DE2916843A1 - Verfahren zum herstellen von mos- schaltungen - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 49
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 21
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001051799 Aedes aegypti Molybdenum cofactor sulfurase 3 Proteins 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
- H01L29/1041—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure with a non-uniform doping structure in the channel region surface
- H01L29/1045—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure with a non-uniform doping structure in the channel region surface the doping structure being parallel to the channel length, e.g. DMOS like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/27—ROM only
- H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
- H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
- H10B20/387—Source region or drain region doping programmed
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/091—Laser beam processing of fets
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/143—Shadow masking
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
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Description
Dipl. Ing. Hans-Jürgen Müller Dr! rer. nat. Thomas Berendt
Dr -Ing. Hans Leyh
lucll.-Grahn-StraB.38 D 8 München 80
F, 8160 HJM
Standard Microsystems Corporation 35 Marcus Boulevard, Hauppage, L.I.
New York -11787, USA
Verfahren zum Herstellen von MOS-Schaltungen
030008/0584
Verfahren zum Herstellen von MOS-Schaltungen
Die Erfindung bezieht sich generell auf MOS-Bauelemente, insbesondere
ein Verfahren zum selektiven Indern der elektrischen Eigenschaften von MOS-Bauelementen in einer integrierten Schaltung
in oder kurz vor dem letzten Herstellungsschritt.
In der TJS-PS 4 080 718 ist ein Yerfahren angegeben zum selektiven
Indern von MOS-Bauelementen, z. B. zum Programmieren eines MOS-3?e
stwert Speichers, durch Ionen-Einpflanzung durch selektiv abgetragene !eile einer z. B. aus Siliciumnitrid bestehenden Passivierungsschicht in das darunterliegende Substrat an den Stellen
der Gate-Kanal-Zonen der zu ändernden MOS-Bauelemente. Dadurch wird die Bildung von Einpflanzungs-Bereiehen an diesen Kanal-Zonen
bewirkt, die die Schwellenspannung der Kanal-Zonen ändern,
so daß z. B. die logische Speicherkapazität dieser MOS-Bauelemente von einer logischen 11I" in eine logische "O" geändert wird.
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Durch, dieses Verfahren können unprogrammierte oder uncodierte
MOS-Speicher nahezu fertiggestellt und "bis zu dem Zeitpunkt auf Lager gehalten werden, an dem sie codiert oder programmiert
werden, sollen. Zu diesem Zeitpunkt wird ein weiterer fotolithografischer
Schritt durchgeführt zur Bildung von Öffnungen oder löchern in der Passivierungsschicht an ausgewählten MOS-Bauelementen,
und die Ionen-Einpflanzung erfolgt, um die MOS-Bauelemente an den Stellen dieser Öffnungen zu ändern. Während desselben
fotolithografischen Schritts werden die Stellen der Kontakt
ie rf lachen geöffnet oder freigelegt, so daß Zuleitungen an der fertigen Schaltung befestigbar sind.
Integrierte Schaltungen, die mit diesem Verfahren programmiert oder codiert wurden, arbeiten sehr zuverlässig, und zwar insbesondere
daiuij wenn der fertig programmierte Schaltungs-Monolith
in einen hermetisch dichten, feuchtigkeitsfreien Baustein, der typischerweise aus Keramik besteht, eingebaut wurde. Es wurde jedoch
gefunden, daß dann, wenn die mit diesem Verfahren hergestellte fertige integrierte Schaltung in einen nicht feuchtigkeitsfreien,
kostengünstigeren Baustein eingebaut wird, sie später durch das Eindringen von Feuchtigkeit in den Baustein nachteilig
beeinflußt werden kann. Beim Abätzen der oben liegenden Passivierungsschicht an den ausgewählten geänderten Bitstellen wird
die Integrität der Siliciumnitrid-Schicht beeinträchtigt, da ein Weg gebildet wird, auf dem die Feuchtigkeit direkt in den
Monolithen eindringen kann. Somit könnte die Passivierungsschicht an bestimmten Bitstellen nicht nur über der auf den Kanal-Zonen
dieser Bitstellen liegenden Polysiliciumschicht, sondern auch auf einem Teil des umgebenden Phosphorsilikatglases abgeätzt
werden. Durch diese Öffnung eindringende Feuchtigkeit könnte sich mit dem Phosphorsilikatglas verbinden und Phosphorsäure
bilden, die wiederum die Aluminium-Metallisierung der integrierten Schaltung angreifen könnte, wodurch die Zuverlässigkeit der
Vorrichtung stark beeinträchtigt werden würde.
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Um also bei dem bekannten Verfahren das programmierte MOS-Bauelement
in einen kostengünstigen, nicht hermetisch dichten Baustein einbauen zu können, wären mehrere zusätzliche fotolithografische
Schritte unter Anwendung eines geeignet ausgebildeten Fotoresist-Films als Einpflanzungs-Sperrschicht, Abtragung des
übrigen Fotoresist-Films vor dem Niederschlagen der Nitridschicht und dann Öffnen von Löchern in der Nitridschicht nur an den
Stellen der Eontaktierflächen erforderlich, um so die erwünschte Integrität der Siliciumnitridschichten aufrechtzuerhalten. Solche
zusätzlichen Verfahrensschritte bei der Herstellung der MOS-Schaltung
würden die Kosten der Schaltung erhöhen und die durch die Unterbringung des Bauelements in einem billigen Baustein
erzielten kostenmäßigen Vorteile wieder zunichtemachen.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen einer MOS-Schaltung, wobei die Codierung oder Programmierung
der Schaltung, z. B, eines Festwertspeichers, erst in oder kurz vor der Endphase der Fertigung erfolgt. Dabei soll
das so hergestellte MOS-Bauelement in einem kostengünstigen,
nicht hermetisch dichten Baustein unterbringbar sein, ohne daß
zusätzliche fotolithografische Verfahrensschritte erforderlich
sind, die eine Beschädigung des Bauelements durch eindringende Feuchtigkeit und andere Verunreinigungen verhindern.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird über den MOS-Bauelementen
und Kontaktierflächen eine Passivierungsschicht gebildet. Die elektrischen Eigenschaften ausgewählter MOS-Bauelemente werden
durch ein Ionen-Einpflanzungsverfahren geändert, und die Passivierungsschicht über den Kontaktierflächen wird abgetragen,
verbleibt jedoch über den MOS-Bauelementen, und zwar auch über
den selektiv geänderten Bauelementen.
Nach einem Ausführungsbeispiel wird vor der Ionen-Einpflanzung und dem selektiven Abtragen der Passivierungsschicht über den
Kontaktierflächen auf die Passivierungsschicht ein Fotoresist-
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Film aufgebracht. In dem Fotoresist-Film werden über den Stellen,
an denen später die elektrischen Eigenschaften der MOS-Bauelemente geändert werden sollen, schmale Öffnungen oder Löcher
gebildet. Energiereiche Ionen werden senkrecht auf die integrierte Schaltung gerichtet und dringen durch die schmalen
Öffnungen im Fotoresist-Film, die durch diese Öffnungen freiliegenden Teile der Passivierungsschicht und die darunterliegenden
Gates in das darunter befindliche Substrat ein, so daß in den Kanal-Zonen dieser MOS-Bauelemente Einpflanzungs-Bereiche
gebildet werden. Die Einpflanzungs-Bereiche bewirken die erwünschten Änderungen der elektrischen Eigenschaften derjenigen
MOS-Bauelemente, in denen sie gebildet sind. Der verbleibende Fotoresist-Film wirkt während der Ionen-Einpflanzung als Einpflanzungs-Sperrschicht
.
Ferner werden in dem Fotoresist-Film relativ weite Öffnungen ausgebildet,
die über den Kontaktierflachen liegen. Um die Passivierungsschicht
über den Kontaktierflächen zu entfernen, wird ein Winkel-Ionenfräsverfahren durchgeführt, wobei Ionen mit
relativ niedrigem Energieniveau auf die Oberfläche der integrierten Schaltung unter einem vorbestimmten Winkel auftreffen. Diese
Ionen treffen auf die Passivierungsschicht über den Kontaktierflächen auf und tragen sie ab, treffen jedoch nicht auf die freiliegenden
Abschnitte der über den durch Ionen-Einpflanzung geänderten MOS-Bauelementen liegenden Passivierungsschicht auf und
tragen sie infolgedessen auch nicht ab, und zwar aufgrund des Auftreffwinkels der Ionen, der relativen Weiten der Öffnungen im
Fotoresist-Film, die diese Abschnitte der Passivierungsschicht freilegen, und der Höhe der Fotoresist-Wandungen an diesen Öffnungen.
Nach Beendigung der Einpflanzung und des Ionenfräsens wird der Fotoresist-Film entfernt.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert.
Es zeigen:
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ΛΛ ■ .
Fig. la-h Teil-Querschnitte, die einige der Yerföhrens-
schritte verdeutlichen; und Pig. Ii das fertige Bauelement.
Bei dem Verfahren wird der logische Speicherzustand einer einzelnen
Zelle oder eines MOS-Bauelements eines Festwertspeichers selektiv dadurch geändert, daß die Schwellenspannung des MOS-Bauelements
geändert wird. Das Verfahren beginnt mit einem P-Siliciumsubstrat 10 mit einer Orientierung zwischen 2 und 50 Ohm-cm
(100). Eine dielektrische Sandwichplatte 12 aus einer dünnen Silieiumoxidschicht (ca. 200-1200 S) und einer darauf befindlichen
Siliciumnitridschicht 14 wird auf dem Substrat 10 ausgebildet. Die Schichten 12 und 14- werden in einem ersten fotolithografischen
Schritt so abgetragen, daß (vgl. Pig. la) die Oxid-Nitrid-Sandwichplatte
über Bereichen des Substrats verbleibt, die schließlich die Drain-, die Source-, die Kanal-Zone oder diffundierte Verbindungszonen
von MOS-Bauelement en werden.
Dann kann die Fotoresist-Schablone, die zur Durchführung des ersten fotolithografischen Verfahrensschritts benutzt wurde, vor
dem Entfernen der ungeschützten Teile der Schichten 12 und 14 als Sperrschicht in bezug auf die Einpflanzung von Boratomen in
die Oberfläche des Siliciumsubstrats benutzt werden, wodurch selektiv P-Zonen 16 in der Substratoberfläche ausgebildet werden
(vgl. Pig. Ib). Nach dem Entfernen der ungeschützten Abschnitte der Schichten 12 und 14 wird der übrige Fotoresist-Film entfernt.
Die Halbleiter-Scheibe wird dann einer lokalisierten Wärmeoxidation
in Naßsauerstoff bei einer Temperatur von ca. 975 0C unterworfen,
so daß die ungeschützte Oberfläche des Substrats in eine dicke Siliciumoxidschicht 18 (mit einer Dicke von z. B. 10 000
umgeformt wird, die sieh unter die ursprüngliche Substratoberfläche
erstreckt (vgl. Fig. Ic), so daß die P-Schicht 16 nach unten in das Substrat gepflanzt wird. Durch die Wärmeoxidation
wird ein Teil des Siliciumnitridfilms 14 in Siliciumoxid umge-
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wandelt, und das umgewandelte Oxid, das verbleibende Siliciumnitrid
und die darunterliegende Dünnschicht Siliciumoxid werden werden entfernt, und anschließend wird durch Aufwachsen eine
Siliciumoxid-Dünnschicht 19 auf allen freiliegenden Teilen der Siliciumoberfläche gebildet (vgl. Pig. lc).
Dann wird pyrolitisch eine Schicht polykristallines Silicium 20
auf die Gesamtoberfläche der Scheibe niedergeschlagen. Nach Fig.
Id wird dann ein zweiter fotolithografischer Schritt durchgeführt,
in dem selektiv Teile der polykristallinen Schicht 20 z. B. durch Verwendung eines Gemische aus Fluorwasserstoff-, Essig-
und Salpetersäure entfernt werden, so daß ein polykristalliner Siliciumbereich 22 verbleibt, der später als Gate-Elektrode des
MOS-Bauelements dient.
Eine Siliciumoxidschicht 24, die mit einem Fremdatom vom N-Leitfähigkeitstyp
wie Phosphor dotiert ist, wird auf die Gesamtoberfläche der Scheibe niedergeschlagen und in einer trockenen
Stickstoffatmofphäre für 10-15 min auf ca. 1050 0C erwärmt. Diese
phosphor-dotierte Oxidschicht dient als Diffusionsquelle zur Bildung der n+-Source- und Drain-Zone 26 bzw. 28 (vgl. Fig. Ie)
und dotiert ferner die polykristalline Gate-Zone 22 mit Fremdatomen vom N-Leitfähigkeitstyp. Alternativ kann eine η -Diffusion
auch vor der Aufbringung des phosphor-dotierten Siliciumoxids erfolgen.
Dann wird ein dritter fotolithografischer Schritt durchgeführt
(vgl. Fig. If), um selektiv Kontaktlöcher (nicht gezeigt) in der phosphor-dotierten Siliciumoxidschicht 24 herzustellen und
gleichzeitig Öffnungen in der Schicht 24 auszubilden, die über den Stellen des polykristallinen Silicium-Gates 22 derjenigen
MOS-Bauelemente liegen, an denen die elektrischen Eigenschaften,
z. B. die Schwellenspannungen, später zu ändern sind. Metallische Verbindungen und Kontaktierflächen, z. B. bei 50, werden an
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erwünschten Stellen mittels eines vierten fotolithografischen
Schritts auf der Oberfläche der Schicht 24 gebildet. Dann wird die Gesamtoberfläche der Scheibe mit einer- Passivierungsschicht
32 überzogen, die eine Siliciumnitridschicht mit einer typischen Dicke im Bereich von 1000-5000 ä sein kann.
Anschließend wird auf der Scheibenoberfläche und über der ÜTitrid-Passivierungsschicht
32 ein Fotoresist-Film 34 (vgl. Fig. Ig) vorgesehen, und es wird ein fünfter fotolithografischer Schritt
durchgeführt, um schmale Öffnungen 36 (mit einer typischen Weite von 2-20 um) an den Stellen zu bilden, die über den Kanal-Zonen
der MOS-Bauelemente liegen, an denen eine Änderung der elektrischen
Eigenschaften erfolgen soll; die schmalen Öffnungen 36 sind wenigstens teilweise mit der vorher in der Schicht 24 über diesen
Kanal-Zonen ausgebildeten Öffnungen ausgerichtet. Gleichzeitig wird in dem über den Kontaktierflächen 30 liegenden Fotoresist-Film
34 eine wesentlich weitere Öffnung 38 (mit einer Weite von z. B, 0,254 mm) ausgebildet, die in diesem Verfahrensstadium
von der Passivierungsschicht 32 bedeckt ist. Die Bedeutung der unterschiedlichen Weiten der Öffnungen 36 und 38 im Fotoresist-Film
34 wird später erläutert.
Wie weiter aus Fig. Ig ersichtlich ist, werden energiereiche
Ionen 40 (mit z. B, 150 keV oder mehr) eines P-Fremdatoms, z.
Bor, auf die Scheibenoberfläche im wesentlichen senkrecht aufgeschossen.
Die Borionen dringen durch die Öffnungen im Fotoresist-Film
und haben eine hinreichend hohe Energie, um auch die freiliegende Passivierungsschicht 32 und die darunterliegende dotierte
polykristalline Silicium-Gate-Schicht 22 und die darunterliegende
Oxid-Dünnschicht zu durchdringen und in die Substratoberfläche einzudringen, so daß ein eingepflanzter P-Bereich
gebildet wird. In der übrigen Scheibe wirken der verbliebene Fotoresist-Film 34 und die Kontaktierfläche 30 als Einpflanzungs-Sperrschichten.
Die Bildung des Einpflanzungs-Bereichs 42 be-
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wirkt, wie in der eingangs genannten US-PS gesagt ist, eine Änderung der Schwellenspannung in der Kanal-Zone zwischen
Source- und Drain-Zone 26 und 28, so daß ζ. B. das MOS-Bauelement, das durch diese Zonen zusammen mit dem polykristallinen
Silicium-Gate 22 gebildet ist, in einem Pestwertspeicher
von einer logischen "0" in eine logische 11I" geändert wird.
Es ist jedoch zu beachten, daß in dieser Phase (Fig. Ig) ein
Teil der Passivierungsschicht 32 über der Kontaktierfläche 30 verbleiht und die Herstellung eines elektrischen Anschlusses
mit dieser Kontaktierfläche, der zur Vervollständigung der Schaltung erforderlich ist, verhindert; auch über dem Polysilicium-
-Gate des geänderten MOS-Bauelements verbleibt ein Teil der
Passivierungsschicht, was erwünscht ist, um die Integrität des MOS-Bauelements auch dann zu erhalten, wenn die Scheibe anschließend
in einen relativ kostengünstigen, nicht hermetisch dichten Baustein eingebracht wird.
Gemäß dem hier angegebenen Verfahren wird die Passivierungsschicht
aus Siliciumnitrid, die über der Kontaktierfläche 30 liegt, durch einen Schritt entfernt, bei dem die über dem zu ändernden MOS-Bauelement
liegende und frei zugängliche Passivierungsschicht nicht abgetragen wird. Dies wird durch Anwendung eines Ionen-Fräs-Schritts,
insbesondere eines Winkel-Ionen-Fräs-Schritts, erreicht.
Das Tonen-Fräsen oder -Abtragen (ion milling technique) ist in
"Solid State Technology», Nov. 1977, von L.D. Bollinger in einem Artikel "Ion Milling for Semiconductor Production Processes"
beschrieben. Die Anwendung eines "Winkel"-Ionen-Fräsverfahrens
zum Abtragen ausgewählter Bereiche innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung ist in einer Abhandlung von Shibata,
Iwasaki, Oku und Tarui mit dem Titel "A New Fabrication Method
of Short Channel MOSFET - Multiple Walls Self-Aligned MOSFET" erläutert, die bei dem International Electron Device Meeting 1977
vorgelegt wurde.
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Allgemein gesagt, umfaßt ein Ionen-Fräsverfahren (vgl« Pig· lh) den Beschüß der Oberfläche einer Halbleiterscheibe mit z. B.
Argonionen mit relativ geringer Energie im Bereich von 500-1000 eT. Wenn diese Ionen auf die Scheibenoberfläche treffen,
zerstäuben sie die Oberflächenatome und tragen damit das Oberflächenmaterial mit einer kontrollierten Geschwindigkeit
in Abhängigkeit vom Energieniveau der Ionen und dem abzutragenden Oberflächenwerkstoff ab* Wie in der Shibata-Veröffentlichung
angegeben ist, ermöglicht die Anwendung beabstandeter Fotoresist-Wandungen mit vorbestimmter Höhe und die Abstrahlung des Ionenstrahls
unter einem bestimmten Einfalls- oder Auftreffwinkel die Abtragung ausgewählter Oberflächenbereiche, während andere
Oberflächenbereiche nicht getroffen und somit von den Ionen nicht beeinflußt werden. Es ist zu beachten, daß die Höhe des
Maskenmaterials, also in diesem Fall des Fotoresist-Films, durch das Ionen-Fräsen ebenfalls vermindert wird.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung treffen die die Abtragung bewirkenden Ionen mit niedrigem Energieniveau auf die Scheibe
unter einem Winkel auf, der eine Funktion der Höhe des Fotoresist-Films
34 und der Weite der Öffnungen 36 und 38 in diesem Film ist, so daß die Ionen nur die Passivierungsschicht über den
Kontaktierflächen abtragen. Wenn also die Weite der Öffnung 36 im Fotoresist-Film 34 w-, und die Höhe der Fotoresist-Wandungen
nach durchgeführtem Ionen-Fräsen an der Öffnung 36 h ist, wirkt die Fotoresist-Wandung als Abschirmung, so daß die Ionen die
Passivierungsschicht am G-rund der Öffnung 36 nicht treffen, wenn
die Ionen auf die Scheibe unter einem Winkel auftreffen, der
kleiner als ein kritischer Winkel ©c^ ist. Für die Öffnung 36
gilt die folgende Beziehung für den Winkel Gc-,:
Qc1 = tan"1 ~ .
030008/0584
Auf die Scheibe unter einem Winkel Θ, der kleiner als Öc-, ist,
auftreffende Ionen treffen nicht auf die Oberfläche der Passi-Tierungsschicht 32 an den selektiv geänderten MOS-Bauelementen
auf, sondern werden stattdessen durch die Wandungen des Fotoresist-Films an diesen Öffnungen abgehalten, so daß dieser Teil
der Passivierungsschicht nicht von den Ionen abgetragen wird. An den Stellen der Kontaktierflächen ist der kritische Winkel
©Cp für das Ionen-Fräsen
Oc2 = tan"1 §-
mig Wp = Weite der Öffnung 38 an den Stellen der Kontaktierflächen,
und
h = Höhe der Fotoresist-Wandung an der Öffnung 38.
h = Höhe der Fotoresist-Wandung an der Öffnung 38.
Da jedoch W2 betrachtlxch größer als W1 ist, und zwar fünfmal
so groß oder größer, und da die Höhe h der Fotoresist-Wandung an beiden Öffnungen 36 und 38 im wesentlichen die gleiche ist, ist
der kritische Winkel Gc2 für die Kontaktierflächen bedeutend
kleiner als der kritische Winkel Gc1 für das geänderte MOS-Bauelement.
Damit also die Abtrags-Ionen auf einen Hauptteil der Oberfläche der auf den Kontaktierfläehen liegenden Nitrid-Passivierungsschicht
auftreffen und diese abtragen, jedoch nicht auf die selektiv geänderten MOS-Bauelemente treffen, muß der
Auftreffwinkel der Ionen wie folgt sein:
Gc1>
θ > Qc2.
Wenn das Ionen-Fräsen mit einem Auftreffwinkel θ durchgeführt
wird, der die obige Beziehung erfüllt, wird ein Hauptteil der über der Kontaktierfläche 30 liegenden Nitridschicht 32 abgetragen,
ohne daß ein weiterer fotolithografischer Schritt erforderlich
ist, aber der über dem selektiv geänderten MOS-Bauelement liegende Teil der Passivierungsschicht wird in erwünschter
Weise nicht dadurch beeinträchtigt bzw. nicht abgetragen (vgl. Fig. lh).
030008/0584
Anschließend wird (vgl. Fig. Ii) der übrige Fotoresist-Film 34
chemisch entfernt, und die Scheibe wird legiert.
Es ist also ersichtlich, daß mit dem angegebenen Verfahren eine selektive Änderung der elektrischen Eigenschaften (z. B. der
Schwellenspannung) eines MOS-Bauelements in oder unmittelbar vor
der letzten Fertigungsstufe des Bauelements möglich ist, ohne daß die Integrität des Passivierungssehicht-Aufbaus an den
selektiv geänderten MOS-Bauelementen beeinträchtigt wird.
Ferner ist ersichtlich, daß der Bereich von Auftreffwinkeln für die beim Ionen-Fräsen benutzten Ionen eine Funktion der Größe der
Öffnungen über den geänderten MOS-Bauelementen, durch die die
Ionen (in diesem Fall Borionen) senkrecht eingepflanzt sind, im Verhältnis zur Größe der Öffnungen an der Kontaktierfläche ist.
Kürzlich erzielte Fortschritte in der MOS-Technologie haben eine
erhöhte Bauelement-Dichte und kleinere Abmessungen der MOS-Bauelemente zur Folge, während die Größen der Kontaktierflächen im
wesentlichen unverändert geblieben sind. Wenn sich dieser Trend fortsetzt und das Größenverhältnis zwischen den Einpflanzungs-Öffnungen
und den Kontaktierflächen weiter abnimmt, vergrößert sich der Bereich von Auftreffwinkeln für die schräg auftreffenden
Fräs-Ionen, die zur Durchführung des Verfahrens benutzt werden, so daß dadurch die Anpassungsfähigkeit der den Herstellern von
MOS-Bauelementen und -Schaltungen zur Verfügung stehenden Aufbautechniken
vergrößert wird.
Das Verfahren wurde zwar unter besonderer Bezugnahme auf die Herstellung
eines N-Kanal-Bauelements erläutert, es kann jedoch ebenso
vorteilhaft bei der Fertigung von P-Kanal-Bauelementen angewandt
werden. Auch kann es zur Herstellung anderer Schaltungen als nur Festwertspeicher benutzt werden. Bei dem Ausführungsbeispiel
wurde zwar die Ionen-Einpflanzung vor dem Winkel-Ionen-Fräsen
durchgeführt, die Reihenfolge dieser Verfahrensschritte ist jedoch
umkehrbar, so daß das Winkel-Ionen-Fräsen vor der Ionen-Einpflanzung
durchgeführt werden kann.
030008/0584
Claims (13)
- Pat entansprücheß). Verfahren zum Herstellen einer MOS-Schaltung,gekennzeichnet durchVorsehen eines Substrats eines ersten Leitfähigkeitstyps;Bilden "beanstandeter Zonen vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in einer Substratoberfläche, wobei zwischen benachbarten Paaren dieser Zonen, die die Source- und Drain-Zonen mehrerer Feldeffekt-Transistoren bilden, Kanal-Zonen gebildet sind;Ausbilden eines Gates an den Kanal-Zonen;Ausbilden einer Kontaktierfläche auf einem Isolierstoff über einem Teil des Substrats im Abstand von den Feldeffekt-Transistoren;Bilden einer Passivierungsschicht über den Feldeffekt-Transistoren und über der Kontaktierflache, so daß eine fertige Halbleiter-Vorrichtung gebildet ist, wobei die Passivierungsschicht eine Schutzschicht bildet und die Transistoren in diesem Stadium eine erste elektrische Kennlinie haben;Bilden eines Fotoresist-Films über der Passivierungsschicht;selektives Ausbilden wenigstens einer relativ schmalen Öffnung bzw. wenigstens einer relativ weiten Öffnung im Fotoresist-Film an der Stelle der Kanal-Zone von wenigstens einem ausgewählten Transistor bzw. an der Stelle der Kontaktierfläche;Nutzen des verbleibenden Fotoresist-Films als Einpflanzungs-Sperrschicht und Einpflanzen von hinreichend energiereichen Ionen durch die schmale Öffnung im Fotoresist-Film, den freiliegenden Teil der Passivierungsschicht und das darunterliegende Gate des ausge-030008/0584wählten Transistors in die darunterliegende Kanal-Zone zur Bildung einer Einpflanzungs-Zone in dieser, wobei die so gebildete Einpflanzungs-Zone die elektrische Kennlinie des ausgewählten Transistors in eine zweite, von der ersten verschiedene elektrische Kennlinie ändert;Abtragen der Passivierungsschicht über wenigstens einem Teil der Kontaktierfläche, wobei der durch die schmale Öffnung in dem Fotoresist-Film zugängliche Teil der Passivierungsschicht erhalten bleibt; undEntfernen des verbleibenden Teils des Fotoresist-Films.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß bei der Abtragung der Passivierungsschicht Ionen mit relativ niedrigem Energieniveau unter einem Winkel auf den Fotoresist-Film und auf wenigstens einen Teil des freiliegenden Teils der über der Kontaktierfläche befindlichen Passivierungsschicht zum Auftreffen gebracht werden. - 3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,daß das Verhältnis der Weite der schmalen Öffnung zu der Höhe des Fotoresist-Films an der schmalen Öffnung derart gewählt wird, daß die Ionen mit niedrigem Energieniveau nicht auf den durch die schmale Öffnung im Fotoresist-Film freiliegenden Teil der Passivierungsschicht auftreffen. - 4. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,daß der Auftreffwinkel der Ionen mit niedrigem Energieniveau-1 hl
kleiner als tan —- ist,wl
mit h-, a Höhe des Fotoresist-Films an der schmalen Öffnung nachAuf treffen der Ionen unter einem Winkel auf den Fotoresist-Film, und
W1 » Weite der schmalen Öffnung.030008/0584 - 5« Verfahren nach Anspruch 4,dadurch gekennzeichnet,daß der Auftreffwinkel der Ionen mit niedrigem Energieniveau-1 h2
größer als tan -—■ ist,mit ho = Höhe des Fotoresist-Films an der weiten Öffnung nach Auftreffen der Ionen unter einem Winkel auf den Fotoresist-Film, und
Wp = Weite der weiten Öffnung. - 6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß "bei der Ionen-Einpflanzung energiereiche Ionen senkrecht durch die schmale Öffnung gerichtet werden, bevor die Passivierungsschicht von der Kontaktierfläche entfernt wird. - 7. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß bei der Ionen-Einpflanzung energiereiche Ionen senkrecht durch die schmale Öffnung gerichtet werden, nachdem die Passivierungsschicht von der Kontaktierfläche entfernt wurde. - 8. Verfahren zum Herstellen einer MOS-Schaltung, gekennzeichnet durch Vorsehen eines Substrats?Bilden einer Mehrzahl MOS-Bauelemente im Substrat;Ausbilden einer Kontaktierfläche auf einem Isolierstoff über einem Teil des Substrats im Abstand von den MOS-Bauelementen;Ausbilden einer Passivierungsschicht über den MOS-Bauelementen und der Kontaktierflache, so daß eine fertige Halbleiter-Vorrichtung gebildet ist, deren Schutzfilm die Passivierungsschicht ist;030008/0584Ausbilden eines Fotoresist-Films über der Passivierungsschicht;selektives Bilden wenigstens einer relativ schmalen Öffnung bzw. einer relativ weiten Öffnung im Fotoresist-Film an der Stelle wenigstens eines ausgewählten MOS-Bauelements bzw. an der Stelle der Kontaktierfläche;Nutzen des übrigen Fotoresist-Films als Einpflanzungs-Sperrschicht und Einpflanzen von hinreichend energiereichen Ionen durch die schmale Öffnung im Fotoresist-Film und den freiliegenden Teil der Passivierungsschicht des ausgewählten MOS-Bauelements, wodurch darin eine Einpflanzungs-Zone entsteht, die die elektrische Kennlinie des ausgewählten MOS-Bauelements ändert;Nutzen des Teils des verbleibenden Fotoresist-Films, der die schmale Öffnung umgibt, als Abschirmung gegen schräg auftreffende Ionen mit niedrigem Energieniveau;Abtragen der Passivierungsschicht über der Kontaktierfläche durch Schießen von Ionen durch die weite Öffnung und auf einen großen Teil der über der Kontaktierfläche befindlichen Passivierungsschicht, während die durch die schmale Öffnung freiliegende Passivierungsschicht nicht abgetragen wird; undEntfernen des verbleibenden Teils des Fotoresist-Films.
- 9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,daß das Verhältnis der Weite der schmalen Öffnung zu der Höhe des Fotoresist-Films an der schmalen öffnung so gewählt wird, daß die schräg auftreffenden Ionen wirksam am Auftreffen auf den durch die schmale Öffnung im Fotoresist-Film freiliegenden Teil der Passivierungsschicht gehindert werden. - 10. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,daß der Auftreffwinkel der Ionen mit niedrigem Energieniveau030008/0584-1 l
kleiner als tan ^= ist,mit h-, = Höhe des Fotoresist-Films an der schmalen Öffnung nach Auftreffen der Ionen unter einem Winkel auf den Fotoresist-Film, und
W-, = Weite der schmalen Öffnung. - 11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,daß der Auftreffwinkel der Ionen mit niedrigem Energieniveau-1 h2
größer als tan -— ist,mit hp = Höhe des Fotoresist-Films an der weiten Öffnung nach Auftreffen der Ionen unter einem Winkel auf den Fotoresist-Film, und
w„ = Weite der weiten Öffnung. - 12. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,daß bei der Ionen-Einpflanzung die energiereichen Ionen senkrecht durch die schmale Öffnung gerichtet werden, bevor die Passivierungsschicht über der Kontaktierfläche entfernt wird. - 13. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,daß bei der Ionen-Einpflanzung die energiereichen Ionen senkrecht durch die schmale Öffnung gerichtet werden, nachdem die Passivierungsschicht über der Kontaktierfläche entfernt wurde.030008/0584
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2916843C2 DE2916843C2 (de) | 1988-09-29 |
Family
ID=25459689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792916843 Granted DE2916843A1 (de) | 1978-08-03 | 1979-04-26 | Verfahren zum herstellen von mos- schaltungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4208780A (de) |
JP (1) | JPS5522890A (de) |
DE (1) | DE2916843A1 (de) |
FR (1) | FR2432767A1 (de) |
GB (1) | GB2028581B (de) |
NL (1) | NL7905381A (de) |
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---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
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|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |