DE2845457C2 - Verfahren zur Herstellung von ↑5↑↑2↑ Mangan - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von ↑5↑↑2↑ ManganInfo
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von "Mangan durch eine Kernreaktion,
indem ein vanadiumhaltiges Target mit 3Helium-Ionen
beschossen und das gebildete "Mangan mit Hilfe eines chemischen Trennvorganges aus dem Target isoliert
wird, nach Patent P 27 52 165.
"Mangan, das für medizinische Zwecke brauchbar ist, wird bekanntermaßen durch Beschüß von Chrom oder
Eisen mit Protonen oder Deuteronen hergestellt. Bei diesen Reaktionen entsteht jedoch neben dem erwünschten
"Mangan in erheblichem Maße längerlebiges 5i)Mangan, das in der Nuklearmedizin unerwünscht
ist.
Nach dem Haptpatent wird daher 54Mn-freies
"Mangan durch Beschüß eines vanadiumhaltigen Targets mit 3Helium-Ionen hergestellt.
Dabei spielen sich die beiden folgenden Reaktionen ab:
5°V(3He,n)"Mn; Q = 8,3MeV
51V(JHe,2n)"Mn; Q= -2,7 MeV
51V(JHe,2n)"Mn; Q= -2,7 MeV
Nach dem Hauptpatent wird vorausgesetzt, daß die natürliches Vanadium bildenden Isotope 50V und 51V in
ihrer natürlichen Verteilung (99,75% 51V und 0,25% 50V)
vorliegen. Obwohl diese Voraussetzung üblicherweise bei Verwendung von Targets mit natürlichem Vanadium
erfüllt sein wird, sind jedoch Fälle denkbar, in denen ein von der natürlichen Isotopenverteilung abweichendes
Material besonders zweckmäßig ist, wie zum Beispiel ein 51V-angereichertes Vanadium, das als Abfallprodukt
bei der Erzeugung von angereichertem 5nVanadium
durch Massentrennung anfällt. Auf der anderen Seite könnte e;n bei irgendeinem Prozeß anfallendes
^V-angereichertes Material besonders zweckmäßig sein, da dessen Umwandlung zum 52Mangan durch
(3He,n)-Reaktion gegenüber der "Manganbildung aus
51V leicht bevorzugt erscheint.
Die der vorliegenden Erfindung und dem Hauptpatent zugrunde liegende Gesamtaufgabe besteht also in
der Zurückdrängung der ^Mangan-Bildung bei der "Mangan-Herstellung durch Kernreaktion an einem
ίο Targetmaterial mit Hilfe von Geschoßteilchen, wobei
nach der vorliegenden Erfindung und dem Hauptpatent als gemeinsames Lösungsmittel der Beschüß von
Vanadium mit 3Helium-Geschoßteilchen vorgesehen wird. In Abwandlung der im Hauptpatent angegebenen
Verwendung von Vanadium mit natürlicher Isotopenverteilung ist das erfindungsgemäße Verfahren jedoch
dadurch gekennzeichnet, daß ein Target verwendet wird, das die Vanadiumisotope 50V und/oder 51V in einer
von der natürlichen abweichenden Verteilung enthält.
Vorzugsweise wird ein Target verwendet, das 51V-angereichertes Vanadium enthält, wie es als
Abfallprodukt erhalten wird.
Wie nach dem Hauptpatent kann erfindungsgemäß ein Target verwendet werden, das außer den für die
"Manganbildung wichtigen Vanadiumisotopen andere Stoffe, wie Legierungs- oder Verbindungspartner,
enthält, die beim 3Helium-Beschuß keine Störreaktionen ergeben.
Besonders zweckmäßig ist die Verwendung von
Besonders zweckmäßig ist die Verwendung von
-Ό metallischem Vanadium als Target sowie die Einhaltung
einer gewissen Wartezeit zwischen 3He-Beschuß und chemischer Isolierung des gewünschten "Mangans,
nach der die Aktivität von ebenfalls gebildeten kurzlebigen Zwischenprodukten weitgehend abgeklun-
->5 gen ist.
Die 3Helium-Ionen werden für den Beschüß iweckmäßigerweise
auf eine Energie von etwa 14 MeV beschleunigt.
Die chemische Isolierung des gebildeten "Mangans kann wie nach dem Hauptpatent erfolgen, indem das
Target in Salpetersäure gelöst, die mit Kaliumjodat versetzte Lösung gekocht, nach dem Abkühlen auf pH
10 eingestellt und unmittelbar mit einer 0,1 m 8-Hydroxychinolin-Lösung in Chloroform extrahiert wird. Das
gewünschte "Mangan wird in der organischen Phase erhalten.
Das auf diese Weise gewonnene "Mangan zeichnet sich gegenüber dem aus natürlichem Vanadium
erhaltenen Material durch eine verbesserte Reinheit aus, da der zum 54Mangan und 51Chrom führende
Spurengehalt an Chrom beim (durch Massentrennung oder dergleichen erhaltenen) angereicherten Ausgangsmaterial
merklich vermindert ist.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von 52Mangan durch
eine Kernreaktion, indem ein vanadiumhaltiges Target mit 3Helium-Ionen beschossen und das
gebildete "Mangan mit Hilfe eines chemischen Trennvorganges aus dem Target isoliert wird, nach
Patent... (Patentanmeldung P 2752165.9-33 vom
23.11.1977), dadurch gekennzeichnet, daß ein Target verwendet wird, das die Vanadiumisotope
50V und/oder 51V in einer von der natürlichen
abweichenden Verteilung enthält
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Target verwendet wird, das
51V-angereichertes Vanadium enthält.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782845457 DE2845457C2 (de) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Verfahren zur Herstellung von ↑5↑↑2↑ Mangan |
| CH1116378A CH636724A5 (de) | 1977-11-23 | 1978-10-30 | Verfahren zur herstellung von (52)mangan. |
| GB7844483A GB2010001B (en) | 1977-11-23 | 1978-11-14 | Process for the production of 52 manganese |
| US05/962,139 US4201625A (en) | 1977-11-23 | 1978-11-20 | Process for producing 52 manganese |
| FR7832965A FR2410341B1 (de) | 1977-11-23 | 1978-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782845457 DE2845457C2 (de) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Verfahren zur Herstellung von ↑5↑↑2↑ Mangan |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2845457A1 DE2845457A1 (de) | 1980-04-24 |
| DE2845457C2 true DE2845457C2 (de) | 1982-03-25 |
Family
ID=6052529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782845457 Expired DE2845457C2 (de) | 1977-11-23 | 1978-10-19 | Verfahren zur Herstellung von ↑5↑↑2↑ Mangan |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2845457C2 (de) |
-
1978
- 1978-10-19 DE DE19782845457 patent/DE2845457C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2845457A1 (de) | 1980-04-24 |
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