DE2909141A1 - Strahlendetektionsanordnung - Google Patents
StrahlendetektionsanordnungInfo
- Publication number
- DE2909141A1 DE2909141A1 DE19792909141 DE2909141A DE2909141A1 DE 2909141 A1 DE2909141 A1 DE 2909141A1 DE 19792909141 DE19792909141 DE 19792909141 DE 2909141 A DE2909141 A DE 2909141A DE 2909141 A1 DE2909141 A1 DE 2909141A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- scintillation
- radiation
- arrangement according
- detection arrangement
- radiation detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
Description
Strahlendetektionsanordnung
Die Erfindung betrifft eine Strahlendetektionsanordnung mit
einem Szintillationselement, dessen Szintillationsstrahlung
in einem Wellenlängenbereich zwischen kurzwelliger sichtbarer und ultravioletter Strahltang liegt, und mit einem
Detektor zum Aufzeichnen der Szintillationsstrahlung.
Eine derartige Detektionsanordnung in Form einer Gamma-Kamera
ist beispielsweise aus der US-PS 3,011,057 (H.0. Anger) bekannt* In einem Szintillationskristall, mit dem die dort
beschriebene Gamma-Kamera ausgerüstet ist, werden Gammaquanten mit einer Wellenlänge beispielsweise von 9 ms in
Strahlungsquanten mit einer Wellenlänge beispielsweise zwischen 0,6...0,2 /um umgewandelt. Die Szintillationsstrahlung
bezieht sich hier also auf Strahlung mit Wellenlängen im sichtbaren Kurzwellenbereich und im anschließenden
Ultraviolettbereich. Das Verwandeln verhältnismäßig harter
PHN 9071 '* - ' - 4 -
909838/0772
_4_ 2909Ut
und dadurch häufig stark durchdringender Strahlung in Strahlung,deren Wellenlänge wenigstens nahe dem sichtbaren
Gebiet liegt, wird für die Detektion verhältnismäßig harter Strahlung häufig angewandt, insbesondere an den Stellen,
an denen eine hohe Empfindlichkeit erwünscht ist. Für die so gebildete Szintillationsstrahlung sind in Form von
Photovervielfachern oder von Halbleitedetektoren äußerst empfindliche Hilfsmittel verfügbar. Um einen guten Teil der
zu messenden Strahlungsquanten in den Szintillationskristall einzufangen, ist dieser Kristall in der Strahlungsrichtung
verhältnismäßig lang. Im Kristall kann über die ganze Länge Szintillationsstrahlung erzeugt werden. Diese Szintillationsstrahlung
breitet sich vom Szintillationszentrum im Prinzip einheitlich in allen Richtungen aus. Es wird die Messung
eines möglichst großen Teils dieser Szintillationsstrahlung in einem beispielsweise gegenüber einer Eingangsfläche für
die Strahlungsquanten angeordneten Detektor angestrebt. Häufig befindet sich dibei zwischen dem Szintillationskristall
und dem Detektor ein Lichtleiter für die Szintillationsstrahlung. Ein wesentlicher Teil der Szintillationsstrahlung
kann daher beispielsweise durch seitliche Ausstrahlung verloren gehen. Insbesondere in einer Gamma-Kamera
gerät außerdem ein verhältnismäßig großer Teil der Szintillationsstrahlung zwischen die beispielsweise
in hexagonaler Stapelung angeordneten Photovervielfacher und geht also ebenfalls für die Detektion verloren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile
zu beseitigen und diese Aufgabe wird bei einer Strahlendetektionsanordnung der eingangs erwähnten Art dadurch
gelöst, daß Oberflächen von Teilen des Detektors, in denen sich die Szintillationsstrahlung fortpflanzt, mit ·
einer diese Strahlung reflektierenden Lackschicht aus in Acrylatfirnis aufgenommenem BaSO^ versehen sind.
In einer Strahlendetektionsanordnung nach der Erfindung
PHN 9071 -.5 -
' 909838/0772
wird auf diese Weise ein wesentlich größerer Teil der erzeugten Szintillationsstrahlung wirksam aufgezeichnet,
wodurch ohne nachteilige Nebeneffekte die Empfindlichkeit der Detektionsanordnung wesentlich erhöht ist.
In einer erfindungsgemäßen bevorzugten Ausführungsform wird
die Strahlendetektionsanordnung durch eine Gamma-Kamera gebildet, von der sowohl eine Eingangsfläche als auch eine
Mantelfläche des Szintillationselementes sowie Seitenflächen und zwischen den Pfcofcovervielf achern frei angeordnete Oberflächenteile
des Lichtleiters mit einer die Szintillationsstrahlung reflektierenden Lackschicht versehen sind.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform nach der Erfindung
ist die Strahlendetektionsanordnung ein Röntgenstrahlende tektor mit Szintillationselementen, von denen
da£ir in Betracht kommende Oberflächen mit einer reflektierenden Lackschicht versehen sind.
Der die Szintillationsstrahlung reflektierende Werkstoff
nach der Erfindung enthält BaSO^ für die Reflektionseigenschaften.
Dieses BaSO^ ist in einen Träger aufgenommen, der aus Acrylatfirnis mit einem angepaßten Verdünner
zusammengesetzt ist.
Einige "bevorzugte Ausführungsformen nach der Erfindung werden
nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 einen skizziert dargestellten entsprechenden Teil
einer Gamma-Kamera mit einer Szintillationsstrahlung
. reflektierenden Lackschicht nach der Erfindung, Fig. 2 einen für die Erfindung wichtigen Teil eines Röntgendetektors,
dessen Szintillationselemente mit einer , reflektierenden Lackschicht nach der Erfindung versehen
sind.
In Fig. 1 sind ein Kollimator 1, ein Szintillationskristall 3, PHN 9071 - 6 -
909838/0772
ein Lichtleiter 5 und eine Reihe von Photovervielfachern 7 mit Eingangsfenster 9 und Signalableitungen 11 einer Gamma-Kamera
dargestellt. Die Signalableitungen 11 sind mit einem Widerstandsnetzwerk 13 verbunden, das mit Anschlußleitungen
15 zum Weiterleiten von Meßsignalen von den gesonderten Photovervielfachern zu einer nicht näher dargestellten
Meßschaltung versehen ist. In dieser Meßschaltung werden sowohl die Amplitude als auch die Position eines
jeden der im Szintillationskristall auftretenden Szintillationsimpulse
bestimmt. Durch die Verwendung eines Kollimators wird auf bekannte Weise erreicht, daß nur wenigstens nahezu
senkrecht auf der Kristallebene 17 einfallende Strahlungsquanten zugelassen werden, wodurch ihre genaue Ortung durchgeführt
werden kann. In einer derartigen an sich bekannten Gamma-Kamera ist erfindungsgemäß eine Szintillationsstrahlung
reflektierende Schicht auf einer oder auf mehreren der dafür in Betracht kommenden Oberflächen angebracht, unter denen
die Eingangs oberfläche 17 des Szintillationskristalls, eine Manteloberfläche 19 desselben, eine Manteloberfläche 21 des
Lichtleiters und zwischen den Eintrittsfenstern der Photovervielfacher befindliche Oberflächenteile 23 der dem
Szintillationskristall abgewandteri Oberfläche 25 des Lichtleiters.
An die reflektierende Lackschicht werden folgende Bedingungen gestellt. Die Lackschicht muß sowohl am Szintillationskristall
als auch am Lichtleiter gut haften, ohne daß zum Anbringen Bedingungen erfüllt werden müssen, die einen ungünstigen
Einfluß auf diese Teile haben könnten, wie beispielsweise
eine zu hohe Temperatur. Die Lackschicht darf keine Bestandteile enthalten, die beim Anbringen oder
später etwa nachteiligen Einfluß auf die Eigenschaften des Szintillationskristalls haben könnten.
Die Reflektions ei gens chaf ten müssen insbesondere für das auftretende Szintillationslicht vorteilhaft sein. Es zeigt
PHN 9071 - 7 -
909838/0772
sich, daß viele bei Tageslicht weiße bzw. gut reflektierende Lackschichten diese letzte Bedingung gar nicht erfüllen.
Für NaI als Szintillationskristall, dessen Szintillationsstrahlung
eine Wellenlänge zwischen etwa 0,25 und 0,45 /um hat, zeigt es sich, daß eine Lackschicht aus einer laekförmigen
Substanz mit BaSO^ als reflektierendem Material, das in einen verdünnten Acrylatfirnis aufgenommen ist,
wobei der Verdünner beispielsweise Siedegrenzen-Benzin und Xylen enthält, die gestellten Bedingungen gut erfüllt.
Ein sehr brauchbarer Spritzlack für Acrylatuntergrund, wie
Perspex, wird durch die Bildung folgender Mischung erhalten:
75 g Acrylatfirnis,
375 g Acrylatverdünner,
300 g BaSO^,.
375 g Acrylatverdünner,
300 g BaSO^,.
Als Spritzfarbe, die beispielsweise auf Nal-Kristallen anzubringen
ist, genügt eine Mischung aus 20 g Acrylatharz in der Verdünnung mit 75 g Verdünner, der aus 3 Teilen Siedegrenzen-Benzin
und einem Teil Xylen besteht, von denen anschließend 250 g mit 350 g Verdünner verdünnt und mit
300 g BaSO^ gemischt wird. Als Siebdruckfarbe für Acrylat-■untergrund
genügt eine Mischung von 320 g Acrylatsiebdruckfirnis, 3000 g BaSO^, 729 g Butylacetat.
Alle Bestandteile müssen gründlich gemischt werden. Der Lack wird vorzugsweise bei einer etwas erhöhten Temperatur
des Untergrundes aufgebracht und kann gegen spätere mechanische
Beschädigungen vorzugsweise mit einer Acrylatharzfarbe abgedeckt werden. Mit diesen Lackschichten wird eine
Reflection für die betreffende Szintillationsstrahlung bis zu gut 90 % erhalten.
Mit den erstgenannten und den letztgenannten Lacken kann *
eine Lackschicht mit einer sehr guten Haftung an Werk-
PHN 9071 ' - 8 -
909838/0772
stoffen wie Glas und Perspex erreicht werden und sie sind
daher insbesondere für Verwendung in Lichtleitern für die Szintillationsstrahlung und für ein Szintillationselement
.beispielsweise aus in Glas oder Perspex aufgenommenen pulverförmigem Szlntillationswerkstoff aufgebaut.
In Fig. 2 ist ein Röntgendetektor mit einer Reihe von Szintillationselementen 35 gezeichnet, denen je ein
Detektor 37 zugeordnet ist. Signale der Detektoren, welche Signale hier beispielsweise ein Maß für die auftretende
Absorption der Strahlung sind, gelangen an eine nicht weiter dargestellte Schaltung zur Aufzeichnung und Verarbeitung.
Mit einem derartigen Röntgendetektor kann beispielsweise ein abtastender Röntgenuntersuchungsapparat
für medizinische Diagnostik ausgerüstet sein, wie er beispielsweise indsr US-PS 3,911,100 beschrieben ist.
In den Szintillationselementen 35, die auch hier sowohl
aus Kristallen sowie aus einem Träger mit Szintillationspulver bestehen können, erzeugte Szintillationsstrahlung,
tritt im Prinzip bei der skizzierten Blockstruktur der Szintillationselemente über alle sechs Seitenflächen heraus.
Es ist klar, daß durch das Anbringen einer reflektierenden Lackschicht nach der Erfindung auch hier eine starke Erhöhung
der Empfindlichkeit erreicht werden kann. Ein zusätzlicher Vorteil besteht noch darin, daß durch das Abdecken der Grenzflächen
auch eine wesentliche Verringerung im Übersprechen zwischen benachbarten Detektionskanälen verwirklicht werden
kann. · ■ ;;
Indem nach dem Anbringen einer reflektierenden Lackschicht
auf de'n Grenzflächen diese Grenzflächen mit einer Klebeschicht
versehen werden, können die Szintillationselemente· auf einfache Weise miteinander verbunden werden, ohne daß
die Gefahr einer ungünstigen Beeinflussung durch Klebematerial
PHN 9071 - 9 --
909838/0772
auftritt. Häufig kann die reflektierende Lackschicht selbst als Klebeschicht dienen. Auf entsprechende Weise können
die Szintillationselemente mit der Blende und gegebenenfalls mit Strahlung nicht wirksam einfangenden Randteilen der
Photoveryielfacher verbunden werden.
PHN 9071
909838/0772
ι ^0
Leer seife
Claims (8)
- N.V. Philips'Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/HollandPATENTANSPRÜCHE;Q,l Strahlendetektionsanordnung mit einem Szintillationselement, dessen Szintillationsstrahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen kurzwelliger sichtbarer und ultravioletter Strahlung liegt, und mit einem Detektor zum Aufzeichnen dieser Szintillationsstrahlung, dadurch gekennzeichnet, daß Oberflächenteile von Einzelteilen der Anordnung, in denen sich die Szintillationsstrahlung fortpflanzt, mit einer für die Szintillationsstrahlung reflektieren Abdeckschicht aus im Acrylatfirnis aufgenommenem BaSO^ versehen sind.
- 2. Strahlendetekti ons anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Szintillationselement durch einen oder mehrere Szintillationskristalle gebildet wird, von denen dem Detektor nicht zugewandte Oberflächenteile mit einer reflektierenden Abdeckschicht versehen sind.
- 3. Strahlendetektionsanordnung nach Anspruch 2, dadurch " gekennzeichnet, daß sie einen einfachen Szintillationskristall und einen daran anschließenden Lichtleiter enthält, und von der Lumineszenzstrahlung nicht zu passierende Oberflächenteile sowohl des Szintillationskristalls als auch des Lichtleiters mit einer reflektierenden Abdeckschicht versehen sind.
- 4. Strahlendetektionsanordnung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß sie mit einer Matrix sich an den Lichtleiter anschließender Detektoren für die Szintillationsstrahlung ausgerüstet ist und Qberflächenteile des Lichtleiters zwischen den Detektoren mit einer reflektierenden Abdeckschicht versehen sind.PHN 9071 · - 2 -909 8 38/0 772
- 5. Strahlende tekti ons anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Röntgendetektor mit mindestens einem Szintillationselement ausgerüstet ist, dessen von der S2intillationsstrahlung nicht zu passierende Oberflächenteile mit einer reflektierenden Abdeckschicht versehen sind.
- 6. Strahlendetektionsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Reihe individueller Szintillationselemente enthält, deren angrenzende Oberflächen mit einer reflektierenden Abdeckschicht versehen sind.
- 7. Strahlendetektionsanordnung nach den vorangehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet,, daß der Verdünner für den Acrylatfirnis Siedegrenzen-Benzin und Xylen enthält.
- 8. Strahlendetektionsanordnung nach den vorangehenden Ansprüchen,dadurch gekennzeichnet, daß der Verdünner für den Acrylatfirnis Butyllactat enthält.PHN 9071 - - 3 -909838/0772
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7802916A NL7802916A (nl) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | Stralendetektorinrichting. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2909141A1 true DE2909141A1 (de) | 1979-09-20 |
Family
ID=19830516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792909141 Withdrawn DE2909141A1 (de) | 1978-03-17 | 1979-03-08 | Strahlendetektionsanordnung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4267453A (de) |
JP (1) | JPS54137384U (de) |
CA (1) | CA1123976A (de) |
DE (1) | DE2909141A1 (de) |
FR (1) | FR2420145A1 (de) |
GB (1) | GB2016681A (de) |
NL (1) | NL7802916A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0534683A2 (de) * | 1991-09-23 | 1993-03-31 | General Electric Company | Bilderzeugung durch Photodetektion der Szintillatorstrahlung |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2471610A1 (fr) * | 1979-12-14 | 1981-06-19 | Thomson Csf | Module de scintillateurs pour la detection de rayons x ou gamma, son procede de realisation, et dispositif detecteur incorporant de tels modules |
US4543485A (en) * | 1981-11-24 | 1985-09-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Scintillator for radiation detection and process for producing the same |
US4560877A (en) * | 1982-12-29 | 1985-12-24 | General Electric Company | Solid state detector module |
US4533489A (en) * | 1983-12-07 | 1985-08-06 | Harshaw/Filtrol Partnership | Formable light reflective compositions |
US4658141A (en) * | 1984-04-03 | 1987-04-14 | Harshaw/Filtrol Partnership | Inorganic scintillator crystal having a highly reflective surface |
US4631409A (en) * | 1984-04-03 | 1986-12-23 | Harshaw/Filtrol | Scintillator crystal having a highly reflective surface |
US4929835A (en) * | 1985-04-12 | 1990-05-29 | Takaji Yamashita | Position-sensitive radiation detector |
JPH02266287A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 放射線検出器 |
US5096200A (en) * | 1989-11-09 | 1992-03-17 | Taito Corporation | Automatic golf ball teeing machine |
US5521385A (en) * | 1994-03-01 | 1996-05-28 | Optoscint, Inc. | Long life gamma camera plate assembly with improved reflector system |
US5614721A (en) * | 1995-12-13 | 1997-03-25 | Optoscint, Inc. | Modular gamma camera plate assembly with enhanced energy detection and resolution |
US6114703A (en) * | 1997-10-21 | 2000-09-05 | The Regents Of The University Of California | High resolution scintillation detector with semiconductor readout |
KR100638915B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2006-10-25 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 광학소자 및 이것을 사용한 방사선 검출기 |
AU2001290198A1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-15 | Corob S.P.A. | A reflective paint and a method for its use |
US8277876B1 (en) | 2008-06-19 | 2012-10-02 | Reel Wings Decoy Company, Inc. | UV camouflage system |
DE102009004120A1 (de) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellungsverfahren für eine Sensoreinheit eines Röntgendetektors |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3011057A (en) * | 1958-01-02 | 1961-11-28 | Hal O Anger | Radiation image device |
US4107534A (en) * | 1977-06-13 | 1978-08-15 | Piltingsrud Harley V | Plutonium-americium detection probe with frontal light-guide-diffuser |
-
1978
- 1978-03-17 NL NL7802916A patent/NL7802916A/xx not_active Application Discontinuation
-
1979
- 1979-03-08 DE DE19792909141 patent/DE2909141A1/de not_active Withdrawn
- 1979-03-08 CA CA323,024A patent/CA1123976A/en not_active Expired
- 1979-03-08 US US06/018,495 patent/US4267453A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-14 GB GB7909071A patent/GB2016681A/en not_active Withdrawn
- 1979-03-14 JP JP1979032955U patent/JPS54137384U/ja active Pending
- 1979-03-16 FR FR7906754A patent/FR2420145A1/fr active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0534683A2 (de) * | 1991-09-23 | 1993-03-31 | General Electric Company | Bilderzeugung durch Photodetektion der Szintillatorstrahlung |
EP0534683A3 (en) * | 1991-09-23 | 1993-10-06 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1123976A (en) | 1982-05-18 |
GB2016681A (en) | 1979-09-26 |
JPS54137384U (de) | 1979-09-22 |
FR2420145A1 (fr) | 1979-10-12 |
US4267453A (en) | 1981-05-12 |
NL7802916A (nl) | 1979-09-19 |
FR2420145B3 (de) | 1982-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2909141A1 (de) | Strahlendetektionsanordnung | |
DE69933478T2 (de) | Szintillatorpaneel und Strahlungsbildsensor | |
DE112006002049B4 (de) | Zu messendes Material für eine Stressanalyse, beschichtende Flüssigkeit zum Bilden einer Filmschicht auf dem zu messenden Material und stress-induziert lumineszierende Struktur | |
DE69837429T2 (de) | Unterteilter szintillationsdetektor zur feststellung der koordinaten von photoneninteraktionen | |
DE3141755C2 (de) | ||
DE60027740T2 (de) | Glasfasergekoppeltes elektronen-bildaufnahmegerät mit reduziertem streulicht unter verwendung von glasfasern mit absorbierender umhüllung | |
DE2514942A1 (de) | Fluoroskopischer schirm | |
DE102010004890A1 (de) | Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors | |
DE2934665A1 (de) | Gammakameraszintillatoranordnung und damit ausgeruestete gammakamera | |
DE2635870A1 (de) | Detektorkonstruktion fuer eine szintillationskamera | |
DE1165773B (de) | Mit einem Sekundaerelektronenvervielfacher optisch gekoppelter Szintillationskristall | |
DE3616213C2 (de) | ||
DE2451382A1 (de) | Aufnahmeroehre | |
DE2653837C2 (de) | Szintillator-Anordnung einer Szintillationskamera | |
DE2811435A1 (de) | Roentgendetektor | |
DE112013001689T5 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dualen Szintillatoranordnung | |
DE2633950C3 (de) | Szintillations-Gammakamera mit durch optische Streuelemente voneinander getrennten SzintillatorkristaUen | |
DE3841136A1 (de) | Strahlungsdetektor | |
DE2801647C2 (de) | Röntgenverstärkerschirm | |
EP0360886A1 (de) | Röntgendetektor | |
DE3426472A1 (de) | Fotometer | |
DE3442367C2 (de) | ||
DE4107264A1 (de) | Mehrfachenergie-festkoerper-strahlungsdetektor | |
DE3438984A1 (de) | Multielement-strahlungsdetektor | |
DE2924779C2 (de) | Aus einem Phtalat bestehender Analysatorkristall für Röntgenstrahlung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |