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Verfahren zum Behandeln von hocherhitzten Halbleiterplätt-
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chen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln von hocherhitzten
Halbleiterplättchen, bei dem in das Plättchenboot außer den zu behandelnden Halbleiterplättchen
noch zusätzliche im wesentlichen dieselbe Form wie die Halbleiterplättchen aufweisende
Plättchen gestellt werden.
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Für die Halbleitertechnik typische Hochtemperaturprozesse, wie z.
B. Diffusionen und Oxidationen, werden üblicherweise in widerstandsbeheizten Rohröfen
durchgeführt. Kurzgesagt besteht ein Rohrofen aus einem beidseitig offenen Rohr,
beispielsweise aus Keramikmaterial, welches von der Heizung konzentrisch umgeben
ist. Eine Ummantelung aus einem hitzebeständigen und wärmeisolierenden Material
umgibt die Heizung und verhindert eine zu starke Wärmeabstrahlung nach außen. In
das aus Keramikmaterial bestehende Rohr wird üblicherweise ein Rohr aus Quarz oder
Polysilicium geschoben, in welchem sich die Chargen von Halbleiterplättchen während
des Hochtemperaturprozesses befinden. Das Rohr aus Quarz oder Polysilicium ist am
einen Ende - abgesehen von Gaseinlässen, durch welche die die Gasatmosphäre während
des Hochtemperaturprozesses bildenden Gase eingeleitet werden - verschlossen und
das andere Ende kann zwar zum Beladen des Ofens mit der Charge geöffnet werden,
ist jedoch während des Hochtemperaturprozesses üblicherweise mit einer Kappe mit
einem Gasauslaß verschlossen. Die Wärmeabstrahlung des Rohrofens nach den beiden
Enden hin wird zum Teil dadurch kompensiert, daß der Ofen drei unabhängig voneinander
regelbare Heizzonen aufweißt. Die Heizung in der mittleren Zone bestimmt die Solltemperatur
des Ofens. In den beiden äußeren Heizzonen des Ofens wird stärker geheizt als in
der Mitte, um die Abstrahlungsverluste zu kompensieren. Mit den heute üblichen Diffusionsöfen
ist es auf diese Weise möglich, in
der Mitte des Ofens eine ungefähr
70 cm lange Zone zu erzeugen, in welcher die Maximalabweichung von der eingestellten
0 Solltemperatur + 0.5 C beträgt. Man sollte deshalb annehmen, daß alle Halbleiterplättchen
einer in einem ungefähr 20 cm langen Plättchenboot stehenden Charge, welche zum
Prozessieren in die Mitte der Temperaturkonstanten Zone geschoben wird, nach einer
kurzen Aufheizzeit alle auf die selbe Temperatur erhitzt sind. Davon wurde bisher-auch
ausgegangen.
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Es fiel jedoch auf, daß - worauf in der Beschreibung noch näher eingegangen
wird - die Oberflächen-Widerstandswerte Rst welche sich in den Halbleiterplättchen
aufgrund der Dotierung in Diffusionsprozessen einstellten, immer wieder beachtlich
von den erwarteten Werten abwichen. An dieser Stelle ist anzumerken, daß es bisher
üblich war, oxidierte, schwach oder nicht dotierte Halbleiterplättchen sei es -
beim Prozessieren von Produkthalbleiterplättchen - an den beiden Enden des Bootes
insbesondere als Staubfänger oder sei es - beim Simulieren von Prozessen - anstelle
von Produkthalbleiterplättchen in das Plättchenboot zu stellen. Uberraschenderweise
wurde nun gefunden, daß, was die unterschiedlichen Rs-Werte erklärt, Halbleiterplättchen,
welche in einen Ofen mit einer festgesetzten Solltemperatur gestellt werden, nach
dem Aufheizen durchaus unterschiedliche Temperaturen aufweisen können, und daß diese
unterschiedlichen Temperaturen auf die unterschiedliche Dotierung der Halbleiterplättchen,
bzw. auf die unterschiedliche Dotierung der am höchsten dotierten Bereiche in den
Halbleiterplättchen zurückzuführen sind.
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Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein einfaches und flexibles Verfahren
zum Beeinflussen der von Halbleiterplättchen bei Hochtemperaturprozessen erreichten
Temperatur anzugeben.
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Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs genannten Art
mit dem Merkmal des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.
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Mittels der Temperierplättchen, welche sich auf eine definierte, von
der Temperatur des Ofens abhängige Temperatur erwärmen, werden die ihnen benachbart
stehenden Halbleiterplättchen durch thermische Wechselwirkung auf eine Temperatur,
welche nahe bei der Temperatur der Temperierplättchen liegt, aufgeheizt. Eine Beeinflussung
von Halbleiterplättchen durch in ihrer Nähe stehende Massen, die offenbar letztlich
auch eine Beeinflussung der Temperatur der Halbleiterplättchen darstellt, ist zwar
schon aus der DOS 2 025 611 bekannt, jedoch hat der Gegenstand der DOS eine wesentlich
andere Aufgabe und bedient sich anderer Mittel für ihre Lösung als der Gegenstand
der vorliegenden Anmeldung. In der DOS wird ein Verfahren beschrieben, das dazu
dient, die Bildung von Versetzungen in Halbleiterplättchen zu verhindern, was offenbar
dadurch erreicht wird, daß beim Aufheizen der Halbleiterplättchen von Raumtemperatur
auf Ofentemperatur und beim späteren Wiederabkühlen auf Raumtemperatur dafür gesorgt
wird, daß in den einzelnen Halbleiterplättchen zu keinem Zeitpunkt Temperaturunterschiede
vorhanden sind. Dieses Ziel wird dadurch erreicht, daß ein Halterungsrnaterial benutzt
wird, dessen Wärmekapazität mindestens zehnmal so groß ist wie diejenige des zubehandelnden
Halbleitermaterial, und daß die Halbleiteroberflächen an keinem ihrer Punkte einen
Abstand von der Halterungsvorrichtung haben, der größer als 0,6 cm ist.
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Es ist vorteilhaft, wenn Temperierplättchen aus Halbleitermaterial
verwendet werden. Der gewünschte Temperaturunterschied zur Ofentemperatur läßt sich
nämlich dann innerhalb des maximal möglichen Bereichs durch eine entsprechende Dotierung
definiert einstellen. Mit anderen Worten, die Dotierung in einem Halbleiterplättchen
kann nicht nur Abweichungen von der gewünschten Temperatur verursachen, sondern
läßt sich auch - u. a. - dazu verwenden, um diese unerwünschten Abweichungen - wenigstens
weitgehend - zu eliminieren.
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Geeignete Temperierplättchen sind entweder einheitlich dotiert oder
sie weisen eine sich im wesentlichen über die ganze Plättchenfläche erstreckende,
mindestens 1 pm dicke Schicht auf, welche höher als der Rest des Plättchens dotiert
ist.
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Bestehen die zu prozessierenden Halbleiterplättchen aus Silicium und
liegt die Temperatur bei der der Hochtemperaturprozeß durchgeführt werden soll unter
10500 C, so ist es vorteilhaft, Temperierplättchen aus in geeigneter Weise dotiertem
Silicium zu verwenden. Bei Temperaturen oberhalb 0 etwa 1050 C können Temperierplättchen
aus Silicium auf Halbleiterplättchen aus Silicium keine Wirkung ausüben, auch wenn
sie wesentlich anders dotiert sind als die Halbleiterplättchen. Allerdings tritt
bei diesen Temperaturen das Problem, welches den Anstoß zu der vorliegenden Erfindung
gab, daß nämlich Halbleiterplättchen bei Hochtemperaturprozessen auf eine von ihrer
Dotierung abhängige Temperatur aufgeheizt wurden, nicht auf. Das hängt damit zusammen,
daß bei Temperaturen oberhalb etwa 10500 C die Eigenleitung von intrinsischem Silicium
genau so hoch ist, wie von beliebig hochdotiertem Silicium. Soll auch bei Temperaturen
oberhalb 10500 C eine Wirkung von den Temperierplättchen ausgehen, so ist erforderlich,
daß die Temperierplättchen aus einem Material bestehen, das eine andere IR-Absorptionsfähigkeit
wie Silicium aufweist.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
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Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Ausführungsbeispielen
beschrieben.
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Es zeigen: Fig. 1 in einem Diagramm die Temperaturen von hoch- und
niederdotierten Siliciumplättchen aufgetragen gegen die Verweilzeit in einem auf
9000 C erhitzten Ofen, Fig. 2 in einem Diagramm die Temperatur von hoch- und niederdotierten
Siliciumplättchen aufgetragen gegen die Verweilzeit in einem auf 10500 C erhitzten
Ofen, Fig. 3 in schematischer Längsschnitt-Darstellung die Anordnung von Temperier-
und Halbleiterplättchen in einem in einem Ofen stehenden Plättchenboot bei einer
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens und Fig. 4 in schematischer Längsschnitt-Darstellung
die Anordnung von Temperier- und Halblelterplättehen in einem in einem Ofen stehenden
Plättchenboot bei einer weiteren Ausführúngsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Grundsätzlich können die Temperierplättchen aus jedem Material bestehen,
das bei der gewählten Ofentemperatur eine mindestens gleich starke IR-Absorption,
d. h. eine Absorption im Wellenbereich zwischen ungefähr 1 und etwa 10 pm, hat wie
die Halbleiterplättchen. Im folgenden wird ausschließlich die Verwendung von Temperierplättchen
aus in bestimmter Weise dotiertem Silicium beim Prozessieren von Halbleiterplättchen
aus Silicium beschrieben. Temperierplättchen aus Silicium haben den Vorteil, daß
sie bis zu einem Durchmesser von ungefähr 125 mm in beliebigen Größen und unterschiedlich
dotiert im Handel leicht erhältlich oder auch leicht herstellbar sind. Es sei aber
klargestellt, daß auch Temperier-
plättchen aus anderen Materialien,
beiaeialawaiia aus HaS-leitermaterialien, wie Germanium, Galiumarsenid, Bleitellurid.,
Zinkoxid oder Siliciumcarbid bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
in vorteilhafter Weise eingesetzt werden können.
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Die Fig. 1 zeigt in einem Diagramm das Ergebnis von Versuchen, bei
denen einerseits hochdotierte und andererseits niederdotierte Siliciumplättchen
in einen auf 9000 C erhitzten Rohrofen geschoben wurden und dann die Plättchentemperatur
in Abhängigkeit von der Verweilzeit im Ofen gemessen wurde. Die Siliciumplättchen
wiesen eine Arsen dotierte Oberflächenschicht von > 1 Mm Dicke auf, wobei im
Fall der hochdotierten Siliciumplättchen die Oberflächenkonzentration bei 3 x 1020
Arsenatome/cm3 und bei den niederdotierten 3 Siliciumplättchen bei 1 x 1016 Arsenatomen
lag. Aus dem Diagramm ist zu ersehen, daß die höher dotierten Siliciumplättchen
schneller erhitzt wurden und eine höhere Endtemperatur erreichten als die niederdotierten
Siliciumplättchen.
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In dem in der Fig. 2 gezeigten Diagramm ist - ebenso wie in dem in
der Fig. 1 gezeigten Diagramm die Temperatur von hoch- und niederdotierten Siliciumplättchen
gegen die Verweilzeit in einem Ofen aufgetragen. Die aufgetragenen Werte sind das
Ergebnis von Versuchen, welche sich nur dadurch von den der Fig. 1 zugrunde liegenden
Versuchen unterscheiden, daß die Ofentemperatur nicht bei 9000 C sondern bei 0 1050
C lag. Dem Diagramm ist zu entnehmen, daß bei dieser Ofentemperatur die nieder-
und die hochdotierten Siliciumplättchen etwa gleich schnell aufgeheizt werden und
dieselbe Endtemperatur erreichen.
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Das Diagramm in der Fig. 1 läßt sich so deuten, daß -jedenfalls bei
T< 9000 C - die Siliciumplättchen Infrarotstrahlung um so stärker absorbieren
und deshalb um so heißer werden, je höher ihre Dotierung ist. Mit zunehmender Temperatur
wird
jedoch die Eigenleitung von Halbleitermaterialien, d. h. auch von Silicium, zunehmend
größer. Bei einer Tem-0 peratur von größenordnungsmäßig 1050 C wird - wie die Fig.
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2 zeigt - im Fall des Silicium die Eigenleitung von der Dotierung
unabhängig, d. h. intrinsisches Silicium absorbiert Infrarotstrahlung in der selben
Weise wie sehr hochdotiertes Silicium.
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Die überraschende Feststellung, daß bei Temperaturen unterhalb ungefähr
1050 OC das Verhalten der Siliciumplättchen beim Aufheizen auch von ihrer Dotierung
abhängt, ermöglichte es, nachträglich in der Vergangenheit aufgetretene Prozeßschwierigkeiten
zu erklären und geeignete Gegenmaßnahmen z-u ergreifen. Außerdem konnten aufgrund
dieser Feststellung Prozeßverbesserungen erzielt werden, welche sonst nur mit relativ
großem Aufwand möglich gewesen wären. Auf die praktische Anwendung der festgestellten
Dotierungsabhängigkeit des Temperaturverhaltens von Siliciumplättchen soll im folgenden
eingegangen werden.
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Bisher war es üblich, bei der Festlegung der Bedingungen, welche beispielsweise
beim Diffundieren von Dotierungsmaterial in eine Charge von Halbleiterplättchen
einzuhalten sind, eine Charge zu prozessieren, welche aus einer Vielzahl von nicht
oder niederdotierten, vorzugsweise oxidierten Halblciterplättchen und einer Anzahl,
in gleichmäßiger Verteilung zwischen den Halbleiterplättchen stehenden Testplättchen
bestand, und dann solange die Prozeßbedingungen zu variieren bis - im Fall einer
Diffusion - die Oberflächenwiderstandswerte R5 auf den Testplättchen den gewünschten
Wert aufwiesen. Es wurde dann immer wieder festgestellt, daß, wenn die nicht bzw.
niederdotierten und vorzugsweise oxidierten Halbleiterplättchen durch Produkeplättchen
ersetzt wurden, unter den zuvor festgelegten Prozeßbedingungen die Rs-Werte auf
den Testplättchen regelmäßig niedriger lagen als bei den Vorversuchen. Nachdem die
oben er-
wähnten Aufheizversuche an nieder- und hochdotierten Siliciumplättchen
durchgeführt worden waren, wurde festgestellt, daß die Abweichung von den erwarteten
R -Werten immer dann 5 auftrat, wenn der Hochtemperaturprozeß bei Temperaturen <
10500 C an Produkthalbleiterplättchen durchgeführt wurde, welche bereits bei vorangegangenen
Dotierungsprozessen hochdotiert worden waren. Das Problem kann nun in diesen Fällen
einfach dadurch gelöst werden, daß beim Feststellen der Prozeßbedingungen mit den
Testplättchen anstelle von nicht oder niederdotierten Siliciumplättchen hochdotierte
Siliciumplättchen prozessiert werden. Die hochdotierten Siliciumplättchen werden
bei einer gegebenen Ofentemperatur höher erhitzt als die nicht oder niederdotierten
Siliciumplättchen, und da die Testplättchen mit den in ihrer Nachbarschaft stehenden
Siliciumplättchen in thermischer Wechselwirkung stehen, werden die Testplättchen,
welche in der Nachbarschaft von hochdotierten Siliciumplättchen stehen höher erhitzt
als solche Testplättchen, welche in der Nachbarschaft von nicht oder niederdotierten
Siliciumplättchen stehen. Daraus erklären sich die an unter vermeintlich gleichen
Bedingungen prozessierten Testwafern festgestellten R -Unterschiede. Bei der praktischen
Durchführung ist es 5 günstig eine Siliciumplättchenanordnung vorzunehmen, wie sie
in der Fig. 3 schematisch dargestellt ist. Die Fig. 3 zeigt im Längsschnitt ein
Plättchenboot 3, welches in einem Rohr 4, welches konzentrisch zu einem Heizelement
5 eines Rohrofens angeordnet ist, steht. In dem Plättchenboot 3 stehen eine Vielzahl
von Testplättchen 1. Jeweils einer Oberfläche eines Testplättchens 1 steht ein hochdotiertes
Siliciumplättchen 2, im folgenden Temperierplättchen 2 genannt, gegenüber.-Um den
thermischen Austausch noch zu intensivieren ist es auch möglich eine Plättchenanordnung
zu wählen, bei der abwechselnd Temperierplättchen 2 und Testplättchen 1 im Plättchenboot
3 hintereinander stehen.
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Die in der Fig. 3 gezeigte Plättchenanordnung im Plättchenboot 3 bzw.
die als Alternative genannte Plättchenanordnung läßt sich auch vorteilhaft anwenden,
wenn niederdotierte Produktsiliciumplättchen möglichst während der gesamten Dauer
eines bei Temperaturen unter 10500 C ablaufenden Diffusionsprozesses auf der selben
Temperatur gehalten werden sollen. Befänden sich keine Temperierplättchen im Plättchenboot,
würden sich aus den Gründen, welche anhand der Fig. 1 besprochen worden sind, die
Produktsiliciumplättchen nach dem Aufheizen zunächst auf eine relativ niedrige Temperatur
einstellen und sich dann mit zunehmender Dotierung allmählich weiter erwärmen. Stehen
jedoch hochdotierte Temperierplättchen mit im Plättchenboot, welche sich bereits
beim Aufheizen auf die Temperatur erwärmen, welche die Produktsiliciumplättchen
erst am Ende des Diffusionsprozesses erreichen, so bewirkt die thermische Wechselwirkung
zwischen Temperier- und Produktsiliciumplättchen, daß die Produktsiliciumplättchen
praktisch schon nach dem Aufheizen sich auf die Endtemperatur erhitzt haben.
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Die in der Fig. 3 gezeigte, bzw. die als Alternative genannte Plättchenanordnung
ist auch dann von Vorteil, wenn in einem Hochtemperaturofen einerseits niederdotierte
und andererseits hochdotierte Produktsiliciumplättchen einem Hochtemperaturprozeß
unter identischen Bedingungen unterworfen werden sollen, ohne daß an der Einstellung
des Ofens etwas geändert werden soll. Ohne die Anwesenheit von hochdotierten Temperierplättchen
würden unter diesen Voraussetzungen niederdotierte Produktsiliciumplättchen bei
einer niedrigeren Plättchentemperatur prozessiert werden als die hochdotierten Produktsiliciumplättchen.
Das Dazwischenstellen Von Temperierplättchen bewirkt, daß die niederdotierten Produktsiliciumplättchen
bei einer Temperatur prozessiert werden können, welche nur wenig unterhalb der Temperatur
liegt, auf welche sich die hochdotierten Produktsiliciumplättchen einstellen.
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Werden Chargen von Produktsiliciumplättchen prozessiert, so werden
zu Kontrollzwecken in der Mitte der Charge und an ihren beiden Enden je ein Testplättchen
in das Plättchenboot gestellt. Außerdem werden, insbesondere um die Charge vor Verunreinigungen
zu schützen und um das Strömungsverhalten der durch das Rohr strömenden Gase zu
optimieren, üblicherweise nicht bzw. niederdotierte oxidierte Siliciumplättchen
in das Boot gestellt. Obwohl das Plättchenboot wesentlich kürzer ist, als der Bereich
im Hochtemperaturofen, welcher eine einheitliche Temperatur hat, wurde in der Vergangenheit
nach Diffusionsprozessen, bei welchen die Produktsiliciumplättchen und die Testplättchen
dotiert wurden, immer.festgestellt, daß das Testplättchen in der Mitte einen niedrigeren
R5-Wert aufwies, d. h. höher dotiert war als die beiden Testplättchen an den Chargenenden.
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Es wurde nun festgestellt, daß bei Diffusionsprozessen, welche bei
Temperaturen unter 10500 C stattfinden, daß Ansteigen der Rs-Werte an den Chargenenden
dadurch verhindert werden kann, daß zusätzlich zu bzw. statt den niederdotierten
Siliciumplättchen hochdotierte Temperierplättchen in das Boot gestellt werden. Offenbar
ist es so, daß der bekannte Anstieg der Rs-Werte an den Chargenenden auf Strahlungsverluste
zurückzuführen ist und daß diese Verluste durch das Einrahmen der Charge mit hochdotierten
Temperierplättchen, welche sich stärker oder mindestens genauso stark wie die Produktsiliciumplättchen,
in jedem Fall aber stärker als die niederdotierten, vor Verunreinigungen schützenden
Siliciumplättchen erwärmen, weitgehend kompensiert werden kann.
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Mit anderen Worten, die hochdotierten Temperierplättchen sorgen dafür,
daß das effektive Temperaturprofil im Bereich des Plättchenbootes horizontal verläuft.
Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wirkt sich unabhängig davon,
ob die Produktsiliciumplättchen und die Testplättchen hoch- oder niederdotiert sind,
vorteilhaft aus. Eine Plättchenanordnung, welche bei der eben beschriebenen Ausführungs-
form
des erfindungsgemäßen Verfahrens Anwendung finden kann, ist schematisch in der Fig.
4 gezeigt. Die Fig. 4 zeigt einen Längsschnitt durch einen Rohrofen mit einer Heizwicklung
5 und einem Ofenrohr 4, in welchem das Plättchenboot 3 steht, welches mit einer
Charge von Produktsiliciumplättchen 6 und mit je drei hochdotierten Temperierplättchen
2 an den beiden Chatgenenden beladen ist.
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Wird eine auf Zimmertemperatur befindliche Charge von Siliciumplättchen
in einen hocherhitzten Rohrofen geschoben, so tritt zunächst eine starke Erniedrigung
der Ofentemperatur ein, welche auf der Seite des Ofens stärker ist, von welcher
aus der Ofen beladen wird als auf der anderen Seite des Ofens. Da diese unsymmetrische
Temperaturabsenkung des Ofens insbesondere bei kürzer dauernden Prozessen bewirken
kann, daß das vordere und das hintere Ende der Charge nicht unter den selben Bedingungen
prozessiert werden und deshalb uneinheitliche Ergebnisse innerhalb der Charge erzielt
werden, sind Hochtemperaturöfen, zum Teil mit einer auf der einen Ofenseite angebrachten
zusätzlichen Heizung ausgestattet, mit welcher, indem kurzfristig zusätzlich geheizt
wird, die Unsymmetrie der Temperaturabsenkung ausgeglichen werden soll. Es ist jedoch
so, daß es beim Einsatz dieser zusätzlichen Heizung schwierig ist, das Heizen richtig
zu dimensionieren, so daß entweder der Heizeffekt zu gering ist, oder ein "überschwingen"
der Ofentemperatur auf der Beladeseite des Ofens eintritt. Das erfindungsgemäße
Verfahren ist nun geeignet, das unsymmetrische Aufheizen insbesondere einer Charge,
welche aus niederdotierten Produktsiliciumplättchen besteht, zu erleichtern. Bei
dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens geht man so vor, daß an
dem Ende der Charge, welches in Richtung der Beladeseite des Ofens schaut, eine
größere Anzahl von hochdotierten Temperierplättchen in das Plättchenboot gestellt
werden als am anderen Ende der Charge. Die einseitige bzw. unsymmetrische Beladung
des Bootes mit hochdotierten Temperierplättchen GE 980 003
bewirkt,
eine unsymmetrische Erwärmung des Bootes wodurch eine zu geringe Wirkung der Zusatzheizung
gezielt - über eine genaue Festlegung der Anzahl und der Dotierung der einzusetzenden
hochdotierten Temperierplättchen - kompensiert werden kann. Bei dieser Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens kann beispielsweise eine Anordnung von Plättchen
im Plättchenboot angewandt werden, bei der die in der Fig. 4 gezeigte Anordnung
so abgewandelt ist, daß am einen Ende der Charge die Temperierplättchen 2 entfernt
und gegebenenfalls durch Produktsiliciumplättchen 6 ersetzt werden. Vorteilhafte
Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich auch dadurch, daß
die anhand der Fig. 3 und 4 besprochene Anordnungen von Siliciumplättchen im Plättchenboot,
bzw. die dabei als mögliche Alternativen angegebenen Anordnungen von Siliciumplättchen
miteinander kombiniert werden, wobei die besprochenen Vorteile kumuliert erreicht
werden.
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Als Temperierplättchen sind insbesondere hochdotierte Siliciumplättchen
geeignet, welche entweder einheitlich dotiert sind, oder welche eine im wesentlichen
sich über die. ganze Plättchenfläche erstreckende, mindestens 1 um dicke Schicht
aufweisen, die höher als der Rest des Plättchens dotiert ist. Um eine Aus- bzw.
Eindiffusion des Dotierungsmaterials während der Hochtemperaturprozesse zu verhindern,
ist es günstig, die Temperierplättchen mit einer für das Dotierungsmaterial undurchlässigen
Schicht zu überziehen. Als Schichtmaterialien sind beispielsweise Siliciumnitrid
und - wenn auch nicht für alle Dotierungsmaterialien - Siliciumdioxid geeignet.
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Hochtemperaturprozesse, bei welchen das erfindungsgemäße Verfahren
Anwendung finden kann, sind beispielsweise Diffusionen, Oxidationen, das chemische
Niederschlagen von Schichten aus der Dampfphase und Temperprozesse.