DE3035992A1

DE3035992A1 - Verfahren und vorrichtung zum auftragen von materialien durch aufdampfen

Info

Publication number: DE3035992A1
Application number: DE19803035992
Authority: DE
Inventors: Bill N. Baron; Richard Rochelaeau; T.W. Fraser Newark Del. Russell
Original assignee: University of Delaware
Current assignee: University of Delaware
Priority date: 1980-09-24
Filing date: 1980-09-24
Publication date: 1982-05-19
Also published as: DE3035992C2

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen von
Materialien durch Aufdampfen Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ablagern von Material auf einem kontinuierlich durchlaufenden Substrat durch Aufdampfen und eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens. Das Verfahren und die Vorrichtung sind von besonderem Nutzen für die Herstellung von Photozellen wie beispielsweise Dünnschicht-Solarzellen im Durchlaufverfahren.
Dünnschicht-Solarzellen haben eine Anzahl von Vorteilen bei der Benutzung zum Umwandeln von Sonnen- zu elektrischer Energie. Dünnschichtzellen mit einer Schicht aus Cadmiumsulfid als Kollektor-Wandler und einer Schicht aus Kupfersulfid als Absorber-Generator sind flexibel, im Gewicht leicht und lassen sich mit gewerblich annehmbaren Umwandlungswirkungsgraden herstellen. Im Gegensatz zu PN-Sperrschicht-Solarzellen, die nach Chargenverfahren mit geringem Wirkungsgrad hergestellt werden müssen, besteht die Aussicht, daß sich Dünnschicht-Solarzellen im Durchlaufverfahren in industriellem Maßstab herstellen lassen.
Ein wesentlicher Schritt bei der Durchlauf-Herstellung von Dünnschicht-Cadmiumsulfid-Solarzellen ist das Aufdampfen des Cadmiumsulfid-Kollektor-Konvertermaterials auf ein. temperaturgesteuertes durchlaufendes Substrat. Bei der aroßmaßstäblichen Produktion erfordern Kostengesichtspunkte, das Cadmiumsulfid im wesentlichen gleichmäßig auf dem Substrat abzulagern und so wenig Aufdampfmaterial wie möglich dabei zu verlieren. Desgleichen erfordern Gesichtspunkte der: Wirtschaftlichkeit, daß man große Substratflächen kontinuierlich beschichtet, ohne das Vakuum zu unterbrechen. Schließlich muß die Auf--dampfrate in der Richtung der Substratbewegung gesteuert wer--den und muß im rechten Winkel zu dieser Richtung gleichmäßig sein, damit man für die Schicht die erforderlichen mechanischen und elektrischen Eigenschaften erreicht. Die bekannten typischen Aufdampfanordnungen sind für diese Aufgabe nicht geeignet. In ihnen wird im allgemeinen ein Draht oder Band aus dem aufzudampfenden Stoff in einen Verdampfer eingespeist.
Die Verdampfungsrate wird mit der Verdampfertemperatur und der Drahtzufuhrgeschwindigkeit gesteuert. Um eine gleichmäßige Aufdampfschicht zu erreichen, wird das aufzudampfende Material durch eine großflächige Öffnung hindurch über einen verhältnismäßig großen Abstand zwischen Quelle. und Substrat aufgebracht.
Derartige Anordnungen sind für die großmaßstäbliche Produktion von Cadmiumsulfid-Solarzellen ungeeignet. Cadmiumsulfid ist ein sublimierbares Pulver und läßt sich nicht einfach zu einem Draht oder Band ausformen. Da sich Cadmiumsulfid nicht als Flüssigkeit oder Draht in den Verdampfer einspeisen läßt, hat man nach früheren Vorschlägen Cadmiumsulfid in ForE eines Pulvers, als Pellets oder als Sinterkuchen in Tiegel gefüllt. Die Notwendigkeit, die Tiegel regelmäßig nachzufüllen, verhindert einen Durchlaufbetrieb oder erfordert mechanisch komplizierte Beschickungs- und Uberführungsmaschinen. Das herkömmliche Verfahren zur kontinuierlichen Zufuhr des Quellmaterials ist daher nicht einfach anzuwenden. Die Steuerung der Verdampfungsrate einer Vielzahl von Tiegeln, indem man die Temperatur jedes Tiegels regelt, ist schwierig und kostspielig. Das herkömmliche Verfahren zur Steuerung der Verdampfungsrate läßt sich hier also nicht anwenden. Weiterhin tritt bei Systemen mit großem Abstand zwischen Quelle und Substrat ein hoher Verlust an aufzudampfendem Material auf, da ein großer Teil desselben das Substrat verfehlt und stattdessen auf die Kammerinnenflächen trifft.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Auftragen eines Materials auf ein kontinuierlich durchlaufendes Substrat durch Aufdampfen insbesondere bei der Herstellung von Photozellen und dergleichen. Dieses Verfahren ist dadurch sekennzeichnet, daß man das Substrat an einer Anordnung beabstandeter Düsen eines Verteilers in einer evakuierten Beschichtungskammer vorbeiführt und das aufzudampfende Material verdampft, indem man es in einer im wesentlichen abgeschlossenen Verdampfungskammer erhitzt, die über eine Drosselstelle, d.h.
Öffnung mit verringertem Durchmesser in Verbindung mit dem Verteiler steht.
Die vorliegende Erfindung schafft weiterhin eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens mit mindestens einer Verdampfungskammer, die das aufzudampfende Material aufnimmt, einer Einrichtung zum Erwärmen der Verdampfungskammer, so daß das Material verdampft, einer Verteilerkammer mit einer Vielzahl beabstandeter Düsen zum Ablagern von Material auf einem angrenzenden Substrat, einem Kanal, der die Verdampfungskammer mit der Verteilerkammer verbindet, und einer Drosselstelle, d.h. Öffnung mit verringertem Durchmesser, die in dem Kanal angeordnet ist, um die Durchgangsrate des Dampfes aus der Verdampfungs- in die Verteilerkammer zu steuern.
Insbesondere weist die Anordnung eine oder mehrere Verdampfungskammern auf, die über eine Drosselstelle an einen Verteiler mit einer Anordnung von Düsen mit kleinem Durchmesser angeschlossen ist. Die Drosselstelle, deren Abmessungen gemeinsam mit den Druckunterschieden über der Drosselöffnung den Durchsatz des verdampften Materials aus der Verdampfungs- zur Verteilerkammer bestimmt, sowie die Abmessungen und die Düsenabstände sind so gewählt, daß das Verdampfungsmaterial wirksam ausgenutzt wird und man einen im wesentlichen gleichmäßigen Auftrag auf einem angrenzend durchlaufenden Substrat erhält. In einer bevorzugten Ausführungsform ist eine Vielzahl von ventilverbundenen Verdampfungskammern verwendet, um ein kontinuierliches Beschichten aus mindestens einem Verdampfer zu erlauben, während das Quellmaterial in einem weiteren-Verdampfer aufgefüllt wird.
Die vorliegende Erfindung soll nun unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung an einer beispielhaften Ausführungsform ausführlich beschrieben werden.
Fig. 1 ist eine schematisierte Schnittdarstellung einer bevorzugten Aufdampfanordnung zur Durchführung der vorliegenden Erfindung; Fig. 2 ist eine teilgeschnittene Draufsicht der Anordnung nach Fig. 1.
Die Fig. 1 und 2 der Zeichnung zeigen eine Aufdampfvorrichtung mit einem Paar Verdampferkammern 10, 11, die Chargen 12,bzw.13 des zu verdampfinden Materials aufnehmen - beispielsweise Ca miumsulfid oder Zinkcadmiumsulfid. Die Kammern werden von'den wandungen 14 beziehungsweise 15 gebildet und sind mit geeigneten Wärmequellen 16, 17 wärmegekoppelt, um das aufzudampfende Material zu verdampfen. Abnehmbare Verschlüsse (nicht gezeigt) sind vorgesehen, durch die die Kammern mit dem Quellmaterial beschickt werden können.
Jede Kammer ist an einen Kanal angeschlossen, der ein unabhangig steuerbares Ventil 20 bzw. 21 und eine gemeinsame Drosselstelle 22 mit einer Verteilerkammer 23 verbindet. Wie unten ausführlicher beschrieben, läßt die Querschnittsfläche der Öffnung (Drosselstelle) 22 sich dazu nutzen, um den Durchsatz des Quellmaterials zum Verteiler zu steuern.
Die Fig. 2 zeigt die Nutzung einer Vielzahl identischer Verteiler 23. Falls erwünscht, ist es jedoch auch möglich, nur einen Verteiler vorzusehen.
Der Verteiler 23 weist eine offene Kammer 24 auf, die von den Wandungen 25 gebildet wird, in denen eine Vielzahl von Düsen 26 angeordnet ist Vorzugsweise umgibt eine Wärmeabschirmung 28 die Verteilerwandungen. Wie unten ausführlicher beschrieben, sind der Düsendurchmesser (d), die Düsenlänge (1) und der Mittenabstand (s) zwischen nebeneinanderliegenden Düsen so gewählt, daß man eine im wesentlichen gleichmäßige Beschichtung auf einem Substrat 27 erhält, die nahe den Düsen in einer Vakuumkammer 29 in kurzem Abstand (D) zu ihnen vorbeiläuft.
Die Zeichnung zeigt, daß das Substrat 27 quer zur Längsrichtung der Verteiler 23 läuft. Falls erwünscht, kann jedoch das Substrat 27 auch in der Längsrichtung der Verteiler 23 laufen.
In einer bevorzugten Ausführungsform zum Aufdampfen von Cadmiumsulfid, bestehen die die Verdampfungskammer bildenden Wände, die Verbindungskanäle und der Verteiler aus einem geeigneten Material, das hochtemperaturbeständig, chemisch inert, wärmeleitfähig und emissionsfähig ist, wie für einen wirkungsvol-.
len Wärmeübergang erforderlich - beispielsweise Graphit oder Bornitrid. Das Drosselelement mit der öffnung 22 kann aus dem gleichen Werkstoff bestehen. Die Wärmeabschirmung besteht aus dünnen Folien aus chemisch inertem und hochemittierendem Metall wie beispielsweise Tantal.
Im Betrieb beschickt man jede der beiden Verdampfungskammern mit Chargen des Quellmaterials und erwärmt mindestens eine der Kammern (beispielsweise die Kammer 10), um das Quellmaterial zu verdampfen oder zu sublimieren. Die Verdampfungskammer wird in Verbindung mit dem Verteiler gebracht, indem man das zugehörige Ventil 20 öffnet. Die andere Kammer 11 kann als Reserve beibehalten werden, indem man das Ventil 21 geschlossen hält. Verdampftes Quellmaterial strömt durch die öffnung 22 mit einem von deren Durchmesser und von der Druckdifferenz zwischen der Verdampferkammer 10 und dem Verteiler 23 bestimmten Durchsatz in den Verteiler 23. Aus dem Verteiler strömt das verdampfte Quellmaterial durch die Düsen 26 auf das durchlaufende Substrat, wo es sich als dünne Schicht ablagert.
Ist der Quellmaterialvorrat in der Kammer 10 fast aufgebraucht, kann man die Kammer 11 erwärmen und an den Verteiler legen.
Die Kammer 10 wird dann aus dem System durch Schließen des Ventils 20 herausgenommen und ihr Quellmaterial läßt sich auffüllen, ohne daß man das Vakuum in der Beschichtungskammer 29# unterbrechen muß.
Handelt es sich bei dem Quellmaterial um eine einzige Materialwirt, läßt sich die Effusionsrate E durch die ~Öffnung' 22 etwa mit der Beziehung angeben, in der A die Öffnungsfläche in cm2, P der Gleichgewichtsdruck der Materialart in mm Hg bei der Temperatur T, M das Molekulargewicht der Materialart, k die #Boltzmannsche Konstante und a der wirksame Verdampfungskoeffizient der Materialart sind.
Für den-Fall von Cadmiumsulfid, das sehr stark effundiert, läßt die Masseneffusionsrate sich genauer mit der Beziehung F = )~2KAM'(GP' - GoPo) angeben, in der K ein Korrekturfaktor für die Abnahme der Effusionsrate infolge der endlichen Dicke der oeffnung, G eine Korrekturkonstante für die Zunahme der Effusionsrate infolge molekularer Wechselwirkungen bei erhöhtem Druck, M' das effektive Molekulargewicht von Cd + S2 entsprechend einer Korrektur für nichtstöchiometrischen Dampf in der Kammer im steht tigen Zustand, P' der Gesamtdampfdruck in der Kammer und d eine Konstante sind. Der Index (O) bezeichnet die Strömun vom Verteiler zurück in die Verdampferkammer.
Eine kontinuierliche Steuerung der Effusionsrate bei einer gegebenen öffnungsfläche erreicht man, indem man zwischen der Verdampferkammer 10 und dem Verteiler eine konstante Druckdifferenz aufrechterhält.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird der Druckunterschied mit dem Druck in der Kammer 10 bestimmt. Das bevorzugte Verfahren zur Steuerung der Effusionsrate beruht auf einer Messung des Drucks in der Kammer 10 mit einem ( in Fig. 1 nicht.
gezeigten) Wandler, dessen elektrisches Ausgangssignal nach der Verarbeitung in bekannten elektronischen Einrichtungen druckproportional ist. Das elektrische Drucksignal wird elektronisch weiterverarbeitet, um die Wärmezufuhr für die Verdampferkammer 10 zu steuern. In einer weiteren Ausführungsform des Prinzips der Druckregelung wird das selbsttätige Anlegen und Abnehmen der Verdampferkammer 11, 10, wenn das Material in der Kammer 10 fast erschöpft ist, erleichtert. Ist die Charge in der Kammer fast aufgebraucht, steigt die zum Aufrechterhalten des bevorzugten Drucks erforderliche Temperatur stark an. Hat die Temperatur in der Kammer 10 einen vorbestimmten Wert erreicht, der auf einen erschöpften Materialvorrat hinweist, wird eine Schaltfolge eingeleitet, die zum selbsttätigen Anlegen der Kammer 11 an den Verteiler führt. Die Temperatur in der Kammer wird mit einem Thermoelement oder einem IS-Detektor erfaßt.
Der Nutzen der erwähnten Steuerung der Effusionsrate undUmschaltautomatik, den die vorliegende Erfindung ermöglicht, läßt sich weiter verbessern, indem man die Techniken und Einrichtungen aus der digitalen Prozeß steuerung anwendet.
Die folgenden Tabellen zeigen Konstruktionswerte für die Aufdampfanordnung' nach der vorliegenden Erfindung mit Abmessungen, die für zwe#i unterschiedliche Anlagen zur Herstellung von Solarzellen geeignet sind. Die kleinere Pilotanlage ist für eine Jahresproduktion von Solarzellen mit einer Gesarr(tfläche konstruiert, die 1000 kW elektrische Spitzenleistung erzeugen können. Die industrielle Anlage ist für eine Jahresproduktion von Solarzellen in einer Gesamtfläche ausgelegt, die 10 MW elektrische Spitzenleistung erzeugen können.
Die Tabelle I gibt die grundsätzlichen Konstruktionsparameter für jede Anlage an.
Tabelle I Jahresproduktion 1000 kW 10' MW (elektrische Spitzenerzeugungskapazität bei Sonnenbestrahlung = 0,1 W/cm2, Wirkungsgrad 10 %) Produktion (Std./Jahr) 7200 7200 Gesamtzellfläche (m2) 10000 100000 Schichtdicke (m) 10 4 Streifenbreite (m) 0,25 0,50 Lineargeschwindigkeit (cm/s) 0,15 0,77 Behandlungsdauer (s) 400 160 Die Tabelle II gibt die Konstruktionswerte und näherungsweise die Größe der Verdampfungskammer jeder Anlage an.
Tabelle II Jahresproduktion 1000 kW 10 MW Betrieb/Charge (Std.) 24 24 Sublimationsrate minimal (100 % Nutzung) (a/min) 1,12 11,2 erwartete Sublimationsrate (80 % Nutzung) (g/min) 1,40 14,0 Gesamtsublimation pro 24 Std.
(80 % Nutzung) (kg) 5,2 52 Sublimationstemperatur (OK) 1250-1450 1250-1450 Durchmesser (mm) der Drosselöffnung f.d. Durchsatzsteuerung 0,5 - 3 1 - 6 Kammergröße ca. (m3) 0,06 0,6 CdS-Oberfläche (cm2) ca. 260 .1600 Die Tabelle III gibt die Düsenabmessungen und -verteilung zur Gleichmäßigkeitssteuerung der Beschichtung an.
Tabelle III Jahresproduktion 1000 kW 10 MW Gesamtabmessungen 0,6 x 0,3 m 1,2 x 0,6 m Temperatur (OK) 1250 - 1450 1250 - 1450 Anzahl der Düsen 4 bis 6 Rei- 8bis12 Reihen hen mit 3 mit 6 bis 10 bis 5 Düsen Düsen Düsendurchmesser (mm) 1,3 - 5,1 1,3 - 5,1 Düsenlänge (mm) 6,4 - 13 6,4 - 13 Abstand Quelle-Substrat 50 - 200 50 - 200 Die folgende analytische Erörterung ist für den Fall hierin auf genommen worden, daß die Vorrichtung nach der vorlieenden Erfindung anderen als den oben beschriebenen Anwendungen zugeführt werden soll.
Die Beschichtungsraten, die Gleichmäßigkeit der Beschichtung und die Ausnutzung des Quellmaterials lassen sich aus dem Dampfdruck im Verteiler, der mittleren freien Weglänge der Moleküle im Verteiler und der Größe und dem Ort der Düsen berechnen. Eine richtige Düsengeometrie und -anordnung, mit denen man eine gleichmäßige Schichtdicke bei hoher Ausnutzung des Quellma-Materials erreicht, lassen sich durch wiederholte Berechnungen ermitteln, bis man eine Konstruktion gefunden hat, die den Forderungen genügt. Die Gesamtbeschichtung an einem beliebigen Punkt auf dem Substrat ist der Integralwert des aus jeder Düse austretenden Strömungsflusses, während das Substrat die Beschichtungszone durchläuft.
Der Dampfdruck P im Verteiler läßt sich messen oder berechnen.
Die mittlereofreie Weglänge ) der Moleküle läßt sich aus dem Dampfdruck P und der Temperatur T im Verteiler nach der Näherungsbeziehung berechnen, in der k die Boltzmannsche Konstante und D der Moleküldurchmesser sind.
Die Winkelverteilung des aus den Düsen austretenden Dampfes läßt sich empirisch oder aus veröffentlichten Daten ermitteln - vergl. beispielsweise Stickney u.a. in de#r Zeitschrift A Journal of Vacuum Science & Technoloåy Bd. 4, Nr. 1, S. 10 ~(1967). Durch Kurvenanpassunq kann man dann einen analytischen Ausdruck für die normalisierte Verteilung F für jede Düse als Funktion des Winkels ~ von der Düsenachse, des Verhältnisses '/D der freien Weglänge zum Düsendruchmesser und des Verhältnisses L/D der Düsenlänge zum Düsendurchmesser d.h.
beispielsweise F = F(#, ~/D, LD) angegeben.
Die Rate R (in# Massenflußeinheiten) mit der der Dampf sich auf dem Substrat unter einer Düse mit der Winkelverteilung F aufbaut, ist wobei M = die Effusionsrate, -.= = der Winkel zwischen der Substratnormalen und der Quelle, dS = das differentielle Auftragsbogenelement, C = die Normalisierungskonstante der Veteilung und r = der Abstand von der Quelle zu dS ~sind.
C läßt sich auswerten, indem man über eine Halbkugel integriert und den Integraiwert der Auftragsrate gleich der gesamten verdampften Menge setzt, d.h.
Diese Konstante muß.für jede Düse ausgewertet werden, nachdem der Druck und die mittlere freie Weglänge bekannt sind.
Für ein Substrat, das durch die Verdampfungszone von v nach y mit einer Geschwindigkeit V läuft, ist die endgültige Dicke einer Schicht der Dichte an einem festen Punkt auf dem Substrat durch die Gleichung gegeben, die sich analytisch oder numerisch .integrieren läßt; man summiert die Beiträge aller Düsen auf, um die gesamte Ablagerung auf dem Substrat zu erhalten.
Während die vorliegende Erfindung an einer kleinen Anzahl spezieller Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist einzusehen, daß diese lediglich Beispiele für die zahlreichen möglichen Formen sind, in denen die Prinzipien der vorliegenden Erfindung sich ausführen und anwenden lassen. Zahlreiche unterschiedliche Anordnungen lassen sich vom Fachmann treffen, ohne den Grundgedanken und den Umfang der Erfindung zu verlassen.
Beispielsweise läßt sich die Erfindung auch zum Aufdampfen von anderen Materialien - wie beispielsweise Zink, Zinkphosphid (Zn3P2), Zinksulfid /ZnS), Aluminium und Siliziumoxid (SiO) -als dem bereits erwähnten Cadmium- und Zinkcadmiumsulfid verwenden.

Claims

Patentansprüche Verfahren zum Auftragen von Material auf ein kontinuierlich laufendes Substrat durch Aufdampfen insbesondere bei der Eiersteliung von Photozellen und dergleichen, dadurch gekennzeichnet, daß man das Substrat an einer Gruppenanordnung beabstandeter Düsen an einem Verteiler in einer evakuierten Beschichtungskammer vorbeiführt und das aufzudampfende Material verdampft, indem man es in einer im wesentlichen umschlossenen Verdampferkammer erwärmt, die über eine Drosselstelle mit dem Verteiler in Verbindung steht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das verdampfte Material gleichmäßig und mit einem Wirkungsgrad von mehr als 50% aufträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch aekennzeichnet, daß man die Beschichtungsrate des Materials durch den Druckunterschied zwischen der Verdampferkammer und dem Verteiler steuert.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch aekennzeichnet, daß man die Druckdifferenz durch die Wärmezufuhr zur Verdampferkammer steuert#.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch qekennzeichnet, daß man das verdampfte Material stetig auf dem lauwenden Substrat ablagert, ohne das Vakuum zu unterbrechen.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch aekennzeichnet, daß man, wenn das zu verdampfende Material in der Verdampferkammer erschöpft ist, eine zweite Verdampferkammer mit mehr Material über die gleiche Drosselstelle legt an den Verteiler, ohne das Vakuum in der evakuierten Beschichtungskammer zu unterbrechen.
7. Verfahre#n nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man die zweite Verdampferkammer selbsttätig an den Verteiler legt.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das selbsttätige Anlegen ansprechend auf die Temperatur in der ersterwähnten Verdampferkammer eingeleitet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch qekennzeichnet, daß man das Material auf das Substrat als Halbleiterschicht für eine Dünnschicht-Solarzelle aufträgt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht aus Cadmiumsulfid oder Zinkcadmiumsulfid besteht.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch crekennzeichnet, daß man pro Jahr die Halbleiterschicht für eine äquivalente Fl¢-che der Solarzellen aufträgt, die ausreicht, um 1000 kW elektrische Spitzenleistung zu erzeugen.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß man pro Jahr die Halbleiterschicht für eine äquivalente Fläche von Solarzellen aufträgt, die ausreichen, um 10 MW elektrische Spitzenleistung zu erzeugen.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das aufzubringende Material Cadmiumsulfid, Zinkcadmiumsulfid, Zink, Zinkphosphid, Zinksulfid, Aluminium oder Siliziumoxid ist.
14. Vorrichturrg zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch mindestens eine Verdampferkammer (10 oder 11) zur Aufnahme des zu verdampfenden Materials (12 oder 13), eine Einrichtung (16 oder 17) zum Erwärmen der Verdampferkammer und zum Verdampfen des in ihr enthaltenen Materials, eine Verteilerkammer (24) mit einer Vielzahl beabstandeter Düsen (26>, mit denen Material auf ein angrenzendes Substrat l27) aufgetragen werden soll, einen Kanal, der die Verdampferkainmer mit der Verteilerkammer verbindet, und mit einer#Drosselstelle (22) verringerten Durchmessers im Kanal, um die Durchgangsrate, mit der der Dampf aus der Verdampfer- in die Verteilerkammer strömt, zu steuern.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdampferkammer eine aus einer Vielzahl gleicher Verdampferkammern (10, 11) ist, die mit der Verteilerkammer (248 über entsprechende Ventileinrichtungen t20, 21) in Verbindung stehen.
16. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine evakuierte Beschichtungskammer (29) die Verteilerkammer (24) im wesentlichen umschließt.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilerkammer (24).mit einer Wärmeabschirmung (28) ausgerüstet ist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß ihre Bestandteile einschließlich der Verdampfer- und der Verteilerkammern (10, 11, 24) und des Kanals aus einem hochtemperaturfesten, chemisch inerten, hochwärmeleitfähigen und emissionsfhioen Material hergestellt sind, um einen wirkungsvollen Wärmeübergang zu gewährleisten.
19. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ihre Bestandteile aus Graphit oder Bornitrid gefertigt sind.