223B4 (de) | Photovoltaisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2425328C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer opto-elektronischen Richtungsleitung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |