DE2905132C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Einstellung der Reso
nanzfrequenz eines piezoelektrischen Bauelementes nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Einstellung der Resonanzfrequenz eines basisplattierten
Quarzkristall-Bauelementes, wie etwa eines Quarzkristallreso
nators, nach unten zu einem Nennwert mittels der Anwendung der
aufeinanderfolgenden galvanischen Nickelabscheidung ("rohe
Einstellung") und der anschließenden Goldaufdampfung ("Fein
einstellung") stellt ein langsames, zeitaufwendiges Verfahren
dar. Die galvanische Nickelabscheidung erfordert ferner die
Anwendung einer schwierig zu wartenden Galvanisierausrüstung,
und die Goldaufdampfung erfordert die Benutzung einer volumi
nösen Vakuum-Abscheidungsvorrichtung.
Mit dem Beitrag "Laser-Machining Thin-Film Electrode Arrays
an Quartz Crystal Substrates" von J. L. Hokanson et al, in
Journal of Applied Physics, 40, S. 3157-3160 (1. Juli 1969)
wird ein System für die Laserstrahlbearbeitung von Elektroden
eines basisplattierten Quarzkristall-Bauelementes beschrieben,
um dessen Frequenz nach oben (d. h. zu höheren Werten) bis zu
einem Nennwert einzustellen, wodurch die oben angegebenen Schritte
zur galvanischen Nickelabscheidung und zur Goldaufdampfung weg
gelassen werden können. Obwohl die in diesem Beitrag beschrie
bene Laserstrahlbearbeitung für die Einstellung der Frequenz
von verschiedenen Quarzkristallbauelementen wie etwa Resonato
ren oder monolithischen Kristallfiltern geeignet ist, ist das
System für solche Anwendungen, wo die im Verlauf der Einstellung
erforderliche Änderung der Frequenz in der Größenordnung von
500 Hz liegt oder mehr als 500 Hz beträgt, nicht besonders ge
eignet. Es ist festgestellt worden, daß die Laserstrahlbearbei
tung unter diesen Bedingungen zu einer merklichen Anhäufung von
lose anhaftenden, bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen
Teilchen an dem einzustellenden Bauelement führt. Sofern das Bau
element anschließend in Betrieb genommen wird, neigen diese Teil
chen zum Abwandern, wodurch sich die elektrischen Parameter
(wie etwa der Wirkwiderstand, die Einfügungsdämpfung und die
Resonanzfrequenz) des Bauelementes verändern und dieses im Ver
lauf des Betriebs instabil machen.
In dem Beitrag "The Current Dipendency of Crystal Unit Resistance
at Low Drive Level" von S. Nonaka et al in The Proceedings of
the 25th Annual Symposium on Frequency Control, S. 139-147
(April 1971) wird ein Verfahren beschrieben, das in der Fachwelt
als "elektronische Reinigung" bekannt ist, bei welchem der Wider
standswert eines Quarzkristall-Bauelementes, an dem kleine Metall
teilchen (beispielsweise aus Gold) anhaften, auf den Widerstands
wert des Bauelementes verringert werden kann, indem das Bauele
ment bei hoher Stromstärke übersteuert wird, um die Metallteil
chen zu entfernen. Die elektronische Reinigung eines Quarzkristall-
Bauelementes
wird weiterhin in den US-PS 39 28 063
und 36 53 253 beschrieben. Es
ist jedoch festgestellt worden, daß die elektronische Reinigung
eines Quarzkristall-Bauelementes im Anschluß an die obenge
nannte Laserstrahlbearbeitung
unregelmäßige Veränderungen der Resonanzfrequenz des Bauele
mentes ergibt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der
eingangs genannten Art derart auszugestalten, daß eine
genauere und leichtere Einstellung der Frequenz dadurch er
möglicht wird, daß die Anhäufung von lose anhaftenden, bei der
Laserstrahlbearbeitung anfallenden Teilchen an dem einzu
stellenden Bauelement vermieden wird.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfin
dung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Die gleichzeitige Durchführung von Laserstrahlbearbeitung und
elektronischer Reinigung des Bauelementes beseitigt auch die
unregelmäßigen Resonanzfrequenzänderungen.
Am Anfang kann das piezoelektrische Bauelement mit einer Strom
stärke übersteuert werden, deren Größenordnung das 30fache
der Stromstärke beim üblichen Betrieb ausmacht, mit einem
Stromfluß in dem Bauelement von 60 mA. Anschließend, wenn sich
die Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Bauelementes dem
Nennwert annähert, wird das Bauelement sequentiell mit fort
laufend kleineren Stromstärken angesteuert, um eine Ver
zerrung des
Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu ver
ringern und um eine verbesserte Definition einer Resonanzfre
quenzkurve zu erhalten, die fortlaufend auf einen Monitor aufge
zeichnet wird. Zu der gleichen Zeit wird ein Ansteuersignal
dem piezoelektrischen Bauelement mit gewobbelter Frequenz
zugeführt wird,
um eine Frequenz-
Kennlinien-Anzeige in einem engen Frequenzbereich auf dem Moni
tor zu erzeugen. Wenn die Stromstärken sequentiell zu
fortlaufend kleineren Werten verringert werden (wodurch die
davon erzeugte elektronische Reinigungswirkung ebenfalls ver
ringert wird), wird auch das Ausmaß der Laserstrahlbearbeitung
fortlaufend auf entsprechend kleinere Werte verringert.
Nachfolgend wird die Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnung
im einzelnen erläutert; es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines Quarz
kristall-Resonators;
Fig. 2 einen Ausschnitt aus der Draufsicht auf den
Quarzkristall-Resonator nach Fig. 1 mit einem
Muster, in dem Elektrodenmaterial
mittels Laserstrahlbearbeitung von dem Bauelement
entfernt werden kann;
Fig. 3 ein schematisches Blockdiagramm einer
Einrichtung zur Einstellung der Resonanzfrequenz
des Quarzkristallresonators nach Fig. 1;
Fig. 4 eine graphische Darstellung von
Re
sonanzfrequenzkurven des Quarzkristall-Reso
nators nach Fig. 1 in einer ersten Einstellphase;
Fig. 5 eine graphische Darstellung von
Resonanzfrequenz
kurven des Quarzkristallresonators nach Fig. 1
in einer zweiten Einstellphase;
Fig. 6 eine graphische Darstellung von
Resonanzfrequenz
kurven des Quarzkristallresonators nach Fig. 1
in einer dritten Einstellphase;
Fig. 7 eine graphische Darstellung der Ände
rungen des Wirkwiderstandes des Quarzkristall-
Resonators nach Fig. 1, während der Resonator
gleichzeitig der Laserstrahlbearbeitung
und der elektronischen Reinigung ausgesetzt wird,
bzw. die entsprechende Kurve, bei der Laserstrahl
bearbeitung ohne gleichzeitige elektronische Reini
gung erfolgt; und
Fig. 8 eine graphische Darstellung der Ände
rungen der Resonanzfrequenz des Quarzkristall-
Resonators nach Fig. 1, während an dem Resonator eine
sequentielle Laserstrahlbearbeitung und elektroni
sche Reinigung durchgeführt werden.
Fig. 1 zeigt einen bekannten Quarzkristall-Resonator 10,
der auf
einen Nennwert der Resonanzfrequenz Fn (vgl. die Fig. 4, 5 und 6)
eingestellt werden soll; der Quarzkristall-Resonator 10 weist
eine äußere kreisförmige Elektrode 12 und eine innere kreisför
mige Elektrode 14 jeweils aus einem geeigneten Kontaktmetall
wie etwa Gold auf, das
auf gegenüberliegenden Seiten eines kreisförmigen,
im AT-Schnitt vorliegenden Quarzkristall-Plättchens
16 aufgebracht ist. Das Plättchen 16 ist fest
an vier Anschlußträgern 18 s befestigt, von denen zwei elektrisch
"aktiv" sind und jeweils an eine der beiden Elektroden 12 und
14 angeschlossen sind, während die zwei anderen Anschlußträger
elektrisch "inaktiv" sind. Zum Resonator 10 gehört ferner ein
Masseanschluß 18 g, der an einem zylindrischen, kappenförmigen
Verteilerkopf 20 aus Metall befestigt ist und von diesem absteht.
Die Anschlüsse 18 s ragen durch Löcher in dem Metall-Verteiler
kopf 20 hindurch, wobei die Anschlußabschnitte innerhalb des
Verteilerkopfes in isolierendes Glasmaterial eingebettet sind.
Nachdem der Resonator 10 auf seine Resonanzfrequenz eingestellt
worden ist, wird das Plättchen 16 in einer (nicht dargestellten)
Schutzabdeckung eingeschlossen, die in bekannter Weise um
den Metallverteilerkopf 20 herumgelegt wird.
Wie bekannt, wird ein Hochfrequenzpotential
über die Elektroden 12 und 14 des Quarzkristallresonators 10
zugeführt, um
Schwingungsmoden bei der Resonanzfrequenz in dem Kristall
plättchen 16 zu erzeugen; hierbei hängt die Resonanzfrequenz von
verschiedenen Faktoren, wie etwa der Größe und Masse der Elektro
den sowie der Dicke und dem Durchmesser des Plättchens ab. In
dieser Beziehung sind die Größe und die Masse der Elektroden
12 und 14, sowie der Durchmesser und die Dicke des Kristall
plättchens 16 dahingehend ausgewählt, daß eine angestrebte Re
sonanzfrequenz erzeugt wird, wobei zur Auswahl der Parameter
empirische Daten dienen, die durch Messung an einer Vielzahl
von Proben nach bekannten Verfahren ermittelt worden sind.
Die Elektroden 12 und 14
werden auf dem Kristallplättchen 16 ausgebildet. Jeder Resonator 10
weist anschließend eine Resonanzfrequenz unterhalb des ange
strebten Nennwertes Fn (vgl. Fig. 4, 5 und 6) innerhalb eines
vorgegebenen, praktischen unteren Grenzwertes auf; diese Re
sonanzfrequenz wird anschließend auf den Nennwert Fn einge
stellt, wozu mittels Laserstrahlbearbeitung in parallelen Li
nien im Abstand zueinander angeordnete Löcher 12 h (vgl. Fig. 2)
in der Außenelektrode 12 erzeugt werden, wodurch ein Anstieg
der Resonanzfrequenz des Resonators auf den Nennwert hervor
gerufen wird. Zur gleichen Zeit wird der Quarzkristall-Resona
tor 10 bei einer im Vergleich zur Stromstärke des üblichen
Betriebs, hohen Stromstärke angesteuert, um eine Ansammlung
der lose anhaftenden, bei der Laserstrahlbearbeitung angefal
lenen Teilchen an dem Resonator zu verhindern.
Wie in Fig. 3 dargestellt, werden zur Resonanzfrequenzein
stellung die Anschlüsse 18 s und 18 g (vgl. Fig. 1)
in eine
Stiftfassung 23 eingesetzt, die an einem ersten
Schlitten 24 befestigt ist. Der erste Schlitten 24 ist ver
schieblich an einem zweiten Schlitten 26 angebracht, so daß
eine Hin- und Herbewegung des ersten Schlittens 24 längs einer
Y-Achse erfolgen kann; der zweite Schlitten ist verschieblich
an einem Unterteil 28 angebracht, so daß die Hin- und Herbewe
gung des zweiten Schlittens 26 längs einer X-Achse erfolgen
kann. Die Schlitten werden von umschaltbaren
Schrittmotoren 30 und 32 angetrieben, die ihrerseits von einer
Steuerschaltung 34 gesteuert werden, um den Resonator 10 auf
einanderfolgend in Y- und X-Richtung relativ zu einem Strahlen
bündel eines gepulsten Lasers 36 zu verschieben, um durch Ver
dampfung des entsprechenden Materials die Löcher 12 h (vgl.
Fig. 2) in der Außenelektrode 12 zu erzeugen.
Hierbei ist zu Beginn jeder Frequenzeinstellung das Strahlen
bündel des Lasers 36 durch einen hin- und herbewegbaren Verschluß
37 unterbrochen. Bei Betätigung eines Startkontaktes
in der Motor
steuerschaltung 34 wird der Verschluß 37
zurückgezogen. Zur gleichen Zeit werden der
erste Schlitten 24 und damit auch der Resonator 10 von dem ersten
Motor 30 anfänglich in Y-Richtung verschoben.
So kann etwa, wie aus Fig. 2 ersichtlich, im Verlauf dieser Ver
schiebung des Resonators 10 der Laser 36 (vgl. Fig. 3) die linke
Zeile der Löcher 12 h in der äußeren Elektrode 12 erzeugen, wobei
am oberen Ende der Zeile begonnen wird. Nachdem
der Resonator 10 das Ende ihrer Verschiebung in Y-Rich
tung erreicht hat, wird der erste Motor 30 zeitweise abgeschal
tet, und der zweite Motor 32 wird eingeschaltet, um die Schlit
ten 24 und 26 in Stellung zu bringen, wodurch der Resonator 10
entsprechend der Darstellung nach Fig. 2 und 3 um eine kleine
Strecke (beispielsweise 0,10 bis 0,15 mm) nach links verschoben
wird, wonach nunmehr der zweite Motor abgeschaltet und der erste
Motor erneut in umgekehrter Richtung in Betrieb gesetzt wird.
Der erste Motor 30 verschiebt anschließend den Schlitten 24 und
den Resonator 10 in umgekehrter Richtung parallel zur Y-Achse,
so daß der Laser 36 eine zweite Zeile von Löchern 12 h in der
Außenelektrode 12 erzeugt. Dieses Verfahren
wird fortgesetzt, wobei das Ausmaß der
Laserstrahlbearbeitung fortlaufend reduziert wird,
bis der Resonator 10 auf den ange
strebten Nennwert der Resonanzfrequenz Fn eingestellt ist. Hier
bei ist zu beachten, daß eine größere oder kleinere Anzahl von
Zeilen der durch Laserstrahlbearbeitung erzeugten Löcher 12 h in
der Elektrode 12 ausgebildet werden kann, was von den besonderen
Umständen abhängt.
Zu der elektrischen Fassung 23 gehört ein Eingangskontaktstift
38 i, der an den Ausgang eines HF-Verstärkers 40 angeschlossen
ist.
Der Quarzkristallresonator 10 kann
anfänglich mit einer Stromstärke angesteuert werden, die
in der Größenordnung vom 30- bis 35fachen der Stromstärke beim
üblichen Betrieb liegt.
Der HF-Verstärker 40 wird an eine Energiequelle ange
schlossen, die Ausgangssignale der angestrebten, unterschiedli
chen Stromstärken bei verschiedenen Frequenzen unterhalb und ober
halb der angestrebten Nennwert-Resonanzfrequenz Fn (vgl. Fig. 4,
5 und 6) zu erzeugen vermag.
Der HF-Verstärker 40 wird
an einen automatischen Synthesizer 42 angeschlossen, der sei
nerseits an einen Rechner 44 ange
schlossen ist.
In diesem
System erzeugt der Synthesizer 42 Ausgangssignale von verschie
denen Stromstärken und bei verschiedenen Frequenzen in unter
schiedlich großen Frequenzstufen.
Zur elektrischen Fassung 23 gehören weiterhin ein Ausgangskon
taktstift 380, der an einen Netzwerkanalysator 46 angeschlossen
ist, der seinerseits die Resonanzfrequenz des Quarzkristall
resonators 10 zu messen vermag und das ermittelte Signal einem
Monitor in der Form eines Oszillographen 48 zuführt.
Der Ausgangs-Kontaktstift 380 ist an den Netzwerkanalysa
tor 36 über einen Außenwider
stand für den HF-Verstärker 40 angeschlossen und weiterhin über
einen Widerstand mit kleinem Widerstands
wert an Masse angeschlossen, um eine Spannung zu er
zeugen, die vom Netzwerkanalysator gemessen und auf dem Schirm
des Oszillographen 48 in Form einer Resonanzfrequenzkurve in be
kannter Weise angezeigt werden kann.
Vorzugsweise wird jeder Quarzkristallresonator 10 in der elektri
schen Fassung 23 angeordnet, wobei sich die Fassung 23 in einer
(nicht dargestellten) Einsetz-Entnahme-Stellung entfernt vom
Strahlenbündel des Lasers 36 befindet. Daraufhin wird der Reso
nator 10 entsprechend Fig. 3 in seine für die
Laserstrahlbearbeitung vorgesehene Stellung gebracht. Zum Bei
spiel kann die Motorsteuerschaltung 34 hierzu einen
Schaltkreis aufweisen, der in Verbindung mit einem
optischen Ausrichtesystem, das seinerseits
an die Schlitten 24 und 26 angepaßt ist, die Motoren 30 und 32
antreibt, um den Resonator in die für die Laserstrahlbearbeitung
vorgesehene Stellung zu bringen. Durch Schließen einer (nicht
dargestellten) Laserabschirmung wird daraufhin
dem Laser 36 Energie zugeführt, wobei das Auftreffen des Strah
lenbündels des Lasers auf der Außenelektrode 12 des Resonators 10
weiterhin durch den Verschluß 37 unterbunden ist.
Nachdem der Quarzkristallresonator 10 in seine für die Laser
strahlbearbeitung vorgesehene Stellung gebracht worden ist, wird
der Rechner 44 gestartet.
Der Rechner 44 veranlaßt daraufhin den Synthesizer 42, den Zu
stand für die höchste Stromstärke und die größte Frequenz
stufengröße einzunehmen.
Gleichzeitig (vgl. Fig. 4) veran
laßt der Rechner 44 den Synthesizer 42, Ausgangssignale von
verschiedener, fortlaufend höherer Frequenz zu erzeugen, wobei
bei einem Wert unterhalb der Nennwert-Resonanzfrequenz Fn
und mit Frequenzstufen von relativ großer Stufengröße
begonnen wird, um anfänglich einen relativ weiten Frequenzbe
reich auf den gegenüberliegenden Seiten der Nennwert-Resonanz
frequenz zu überstreichen.
Die anfängliche Resonanzfrequenzkur
ven-Anzeige auf dem Schirm des Oszillographen 48 kann einen Frequenz
bereich von etwa 10 000 Hz auf jeder Seite der angestrebten
Nennwert-Resonanzfrequenz Fn überdecken, wie das mit Fig. 4
dargestellt ist. Der Synthesizer 42
erzeugt 100 Frequenzschritte in jedem Abtastdurchgang des Oszillographen
48 und muß für den angestrebten Bereich von 20 000 Hz
so programmiert sein, daß er ein
Signal in Schritten von 200
Hz (d. h. 20 000 ± 100) erzeugt.
Wie mit Fig. 4 dargestellt, wird
auf dem Schirm des Oszillo
graphen 48 eine Resonanzfrequenzkurve des Resonators angezeigt,
wie sie beispielsweise mit den gestrichelten Linien in dieser
Figur dargestellt ist. Die Bedienungsperson bestimmt darauf
hin optisch, aus der angezeigten Resonanzfrequenzkurve den Wert
der Resonanzfrequenz für den Resonator 10 und veranlaßt die
erforderlichen Maßnahmen.
Sofern beispielsweise die Resonanzfrequenz des Quarzkristall
resonators 10
mehr als
6000 Hz unterhalb der Nennwert-Resonanzfrequenz Fn für den
oben beschriebenen 3,15 MHz-Resonator liegt, wird der Reso
nator vorzugsweise aus der Vorrichtung ohne Einstellung heraus
genommen und durch einen anderen Resonator ersetzt, da es bei
einem solchen großen Frequenzabstand schwierig ist, den Resona
tor auf den Nennwert Fn einzustellen und weiterhin die anderen
elektrischen Parameter (wie beispielsweise den Wirkwiderstand
und die Einfügungsdämpfung) bei akzeptablen Werten zu halten.
In ähnlicher Weise wird, sofern die Resonanzfrequenz des Reso
nators 10 oberhalb des Nennwertes Fn liegt, der Resonator aus
der Vorrichtung herausgenommen und einem anderen Verfahren zur
Einstellung des Nennwertes zugeführt, bei dem zusätzliches
Elektrodenmaterial auf dem Resonator abgeschieden wird.
Sofern die Resonanzfrequenz des Quarzkristallresonators 10
innerhalb des vorgesehenen Bereichs bei einem Wert oberhalb
des vorgegebenen unteren Grenzwertes liegt, wird
von der Bedienungsperson ein Steuerknopf
der Laserpuls-Steuereinheit 50 (vgl. Fig. 3) betätigt, um die
Laserstrahlbearbeitung der Außenelektrode 12 (vgl. Fig. 1 und 2)
in einem Ausmaß in Gang zu setzen, das von der Größe der Fre
quenzeinstellung abhängt, die ihrerseits zum Erreichen des
Nennwertes Fn erforderlich ist.
Die Resonanzfrequenz des Resonators 10 liege innerhalb eines
unteren Frequenzbereiches (beispielsweise zwischen
-1000 bis -6000 Hz zu dem Nennwert Fn für den oben beschriebenen
3,15 MHz-Resonator), wie das mit der gestrichelten Kurve
in Fig. 4 dargestellt ist; dann wird die Impulsfrequenz des
Lasers 36 anfänglich so eingestellt, daß der Laser die Löcher
12 h (vgl. Fig. 2) in der Außenelektrode 12 des Resonators in
relativ engen Abständen von etwa 0,10 mm erzeugt.
Daraufhin wird der
Ver
schluß 37 des Laserstrahlbündels geöffnet, und der Mo
tor 30 wird angeschaltet, um den Schlitten 24 in Y-Richtung zu
verschieben. Anschließend, wenn der
Laser 36 beginnt, im Abstand zueinander die Löcher 12 h der
ersten linken Zeile in der Außenelektrode 12 des Resonators 10
zu erzeugen, steigt die Reso
nanzfrequenz des Resonators an, und die auf dem Schirm des
Oszillographen 48 angezeigte Resonanzfrequenzkurve verschiebt
sich auf die Schirmmitte zu, wie das mit der ausgezogenen Kur
ve in Fig. 4 dargestellt ist.
Durch anfängliche Verzerrungen vermittelt die
Kurve eine falsche Dar
stellung der tatsächlichen Resonanzfrequenz des Resonators.
Wenn die Bedienungsperson feststellt, daß, bezogen auf
die ausgezogene Kurve in Fig. 4, das Maximum der Resonanzfre
quenzkurve den oberen Grenzwert (beispielsweise -1000 Hz) des
vorgegebenen unteren Frequenzbereiches erreicht hat, be
tätigt sie den
Rechner 44, der über
den Synthesizer 42 den Quarzkristall
resonator 10 bei einer zweiten, kleineren Stromstärke ansteuert,
etwa in der Größenordnung vom 20fachen der Stromstärke beim üb
lichen Betrieb, um die Verzerrung des Resonanzfrequenz-
Ansprechverhaltens des Resonators zu verhindern.
Gleichzeitig wird
ein Ausgangssignal mit
fortlaufend höheren Frequenzen erzeugt, jedoch in kleine
ren Schritten, etwa von 20 Hz, um eine Resonanzfrequenzanzeige
auf dem Oszillographen über einen engeren Zwischenfrequenzbereich
zu erhalten, etwa von ± 1000 Hz, wie das in Fig. 5 dargestellt
ist.
Die Verringerung der Stromstärke des Reso
nators 10 hat eine entsprechende Verringerung der elektronischen
Reinigungswirkung an der Außenelektrode 12 zur Folge. Daher, und
um eine bessere Steuerung des Einstellvorganges bei der Nenn
wert-Resonanzfrequenz Fn zu erhalten, stellt die Bedienungs
person die Laserimpuls-Steuereinheit 50 entsprechend ein, um
die Impulsfrequenz des Lasers 36 zu verringern, so daß das Strah
lenbündel des Lasers nunmehr die Löcher 12 h in der Außenelektro
de 12 bei vergrößerten Abständen erzeugt, wie das in Fig. 2
dargestellt ist.
Als Folge der Verringerung der Stromstärke,
wird auf der linken Seite des Schirmes des Os
zillographen 48 eine Resonanzfrequenzkurve mit verbesserter
Genauigkeit angezeigt, wie das mit der gestrichelten Kurve in
Fig. 5 dargestellt ist. Anschließend steigt
die Resonanzfrequenz des Resonators kontinuierlich an und
verschiebt sich in Fig. 5
nach rechts, auf die Schirmmitte des Oszillographen zu.
Wenn die Bedienungsperson feststellt, daß das Maximum der auf
dem Schirm des Oszillographen 48 angezeigten Frequenzkurve
eine Stelle erreicht hat, die angenähert der halben Strecke
zwischen der linken Seite und der Mitte des Schirmes entspricht,
etwa innerhalb 500 Hz des angestrebten Nennwertes Fn der Reso
nanzfrequenz,
betätigt die Betriebsperson erneut den
Rech
ner 44. Der Rechner 44 veranlaßt nunmehr den Synthesizer 42,
den Quarzkristallresonator 10 bei einer noch kleineren Strom
stärke anzusteuern, etwa in der Größenordnung des 8- bis 10fachen
der Stromstärke beim üblichen Betrieb des Resonators, um die
Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprech
verhaltens des Resonators noch weiter zu verringern.
Gleichzeitig veranlaßt der
Rechner 44 den Synthesizer 42, dessen Ausgangssignal bei Frequenzen
in noch kleineren Frequenzschritten (beispielsweise 10 Hz) zu
erzeugen, um auf dem Schirm des Oszillographen 48 eine Anzeige
der Resonanzfrequenzkurve über einen noch kleineren oberen Fre
quenzbereich (beispielsweise ±500 Hz) zu gewährleisten, wie das
in Fig. 6 dargestellt ist.
Nun wird
die Impulsfrequenz des Lasers 36 weiter
verringert, so daß das Laserstrahlenbündel die Löcher 12 h in der
Außenelektrode 12 des Quarzkristallresonators 10 mit noch grö
ßeren Abständen erzeugt, wie das in Fig. 2 darge
stellt ist. Dadurch ist die in Abstimmung zur Laserstrahlbearbei
tung erforderliche, elektronische Reinigung der Resonatoraußen
elektrode 12 verringert, womit wiederum der Tatsache Rechnung
getragen ist, daß eine Verringerung der Stromstärke am
Resonator 10 eine verringerte elektronische Reinigungswirkung
der Außenelektrode zur Folge hat. Die zusätzliche Verringerung
der Stromstärke des Quarzkristallresonators 10 und die
kleineren Frequenzstufen
ergeben eine verbesserte
Resonanzfre
quenzkurve, wie das mit der gestrichelten Kurve auf der linken
Seite der Fig. 6 dargestellt ist. Wenn anschließend die Laser
strahlbearbeitung der Außenelektrode 12 des Resonators 10 weiter
fortgesetzt wird, steigt die Resonanzfrequenz des Resona
tors fortlaufend an bis zu dem Nennwert Fn, und die Frequenz
kurve verschiebt sich in Fig. 6 nach rechts.
Nachdem das Maximum der Resonanzfrequenzkurve die mit der festen
Linie angezeigte Stelle (das ist der Nennwert Fn) in Fig. 6
erreicht hat, wird
der Verschluß 37 geschlossen,
die
Motoren 30 und 32 werden abgeschal
tet,
und der Laser 36 abgeschaltet, und der eingestellte Quarzkristallreso
nator 10 wird aus der elektrischen Fassung 23 herausgenommen.
Wenn
die an
fängliche Resonanzfrequenz des Resonators bereits innerhalb des
Zwischenfrequenzbereichs (vgl. Fig. 5) liegt, ist die anfängliche
Einstellungsphase (vgl. Fig. 4) nicht erforderlich, und man
beginnt
direkt mit der zweiten Einstellphase.
Wenn die Resonanzfrequenz im oberen Frequenzbereich (vgl. Fig. 6) liegt, beginnt man
direkt mit
der dritten Einstellphase.
In Fig. 7 ist in halb-logarithmischem Maßstab die prozentuale
Änderung des Wirkwiderstandes für zwei Probenpartien von Quarz
kristallresonatoren 10 dargestellt, welche die oben angegebene
Nennwert-Resonanzfrequenz Fn (vgl. Fig. 4, 5 und 6) in der Grö
ßenordnung von 3,15 MHz aufweisen.
In dieser Beziehung stellen die ausgezogene und die gestrichelte
Linie in Fig. 7 Mittelwerte des Wirkwiderstandes für zwei Pro
benpartien von Resonatoren 10 dar.
Aus Fig. 7 ist ersichtlich, daß in der ersten Probenpartie
der
mittlere Wirkwider
stand von etwa 2% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 400 Hz
bis zu etwa 25% bei einer Resonanzfrequenzänderung von
10 000 Hz als Folge der Laserstrahlbearbeitung zugenommen
hat. Im Gegensatz dazu hat der (mit der gestrichelten Linie
dargestellte) mittlere Wirkwiderstand einer zweiten Proben
partie von Resonatoren 10, wo die Laserstrahlbearbeitung ohne
gleichzeitige elektronische Reinigung erfolgt ist, von etwa
17% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 400 Hz bis zu etwa
64% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 10 000 Hz als Folge
der Laserstrahlbearbeitung zugenommen.
In Fig. 8 it in halb-logarithmischem Maßstab dar
gestellt, daß für eine zweite Partie von Quarzkristallresona
toren 10, die später elektronisch gereinigt worden sind,
die Resonatoren eine Zunahme
der Resonanzfrequenz aufweisen, wenn die Änderung der Resonanz
frequenz als Folge der Laserstrahlbearbeitung erhöht wird.
Claims (9)
1. Verfahren zum Einstellen von Resonanzfrequenz eines piezoelektri
schen Bauelements, bei dem das Bauelement elektrisch erregt und
seine Resonanzfrequenz überwacht wird und bei dem gleichzeitig
Elektrodenmaterial von dem piezoelektrischen Bauelement durch
Laserstrahlbearbeitung entfernt wird, um die überwachte Resonanz
frequenz auf einen Nennwert zu ändern,
dadurch gekennzeichnet, daß
gleichzeitig ein elektronisches Reinigen des piezoelektrischen
Bauelements dadurch erfolgt, daß das Bauelement mit einer im
Vergleich zur Stromstärke des üblichen Betriebs höheren Strom
stärke übersteuert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes bei einer
Stromstärke einer solchen Größenordnung erfolgt, die wenigstens
das 30fache der Stromstärke beim üblichen Betrieb des Bauele
mentes ausmacht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes in der Weise
erfolgt, daß ein Stromfluß von wenigstens 60 mA in dem Bauele
ment erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Resonanzfrequenzänderung des piezoelektrischen Bauelementes
als Folge der Laserstrahlbearbeitung in einer Größenordnung von
wenigstens 500 Hz liegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die beim Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes ange
wandte Stromstärke verringert wird, wenn sich die Resonanzfre
quenz des Bauelementes dem Nennwert annähert, um eine
Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bau
elementes zu verringern.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Ausmaß, in dem das Elektrodenmaterial mittels
Laserstrahlbearbeitung von dem piezoelektrischen Bauelement
entfernt wird, verringert wird, wenn sich die Resonanzfrequenz
des Bauelementes dem Nennwert annähert.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zum Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes ange
wandte Stromstärke und das Ausmaß der Entfernung des
Elektrodenmaterials von dem piezoelektrischen Bauelement mit
tels Laserstrahlbearbeitung in aufeinanderfolgenden Stufen ver
ringert werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
fortlaufend eine für die Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Bauelementes repräsentative Kurve auf einem Monitor angezeigt wird; und
die zum Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes angewandte Stromstärke verringert wird, wenn sich die Resonanzfrequenz des Bauelementes dem Nennwert annähert, um eine Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu verringern, und um eine verbesserte Definition der Resonanzfrequenzkurve auf dem Monitor zu erhalten.
fortlaufend eine für die Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Bauelementes repräsentative Kurve auf einem Monitor angezeigt wird; und
die zum Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes angewandte Stromstärke verringert wird, wenn sich die Resonanzfrequenz des Bauelementes dem Nennwert annähert, um eine Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu verringern, und um eine verbesserte Definition der Resonanzfrequenzkurve auf dem Monitor zu erhalten.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektrischen Bauelements zunächst
bei verschiedenen, mit einer ersten Frequenzstufengröße an
steigenden Frequenzen in einem Frequenzbereich erfolgt, der
sich von Werten unterhalb des Nennwertes bis zu Werten ober
halb des Nennwertes der Resonanzfrequenz erstreckt, und daß
anschließend das Übersteuern bei verschiedenen, mit einer
zweiten Frequenzstufengröße, die kleiner ist als die erste,
ansteigenden Frequenzen mit verringerter Stromstärke erfolgt.
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |