DE2856309C2 - Sputter-Beschichtungsverfahren und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens - Google Patents

Description

dadurch gekennzeichnet,

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- daß Vorrichtungen (53,66,60,62) zur Halterung und zum Antrieb der Anoden zu einer epizyklischen Bewegung um die Kathodenzerstäubungsanordnung (26) vorgesehen sind, derart, daß sich die Oberflächen der Anoden zum gleichzeitigen Aufbringen eines kontinuierlichen, nahtlosen und zumindest annähernd gleichförmigen Belages aus photoleitendem Material auf sämtliche Anoden durch den Plasmagürtel (82) bewegen,

— und daß jede Anode (50) einen Kern (48) beinhaltet, an welchem Mittel zur Halterung eines hülsenartigen oder manschettenartigen Substratkörpers (52) vorgesehen sind, der zusammen mit den Halterungsmitteln die Anode bildet und auf welchem der Belag aufzubringen ist.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Antriebsmittel (88) vorgesehen sind, mittels derer die Zerstäubungskathodenanordnung (26) während der epizyklischen Bewegung der Anoden (50) in axialer Richtung hin und her bewegbar ist

4. Einrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,

— daß die Vorrichtungen zur Halterung und zum Antrieb der Anoden (50) einen koaxial zu der Zerstäubungskathodenanordnung (26) gelagerten drehbaren Träger (53) umfassen, an welchem jeweils eine Welle (48) jeder Anode (50) drehbar gelagert ist,

— daß an jeder dieser Wellen (48) ein Ritzel (68-1 bis 68-6) angebracht ist, daß die Ritzel sämtlicher Wellen (48-1 bis 48-6) mit einem feststehenden Zahnkranz (70) in Eingriff stehen

— und daß eine Antriebsvorrichtung (60, 62, 64) vorgesehen ist, mittels derer der drehbare Träger (53) der Anoden (50) relativ zu dem feststehenden Zahnkranz (70) drehbar ist.

5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubungskathodenanordnung (26) zentrisch in dem die Sputterkammer (22) enthaltenden Gefäß (24) angeordnet ist.

6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubungskathodenanordnung (26) von einem im wesentlichen zylindrischen Kathodenkörper gebildet ist.

Die Erfindung betrifft ein Sputter-Beschichtungsverfahren nach dem Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 sowie eine Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.

Solche Sputter-Beschichtungsverfahren mit zugehörigen Einrichtungen sind bereits bekannt (DE-OS 27 25 885); dort sind um eine zentrale Kathode mehrere Anoden angeordnet, die jeweils um ihre Längsachsen rotieren und gleichzeitig durch Kathodenzerstäubung beschichtet werden.

Auch andere Einrichtungen zum Aufsputtern von Metallen und isolierenden Materialien sind bekannt; und zwar auf Substrate von sowohl verhältnismäßig geringer Ausdehnung als auch mit vergleichsweise großen Flächen, um beispielsweise große Mengen von Photoleiterwerkstoffen durch Kathodenzerstäubung aufzubringen (US-PS 38 29 383, 38 84 787, 39 05 887, 40 13 539 und 40 26 787). Bekanntlich ist beim Aufsputtern von derartigen Photoleiterwerkstoffen das verwendete Hintergrundgas und die Art und Weise, wie dieses relativ zu den Auftreffelektroden oder Zerstäubungskathoden eingeführt wird, ebenso von Bedeutung, wie die Tatsache, daß das an der Anöde wirksame Potential von Erdpotential verschieden sein muß, da durch diese Potentialdifferenz in der Nachbarschaft der Anode ein zweiter Dunkelraum entsteht, der zu den gewünschten Ergebnissen führt.

In bekannten Einrichtungen zur Beschichtung durch Kathodenzerstäubung werden große Wickel des im allgemeinen von Polyester gebildeten Substratmaterials in der Weise beschichtet, daß das Material über eine drehbare Trommel zugeführt wird, welche die Anode umfaßt. Diese Anode muß gegenüber der Abschirmung in der Kammer isoliert sein, selbst abgeschirmt sein und an der Tragkonstruktion der Einrichtung drehbar gelagert sein.

Bekannt sind auch bereits Vorkehrungen, mittels

derer die Trommeloberfläche mit der Anode auf einem gegenüber dem Potential der Abschirmung und der Wandungen der Sputterkammer abweichenden Potential gehalten werden kann (US-PS 40 14 779).

Als Substrate kommen insbesondere zylindrische Körper in Betracht Solche Zylinder sind an sich bekannt und werden von dünnwandigen Körpern aus Nickel oder aus mit Kupfer platiertem Nickel oder einem ähnlichen formstabilem Metall gebildet (US-PS 22 87 122 und 33 54 519). Derartige zylindrische Substrate sind nicht perforiert und werden durch Elektroplatieren ο Jer durch elektrolytische Ablagerung hergestellt, wobei sich ein in der Größenordnung eines Bruchteiles eines Millimeters liegende Wandstärke, eine Länge von etwa 2 Metern und ein Durchmesser von etwa 17 cm erzielen läßt Solche Zylinder oder Hülsen sind sehr flexibel und lassen sich leicht zusammenlegen. Falls sie in der Drucktecknik zur Herstellung von Drucken hoher Qualität verwendet werden sollen, müssen sie mit einem gleichförmigen Belag aus photoleitendem Material versehen weroen. Zur Gewährleistung der angestrebten Gleichförmigkeit der Beschichtung müssen die zylindrischen Substrate während des Beschichtungsvorganges aufgespannt oder vollständig abgestützt sein.

Ein Problem beim Aufsputtern von Belägen auf nahtlose Hülsen oder Manschetten besteht darin, daß dann, wenn die Kathodenform der Form der Hülse oder Manschette angepaßt wird. Kathode und Anode notwendigerweise im Verhältnis von 1 :1 vorgesehen sein müssen. Das bedeutet, daß mit einer einzigen Kathodenanordnung in zylindrischer Konfiguration nur eine einzige zylindrische Hülse oder Manschette beschichtet werden kann und hat zur Folge, daß jede Hülse oder Manschette einzeln in die Einrichtung eingebracht und aus ihr wieder entnommen werden muß. Nun erfordert das Sputterverfahren allgemein vergleichsweise komplizierte Fertigungssysteme und umfangreiche vorbereitende Arbeitsschritte. Beispielsweise muß die Sputterkammer vor Gebrauch ausgepumpt werden. Außerdem müssen sich sämtliche Parameter auf stabile Werte eingespielt haben, bevor das Sputtern beginnen kann. Dies erfordert offensichtlich jeweils beträchtlichen Zeitaufwand, der die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens beeinträchtigt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Sputter-Beschichtungsverfahren der eingangs genannten Art trotz der durch die Vielfachanordnung bedingten raschen Beschichtung einer Mehrzahl zylindrischer oder manschettenförmiger Substrate die Gleichförmigkeit der aufgebrachten Beläge zu verbessern, so daß alle Anoden innerhalb derselben Charge die gleiche Beschaffenheit erhalten. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Dadurch wird vorteilhafterweise erreicht, daß eventuelle Ungleichförmigkeiten in der Materialemission in Umfangsrichtung der Kathode die Gleichförmigkeit der Beschichtung der Substrate nicht beeinträchtigen können.

Um zu verhindern, daß eventuelle Ungleichförmigkeiten der Zerstäubungskathode in axialer Richtung die Gleichförmigkeit des auf die Substrate aufgebrachten Belages beeinträchtigen, sind zweckmäßigerweise Antriebsmittel vorgesehen, mittels derer die Zerstäubungskathode während der epizyklischen Bewegung der Anoden axial hin- und herbewegbar ist.

Im folgenden sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es stellt dar

F i g. 1 eine schematische Seitenansicht einer Einrichtung zur Durchführung des beschriebenen Sputterverfahrens, wobei Teile der Einrichtung bei geschlossener Sputierkammer während der Durchführung des Verfahrens wiedergegeben ist,

Fig.2 eine ähnliche Darstellung wie Fig. 1, in welcher jedoch die Sputterkammer geöffnet dargestellt ist, so daß die eingesetzten zylindrischen Substrate sichtbar sind,

F i g. 3 eine perspektivische Teilansicht, aus weicher der Zerstäubungskathodenzylinder und die zu beschichtenden zylindrischen Substrate erkennbar sind,

F i g. 4 einen Teilschnitt längs der in F i g. 1 angedeuteten Schnittlinie 4-4, nach abwärts gesehen,

F i g. 5 einen Teüschnitt längs der in F i g. 1 angedeuteten Schnittlinie 5-5, nach aufwärts gesehen und

Fig.6 eine perspektivische Teilansicht einer abgewandelten Form der Zerstäubungskathode.

In Fig. 1 ist eine Sputtereinrichtung mit 10 bezeichnet und mit geeigneten Spannungsquellen verbunden dargestellt Außerdem hat die Einrichtung die Verbindung mit Zuführungseinrichtungen für bestimmte zum Betrieb der Sputtereinrichtung erforderliche Stoffe. So versinnbildlichen beispielsweise die Blocksymbole 78,38,80 und 34 eine Hochfrequenz-Leistungsquelle bzw. eine Quelle für Hintergrundgas bzw. Vakuumpumpen bzw. Kühlpumpen. Weiter enthält die Einrichtung 10 eine Vielzahl von Meßinstrumenten, Regeleinrichtungen und dergleichen. In F i g. 1 ist eine feststehende Maschinensäule 12 dargestellt, an welcher sich eine Führung 14 befindet. Weiter ist ein Maschinenfuß mit 16 bezeichnet und ein Schlitten ist bei 18 dargestellt, welcher längs der Führung 14 in Vertikalrichtung bewegbar ist. Der Schlitten 18 ist über eine Anordnung von flexiblen Kabeln und Leitungen 20 mit der Maschinensäule 12 verbunden, so daß die Sputterkammer mit sämtlichen Zuführungssystemen der Einrichtung in Verbindung steht. Einer Bewegung des Schlittens 18 folgt die Leitungs- und Kabelanordnung 20 durch entsprechende Abbiegung.

Die Sputterkammer 22 ist innerhalb eines zylindrischen Gefäßes 24 gebildet, das vorzugsweise aus Stahl besteht, geerdet ist und von der Unterseite des Schlittens 18 nach abwärts ragt. Koaxial zu dem Gefäß 24 ist eine Zerstäubungskathode oder Auftreffelektrode 26 in Gestalt eines Zylinders angeordnet. Diese Zerstäubungskathode besteht aus dem Werkstoff, welcher durch Sputtern abgelagert werden soll, beispielsweise aus reinem Cadmiumsulfid in dotierter oder undotierter Form. Die Zerstäubungskathode ist auf einer geeigneten Basis, beispielsweise auf einer zylindrischen Scheibe 28 (F i g. 4) aus rostfreiem Stahl montiert, wobei diese Scheibe durch ein Wärmetauschmittel gekühlt werden kann, das durch Röhren oder Kanäle im Innern der Scheibe 28 geführt wird. In F i g. 1 sind diese Röhren oder Kanäle durch gestrichelte Linien dargestellt und mit einem Kühlmittelvorrat 32 oder dergleichen sowie der Kühlmittelpumpe 34 verbunden dargestellt. Im Betrieb wird die Oberfläche der Zerstäubungskathode 26 von Hintergrundgas umspült, welches in die Kammern 22 in geeigneter Weise eingeführt wird, beispielsweise mittels eines kragenartigen oder ringartigen Aufsatzes 36, welcher nach abwärts gerichtete Düsenöffnungen besitzt und mit der Quelle 38 für das Hintergrundgas verbunden ist.

Wird der Schlitten 18 in Vertikalrichtung bewegt, was durch einen geeigneten Antriebsmotor und schematisch bei 40 angedeutete Antriebsgetriebemittel erreicht werden kann, so bewegt sich die Zerstäubungskathode 26 zusammen mit dem Schlitten 18. In Fig. 2 ist der Schlitten 18 in angehobener Stellung gezeigt, wobei das Gefäß 24 und die Zerstäubungskathode 26 zusammen mit dem Schlitten angehoben sind. Das untere Ende des Gefäßes 24 besitzt einen ringförmigen Flansch 42, welcher mit einer entsprechenden Dichtung 44 zusammenwirkt, die sich auf der Basis 16 befindet, um das Gefäß 24 gegen die Basis abzudichten, wenn das Gefäß 24 abgesenkt ist.

Wie aus den Fig.3 bis 5 ersichtlich, ist eine Anordnung von Dornen oder Kernen vorgesehen, π welche allgemein mit 46 bezeichnet ist, wobei jeder Dorn oder Kern eine Welle 48-1 bis 48-6 enthält, welche mit dem jeweils zugehörigen Dorn oder Kern 50-1 bis 50-6 verbunden ist. Jeder Dorn ist so ausgebildet, daß er leicht an einer Trägerspinne 53 befestigt oder von dieser abgenommen werden kann, wobei die Trägerspinne an der Maschinenbasis 16 über eine Welle 54 gelagert und abgestützt ist, welche zu der Zerstäubungskathode 26 koaxial ist. Die Dorne oder Kerne 50-1 bis 50-6 sind am Umfang der Trägerspinne 53 im Abstand voneinander so angeordnet, daß sie im wesentlichen eine zylindrische Anordnung bilden, welche bei geschlossener Sputterkammer 22 die Zerstäubungskathode 26 koaxial umgibt. Jeder der Kerne oder Dorne dient zur Abstützung eines zylindrischen Substrates, auf welches das Material der Zerstäubungskathode 26 durch Sputtern aufzubringen ist. Bei der Durchführung des vorliegenden Verfahrens erhält man schließlich einen außerordentlich dünnen Metallzylinder mit einer darauf befindlichen Beschichtung aus mikrokristallinem Cadmium. Auf jeder der Dorne wird also eine sehr dünne Manschette oder ein sehr dünner hülsenförmiger Träger aus Metall aufgezogen. In der Zeichnung sind die Hülsen oder Manschetten mit 52— 1 bis 52—6 bezeichnet. Die Dicke ist in der zeichnerischen Darstellung übertrieben. Praktisch sind die Wandstärken der Hülsen oder Manschetten außerordentlich gering im Vergleich zur Dicke der Wandstärke der zur Abstützung dienenden Dorne oder Kerne. Es sei bemerkt, daß dann, wenn jeder Dorn nur endständige Scheiben und eine verbindende Welle enthält und die Ränder der dünnwandigen Manschetten oder Hülsen an den endständigen Scheiben festgehalten oder festgespannt werden, für die Substrate im übrigen keine störenden Abstützmittel erforderlich sind. Die bei 50-1 bis 50-6 in F i g. 4 dargestellten geschnittenen Teile sind in diesem Falle in Aufsicht wiederzugeben und bedeuten dann die jeweils inneren Enden der endständigen Scheiben.

Betrachtet man nun die Haltespinne 53, so erkennt man, daß ihr Außenrand mit einem Zahnkranz versehen ist, der nach außen gerichtet ist wie durch die strichpunktierte Linie 58 deutlich gemacht ist Der Zahnkranz 58 steht mit einem Zahnrad 60 in Eingriff, welches über eine geeignete Antriebseinrichtung angetrieben wird, die beispielsweise die weiteren Zahnräder 62 und 64 sowie einen in F i g. 1 angedeuteten Motor 66 enthält Wenn sich das Zahnrad 60 im Uhrzeigersinn (F i g. 5) dreht, so dreht sich die gesamte Haltespinne 53 im Gegenuhrzeigersinn, wie in Fig.5 durch Pfeile deutlich gemacht ist wobei sämtliche Wellen 48-1 bis 48-6 mitgenommen werden.

Auf jeder Welle 48-1 bis 48-6 sitzt ein Ritzel, das oberhalb der Haltespinne 53 liegt und axialen Abstand von dem Zahnkranz 58 hat. Die Ritzel sind in der Zeichnung mit 68-1 bis 68-6 bezeichnet. Ebenso wie bei den Zahnrädern 60,62 und 64 und dem Zankranz 58 ist die Zahnung der Ritzel 68-1 bis 68-6 durch strichpunktierte Kreislinien angedeutet. Weiter ist ein großer Zahnring oder Zahnkranz 70 mit nach innen gerichteter Zahnung vorgesehen, die durch die strichpunktierte Kreislinie 72 angedeutet ist. Der Zahnkranz 70 ist auf der Maschinenbasis oder dem Fuß 16 festmontiert, wie symbolisch durch nach abwärts verlaufende Verbindungsbügel 74 und 76 zum Ausdruck gebracht ist. Die nach innen gerichtete Zahnung 72 steht mit der Zahnung der einzelnen Ritzel 68-1 bis 68-6 in Eingriff.

Man erkennt, daß bei einer Drehung der Haltespinne 53 im Gegenuhrzeigersinn gemäß den Pfeilen nach F i z. 5 die einzelnen Dorne oder Kerne 50-1 bis 50-6 und die darauf angeordneten, hülsenartigen Substrate oder Zylinder 52-1 bis 52-6 im Uhrzeigersinn gedreht werden, wie ebenfalls durch die Pfeile nach Fig.5 erkennbar gemacht. Nachdem die Schnittdarstellung von F i g. 4 in Blickrichtung nach abwärts und nicht nach aufwärts wiedergegeben ist, gilt hier bei gleicher Drehrichtung des Zahnrades 60 eine Drehung der die Dorne oder Kerne und die Substrathülsen enthaltenden Zylinder in entgegengesetzter Richtung, nämlich im Gegenuhrzeigersinn.

Wenn die Sputterkammer 22 geschlossen und das Gefäß 24 in der abgesenkten Stellung nach F i g. 1 abgedichtet ist, so kann das Sputterverfahren durchgeführt werden. Die Hochfrequenz-Energiequelle 78 liefert elektrische Leistung an die Einrichtung, wobei die Zerstäubungskathode oder Auftreffelektrode 26 auf sehr hoher negativer Spannung von beispielsweise größenordnungsmäßig 2500 Volt Gleichspannung liegt. Die hülsenförmigen Substrate oder Zylinder 52-1 bis 52-6 stellen die Anoden dar und liegen in einer derart ausgebildeten Schaltung, daß ein zweiter Dunkelraum nahe ihren Oberflächen entsteht. Dies kann dadurch erreicht werden, daß die Anoden mit der Hochfrequenz-Energiequelle über einen geeigneten Spannungsteiler verbunden werden, welcher eine sehr niedrige Gleichspannung in der Größenordnung von 20 Volt an den Anoden entstehen läßt oder in dem eine Schaltung zur Gleichspannungsvorspannung verwendet wird, um dieselbe Spannung zu erreichen oder aber in dem die Anoden so beschaltet werden, daß sie sich elektrisch auf schwimmendem Niveau befinden. In jedem Fall sind die Zylinder oder Anoden elektrisch gegenüber Erde zu isolieren und Einzelheiten der zu diesem Zwecke vorgesehenen Konstruktionen lassen sich dem oben angegebenen Schrifttum entnehmen.

Wird das System in Betrieb genommen, so wird die Sputterkammer 22 durch die Pumpen 80 evakuiert und es wird Gas eingeleitet Das sich beim Sputtern ausbildende Plasma umgibt die Zerstäubungskathode 26 und befindet sich zwischen dieser und den Substrathülsen auf einen Abstand zwischen 1 cm und 3 cm. Das Plasma ist in F i g. 4 bei 82 durch eine Kreuzschraffur angedeutet Ein beträchtlicher Teil jedes hülsenförmigen Substrates oder Zylinders 52-1 bis 52-6 durchläuft das Plasma, wenn sich die Einrichtung in Betrieb befindet und sich die Zylinder epizyklisch um die Zerstäubungskathode drehen. Es findet eine kontinuierliche und gleichmäßige Ablagerung des Kathodenmaterials der Zerstäubungskathode 26 auf jedem Zylinder statt und dies geschieht an sämtlichen Zylindern gleichzeitig. Ist das Verfahren abgeschlossen, so werden sämtliche Zylinder aus der Einrichtung herausgenom-

men, es werden neue Zylinder eingesetzt und das Verfahren wird wiederholt. Die Substrate bewegen sich hier als epizyklisch, führen somit zusätzlich zur Rotation um ihre eigene zur Zerstäubungskathode parallele Achse eine Wanderungsbewegung auf einer Kreisbahn um die Kathodenachse aus.

Um die Möglichkeit zu berücksichtigen, daß die Oberfläche der Zerstäubungskathode nicht ganz gleichförmig ist oder ungleichförmige Bereiche besitzt, welche zu Ungleichförmigkeiten in der Ablagerung führen würden, kann leicht eine axiale Hin- und Herbewegung der Zerstäubungskathode 26 während des Umlaufs der Anordnung 46 vorgesehen werden oder es kann die gesamte Anordnung 46 in axialer Richtung hin- und herbewegt werden. In gleicher Weise kann auch die Oberfläche der Zerstäubungskathode oft verschoben werden, beispielsweise zwischen den Durchläufen. In F i g. 2 ist demgemäß ein Antriebsmotor 88 für die Hin- und Herbewegung angedeutet.

Die Zerstäubungskathode 26 kann aus Platten oder Teilen gebildet sein, welche auf einem Grundkörper 28 festgekittet sind und welche als kleine oder größere Stücke mosaikartig zusammengesetzt sind, wobei diese Plattentei^!e entweder bogenförmige Gestalt haben oder flach sind. Eine sehr zweckmäßige und wirtschaftliche Art der Herstellung der Zerstäubungskathode 26 besteht darin, diese aus Ringen von Photoleitermaterial zusammenzusetzen, welche auf eine zylindrische Basis aufgestapelt werden. Diese Ringe lassen sich leicht herstellen, leicht zusammensetzen und leicht ersetzen, jo Cadmiumsulfid-Zerstäubungskathoden haben manchmal die Neigung zur Grubenbildung und zur punktweisen Verbrauch an winzigen Orten der Überhitzung. Wird die Zerstäubungskathode aus Ringer tufgebaut, so kann sie in einfacher Weise innerhalb kurzer Zeit repariert werden. Eine Ansicht einer in dieser Weise aufgebauten Zerstäubungskathode 26' ist in Fig.6 gegeben. Sie besteht aus ringförmigen Teilen 90 aus gesintertem Photoleiterwerkstoff.

Eine Abschirmung der Zerstäubungskathode oder der Zylinder bzw. der Anoden gestaltet sich sehr einfach, nachdem keine Metallteile freiliegen, welche nicht entweder durch Kathodenmaterial oder durch Substratmateriai abgedeckt wären, mit Ausnahme der Bereiche an den Enden der Zerstäubungskathode und der zylinderförmigen Anodenkörper. Der Zwischenraum zwischen den Anoden ist sehr klein und läßt wenn überhaupt nur wenig Plasma durch und selbst dann ist der größte Teil des Plasmas zu der Zeit verbraucht, zu welcher die Innenwand des Gefäßes 24 von den fliegenden Molekülen des Sputtermaterials erreicht wird. Praktisch wird sämtliches Material auf den Oberflächen der Anoden abgelagert. Soweit eine Abschirmung erforderlich ist, läßt sie sich also sehr leichterreichen.

Anstelle der vorgesehenen Vertikalbewegung des Schlittens der gezeigten Einrichtung kann die D.
gung auch horizontal erfolgen. Die für die Einzelteile 111 Fig.l eingezeichnete Achse 84 ist dann nicht vertikal, sondern horizontal orientiert. Die vertikale Anordnung ist jedoch vorzuziehen, da Ablösungen von punktförmigen Bereichen der Zerstäubungskathode nicht auf die Anoden fallen.

Anstelle der Verbindung der Zerstäubungskathode 26 mit dem bewegbaren Schlitten 18 kann auch eine Verbindung mit der Maschinenbasis 16 vorgesehen sein, wobei die Betätigungssysteme und die Verbindungen über geeignete Kanäle und Leitungen der Maschinenbasis geführt sind. In diesem Falle ist das Gefäß 24 das einzige Teil, welches nach aufwärts bewegbar ausgebildet ist.

Die Anoden bzw. Dorne können an dem Schlitten 18 gelagert und gehaltert sein, wobei das Gefäß sich ebenfalls an dem Schlitten befindet oder mit der Basis verbunden ist und die Zerstäubungskathode 26 kann an der Basis 16 angeordnet sein. Die Mittel zum epizyklischen Antrieb der Dorne oder Kerne sind dann in dem Schlitten 18 vorzusehen.

Anstatt die Zerstäubungskathode 26 und das Gefäß 24 nach aufwärts zu bewegen kann die Anordnung 46 auch aus dem Gefäß 24 ausgehoben werden, wobei die Zerstäubungskathode 26 mit der Basis 16 verbunden bleibt. Die Zylinder werden also angehoben und freigelegt und können dann leicht herausgenommen und gegen unbeschichtete Zylinder ersetzt werden.

In den Zeichnungen sind sechs hülsenförmige Substrate oder Zylinder 52-1 bis 52-6 gezeigt, welche die Anordnung 46 bilden, doch kann diese Zahl auch größer oder kleiner gewählt werden.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Sputter-Bescliichtungsverfahren bei welchem in einer Sputterkammer (22) zwischen einer stationären Zerstäubungskathode (26) und einer Anzahl sich bewegender, zu beschichtender Anoden (50) ein elektrisches Feld angelegt ist, wobei die Anoden um die Zerstäubungskathoden herum auf einem Kreis angeordnet werden, so daß ein gürteiförmiges Sputterplasma (82) gleichzeitig zwischen den Anöden und der Zerstäubungskathode um diese herum gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Anoden (50) unter Aufrechterhaltung des Plasmas in epizyklischer Bewegung um die Zerstäubungskathode (26) herumgeführt werden.

2. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 für die gleichzeitige Beschichtung einer \5ehrzahl von manschetten- oder hülsenartigen Substraten mit einem photoleitenden Material

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— mit einem die genannte Sputterkammer enthaltenden Gefäß,

— mit Mitteln zur Erzeugung des vorzugsweise hochfrequenten Plasmagürtels innerhalb der Sputterkammer,

— mit einer Zerstäubungskathodenanordnung, die aus einem der herzustellenden Beschichtung entsprechenden photoleitenden Material besteht und eine zylindrische Oberfläche besitzt,

— sowie mit einer Mehrzahl von Anoden, die innerhalb der Sputterkammer rings um die Zerstäubungskathodenanordnung und in solchem Abstand von dieser angeordnet sind, daß der Plasmagürtel die Oberflächen der Anoden berührt, wobei jede der Anoden zumindest annähernd zylindrische Gestalt besitzt, die Anodenachsen parallel zur Achse der Zerstäubungskathodenanordnung verlaufen und einen kreisförmigen Zylinder bestimmen, dessen Durchmesser größer ist a's derjenige der Zerstäubungskathodenanordnung und koaxial zu dieser angeordnet ist,