DE2905132A1 - Verfahren zur frequenzeinstellung eines piezoelektrischen bauelementes mittels laserstrahlbearbeitung - Google Patents

Verfahren zur frequenzeinstellung eines piezoelektrischen bauelementes mittels laserstrahlbearbeitung

Info

Publication number
DE2905132A1
DE2905132A1 DE19792905132 DE2905132A DE2905132A1 DE 2905132 A1 DE2905132 A1 DE 2905132A1 DE 19792905132 DE19792905132 DE 19792905132 DE 2905132 A DE2905132 A DE 2905132A DE 2905132 A1 DE2905132 A1 DE 2905132A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resonance frequency
component
frequency
laser beam
piezoelectric component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792905132
Other languages
English (en)
Other versions
DE2905132C2 (de
Inventor
Robert David Caruso
Jun Gerald Anthony Setter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE2905132A1 publication Critical patent/DE2905132A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2905132C2 publication Critical patent/DE2905132C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00Methods preventing fouling
    • B08B17/02Preventing deposition of fouling or of dust
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0042Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by laser
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49004Electrical device making including measuring or testing of device or component part

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

BLUMBACH . WESER · BERGEM · KRAMER ZWIRNER - BREHM
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN 2905132
Patentconsult Radeckestraße 43 8000 München 60 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Patentconsult Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Patemconsult
Western Electric Company, Incorporated Caruso 1-1
Broadway, New York, N.Y. 10038,
U. S. A.
Verfahren zur üTrequenzeinstellung eines piezoelektrischen Bauelementes mittels Laserstrahlbearbeitung
Beschreibung:
Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz eines piezoelektrischen Bauelementes mittels Laserstrahlbearbeitung (unter laserstrahlbearbeitung wird die Bearbeitung mittels Laserstrahl bzw. -strahlen verstanden); insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz eines Bauelementes mit einem piezoelektrischen Kristall, bei dem das Bauelement elektronisch gereinigt wird, indem das Bauelement bei einer, im Vergleich zu der Stromstärke
München: R. Kramer Dipl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · H. P. Brehm Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Wiesbaden: P. G. Blumbach Dipl.-Ing. . P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
909833/0768
des üblichen Betriebs, hohen Stromstärke übersteuert wird.
Die Einstellung der Resonanzfrequenz eines basisplattierten Quarzkristall-Bauelementes, wie etwa eines Quarzkristallresonators nach unten zu einem Nennwert mittels der Anwendung der aufeinanderfolgenden galvanischen Nickelabscheidung ("rohe Einstellung") und der anschließenden Goldaufdampfung ("Feineinstellung") stellt ein langsames, zeitaufwendiges Verfahren dar. Die galvanische Nickelabscheidung erfordert ferner die Anwendung einer schwierig zu wartenden Galvanisierausrüstung, und die Goldaufdampfung erfordert die Benutzung einer voluminösen Vakuum-Abscheidungsvorrichtung.
Mit dem Beitrag "Laser-Machining Thin-Film Electrode Arrays on Quartz Crystal Substrates" von J. L. Hokanson et al, in Journal of Applied Physics, 40, S. 3157-3160 (1. JuIi 1969) wird ein System für die Laserstrahlbearbeitung von Elektroden eines basisplattierten Quarzkristall-Bauelementes beschrieben, um dessen Frequenz nach oben (d.h. zu höheren V/erten) bis zu einem Nennwert einzustellen, wodurch die oben angegebenen Schritte zur galvanischen Nickelabscheidung und zur Goldaufdampfung weggelassen werden können. Obwohl die in diesem Beitrag beschriebene Laserstrahlbearbeitung für die Einstellung der Frequenz von verschiedenen Quarzkristallbauelementen wie etwa Resonatoren oder monolithischen Kristallfiltern geeignet ist, ist das System für solche Anwendungen, wo die im Verlauf der Einstellung erforderliche Änderung der Frequenz in der Größenordnung von
33/07ββ
500 Hz liegt oder mehr als 500 Hz beträgt, nicht besonders geeignet. Es ist festgestellt worden, daß die Laserstrahlbearbeitung unter diesen Bedingungen zu einer merklichen Anhäufung von lose anhaftenden, bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen Teilchen an dem einzustellenden Bauelement führt. Sofern das Bauelement anschließend in Betrieb genommen wird, neigen diese Teilchen zum Abwandern, wodurch sich die elektrischen Parameter (wie etwa der Wirkwiderstand, die Einfügungsdämpfung und die Resonanzfrequenz) des Bauelementes verändern und dieses im Verlauf des Betriebs instabil . machen»
Mit dem Beitrag "The Current Dependency of Crystal Unit Resistance at low Drive level" von S. Nonaka et al in The Proceedings of the 25th Annual Symposium on Frequency Control, S„ 139-147 (April 1971) wird ein Verfahren beschrieben, das in der Fachwelt als "elektronische Reinigung" bekannt ist, bei welchem der Widerstandswert eines Quarzkristall-Bauelementes, an dem kleine Metallteilchen (beispielsweise aus Gold) anhaften, auf den Widerstandswert des Bauelementes verringert werden kann, indem das Bauelement bei hoher Stromstärke übersteuert wird, um die Metallteilchen zu entfernen. Die elektronische Reinigung eines Quarzkristall-Bauelementes, um Schmutzteilchen oder dgl. von dem Bauelement zu entfernen, wird weiterhin in den US-Patentschriften 3 928 (W.H.King„ Jr. et al) und 3 653 253 (J.G.Olin) beschrieben. Es ist jedoch festgestellt worden, daß die elektronische Reinigung eines Quarzkristall-Bauelementes im Anschluß an die oben genannte laserstrahlbearbeitung, wobei das Bauelement zur elektronischen Reinigung bei hoher Stromstärke übersteuert wird, beim
2/ 909833/0760
Versuch zur Stabilisierung des Bauelementes unregelmäßige Änderungen der Resonanzfrequenz des Bauelementes ergibt.
Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz eines piezoelektrischen Bauelementes mit dem Verfahrensschritt der Entfernung von Elektrodenmaterial von dem Bauelement mittels Laserstrahlbearbeitung, um die Resonanzfrequenz des Bauelementes zu einem Nennwert zu verändern. Gleichzeitig hiermit wird das piezoelektrische Bauelement mit einer, im Vergleich zur Stromstärke des üblichen Betriebs, hohen Stromstärke übersteuert, um zu verhindern, daß sich die bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen Teilchen an dem Bauelement ansammeln, da diese Teilchen beim nachfolgenden Betrieb des Bauelementes eine elektrisch instabile Betriebsweise verursachen. Die gleichzeitige Durchführung von Laserstrahlbearbeitung und elektronischer Reinigung des Bauelementes beseitigt auch die unregelmäßigen Resonanzfrequenzänderungen,die dann auftreten, wenn das Bauelement im Anschluß an die Laserstrahlbearbeitung elektronisch gereinigt wird.
Am Anfang kann das piezoelektrische Bauelement mit einer Stromstärke übersteuert werden, deren Größenordnung das 3O~fache der Stromstärke beim üblichen Betrieb ausmacht, mit einem Stromfluß in dem Bauelement von 60 mA. Anschließend, wenn sich die Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Bauelementes dem Nennwert annähert, wird das Bauelement sequentiell mit fortlaufend kleinereren Stromstärken angesteuert, um eine Verzerrung des
909833/0708
Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu verringern und um eine verbesserte Definition einer Resonanzfrequenzkurve zu erhalten, die fortlaufend auf einen Monitor aufgezeichnet wird. Zu der gleichen Zeit wird ein Treibsignal, das dem piezoelektrischen Bauelement bei verschiedenen Frequenzen in einer ersten Stufengröße über einen, von unterhalb bis oberhalb des Nennwertes der Resonanzfrequenz reichenden Bereiches zugeführt wird, dem Bauelement bei verschiedenen Frequenzen
in einer verminderten Stufengröße zugeführt, um eine Frequenzkurvenanzeige über einen engeren Frequenzbereich auf dem Monitor zu erzeugen,, Wenn die Treib Stromstärken sequentiell zu
fortlaufend kleinereren Werten verringert werden (wodurch die davon erzeugte elektronische Reinigungswirkung ebenfalls verringert wird), wird auch das Ausmaß der Laserstrahlbearbeitung fortlaufend auf entsprechend kleinere Werte verringert.
Nachfolgend wird die Erfindung mit Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 8 im einzelnen erläutert; es zeigt:*
Fig. 1 eine isometrische Darst ellung eines Quarzkristall-Resonators, der erfindungsgemäß auf die
Resonanzfrequenz eingestellt werden kann;
Fig. 2 einen Ausschnitt aus der Draufsicht auf den Quarzkristall-Resonator nach Fig. 1 mit einem
Muster, in dem Elektrodenmaterial erfindungsgemäß mittels Laserstrahlbearbeitung von dem Bauelement entfernt werden kann;
3/ 909833/0760
Pig. 5 ein schematisches Blockdiagramm eines Systems zur Einstellung der Resonanzfrequenz des Quarzkristallresonators nach Hg. 1;
Pig. 4 in Form einer graphischen Darstelliing die mit dem System nach Fig. 3 erhaltenen Resonanzfrequenzkurven eines Quarzkristall-Resonators nach Fig. 1 in einer ersten Einstellphase gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 in einer graphischen Darstellung die mit dem System nach Fig. 3 erhaltenen Resonanzfrequenzkurven eines Quarzkristallresonators nach Fig. 1
in einer zweiten Einstellphase gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 in einer graphischen Darstellung die mit dem System nach Fig. 3 erhaltenen Resonanzfrequenzkurven eines Quarzkristallresonators nach Fig. 1 in einer dritten Einstellphase gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 in einer graphischen Darstellung die Änderungen des Wirkwiderstandes eines Quarzkristall-Resonators nach Fig. 1, sofern der Resonator erfindungsgemäß gleichzeitig der Laserstrahlbearbeitung und der elektronischen Reinigung ausgesetzt wird,
3/4 909833/0768
"bzw. die entsprechende Kurve, "bei der Laserstrahlbearbeitung ohne gleichzeitige elektronische Reinigung; und
Fig„ 8 in einer graphischen Darstellung die Änderungen der Resonanzfrequenz eines Quarzkristall-Resonators nach 3?ig. 1, sofern an dem Resonator eine •sequentielle Laserstrahlbearbeitung und elektronische Reinigung durchgeführt werden.
Die Pig. 1 zeigt einen bekannten Quarzkristall-Resonator 10, der nach der beschriebenen Ausführungsform der Erfindung auf einen Nennwert der Resonanzfrequenz Έα (vgl« die Pig, 4,5 und 6) eingestellt werden soll; der Quarzkristall-Resonator 10 weist eine äußere kreisförmige Elektrode 12 und eine innere kreisförmige Elektrode 14 jeweils aus einem geeigneten Kontaktmetall wie etwa Gold auf, das aus der Dampfphase oder unter anderen Bedingungen auf gegenüberliegenden Seiten eines kreisförmigen, im AT-Schnitt vorliegenden Quarzkristallkörpers oder Plättchen 16 gegenüberstehend aufgebracht ist. Das Plättchen 16 ist fest an vier Anschlußträgern 18s befestigt, von denen zwei elektrisch "aktiv" sind und jeweils an eine der beiden Elektroden 12 und 14 angeschlossen sind, während die zwei anderen Anschlußträger elektrisch "inaktiv" sind» Zum Resonator 10 gehört ferner ein Masseanschluß 18g, der an einem zylindrischen, kappenförmigen Verteilerkopf 20 aus Metall befestigt ist und von diesem absteht, Die Anschlüsse 18s ragen durch Löcher in dem· Metall-Verteilerkopf 20 hindurchj, wobei die Anschlußabschnitte innerhalb des
Verteilerkopfes in isolierendes Glasmaterial eingebettet sind. Nachdem der Resonator 10 auf seine Resonanzfrequenz eingestellt worden ist, wird das Plättchen 16 in einer (nicht dargestellten) Schutzabdeckung eingeschlossen, die in bekannter Weise um den Metallverteilerkopf 20 herumgelegt wird.
Wie in der Fachwelt bekannt, wird ein Hochfrequenzpotential über die Elektroden 12 und 14 des Quarzkristallresonators 10 zugeführt und wird auf piezoelektrischem Wege Dicken-Scherechwingungsmoden bei der Resonanzfrequenz in dem Kristallplättchen 16 erzeugen; hierbei hängt die Resonanzfrequenz von verschiedenen Paktoren, wie etwa der Größe und Masse der Elektroden sowie der Dicke und dem Durchmesser des Plättchens ab. In dieser Beziehung sind die Größe und die Masse der Elektroden 12 und 14, sowie der Durchmesser und die Dicke des Kristallplättchens 16 dahingehend ausgewählt, daß eine angestrebte Resonanzfrequenz erzeugt wird, wobei zur Auswahl der Parameter empirische Daten dienen, die durch Messung an einer Vielzahl von Proben nach bekannten Verfahren ermittelt worden sind, lediglich zur Erläuterung seien die Paramter eines Quarzkristall-Resonators 10 angegeben; dieser weist einen Nennwert der Resonanzfrequenz En (vgl. Fig. 4,5 und 6) in der Größenordnung von 3,15 MHz auf; hierzu hat das Kristallplättchen 16 einen Durchmesser von 14,986 mm und eine Dicke von 0,508 mm; die Elektroden 12 und 14 haben jeweils einen Durchmesser von 5,9944 mm und eine Dicke von 2,3^m (23 000 £).
Zur Ausführung der Erfindung werden die Elektroden 12 und 14 des Quarzkristall-Resonators 10 anfänglich in bekannter Weise
900833/0768 5/
auf dem Kristallplättchen 16 ausgebildet. Jeder Resonator 10 weist anschließend eine Resonanzfrequenz unterhalb des angestrebten Nenn-wertes Fn (vgl. Fig. 4,5 und 6)innerhalb eines vorgegebenen, praktischen unteren Grenzwertes auf; diese Resonanzfrequenz wird anschließend auf den Nennwert En eingestellt, wozu mittels Laserstrahlbearbeitung in parallelen Linien im Abstand zueinander angeordnete Löcher 12h (vgl. Fig.2) in der Außenelektrode 12 erzeugt werden, wodurch ein Anstieg der Resonanzfrequenz des Resonators auf den Fennwert hervorgerufen wird. Zur gleichen Zeit wird der Quarzkristall-Resonator 10 bei einer im Tergleich zur Stromstärke des üblichen Betriebs, hohen Stromstärke' angesteuert, um eine Ansammlung der lose anhaftenden, bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen Teilchen an dem Resonator zu verhindern, da diese Teilchen beim nachfolgenden Betrieb eine instabile Betriebsweise des Resonators hervorrufen würden.
Wie mit Fig. 3 dargestellt, werden zur Resonanzfrequenzeinstellung die Anschlüsse 18s und 18g (vgl. Fig. 1) des Quarzkristallresonators 10 in eine, den elektrischen Anschluß vermittelnde Stiftfassung 23 eingesetzt, die an einem ersten Schlitten 24 befestigt ist. Der erste Schlitten 24 ist verschieblich an einem zweiten Schlitten 26 angebracht, so daß eine Hin- und Herbewegung des ersten Schlittens 24 längs einer Y-Achse erfolgen kann; der zweite Schlitten ist verschieblich an einem Unterteil 28 angebracht, so daß die Hin-und Herbewegung des zweiten Schlittens 26 längs einer X-Achse erfolgen kann. Die Schlitten werden von entsprechenden, umschaltbaren ^/6
1 909833/0768
2305132
Schrittmotoren 30 und 32 angetrieben, die ihrerseits von einer Steuerschaltung 34 gesteuert werden, um den Resonator 10 aufeinanderfolgend in Y- und X-Richtung relativ zu einem Strahlenbündel eines gepulsten Laeers 36 zu verschieben, um durch Verdampfung des entsprechenden Materials die Löcher 12h (vgl. Fig. 2) in der Außenelektrode 12 zu erzeugen.
Hierbei ist zu Beginn jeder Frequenzeinstellung das Strahlenbündel des Laeers 36 durch einen hin- und herbewegbaren Verschluß 37 unterbrochen. Bei Betätigung eines Startkontaktes (beispielsweise eines nicht dargestellten Fußschalters) in der Motorsteuerschaltung 34 wird der Verschluß 37 aus der vorherigen (in Fig. 3 mit gestrichelten Linien dargestellten), das Laserstrahlenbündel unterbrechenden Stellung in eine(in Fig. 3 mit ausgezogenen Linien dargestellte) das Strahlenbündel nicht unterbrechende Stellung zurückgezogen. Zur gleichen Zeit wird der erste Schlitten 24 und damit auch der Resonator 10 von dem ersten Motor 30 anfänglich in Y-Richtung verschoben.
So kann etwa, wie aus Fig. 2 ersichtlich, im Verlauf dieser Verschiebung des Resonators 10 der Laser 36 (vgl. Fig. 3) die linke Zeile der Löcher 12h in der äußeren Elektrode 12 erzeugen, wobei am oberen Ende der Zeile begonnen wird. Nachdem der Schlitten 24 und damit der Resonator 10 das Ende ihrer Verschiebung in Y-Richtung erreicht haben, wird der erste Motor 30 zeitweise abgeschaltet, und der zweite Motor 32 wird eingeschaltet, um die Schlitten 24 und 26 in Stellung zu bringen, wodurch der Resonator 10
909833/078 8
entsprechend der Darstellung nach. Eig„ 2 raid 3 um eine kleine Strecke ("beispielsweise 0,10 bis 0,15 mm) nach links verschoben wird, wonach nunmehr der zweite Motor abgeschaltet und der erste Motor erneut in umgekehrter Richtung in Betrieb gesetzt wird. Der erste Motor 30 verschiebt anschließend den Schlitten 24 und den Resonator 10 in umgekehrter Richtung parallel zur Y-Achse, so daß der Laser 36 eine zweite Zeile von löchern 12h in der Außenelektrode 12 erzeugt. Dieses Verfahren zur Verschiebung und in Stellung bringen wird fortgesetzt, bis das Ausmaß der laserstrahlbearbeitung fortlaufend reduziert wird, wie das nachfolgend beschrieben ist, bis der Resonator 10 auf den ange™ strebten Nennwert der Resonanzfrequenz In eingestellt ist» Hierbei ist zu beachten, daß eine größere oder kleinere Anzahl von Zeilen der durch Laserstrahlbearbeitung erzeugten Löcher 12h in der Elektrode 12 ausgebildet werden kann, was von den besonderen Umständen abhängt.
Bei dem gepulsten Laser 36 kann es sich um irgendeinen geeigneten Laser handeln, der so fakusiert werden kann, daß ein Strahlenbündel erzeugt wird, welches das Metall der Außenelektrode zu erwärmen, zu schmelzen und zu verdampfen vermag, um darin die Löcher 12h mit kleinem Durchmesser etwa von 25,4- pm zu erzeugen, ohne daß irgendeine merkliche Unterbrechung der physikalischen Integrität des Kristallplättchens 16 auftritt. Zum Beispiel sind günstige Ergebnisse mit einem Neodym-dotierten Yttrium-Aluminiumgranat-Laser (Nd:YAG) erzielt worden, der bei einer Wellenlänge von 1,06 mn arbeitet; ein entsprechender Laser wird von Quantronix
909633/0768
Corporation of Smithtown, New York, U.S.A., unter der Bezeichnung "Modell 601" vertrieben.
Zu der elektrischen Passung 23 gehört ein Eingangskontaktstift 38i, der an den Ausgang eines RF-Verstärkers 40 angeschlossen ist.Beim RF-Verstärker 40 kann es sich um irgendeinen geeigneten Typ handeln, vorzugsweise um einen Verstärker mit einer solchen Ausgangskapazität, daß der Quarzkristallresonator 10 anfänglich mit einer Stromstärke angesteuert werden kann, die in der Größenordnung vom 30- bis 35-fachen der Stromstärke beim üblichen Betrieb liegt. (Obwohl noch höhere Treibstromstärken angewandt werden können, kann eine zu hohe Treibstromstärke einen Zerfall der Elektroden 12" und 14 hervorrufen).Zur Erläuterung v/erden die Parameter für den oben angegebenen Resonator 10 mit dem Kennwert der Resonanzfrequenz Pn in der G-rößenordnung von 3,15 MHz angegeben; im üblichen Betrieb wird dieser Resonator mit einer Stromstärke von 2 mA angesteuert; günstige Ergebnisse werden mit einer anfänglichen Treibstromstärke in der Größenordnung von 60 bis 70 mA erzielt, wozu ein RF-Verstärker mit einem Verstärkungsfaktor in der Größenordnung von 47 db und einer Ausgangskapazität von 10 bis 12 ¥ geeignet ist; ein geeigneter Verstärker wird von der RF Communications Company of Rochester, New York, U.S.A., unter der Bezeichnung "Modell 805 RF" vertrieben.
Der RF-Verstärker 40 wird an eine geeignete Energiequelle angeschlossen, die Ausgangssignale der angestrebten, unterschiedlichen Stromstärken bei verschiedenen Frequenzen unterhalb und ober-
7/8
909833/07Θ8
- -I7 -
halt» der angestrebten Nennwert-Resonanzfrequenz En (vgl. Pig.4, 5 und 6) zu erzeugen vermag. Zur Erläuterung wird bei der beschriebenen Ausführungsform der Erfindung der RF-Yerstärker 40 an einen automatischen Synthesizer 42 angeschlossen, der seinerseits an einen geeigneten programmierten Rechner 44 angeschlossen ist. Bei dem Synthesizer 42 und dem Rechner 44 kann es sich um das ASCII-System handeln, das von der Hewlett-Packard Company of Palo Alto, California, U.S.A., vertrieben wird (Synthesizer Modell 500B und Rechner Modell 9820). In diesem System erzeugt der· Synthesizer 42 Ausgangssignale von verschiedenen Stromstärken und bei verschiedenen Prequenzen in unterschiedlichen Prequenzstufengrößen als Polge der von dem Rechner 44 gelieferten Signale; der Rechner 44 ist seinerseits mit einem Mikroprocessor ausgestattet. Hierbei ist der Rechner 44 zur Durchführung der vorliegenden Erfindung in der Weise programmiert, daß er vom Synthesizer 42 die Erzeugung von Ausgangssignalen mit unterschiedlicher angestrebter Ausgangsstromstärke und unterschiedlichen Prequenzen bei verschiedener Prequenzstufengröße automatisch veranlaßt, sofern am Rechner der (nicht dargestellte) Knopf zum Ablauf des Programmes betätigt wird.
Zur elektrischen Passung 23 gehört weiterhin ein Ausgangskontaktstift 38o, der an einen Netzwerkanalysator 46 angeschlossen ist, der seinerseits die Resonanzfrequenz des Quarzkristallresonators 10 zu messen vermag und das ermittelte Signal einem Monitor in der Porm eines Oszillographen 48 zuführt. Beispielsweise kann es sich bei dem Netzwerkanalysator 46 um das "Modell 357OA" und bei dem Oszillographen 48 um das "Modell 1201B" handeln, die beide von der Hewlett-Packard Company vertrieben wer-8/9 909833/0768
den; der Ausgangs-Kontaktstift 38o ist an den Netzwerkanalysator 36 über einen geeigneten (nicht dargestellten) Außenwiderstand für den RI1-Verstärker 40 angeschlossen und weiterhin über einen (nicht dargestellten) Widerstand mit kleinem Widerslandswert an Masse angeschlossen, um ein Spannungspotential zu erzeugen, das vom netzwerkanalysator gemessen und auf dem Schirm des Oszillographen 48 in Form dner Resonanzfrequenzkurve in bekannter Weise angezeigt werden kann.
Vorzugsweise wird jeder Quarzkristallresonator 10 in der elektrischen Passung 23 angeordnet, wobei sich die Fassung 23 in einer (nicht dargestellten) Einsetz-Entnahme-Stellung entfernt vom Strahlenbündel des Lasers 36 befindet. Daraufhin wird der Resonator 10 in bekannter Weise entsprechend Fig. 3 in seine für die laserstrahlbearbeitung vorgesehene Stellung gebracht. Zum Beispiel kann die Motorsteuerschaltung 34 hierzu einen (nicht dargestellten) Schaltkreis aufweisen, der in Verbindung mit einem (nicht dargestellten) optischen Ausrichtesystem, das seinerseits an die Schlitten 24 und 26 angepaßt ist, die Motoren 30 und 32 antreibt, um den Resonator in die für die Laserstrahlbearbeitung vorgesehene Stellung zu bringen. Durch Schließen einer (nicht dargestellten) Laserabschirmung oder eines Tores wird daraufhin dem Laser 36 Energie zugeführt, wobei das Auftreffen des Strahlenbündels des Lasers auf der Außenelektrode 12 des Resonators weiterhin durch den Verschluß 37 unterbunden ist.
Nachdem der Quarzkristallresonator 10 in seine für die Laserstrahlbearbeitung vorgesehene Stellung gebracht worden ist, wird
909833/0780
2305132
von der Bedienungsperson der (nicht dargestellte) Knopf für den Programmablauf des programmierten Rechners 44 "betätigt. Der Rechner 44 veranlaßt daraufhin den Synthesizer 42, den Zustand für die höchste Treibstromstärke und die größte Froqizenzstufengröße einzunehmen, für welche er programmiert ist. Im Zusammenhang mit der Erfindung heißt das, der Rechner 44 veranlaßt den Synthesizer 42, ein Ausgangssignal zu erzeugen, das den Resonator 10 über den RP-Verstärker 40 bei einer hohen Stromstärke ansteuert, etwa in der Größenordnung des 30» bis 35-fachen der Stromstärke bei üblichem Betrieb des Resonators, wie das oben angegeben ist. Gleichzeitig (vgl. Pig» 4) Texanlaßt der Rechner 44 den Synthesizer 42, Ausgangssignale von verschiedener, fortlaufend höherer !Frequenz zu erzeugen, wobei bei einem Wert unterhalb der Nennwert-Resonanzfrequenz Fn
und mit Frequenzstufen von relativ großer Stufengröße begonnen wirds um anfänglich einen relativ weiten Frequenzbereich auf den gegenüberliegenden Seiten der Nennwert-Resonanzfrequenz zu überstreichen.
Zur Erläuterung kann etwa die anfängliche Resonanzfrequenzkurven-Anzeige auf dem Schirm des Oszillographen 48 einen Frequenzbereich von etwa 10 000 Hz auf jeder Seite der angestrebten Nennwert-Resonanzfrequenz Fn überdecken, wie das mit Fig. 4 dargestellt ist«, Das heißt, da der oben genannte Synthesizer 100 Frequenzschritte in jedem Abtastdurchgang des Oszillographen 48 erzeugt, muß für den angestrebten Bereich von 20 000 Hz
der Synthesizer so programmiert sein, daß er ein Treibsignal bei fortlaufend höheren Frequenzen in Schritten von 200
909833/0781
-.20 -
Hz (d.h. 20 000 +_ 100) erzeugt.
Wie mit Pig. 4 dargestellt, wird, sofern der Ri1-Verstärker 40 und der Synthesizer 42 den Quarzkristallresonator 10 in der o"ben angegebenen Weise ansteuern, auf dem Schirm des Oszillographen 48 eine Resonanzfrequenzkurve des Resonators angezeigt, wie sie "beispielsweise mit den ge striche It en Linien in dieser Figur dargestellt ist. Die Bedienungsperson bestimmt daraufhin optisch, aus der angezeigten Resonanzfrequenzkurve den Wert der Resonanzfrequenz für den Resonator 10 und veranlaßt die erforderlichen Maßnahmen.
Sofern beispielsweise die Resonanzfrequenz des Quarzkristallresonators 10 unterhalb der oben angegebenen, vorgegebenen, praktischen unteren Bereichsgrenze, beispielsweise mehr als 6000 Hz unterhalb der Nennwert-Resonanzfrequenz En für den oben beschriebenen 3,15 MHz-Resonator liegt, wird der Resonator vorzugsweise aus der Vorrichtung ohne Einstellung herausgenommen und durch einen anderen Resonator ersetzt, da es bei einem solch großen Erequenzsabstand schwierig ist, den Resonator auf den Nennwert En einzustellen und weiterhin die anderen elektrischen Parameter (wie beispielsweise den Wirkwiderstand und die Einfügungsdämpfung) bei akzeptablen Werten zu halten. In ähnlicher Weise wird, sofern die Resonanzfrequenz des Resonators 10 oberhalb des Nennwertes En liegt, der Resonator aus der Vorrichtung herausgenommen und einem anderen Verfahren zur Einstellung des Nennwertes zugeführt, bei-dem zusätzliches Elektrodenmaterial auf dem Resonator abgeschieden wird.
10/11 909833/0788
2305132
Sofern die Resonanzfrequenz des Quarzkristallresonators 10 innerhalb des vorgesehenen Bereichs bei einem Wert oberhalb des Torgegebenen, praktischen unteren Grenzwertes liegt, wird von der Bedienungsperson ein (nicht dargestellter) Steuerknopf der Laserpuls-Steuereinheit 50 (vgl. Pig. 3) betätigt, um die Laserstrahlbearbeitung der Außenelektrode 12 (vgl. Fig. 1 und 2) in einem Ausmaß in Gang zu setzen, das von der Größe der Frequenzeinstellung abhängt, die ihrerseits zum Erreichen des Nennwertes In erforderlich ist. Zur Erläuterung sei angenommen, daß die Resonanzfrequenz des Resonators 10 innerhalb eines vorgegebenen, unteren Frequenzbereiches (beispielsweise zwischen -1000 bis -6000 Hz zu dem Nennwert Fn für den oben beschriebenen 3,15 MHz-Resonator) liegt, wie das mit der gestrichelten Kurve in Fig. 4 dargestellt ist, dann wird die Impulsfrequenz des Lasers 36 anfänglich so eingestellt, daß der Laser die Löcher 12h (vgl. Fig» 2) in der Außenelektrode 12 des Resonators in relativ engen Abständen, etwa in gegenseitigen Abständen von 0,10 mm erzeugt.
Daraufhin wird der oben bezeichnete (nicht dargestellte) Startkontakt der Motorsteuerschaltung 34 geschlossen, um den Verschluß 37 des Laserstrahlenbündels zurückzuziehen, und der Motor 30 wird angeschaltet, um den Schlitten 24 in Y-Richtung zu verschieben, wie das oben beschrieben ist. Anschließend, wenn der Laser 36 beginnt, im Abstand zueinander die Löcher 12h der ersten linken Zeile in der Außenelektrode 12 des Resonators 10 (bei der Darstellung nach Fig. 2) zu erzeugen,steigt die Reso-
909 83 3/D 768
nanzfrequenz des Resonators an, und die auf dem Schirm des Oszillographen 48 angezeigte Resonanzfrequenzkurve verschiebt sich auf die Schirmmitte zu, wie das mit der ausgezogenen Kurve in Fig. 4 dargestellt ist.
V/ie das oben beschrieben ist, neigt im Verlauf der Anfangsphase'der Resonanzfrequenzeinstellung die auf dem Oszillographen 48 angezeigte Resonanzfrequenzkurve dazu, als Folge der Übersteuerung des Quarzkristallresonators 10 bei einer hohen Stromstärke verzerrt zu·werden, wodurch die Kurve eine falsche Darstellung der tatsächlichen Resonanzfrequenz des Resonators vermittelt. Da die Frequenzkurve über einen weiten Frequenzbereich wiedergegeben wird, ist es weiterhin schwierig (wenn nicht unmöglich) eine exakte optische Festlegung zu machen, wann das Maximum der Frequenzlairve an dem angestrebten Nennwert Fn der Resonanzfrequenz ist.
Wenn daher die Bedienungsperson feststellt, daß, bezogen auf die ausgezogene Kurve in Fig. 4f das Maximum der Resonanzfrequenzkurve den oberen Grenzwert (beispielsweise -1000 Hz) des vorgegebenen unteren Frequenzbereiches erreicht hat, dann betätigt die Betriebsperson den (nicht dargestellten) Knopf für den Programmablauf des programmierten Rechners 44. Daraufhin veranlaßt der Rechner 44 den Synthesizer 42 dazu, den Quarzkristallresonator 10 bei einer zweiten, kleineren Stromstärke anzusteuern, etwa in der Größenordnung vom 20-fachen der Stromstärke beim üblichen Betrieb, um die Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Resonators zu verhindern, und um eine
999833/07-68
·? Q ft C I Q Ο-
tall»} t ύ£
bessere Definition der auf dem Oszillographen 48 angezeigten Frequenzkurve zu erhalten. Gleichzeitig damit veranlaßt der Rechner 44 den Synthesizer 42 dazu, ein Ausgangssignal mit fortlaufend höheren Frequenzen zu erzeugen, jjedoch in kleineren Schritten, etwa von 20 Hz, um eine Resonanzfrequenzanzeige auf dem Oszillographen über einen engeren Zwischenfcsquenzbereich zu erhalten, etwa von + 1000 Hz, wie das in Fig. 5 dargestellt ist.
Die oben angegebene Verringerung der Treibstromstärke des Resonators 10 hat eine entsprechende Verringerung der elektronischen Reinigungswirkung an der Außenelektrode 12 zur Folge. Daher, und um eine bessere Steuerung des Einstellvorganges bei der Nennwert-Resonanzfrequenz Fn zu erhalten, stellt die Bedienungsperson die Laserimpuls-Steuereinheit 50 entsprechend ein, um die Impulsfrequenz des Lasers 36 zu verringern, so daß das Strahlenbündel des Lasers nunmehr die Löcher 12h in der Außenelektrode 12 bei vergrößerten Abständen erzeugt, wie das in Fig. 2 dargestellt ist; hierdurch wird die Häufigkeit verringert, mit welcher die Elektrode der Laserstrahlbearbeitung ausgesetzt wird; ferner wird der Betrag der erforderlichen, elektronischen Reinigung der Elektrode vermindert.
Als Folge der Verringerung der Stromstärke, bei welcher der Quarzkristallresonator 10 angesteuert wird, und als Folge der Verkleinerung der Frequenzstufengröße des vom Synthesizer 42 erzeugten Signals, wird auf der linken Seite des Schirmes des Os-
90 9833/07 68
zillographen 48 eine Resonanzfrequenzkurve mit verbesserter Definition angezeigt, wie das mit der gestrichelten Kurve in Pig. 5 dargestellt ist. Anschließend steigt, bei Fortsetzung der Laserstrahlbearbeitung der Außenelektrode 12 des Resonators 10, die Resonanzfrequenz des Resonators kontinuierlich an, und die angezeigte Resonanzfrequenzkurve verschiebt sich in Fig. nach rechts, auf die Schirmmitte des Oszillographen zu, wie das mit der ausgezogenen Kurve in Fig. 5 dargestellt ist.
Wenn die Bedienungsperson feststellt, daß das Maximum der auf dem Schirm des Oszillographen 48 angezeigten Frequenzkurve eine Stelle erreicht hat, die angenähert der halben Strecke zwischen der linken Seite und der Mitte des Schirmes entspricht, etwa innerhalb 500 Hz des angestrebten Nennwertes Fn der Resonanzfrequenz, wie das mit der ausgezogenen Kurve in Fig. 5 dargestellt ist, dann betätigt die Betriebsperson erneut den (nicht dargestellten) Knopf für Programmablauf des programmierten Rechners 44. Der Rechner 44 veranlaßt nunmehr den Synthesizer 42 den Quarzkristallresonator 10 bei einer noch kleineren Stromstärke anzusteuern, etwa in der Größenordnung des 8- bis 10-fachen der Stromstärke beim üblichen Betrieb des Resonators, um die
Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Resonators noch weiter zu verringern, und um die Definition der Resonanzfrequenzkurve auf dem Oszillographenschirm noch weiter zu verbessern. Gleichzeitig veranlaßt der Rechner 44 den Synthesizer 42 dessen Ausgangssignal bei Frequenzen in noch kleineren Frequenzschritten (beispielsweise 10 Hz) zu 13/
909833/0768
" 25 - 2805132
erzeugen, um auf dem Schirm des Oszillographen 48 eine Anzeige der Resonanzfrequenzkurve über einen noch kleineren oberen Frequenzbereich (beispielsweise +_ 500 Hz) zu gewährleisten, wie das in Fig. 6 dargestellt ist.
Nunmehr stellt die Bedienungsperson die Laserimpuls-Steuereinheit 50 erneut so ein, um die Impulsfrequenz des Lasers 36 weiter zu verringern, so daß das Laserstrahlenbündel die Löcher 12h in der Außenelektrode 12 des Quarzkristallresonators 10 bei noch grösseren gegenseitigen Abständen erzeugt, wie das in Fig. 2 dargestellt ist. Dadurch ist die in Abstimmung zur Laserstrahlbearbeitung erforderliche, elektronische Reinigung der Resonatoraußenelektrode 12 verringert, womit wiederum der Tatsache Rechnung getragen ist, daß eine Verringerung der TreibStromstärke am Resonator 10 eine verringerte elektronische Reinigungswirkung der Außenelektrode zur Folge hat. Die zusätzliche Verringerung der Treibstromstärke des Quarzkristallresonators 10 und die Abnahme der Frequenzstufengröße des vom Synthesizer 42 erzeugten Signals ergibt nunmehr eine weiter verbesserte Definition der auf dem Schirm des Oszillographen 48 abgebildeten Resonanzfrequenzkurve, wie das mit der gestrichtelten Kurve auf der linken Seite der Fig. 6 dargestellt ist. Wenn anschließend die Laserstrahlbearbeitung der Außenelektrode 12 des Resonators 10 weiter fortgesetzt wird, dann steigt die Resonanzfrequenz des Resonators fortlaufend an bis zu dem Nennwert Fn, und die Frequenzkurve verschiebt sich in Fig. 6 nach rechts auf die Schirmmitte des Oszillographen zu, wie das mit der ausgezogenen Linie in Fig. 6 dargestellt ist»
909~833/07ß8 1/1 ■
Nachdem das Maximum der Resonanzfrequenzkurve die mit der festen Linie angezeigte Stelle (das ist der Nennwert Pn) in Fig. 6 erreicht hat, öffnet die Bedienungsperson den oben angegebenen (nicht dargestellten) Startkontakt in der Motorsteuerschaltung 34, wodurch der Verschluß 37 in die das Strahlenbündel des Lasers 36 unterbrechende Stellung zurückgeführt wird, und die Motoren 30 und 32 für die Schlitten werden zeitweilig abgeschaltet. Bei der Betätigung eines (nicht dargestellten) Ausgabeschalters der Motorsteuerschaltung 34 v/erden die Motoren 30 und 32 die Schlitten 24 und 26 in deren oben angegebene (nicht dargestellte) Ausgabe-Stellung verschieben. Die Bedienungsperson öffnet daraufhin die oben bezeichnete (nicht dargestellte) Laserabschirmung oder das entsprechende Tor, veranlaßt die Abschaltung des Lasers 36, nimmt den eingestellten Quarzkristallrssonator 10 aus der elektrischen Passung 23 heraus und setzt einen anderen Resonator in die Passung ein, um die nächste Frequenzeinstellung durchzuführen.
Bei der oben beschriebenen Einstellung jedes Quarzkristallresonators TO ist offensichtlich, daß in solchen Fällen, wo die anfängliche Resonanzfrequenz des Resonators bereits innerhalb des ZwischenfrequenzbeoBichs (vgl. Fig. 5) liegt, die anfängliche Einstellungsphase (vgl. Fig. 4) nicht erforderlich ist und weggelassen werden kann. In einem solchen Fall beginnt die Bedienungsperson direkt mit der zweiten Einstellphase, wie das oben beschrieben ist. In ähnlicher Weise können in den Fällen, wo die anfängliche Resonanzfrequenz des Resonators 10 bereits in-14/15
2305132
nerhalb des oberen Frequenzbereiches (vgl. Fig. 6) liegt, die ersten zwei Einstellungsphasen (vgl. Fig. 4 und 5) weggelassen werden, und die Bedienungsperson bedient direkt mit der dritten Einstellphase, wie das oben beschrieben ist.
Mit Fig. 7 ist in halb-logarithmischem Maßstab die prozentuale Änderung des Wirkwiderstandes für zwei Probenpartien von Quarzkristallresonatoren 10 dargestellt, welche die oben angegebene Nennwert-Resonanzfrequenz Fn (vgl. Fig. 4,5 und 6) in der Grossenordnung von 5,15 MHz aufweisen, aufgetragen gegen den Betrag der Resonanzfrequenzänderung, die an den Resonatoren durch Entfernung von Elektrodenmaterial mittels Laserstrahlbearbeitung vorgenommen worden ist.
In dieser Beziehung stellen die ausgezogene und die gestrichelte Linie in Fig. 7 Mittelwerte des Wirkwiderstandes für zwei Probenpartien von Resonatoren 10 dar, welche für die zwei Probenpartien in bekannter Weise durch Ziehen von Linien durch die Bereiche der (nicht dargestellten) Meßpunkte erhalten worden sind.
Aus Fig. 7 ist ersichtlich, daß in der ersten Probenpartie, wo die Quarzkristallresonatoren 10 gleichzeitig der Einwirkung der Laserstrahlbearbeitung und der elektronischen Reinigung gemäß der vorliegenden Erfindung ausgesetzt worden sind, der (mit der ausgezogenen Linie dargestellte) mittlere Wirkwiderstand von etwa 2% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 400 Hz
. 909833/07 Β«
2305132
bis zu etwa 25% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 10 000 Hz als Folge der Laserstrahlbearbeitung zugenommen hat. Im Gegensatz dazu hat der (mit der gestrichelten Linie dargestellte) mittlere Wirkwiderstand einer zweiten Probenpartie von Resonatoren 10, wo die Laserstrahlbearbeitung ohne gleichzeitige elektronische Reinigung erfolgt ist, von etwa 17% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 400 Hz bis zu etwa 64% bei einer Resonanzfrequenzänderung von 10 000 Hz als Folge der Laserstrahlbearbeitung zugenommen.
Die Zunahme des Wirkwiderstands der Quarzkristallresonatoren 10 der ersten Probenpartie, die gemäß der Erfindung gleichzeitig der Einwirkung der Laserstrahlbearbeitung und der elektronischen Reinigung ausgesetzt worden sind, beruht hauptsächlich auf der notwendigen Folge der Entfernung von Elektrodenmaterial von den Resonatoren. In ähnlicher Weise wird angenommen, daß ein vergleichbarer Anteil des Anstiegs des Wirkwiderstandes der Resonatoren der zweiten Probenpartie, welche im Verlauf der Laserstrahlbearbeitung nicht elektronisch gereinigt worden sind, auf dem gleichen Grund beruht. Die Differenz zwischen den Wirkwiderständen bei den Resonatoren 10 der beiden Probenpartien beruht dann auf der Ansammlung von lose anhaftenden, bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen Teilchen an solchen Resonatoren, welche im Verlauf der Laserstrahlbearbeitung nicht elektronisch gereinigt worden sind. Obwohl der höhere Wirkwiderstand der zuletzt genannten Resonatoren 10 nicht notv/endigerweise unakzeptabel ist, resultiert daraus eine elektrisch instabile Betriebs-16/
909833/078 8
2305132
weise, da die bei der Laserstrahlverarbeitung angefallenen Teilchen beim nachfolgenden Gebrauch der Resonatoren abwandern, außer diese Resonatoren werden in einem getrennten Arbeitsschritt elektronisch gereinigt, um die -Teilchen davon zu entfernen.
Mit Pig. 8 ist weiterhin in halb-logarithmisehern Maßstab dargestellt, daß für eine zweite Partie von Quarzkristallresonatoren 10, die nachfolgend elektronisch gereinigt worden sind, um die bei der Laserstrahlbearbeitung angefallenen Teilchen zu entfernen und um die stabilen Betriebsbedingungen der Resonatoren wieder herzustellen (mit einer entsprechenden Verringerung von deren Wirkwiderstand), die Resonatoren eine Zunahme der Resonanzfrequenz aufweisen, wenn die Änderung der Resonanzfrequenz als Folge der Laserstrahlbearbeitung erhöht wird. Im einzelnen zeigt die mit gestrichelten Linien in Fig. 8 dargestellte Resonanzfrequenz der Resonatoren 10 (die entsprechende
^ eine uno Kurve ist analog zu den Kurven in Fig. 7 ermittelt worden )ΥνοΓα etwa 8 Hz für eine 400 Hz-Zunahme der Resonanzfrequenz durch Laserstrahlbearbeitung bis zu etv/a 200 Hz für eine 10 000 Hz-Zunahme der Resonanzfrequenz durch Laserstrahlbearbeitung an. Weiterhin ist die tatsächliche Änderung der Resonanzfrequenz unregelmäßig, wobei die Resonatoren 10 eine Resonanzfrequenzänderung über einen Bereich von einer minimalen Zunahme von 4 Hz bei einer 400 Hz-Zunahme bis zu einer maximalen Zunahme von 470 Hz (nicht dargestellt) bei einer 4150 Hz-Zunahme der Resonanzfrequenz durch Laserstrahlbearbeitung aufweist. 16/17
101833/0781
2305132
Entsprechend ist die zweite Probenpartie der Quarzkristallresonatoren 10 behandelt worden, wobei im Ansdiluß an die, Laserstrahlbearbeitung eine elektronische Reinigung durchgeführt worden ist; sofern die Änderung der Resonanzfrequenz als Folge der Laserstrahlbearbeitung mehr als 500 Hz beträgt, ist der Vorteil der Feinabstimmung der Resonanzfrequenz des Resonators über die Laserstrahlbearbeitung wieder beseitigt durch die nachfolgende elektronische Reinigung der Resonatoren, um deren elektrische Stabilität wieder herzustellen. Im Gegensatz dazu weist die erste Pr"obenpartie der Resonatoren 10 (entsprechend der ausgezogenen Kurve in Fig. 7), bei denen entsprechend der Erfindung die Laserstrahlbearbeitung und die elektronische Reinigung gleichzeitig erfolgt ist, schließlich Resonanzfrequenzwerte innerhalb von 30 Hz (0,001%) des Nennwertes Fn auf.
Obwohl bei der beschriebenen Ausführungsform der Erfindung jeder Quarzkristallresonator 10 auf den Schlitten 24, 26 angeordnet wird, die anschließend von dan Motoren 30 und 32 relativ zu dem Strahlenbündel des Lasers 36 im Verlauf der Laserstrahlbearbeitung verschoben werden, ist es auch möglich, jeden Resonator im Verlauf der Frequenzeinstellung in einer vorgegebenen, feäfcen Anordnung zu halten, und daraufhin das Laserstrahlenbündel mittels einem geeigneten Spiegelsystem relativ zu den Resonatoren zu verschieben. Ferner können, obwohl in der beschriebenen Ausführungsform der Erfindung die Änderung der Treibstromstärke, mit welcher die Resonatoren 10 angesteuert werden, sowie die Änderung der Frequenzstufengröße des Signals, welche auf dem
_ 31 -
2305132
Oszillographen 48 angezeigt werden, und ferner die Änderung der Impulsfrequenz des Lasers 36, jeweils halbautomatisch eingestellt wurden, auch automatisch eingestellt werden, wozu für diesen Zweck eine entsprechend programmierte Vorrichtung vorgesehen wird.
§09833/0760
Leerseite

Claims (9)

!ACH . WESER . BERGEW · KRASVSER ZWSRSNSER · BREHIVl PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN Patenlconsull Radeckestraße 43 8000 München 60 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Palentconsult Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Patentconsult ■/,'estern Electric Company., Incorporated Caruso 1-1 Broadway, Few York, N.Y. 10038, U. S. A. Verfahren zur Frequenzeinstellung eines piezoelektrischen Bauelementes mittels Laserstrahlbearbeitung Patentansprüche:
1. Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz eines piezoelektrischen Bauelementes,
bei dem Elektrodenmaterial durch Laserstrahlbearbeitung von dem piezoelektrischen Bauelement entfernt wird, um die Resonanzfrequenz des Bauelementes auf einen Kennwert zu ändern, dadurch gekennzeichnet, daß
während der Laserstrahlbearbeitung das piezoelektrische Bauelement gleichseitig elektronisch gereinigt wird, indem das
München: R. Kramer Dipl.-Ing. . W. Weser Dipt.-Phys. Dr. rer. nat. · H.P.Brehm Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Wiesbaden: P.G. Biumbach Dipl.-Ing. · P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirnor Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
909833/07**
ORlGfNAL INSPECTED
2305132
Bauelement mit einer, im Vergleich zur Stromstärke des üblichen Betriebs, hohen Stromstärke übersteuert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes bei einer Stromstärke einer solchen Größenordnung erfolgt, die wenigstens das 30-fache der Stromstärke beim üblichen Betrieb des Bauelementes ausmacht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektriochen Bauelementes in der Weise erfolgt, daß ein Stromfluß von wenigstens 60 mA in dem Bauelement erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Resonanzfrequenzänderung des piezoelektrischen Bauelementes als Folge der Laserstrahlbearbeitung in einer Größenordnung von wenigstens 500 Hz liegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die beim Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes angewandte Stromstärke verringert wird, wenn sich die Resonanzfrequenz des Bauelementes dem Nennwert annähert, um eine
909833/0768
Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu verringern.
6« Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch geker.nzeiGhri.et, daß
das Ausmaß, zu dem das Elektrodenmaterial mittels laserstrahlbearbeitung von dem piezoelektrischen Bauelement entfernt wird,, verringert wirdP wenn sich die Resonanzfrequenz des Bauelementes dem Nennwert annähert,,
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6P dadurch, gekennzeichneti? daß
die zum Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes angewandte Stromstärke und das Ausmaß der Entfernung des Elektrodenmaterials von dem piezoelektrischen Bauelement mittels Laserstrahlbearbeitung in aufeinanderfolgenden Stufen verringert werden»
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß
fortlaufend eine für die Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Bauelementes repräsentative Kurve auf einem Monitor angezeigt wirdι und
die zum Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes angewandte Stromstärke verringert wird, wenn sich die Resonanzfrequenz des Bauelementes dem Nennwert annähert, um eine Verzerrung des Resonanzfrequenz-Ansprechverhaltens des Bauelementes zu verringern,
2/ 909833/Ö768
und um eine verbesserte Definition der Resonanzfrequenzkurve auf dem Monitor zu erhalten.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
das Übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes anfänglich bei verschiedenen Frequenzen bei einer ersten Frequenzstufengröße über einen Frequenzbereich erfolgt, der sich von Werten unterhalb des Nennwertes bis zu Werten oberhalb des Nennwertes der Resonanzfrequenz erstreckt; und
anschließend das übersteuern des piezoelektrischen Bauelementes bei verschiedenen Frequenzen bei einer verringerten Frequenzstufengröße während der Verringerung der zum Übersteuern des Bauelementes angewandten Stromstärke erfolgt, um eine Frequenzkurve über einen engeren Frequenzbereich zu erzeugen, der sich von Werten unterhalb des Nennwertes bis zu Werten oberhalb des Nennwertes der Resonanzfrequenz erstreckt.
909833/0781
DE19792905132 1978-02-13 1979-02-10 Verfahren zur frequenzeinstellung eines piezoelektrischen bauelementes mittels laserstrahlbearbeitung Granted DE2905132A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/877,541 US4131484A (en) 1978-02-13 1978-02-13 Frequency adjusting a piezoelectric device by lasering

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2905132A1 true DE2905132A1 (de) 1979-08-16
DE2905132C2 DE2905132C2 (de) 1988-04-21

Family

ID=25370192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792905132 Granted DE2905132A1 (de) 1978-02-13 1979-02-10 Verfahren zur frequenzeinstellung eines piezoelektrischen bauelementes mittels laserstrahlbearbeitung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4131484A (de)
JP (1) JPS54129898A (de)
CA (1) CA1120544A (de)
DE (1) DE2905132A1 (de)
FR (1) FR2417214A1 (de)
GB (1) GB2016207B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657363B1 (en) 1998-05-08 2003-12-02 Infineon Technologies Ag Thin film piezoelectric resonator

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4327277A (en) * 1978-08-24 1982-04-27 Raytheon Company Method for laser soldering
CH630747A5 (fr) * 1979-01-18 1982-06-30 Ebauches Sa Procede d'ajustement de la frequence d'un resonateur et resonateur a frequence ajustee obtenu par la mise en oeuvre de ce procede.
US4259563A (en) * 1979-03-19 1981-03-31 Litton Resources Systems, Inc. Method for dynamically tuning a seismic transducer
US4288530A (en) * 1979-10-15 1981-09-08 Motorola, Inc. Method of tuning apparatus by low power laser beam removal
JPS5669912A (en) * 1979-10-23 1981-06-11 Fujitsu Ltd Automatic adjusting method for frequency of mechanical resonator
JPS57175089A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Inoue Japax Res Inc Beam working device
WO1983001400A1 (en) * 1981-10-22 1983-04-28 First Of Chelsea Corp Laser removal of materials from surfaces
US4468582A (en) * 1982-04-20 1984-08-28 Fujitsu Limited Piezoelectric resonator chip and trimming method for adjusting the frequency thereof
WO1984000081A1 (en) * 1982-06-14 1984-01-05 Gte Prod Corp Apparatus for trimming of piezoelectric components
EP0111483A4 (de) * 1982-06-14 1985-12-19 Gte Prod Corp Trimmen von piezoelektrischen komponenten.
US4442574A (en) * 1982-07-26 1984-04-17 General Electric Company Frequency trimming of saw resonators
US4532402A (en) * 1983-09-02 1985-07-30 Xrl, Inc. Method and apparatus for positioning a focused beam on an integrated circuit
FR2557732B1 (fr) * 1983-12-28 1986-04-11 Lefevre Rene Procede de realisation de dispositifs piezoelectriques miniatures utilisant un usinage par laser et dispositifs obtenus par ce procede
US4642505A (en) * 1984-03-05 1987-02-10 Motorola, Inc. Laser trimming monolithic crystal filters to frequency
US4562740A (en) * 1984-04-20 1986-01-07 United Technologies Automotive, Inc. Vibration sensor and the method of and apparatus for manufacture thereof
US4678891A (en) * 1984-10-18 1987-07-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies Method for adjusting an electrical device by electrode trimming
US4833430A (en) * 1984-11-29 1989-05-23 General Electric Company Coupled-dual resonator crystal
FR2592246A1 (fr) * 1985-12-24 1987-06-26 Electronique Piezo Electr Cie Procede et banc de mise a la frequence d'un resonateur monolithqiue couple.
GB2203590B (en) * 1987-04-02 1991-02-06 Stc Plc Resonator manufacture
US4839618A (en) * 1987-05-26 1989-06-13 General Electric Company Monolithic crystal filter with wide bandwidth and method of making same
US4914270A (en) * 1988-11-08 1990-04-03 University Of Southern California Method and apparatus for shaping articles using a laser beam
US5022047A (en) * 1989-08-07 1991-06-04 Omnipoint Data Corporation Spread spectrum correlator
US5499265A (en) * 1989-08-07 1996-03-12 Omnipoint Data Company, Incorporated Spread spectrum correlator
US5016255A (en) * 1989-08-07 1991-05-14 Omnipoint Data Company, Incorporated Asymmetric spread spectrum correlator
CA2087712A1 (en) * 1990-07-23 1992-01-24 Robert C. Dixon Sawc phase-detection method and apparatus
US5081642A (en) * 1990-08-06 1992-01-14 Omnipoint Data Company, Incorporated Reciprocal saw correlator method and apparatus
CA2094710C (en) 1990-10-23 1998-12-01 Robert Clyde Dixon Method and apparatus for establishing spread spectrum communications
US5402413A (en) * 1991-04-08 1995-03-28 Omnipoint Corporation Three-cell wireless communication system
JP2846118B2 (ja) * 1991-05-13 1999-01-13 オムニポイント・コーポレイション デュアルモード送信機及び受信機
US5285469A (en) 1991-06-03 1994-02-08 Omnipoint Data Corporation Spread spectrum wireless telephone system
US6008791A (en) * 1991-08-01 1999-12-28 Hitachi, Ltd. Automatic adjusting apparatus of multiscan display
EP0617864B1 (de) * 1991-12-16 2002-02-27 XIRCOM Wireless, Inc. Spreizspektrum-datenveröffentlichungssystem
US5355389A (en) * 1993-01-13 1994-10-11 Omnipoint Corporation Reciprocal mode saw correlator method and apparatus
JP3239542B2 (ja) * 1993-06-21 2001-12-17 株式会社村田製作所 振動ジャイロの調整装置
US5436941A (en) * 1993-11-01 1995-07-25 Omnipoint Corporation Spread spectrum spectral density techniques
US5784403A (en) * 1995-02-03 1998-07-21 Omnipoint Corporation Spread spectrum correlation using saw device
US6114795A (en) 1997-06-24 2000-09-05 Tdk Corporation Piezoelectric component and manufacturing method thereof
US6337465B1 (en) 1999-03-09 2002-01-08 Mide Technology Corp. Laser machining of electroactive ceramics
US7073246B2 (en) 1999-10-04 2006-07-11 Roche Diagnostics Operations, Inc. Method of making a biosensor
US6662439B1 (en) 1999-10-04 2003-12-16 Roche Diagnostics Corporation Laser defined features for patterned laminates and electrodes
US6645359B1 (en) 2000-10-06 2003-11-11 Roche Diagnostics Corporation Biosensor
US6540890B1 (en) * 2000-11-01 2003-04-01 Roche Diagnostics Corporation Biosensor
US20020074897A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Qing Ma Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radient energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition
US6814844B2 (en) * 2001-08-29 2004-11-09 Roche Diagnostics Corporation Biosensor with code pattern
US20050109747A1 (en) * 2002-02-25 2005-05-26 Alexander Dennis R. Laser scribing and machining of materials
US6864457B1 (en) * 2002-02-25 2005-03-08 The Board Of Regents Of The University Of Nebraska Laser machining of materials
US6866758B2 (en) * 2002-03-21 2005-03-15 Roche Diagnostics Corporation Biosensor
ES2675787T3 (es) 2003-06-20 2018-07-12 F. Hoffmann-La Roche Ag Método y reactivo para producir tiras reactivas estrechas y homogéneas
US20130155535A1 (en) * 2010-08-16 2013-06-20 Ronald O. Woodward Integrated solar concentrator system
JP6467419B2 (ja) * 2013-11-27 2019-02-13 エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト 使い捨て試験ユニットをレーザ溶着するための方法
US20160225978A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-04 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing vibration device
JP2016144092A (ja) * 2015-02-03 2016-08-08 セイコーエプソン株式会社 振動子の製造方法
CN107175239B (zh) * 2017-05-25 2019-05-10 张家港清研再制造产业研究院有限公司 一种汽车起动机转子激光清洗装置及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3653253A (en) * 1970-01-05 1972-04-04 Thermo Systems Inc Aerosol mass concentration spectrometer
US3928063A (en) * 1974-06-05 1975-12-23 Exxon Research Engineering Co Method for cleaning a crystal microbalance

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2411298A (en) * 1945-02-12 1946-11-19 Philips Corp Piezoelectric crystal
US3808752A (en) * 1972-07-10 1974-05-07 Comtec Economation Method of automatically adjusting the frequency of crystal resonators

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3653253A (en) * 1970-01-05 1972-04-04 Thermo Systems Inc Aerosol mass concentration spectrometer
US3928063A (en) * 1974-06-05 1975-12-23 Exxon Research Engineering Co Method for cleaning a crystal microbalance

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.: Journal of Applied Physics, 1.7.1969, Nr.40, S.3157-3160 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657363B1 (en) 1998-05-08 2003-12-02 Infineon Technologies Ag Thin film piezoelectric resonator

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54129898A (en) 1979-10-08
FR2417214B1 (de) 1982-07-23
JPH0214808B2 (de) 1990-04-10
DE2905132C2 (de) 1988-04-21
FR2417214A1 (fr) 1979-09-07
GB2016207B (en) 1982-04-21
CA1120544A (en) 1982-03-23
US4131484A (en) 1978-12-26
GB2016207A (en) 1979-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2905132A1 (de) Verfahren zur frequenzeinstellung eines piezoelektrischen bauelementes mittels laserstrahlbearbeitung
DE3112284C2 (de) Verfahren zur Steuerung eines Festkörperlasers und Anordnung zur Durchführung dieses Verfahrens
EP1925944B1 (de) Kontaktiervorrichtung zum Kontaktieren eines zu prüfenden elektrischen Prüflings sowie entsprechendes Kontaktierverfahren
EP1246711A1 (de) Verfahren zum herstellen einer öffnung in einem metallischen bauteil
DE2730350A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern der stellung einer sonde, insbesondere eines schweissgeraets
DE2951943C2 (de) Verfahren zum Erzielen der Ausrichtung zwischen Gegenständen
DE3446589A1 (de) Verfahren zum herstellen von piezoelektrischen miniaturbauelementen mit hilfe von laser-bearbeitung
WO2020165142A1 (de) Verfahren zum fügen von kupfer-hairpins und stator
DE19516828C2 (de) Magnetkopf und Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfes
DE19810525C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern kapazitiver Stellglieder
EP0223066A1 (de) Vorrichtung zum Auflöten elektronischer Bauelemente auf eine Schaltungsplatine
DE2335495B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum abstimmen der eigenfrequenz mechanischer schwingkoerper aus piezoelektrischem kristall
EP0591559B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Gravieren von Rundschablonen
DE19920813A1 (de) Vorrichtung zum Materialabtragen bei Werkstücken mittels Laserstrahl
DE60011302T2 (de) Radiofrequenzoszillator
DE3202329C2 (de)
DE4130802A1 (de) Festkoerper-laseroszillator
DE2406285A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung isolierter laserimpulse mit schneller anstiegszeit
EP1818022B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb eines ultraschallgetriebenen Werkzeugs
WO2016134853A1 (de) Stabilisieren optischer frequenzkämme
DE68919808T2 (de) Herstellungsverfahren für akustische Oberflächenwellenanordnungen und auf diese Weise hergestellte akustische Oberflächenwellenanordnungen.
DE19916382C2 (de) Verfahren zur Abstimmung einer gedruckten Hochfrequenz-Resonanzschaltung
DE602004001630T2 (de) Stabile Seed-Laser-Technik zur Erzeugung monomodiger Laserstrahlung
DE19821382A1 (de) Verfahren zum Abgleichen der Resonanzfrequenz eines Ringresonators
DE4119517C2 (de) Elektronenkanone zur Erzeugung von in kurzen Impulsen gruppierten Elektronen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W.

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee