DE3036439A1 - Verfahren zur herstellung eines rueckseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten schaltkreisen - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines rueckseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten schaltkreisen

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Description

  • Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktes
  • bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen (Mikropacks), die mit der auf dem Filmträger befindlichen geätzten Leiterstruktur verbunden und in einer Ausnehmung des Filmträgers angeordnet sind.
  • Integrierte Schaltkreise benötigen zu ihrem Betrieb einen Substratanschluß, der, wenn er nicht aus eigener Anschluß an der Oberseite des Chips ausgebildet ist, über die chiprückseite hergestellt wird.
  • Bei der Montage dieser Schaltkreise in Gehäuse wird der Chip mit der Rückseite einlegiert, gelötet oder elektrisch leitend geklebt und der Substratanschluß auf diese Weise realisiert. Bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen (Mikropacks) ist bekannt, daß - unter Voraussetzung der nface-up-Montage des Chips - der Substratkontakt bei der Montage der Mikropacks auf die Verdrahtungsplatte durch Auflöten oder elektrisch leitendes Kleben der Chiprückseite erfolgt.
  • Ist aber aufgrund der Einbaubedingungen eine solche Montage nicht möglich, z. B. weil das Mikropack "face-down" montiert wird oder weil mehrere Mikropacks übereinander gestapelt werden, ist der Rückseitensubstratanschschluß auf andere Art herzustellen.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, bei dem in einfacher Weise ein Substratanschluß auf der Rückseite eines integrierten Schaltkreises, der in der sogenannten Mikropack-Bauform aufgebaut ist, hergestellt werden kann.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe gemäß der Erfindung wird so verfahren, daß eine als Kontaktblech ausgebildete Strukturfläche, die mindestens einen Anschluß besitzt, in die auf dem Filmträger aufgebrachte, geätzte Leiterstruktur einbezogen und vor bzw. nach der Montage des integrierten Schaltkreises (Chips) der Filmträger rund um die Strukturfläche bis auf eine als Biegekante dienende Stelle durchtrennt und die Strukturfläche anschließend über die Rückseite des integrierten Schaltkreises geklappt und mit dieser elektrisch leitend verbunden wird.
  • Durch diese Maßnahme erhält man einen einfachen Substratanschluß an der Rückseite des als Chip ausgebildeten integrierten Schaltkreises.
  • In einer Ausführungsform kanir dabei die Strukturfläche seitlich neben den für den integrierten Schaltkreis vorgesehenen Durchbruch am Filmträger angebracht sein.
  • Unterhalb der vorgesehenen Biegekante des Kontaktes kann ein weiterer Durchbruch im Filmträger vorgesehen sein, wobei der bzw. die Anschlüsse der Strukturfläche hinter dieser Biegekante neben den Anschluß für den integrierten Schaltkreis als äußerster Anschluß bzw.
  • äußerste Anschlüsse liegen.
  • Zur Vereinfachung des anschließenden Schneidvorgangs ist es vorteilhaft, daß der Filmträger rund um die Strukturfläche mit weiteren Durchbrüchen versehen ist und daß nach Kontaktieren des integrierten Schaltkreises mit der Leiterstruktur die noch verbleibenden Stege des Filmträgers durchtrennt werden.
  • EinePlatzersparnis auf dem Filmträger erreicht man dann, wenn derart verfahren wird, daß die Strukturfläche über dem Durchbruch für den integrierten Schaltkreis angeordnet und mit den inneren Leitungen der Leiterstruktur mindestens auf einer Seite verbunden ist, und daß vor der Montage des integrierten Schaltkreises die inneren Leiter aufgetrennt und die Strukturfläche aufgebogen und nach der Montage des integrierten Schaltkreises auf dessen Rückseite zurückgeklappt wird.
  • Eine andere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß eine als Kontaktblech ausgebildete Strukturfläche mit mindestens einem Anschluß auf einem zweiten Filmträger aufgebracht wird und daß die Strukturfläche nach der Montage des integrierten Schaltkreises aus der Leiterstruktur des ersten Filmträgers ausgeschnitten und passungsgenau auf die Rückseite des integrierten Schaltkreises aufgelegt und mit dieser elektrisch verbunden wird, und daß die Außenanschlüsse der geätzten Leiterstruktur so ausgeformt werden, daß sie mit der Strukturfläche und deren Anschluß, der sich an einer eigens vorgesehenen Stelle der geätzten Leiterstruktur einfügt, in einer Ebene liegen.
  • Dabei ist es vorteilhaft, daß die Perforationsausschnitte gleichzeitig als Löcher zur Positionierung von integrierten Schaltkreis und Kontaktfleck zueinander dienen.
  • Bei unterschiedlich breiten Filmen kann aber auch mindestens einer der Filmträger eigene Positionierungslöcher aufweisen.
  • Anhand der Zeichnungen nach den Figuren 1 bis 10 wird die Erfindung näher erläutert.
  • Es zeigen: Fig. 1 die Draufsicht eines filmmontierten integrierten Schaltkreises, bei dem die Strukturfläche neben den für den Durchbruch vorgesehenen Schaltkreis angeordnet ist, Fig. 2 einen Querschnitt durch eine Anordnung nach Fig. 1 bei ausgeschnittener und umgeklappter' Strukturfläche, mit positionierten stanzwerkzeugen, Fig. 4 einen filmmontierten integrierten Schaltkreis, bei dem die Strukturfläche oberhalb des Durchbruchs für den integrierten Schaltkreis angeordnet ist, Fig. 5 einen Querschnitt durch die Anordnung nach Fig. 4 bei aufgeklappter und wieder zurückgeklappter Strukturfläche, Fig. 6 eine Draufsicht im Zustand der Endmontage bei einer Anordnung nach Fig. 4, Fig. 7 einen filmmontierten integrierten Schaltkreis, Fig. 8 eine auf einem zusätzlichen Filmträger aufgebrachte Strukturfläche, Fig. 9 eine Draufsicht nach Aufbringung der Strukturfläche auf den Schaltkreis nach Fig. 7, Fig. 10 einen Längsschnitt durch die Anordnung nach Fig. 9.
  • In der Ausführung nach den Fig. 1 bis 3 wird das Kontaktblech 3 als Fläche in die geätzte Leiterstruktur 1 mit einbezogen. Die Bausteinanschlüsse 1 werden, wie die Fig.
  • 1 zeigt, im äußeren Kontaktierbereich an zwei Seiten des integrierten Schaltkreises in Reihe angeordnet, wobei der oder die Anschlüsse 2, die für den Substratanschluß vorgesehen sind, außen liegen.
  • Diese Anschlüsse sind mit einer Strukturfläche verbunden, die parallel zum Montageaussschnitt 4 für die integrierte Schaltung 6 (Chip) angeordnet und so groß wie die Chip fläche ist. Unter der Verbindung der Strukturfläche mit den Anschlüssen 2 ist im Filmträger 14 ein Ausschnitt 5 angeordnet. Nachdem die integrierteSchaltun#6 an den inneren Anschlußenden kontaktiert ist, wird die Strukturfläche 3 oder auch ein größerer Bereich mit dem darunter liegenden Film: so herausgetrennt, daß Strukturfläche und Film um die Kante 7 geklappt werden können und die leitende Oberfläche der Struktur auf der Chiprückseite aufliegt (Fig. 2).
  • Die Ankontaktierung kann nun durch eine elektrisch leitende Klebung oder (bei verzinnter Struktur) durch Löten der Chip auf der Rückseite erfolgen (Voraussetzung hierbel ist, daß eine loftahige metallische Schicht, z. B.Gold,trägt). Die Herauslösung kann, wie in Fig. 3 dargestellt, so erfolgen, daß die Kontur 8 mit einem entsprechend geformten Werkzeug ausgeschnitten wird oder es werden von vornherein weitere Ausschnitte 9 im Film so angeordnet, daß die Filmfläche, die den Rückseitenkontakt trägt, im Film nur noch über Stege 10 gehalten wird, die dann mit einem Werkzeug mit einfachen Stempeln 11, die entsprechend der Lage der Stege angeordnet sind, freigeschnitten werden.
  • Bei einer Stapelbauweise mit auf dieser Art aufgebauten Mikropacks dient die Filmfläche 3 bei entsprechend großer Auslegung als Isolation zwischen den einzelnen Stapelebenen.
  • In einer anderen Anordnung nach den Fig. 4 bis 6, bei der der Rückseitenkontakt mit seinen Anschlüssen ebenfalls in die geätzte metallische Leiterstruktur des Mikropacks einbezogen ist, ist die Struktur 12, die den Rückseitenkontakt herstellt, im zentralen Ausschnitt 13 des Filmträgers 14 angeordnet.
  • Diese Struktur kann dabei wie Fig. 4 zeigt, frei in den Ausschnitt hineinragen und zur Stabilisierung der Strukturfläche 12 und der inneren Kontaktenden 15 (Inner Leads) bei der Filmherstellung und der Filmhandhabung miteinander verbunden sein (siehe Pos. 16). Vor der Montage des integrierten Schaltkreises wird der Rückseitenkontakt 12 ausgeschnitten (siehe Pos. 17) und hochgeklappt (siehe Pos.
  • 18).
  • Nachdem der integrierte Schaltkreis 19 montiert ist (Inner-Lead-Bonding), wird entsprechend Fig 4 der Rückseitenkontakt wieder zurückgeklappt (siehe Pos. 20) und mit der Rückseite der Schaltung elektrisch leitend verbunden (siehe Pos. 21), z. B. mit einem mit Silber gefüllten Epoxidharzkleber (Fig. 5).
  • Eine weitere Möglichkeit, einen Rückseitenkontakt herzustellen, ist, wie die Fig. 7 und 8 zeigen, die geätzte metallische Struktur auf einem eigenen Filmträger 22 anzuordnen. Die Struktur auf diesem Film setzt sich zusammen aus der Kontaktfläche 23 und mindestens einem Anschluß 24. Dieser Anschluß ist über eines Ausschnitt 25 im Film angeordnet.
  • Lage und Form dieses Ausschnitts müssen dem Ausschnitt 27 im Filmträger 26 entsprechen, in dem die Reihe von Anschlüssen angeordnet ist, in der der Anschluß des Rückseitenkontaktes eingefügt wird. Zur Montage wird der Film mit dem Rückseitenkontakt ausgeschnitten(Pos.29)und mit der Strukturseite über der Rückseite des integrierten Schaltkreises so positioniert, daß sich der Anschluß 24 in die vorgesehene Position 30 in der Anschlußreihe des Mikropacks einfügt.
  • Der erste Filmträger 26 und der zweite Filmträger mit dem Rückseitenkontakt 22 sind entsprechend Fig. 9 so ausgelegt, daß die Perforationsausschnitte 31 als Positionierhilfe benutzt werden können, z. B. durch Aufnahme über Paßstifte 32. Ist dies nicht möglich, z. B. bei verschiedenen Filmformaten, sind dafür eigene Ausschnitte in den Filmträgern vorzusehen. Metallische Kontaktfläche und Rückseite der integrierten Schaltung werden elektrisch leitend verbunden (siehe Pos. 23 in Fig. 10), z. B. durch Kleben mit Silber gefülltem Epoxidharzkleber oder bei verzinnter Oberfläche der Kontaktfläche und lötfähig metallisierter Chiprückseite kann durch Aufschmelzen eine Lötverbindung hergestellt werden.
  • 10 Figuren 7 Patentansprüche

Claims (7)

  1. Patentansprüche Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen (Mikropacks), die mit der auf dem Filmtråger befindlichen geätzten Leiterstruktur verbunden und in einer Ausnehmung des Filmträgers angeordnet sind, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß eine als Kontaktblech ausgebildete Strukturfläche (3, 12)die mindestens einen Anschluß (2) besitzt, in die auf dem Filmträger (14) aufgebrachte, geätzte Leiterstruktur (1) einbezogen und vor bzw. nach der Montage des integrierten Schaltkreises (Chips) (6, 19) der Filmträger (14) rund um die Strukturfläche (3, 12) bis auf eine als Biegekante (7) dienende Stelle durchtrennt und die Strukturfläche (3, 12) anschließend über die Rückseite des integrierten Schaltkreises (6, 19) geklappt und mit dieser elektrisch leitend verbunden wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Strukturfläche (3) seitlich neben den für den integrierten Schaltkreis (6) vorgesehenen Durchbruch (4) am Filmträger (14) angebracht ist, daß unterhalb der vorgesehenen Biegekante (7) des Kontaktbleches (3) ein weiterer Durchbruch (5) im Filmträger (14) vorgesehen ist, und daß der bzw. die Anschlüsse der Strukturfläche (3) hinter dieser Biegekante (7) neben den Anschlüssen (1) für den integrierten Schaltkreis (6) als äußerster Anschluß bzw. äußerste Anschlüsse (2) liegen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Filmträger (14) rund um die Strukturfläche (3) mit weiteren Durchbrüchen (9) versehen ist und daß nach Kontaktieren des integrierten Schaltkreises (6) mit der Leiterstruktur (1) die noch verbleibenden Stege (10) des Filmträgers durchtrennt werden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Strukturfläche (12) über dem Durchbruch (13) für den integrierten Schaltkreis (19) angeordnet und mit den inneren Leitungen (17) der Leiterstruktur (1) mindestens auf einer Seite verbunden ist ~und daß vor der Montage des integrierten Schaltkreises (19) die inneren Leiter aufgetrennt und das Kontaktblech (12) aufgebogen und nach der Montage des integrierten Schaltkreises (19) auf dessen Rückseite zurückgeklappt wird.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen (Mikropacks),die mit der auf dem Filmträger befindlichen geätzten Leiterstruktur verbunden und in einer Ausnehmung des Filmträgers angeordnet sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß eine als Kontaktblech ausgebildete Strukturfläche (23) mit mindestens einem Anschluß (24) auf einem zweiten Filmträger (22) aufgebracht wird und daß die Strukturfläche (23) nach der Montage des integrierten Schaltkreises (36) auf die Leiterstruktur (28) des ersten Filmträgers (26) ausgeschnitten und passungsgenau auf die Rückseite des integrierten Schaltkreises (36) aufgelegt und mit dieser elektrisch verbunden wird, und daß die Außenanschlüsse (35) der geätzten Leiterstruktur (28) so ausgeformt werden, daß sie mit der Strukturfläche (23) und deren Anschluß (24), der sich an einer eigens vorgesehenen Stelle der geätzten Leiterstruktur (28) einfügt, in einer Ebene liegen.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß die Perforationsausschnitte (31, 40) gleichzeitig als Löcher zur Positionierung vom integrierten Schaltkreis (36) und Kontaktfleck (23) zueinander dienen.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß mindestens in einem Filmträger (22, 26) eigene Positionierungslöcher vorgesehen sind.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2495839A1 (fr) * 1980-12-08 1982-06-11 Gao Ges Automation Org Element porteur pour un module a circuit integre
FR2638895A1 (fr) * 1988-11-08 1990-05-11 Bull Sa Support de circuit integre et son procede de fabrication, circuit integre adapte au support et boitier en resultant
EP0493870A2 (de) * 1990-11-28 1992-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Eine TAB-Packung und eine Flüssigkeitskristallplatte die diese Packung anwendet
WO2001059829A2 (fr) * 2000-02-10 2001-08-16 Bull S.A. Procede de montage de circuits integres sur un support conducteur et support en resultant

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2495839A1 (fr) * 1980-12-08 1982-06-11 Gao Ges Automation Org Element porteur pour un module a circuit integre
FR2638895A1 (fr) * 1988-11-08 1990-05-11 Bull Sa Support de circuit integre et son procede de fabrication, circuit integre adapte au support et boitier en resultant
EP0368741A1 (de) * 1988-11-08 1990-05-16 Bull S.A. Integrierter Schaltungsträger und Verfahren zum Herstellen desselben, integrierte Schaltung, angepasst an den Träger und resultierende Gehäuse
EP0493870A2 (de) * 1990-11-28 1992-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Eine TAB-Packung und eine Flüssigkeitskristallplatte die diese Packung anwendet
EP0493870A3 (en) * 1990-11-28 1992-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha A tab package and a liquid-crystal panel unit using the same
WO2001059829A2 (fr) * 2000-02-10 2001-08-16 Bull S.A. Procede de montage de circuits integres sur un support conducteur et support en resultant
WO2001059829A3 (fr) * 2000-02-10 2002-03-28 Bull Sa Procede de montage de circuits integres sur un support conducteur et support en resultant

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