DE2845612C2 - Halbleiteranordnung mit höckerförmigen Anschlußelektroden - Google Patents
Halbleiteranordnung mit höckerförmigen AnschlußelektrodenInfo
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Landscapes
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12631877A JPS5459080A (en) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2845612A1 DE2845612A1 (de) | 1979-04-26 |
| DE2845612C2 true DE2845612C2 (de) | 1987-01-22 |
Family
ID=14932210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2845612A Expired DE2845612C2 (de) | 1977-10-19 | 1978-10-19 | Halbleiteranordnung mit höckerförmigen Anschlußelektroden |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4244002A (enExample) |
| JP (1) | JPS5459080A (enExample) |
| DE (1) | DE2845612C2 (enExample) |
| FR (1) | FR2406893A1 (enExample) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925387B2 (ja) * | 1980-06-10 | 1984-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPS57170554A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS593954A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| IT1156085B (it) * | 1982-10-25 | 1987-01-28 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Dispositivo optoelettronico e procedimento per la sua fabbricazione |
| DE3727488C2 (de) * | 1987-08-18 | 1994-05-26 | Telefunken Microelectron | Optoelektronisches Bauelement |
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| US4922322A (en) * | 1989-02-09 | 1990-05-01 | National Semiconductor Corporation | Bump structure for reflow bonding of IC devices |
| JPH0437067A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Canon Inc | 半導体素子用電極及び該電極を有する半導体装置及びその製造方法 |
| US6388203B1 (en) | 1995-04-04 | 2002-05-14 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
| ATE240586T1 (de) | 1995-04-05 | 2003-05-15 | Unitive Int Ltd | Eine löthöckerstruktur für ein mikroelektronisches substrat |
| KR0145128B1 (ko) * | 1995-04-24 | 1998-08-17 | 김광호 | 열방열 핀을 구비한 내부 리드 본딩 장치 및 이를 이용한 내부 리드 본딩 방법 |
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| US6184581B1 (en) * | 1997-11-24 | 2001-02-06 | Delco Electronics Corporation | Solder bump input/output pad for a surface mount circuit device |
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| US6863209B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-03-08 | Unitivie International Limited | Low temperature methods of bonding components |
| US7531898B2 (en) * | 2002-06-25 | 2009-05-12 | Unitive International Limited | Non-Circular via holes for bumping pads and related structures |
| WO2004001837A2 (en) | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Unitive International Limited | Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures |
| US7547623B2 (en) * | 2002-06-25 | 2009-06-16 | Unitive International Limited | Methods of forming lead free solder bumps |
| TWI225899B (en) * | 2003-02-18 | 2005-01-01 | Unitive Semiconductor Taiwan C | Etching solution and method for manufacturing conductive bump using the etching solution to selectively remove barrier layer |
| US7049216B2 (en) | 2003-10-14 | 2006-05-23 | Unitive International Limited | Methods of providing solder structures for out plane connections |
| TW200603698A (en) | 2004-04-13 | 2006-01-16 | Unitive International Ltd | Methods of forming solder bumps on exposed metal pads and related structures |
| US20060205170A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Rinne Glenn A | Methods of forming self-healing metal-insulator-metal (MIM) structures and related devices |
| US7674701B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-09 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns |
| US7932615B2 (en) | 2006-02-08 | 2011-04-26 | Amkor Technology, Inc. | Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers |
| US8569886B2 (en) | 2011-11-22 | 2013-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus of under bump metallization in packaging semiconductor devices |
| DE102014110473A1 (de) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für ein elektrisches Bauelement |
| US10647133B2 (en) | 2017-10-31 | 2020-05-12 | Seiko Epson Corporation | Medium transporting device and recording apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL87258C (enExample) * | 1969-01-15 | |||
| DE2409312C3 (de) * | 1974-02-27 | 1981-01-08 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Halbleiteranordnung mit einer auf der Halbleiteroberfläche angeordneten Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPS51147253A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Nec Corp | Structure of electrode terminal |
| JPS5851425B2 (ja) * | 1975-08-22 | 1983-11-16 | 株式会社日立製作所 | ハンドウタイソウチ |
-
1977
- 1977-10-19 JP JP12631877A patent/JPS5459080A/ja active Granted
-
1978
- 1978-10-18 US US05/952,543 patent/US4244002A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-10-18 FR FR7829713A patent/FR2406893A1/fr active Granted
- 1978-10-19 DE DE2845612A patent/DE2845612C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6138612B2 (enExample) | 1986-08-30 |
| FR2406893B1 (enExample) | 1983-10-07 |
| JPS5459080A (en) | 1979-05-12 |
| DE2845612A1 (de) | 1979-04-26 |
| FR2406893A1 (fr) | 1979-05-18 |
| US4244002A (en) | 1981-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| OAR | Request for search filed | ||
| OB | Request for examination as to novelty | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8331 | Complete revocation |