DE3004480A1 - Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE3004480A1
DE3004480A1 DE19803004480 DE3004480A DE3004480A1 DE 3004480 A1 DE3004480 A1 DE 3004480A1 DE 19803004480 DE19803004480 DE 19803004480 DE 3004480 A DE3004480 A DE 3004480A DE 3004480 A1 DE3004480 A1 DE 3004480A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon nitride
semiconductor body
contacts
layer
islands
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803004480
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Joseph Palen Perry
Robert Henry Wakefield
John Michael Young
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of DE3004480A1 publication Critical patent/DE3004480A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE19803004480 1979-02-13 1980-02-07 Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen Withdrawn DE3004480A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB7905111A GB2042801B (en) 1979-02-13 1979-02-13 Contacting semicnductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3004480A1 true DE3004480A1 (de) 1980-08-21

Family

ID=10503176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803004480 Withdrawn DE3004480A1 (de) 1979-02-13 1980-02-07 Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS55110039A (fr)
DE (1) DE3004480A1 (fr)
FR (1) FR2449332A1 (fr)
GB (1) GB2042801B (fr)
IT (1) IT1209190B (fr)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL153374B (nl) * 1966-10-05 1977-05-16 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL6815286A (fr) * 1967-10-28 1969-05-01
US3761327A (en) * 1971-03-19 1973-09-25 Itt Planar silicon gate mos process
JPS5246784A (en) * 1975-10-11 1977-04-13 Hitachi Ltd Process for production of semiconductor device
DE2610208C3 (de) * 1976-03-11 1979-06-13 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NL-Z.: Philips Research Report, Bd. 26, 1971, S. 166-180 *

Also Published As

Publication number Publication date
GB2042801B (en) 1983-12-14
FR2449332B1 (fr) 1983-10-28
FR2449332A1 (fr) 1980-09-12
IT8019876A0 (it) 1980-02-13
IT1209190B (it) 1989-07-16
JPS55110039A (en) 1980-08-25
GB2042801A (en) 1980-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2723944C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus einer strukturierten Schicht und einem Muster
EP0002185A1 (fr) Procédé pour interconnecter deux conducteurs croisés se trouvant au-dessus de la surface d'un substrat
DE2355567B2 (de) Verfahren zur herstellung metallischer leitungssysteme auf halbleiteranordnungen
DE2729030A1 (de) Verfahren zum erzeugen eines mehrschichtigen leiterzugsmusters bei der herstellung monolithisch integrierter schaltungen
DE1614872A1 (de) Vielschichtiges Leitungssystem mit ohmischen Kontakten fuer integrierte Schaltkreise
DE69133534T2 (de) Schichtstruktur mit Kontaktöffnung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2313219B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer auf mehreren Niveaus liegenden Metallisierung
DE3414781A1 (de) Vielschicht-verbindungsstruktur einer halbleitereinrichtung
DE112019002455T5 (de) Dünnfilmwiderstand in einer integrierten schaltung und herstellungsverfahren
DE2439300A1 (de) Verfahren zum aetzen abgeschraegter raender, insbesondere an siliziumoxidschichten
EP0012220A1 (fr) Procédé de fabrication d'un contact Schottky à anneau de garde auto-aligné
DE2636971A1 (de) Verfahren zum herstellen einer isolierenden schicht mit ebener oberflaeche auf einem substrat
DE2740757C2 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19653614A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenanschlüssen in Halbleitereinrichtungen
DE1764378B2 (de) Integrierte randschichtdiodenmatrix und verfahren zu ihrer herstellung
DE2351943A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen
DE3544539A1 (de) Halbleiteranordnung mit metallisierungsbahnen verschiedener staerke sowie verfahren zu deren herstellung
DE19717363C2 (de) Herstellverfahren für eine Platinmetall-Struktur mittels eines Lift-off-Prozesses und Verwendung des Herstellverfahrens
DE4222584A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbausteinen
EP0013728A1 (fr) Procédé pour former des connexions électriques entre des couches conductrices dans des structures semi-conductrices
DE19719909A1 (de) Zweifaches Damaszierverfahren
DE2132099C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Musters sich kreuzender oder überlappender elektrisch leitender Verbindungen
DE3112215A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
WO2001063652A1 (fr) Composant semi-conducteur et procede de fabrication dudit composant
DE2451486A1 (de) Verfahren zum herstellen kleinster oeffnungen in integrierten schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8139 Disposal/non-payment of the annual fee