DE2832151C2 - Verfahren zum Prüfen eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film - Google Patents
Verfahren zum Prüfen eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen FilmInfo
- Publication number
- DE2832151C2 DE2832151C2 DE2832151A DE2832151A DE2832151C2 DE 2832151 C2 DE2832151 C2 DE 2832151C2 DE 2832151 A DE2832151 A DE 2832151A DE 2832151 A DE2832151 A DE 2832151A DE 2832151 C2 DE2832151 C2 DE 2832151C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- mask
- substrate
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Prüfen eines auf einem Substrat aufgebrachten Musters aus einem
elektrisch leitfähigen Film mittels eines Elektronenstrahls. Ein solches Verfahren läßt sich dazu verwenden,
die Genauigkeit einer Fotomaske bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen zu ermitteln.
Aus der US-Patentschrift 3! 62 767 ist ein Verfahren der eingangs genannten Gattung bekannt, bei dem mit
einem defokussieren Elektronenstrahl das Substrat in Fluoreszenz versetzt wird, wodurch sich das nicht-fluoreszierende Muster abhebt. Abgesehen davon, daß das
bekannte Prüfungsverfah.er, auf solche Substratmaterialien beschränkt ist, die sich zu; Fluoreszenz anregen
lassen, besteht die weitere Schwierigkeit, daß die eigentliche Prüfung durch Betrachtung des fluoreszierenden Bereichs erfolgt Während zwar bei entsprechender Vergrößerung hinreichend große Fehler
erkennbar sein mögen, eignet sich das bekannte Verfahren nicht dazu, Abweichungen einer Fotomaske
von einem vorgegebenen Muster genau zu lokalisieren, wie es beispielsweise für eine anschließende Korrekturoder Retuschierbehandlung der Maske erforderlich ist
Bei Anwendung des bekannten Verfahrens zum Prüfen und anschließenden Retuschieren einer Fotomaske
wäre es außerordentlich schwierig, den beim Retuschieren verwendeten ätzenden Strahl auf genau diejenige
Stelle zu richten, an der beim Prüfungsvorgang Ungenauigkeiten der Maske festgestellt worden sind.
Aus der deutschen Patentschrift 22 63 856 ist ein
Verfahren zum Prüfen und Korrigieren defekter Fotomasken bekannt, bei dem die Maske mit Licht
bestrahlt wird. Beschränkungen hinsichtlich des Materials bestehen bei diesem Verfahren praktisch nicht, weil
Substrat und Maske regelmäßig das auftreffende Licht unterschiedlich reflektieren. Dagegen sind der Genauigkeit der Prüfung dadurch Grenzen gesetzt, daß sich der
verwendete Lichtstrahl nur bis zu einem bestimmten Grad bündeln und richten läßt Außerdem besteht auch
hier wieder die Schwierigkeit, den bei einem anschließenden Retuschiervorgang eingesetzten ätzenden
Strahl auf genau die gleiche Stelle zu richten wie den bei der vorherigen Prüfung verwendeten Lichtstrahl.
Verwendet man zum Prüfen einen Elektronenstrahl in üblicher Weise derart, daß er punktuell über das zu
prüfende Muster getastet wird, wobei die von dem Muster reflektierten Elektronen oder von dem Muster
emittierten Sekundärelektronen von einem Detektor erfaßt werden, so ergeben sich Schwierigkeiten
aufgrund der Aufladung der Fotomaske durch die Elektronen. Zur Erläuterung dieser Schwierigkeiten
wird auf F i g. 1 der Zeichnungen Bezug genommen. In der dort gezeigten Schnittansicht ist mit 1 ein Substrat
bezeichnet, das aus isolierendem Material, beispielsweise Glas, besteht, auf dessen Oberfläche Teile 3,3' einer
elektrisch leitfähigen Fotomaske aufgebracht sind. Trifft
nun ein Elektronenstrahl auf die leitfähigen Teile 3, 3'
des Musters, so laden sich diese negativ auf. Diese Aufladung bewirkt eine Ablenkung des Elektronenstrahls insbesondere in den Randbereichen der einzelnen Musterteile. Die Ablenkung führt zu Verzerrungen
ts bei der Prüfung der Maske.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem sich die Genauigkeit
beim Prüfen eines auf einem Substrat angeordneten leitenden Musters erhöhen läßt
Erfindungsgemäße Lösungen dieser Aufgabe sind in den Kennzeichenteilen der Patentansprüche · 1 und 2
angegeben. Danach werden bei der Bestrahlung des Musters mit einem Elektronenstrahl die leitfähigen
Teile des Films leitend miteinander verbunden und auf
einem vorgegebenen Potential gehalten. Gemäß Patentanspruch 1 erfolgt die leitende Verbindung der
Filmteile über ran aus einer leitenden Substanz bestehenden Oberflächenteil des Substrats selbst,
während gemäß Anspruch 2 die Verbindng über eine
das Substrat samt dem Muster über ziehende leitende
Substanz erfolgt In beiden Fällen werden die auf die Maske gelangenden Elektronen abgeführt, so daß sich
die Filmteile nicht aufladen und den Elektronenstrahl nicht ablenken können. Die Verwendung eines Elektro
nenstrahls bei den erfindungsgemäßen Verfahren
erbringt grundsätzlich den Vorteil, daß sich der Elektronenstrahl äußerst fein bündeln läßt und außerdem bei einer etwa anschließenden Retuschierbehandlung der Elektronenstrahl mit df τ gleichen Apparatur
und bei gleicher Einstellung erzeugt werden kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der übrigen Figuren der Zeichnungen
näher erläutert. Darin zeigt
Fi g. 2a und 2b Schnittdarstellungen zur Veranschau
lichung eines Verfahrens zum Prüfen eines auf einem
Substrat angeordneten Musters;
Fig.3a bis 3c eine Variante der Anordnung nach
Fig. 2a und b; und
F i g. 4 und 5 weitere Ausführungsformen.
Die in Fig.2a und 2b gezeigte Fotomaske hat einen
Aufbau, bei welchem eine transparente dünne Schicht 2, die elektrisch leitend ist, auf der Oberfläche einer
transparenten Glasplatte 1 abgeschieden ist. Auf der transparenten dünnen Schicht 2 ist ein Muster aus
dünnen Filmteilen 3 und 3' aus einem lichtundurchlässigen Material angeordnet, das aus Chrom besteht. Die
mit diesem Aufbau hergestellte Fotomaske wird auf ihrer Oberfläche mit einem Elektronenstrahl 7 bestrahlt,
um das Maskenmuster zu prüfen. Elektronen, die dabei
zu der Maskenoberfläche gelangen, fließen durch die
leitende Schicht 2 ab. Während der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl 7 wird die leitende Schicht 2, die mit
den Filmteilen 3 und 3' verbunden ist, auf einem vorgegebenen Potential, beispielsweise auf Erdpoten
tial, gehalten, wodurch eine Aufladung der Maskenober
fläche verhindert wird, ohne daß die Lichtdurchlässigkeit des Fotomaskensubstrats gestört wird, so daß eine
genaue Prüfung auch eines äußerst feinen Musters
möglich ist.
Beispiele für das Material der transparenten leitenden
dünnen Schicht 2 sind Metalloxide wie TiO2, In2O3,
SnO2, CdO, CdO-SnO2 und Nesaglas, Wird ein solches
Material auf der Glasoberfläche in Form einer dünnen Schicht, beispielsweise durch Aufsprühen, abgeschieden,
so erhält man den in Fig.2a und 2b gezeigten Aufbau,
mit dem ein Verhindern des Aufladens möglich ist. Günstig ist es an sich, wenn der Widerstand der Schicht
2 niedrig ist. Um jedoch die Prüfung der Fotomaske ι ο
durch die Elektronenbestrahlung exakter ausführen zu können, wird die Schicht 2 hinsichtlich Stärke, Kontrast,
Reflexionsfaktor usw. so ausgebildet, daß sie einen Schichtwiderstand von etwa 1 ΜΩ/G oder weniger hat.
Der Bereich, in welchem die Schicht 2 gebildet wird, soll sich ganz über wenigstens den Bereich erstrecken,
der von dem Elektronenstrahl abgetastet wird. Um den elektrischen Kontakt mit einem Außenteil zu erleichtern,
wird die Schicht 2 zweckmäßigerweise so ausgebildet, daß sie eine vorgegebene Stelle außer dem
genannten Bereich abdeckt, wie dies in den F i g. 3a bis 3c gezeigt ist In Fig.3a ist die Schicht 2 aus der
transparenten leitenden Substanz, beispielsweise Nesaglas auf allen Flächen einer Glasplatte 1 so angerodnet,
daß sie sich von der Vorderseite über die Seitenflächen zur Rückseite erstreckt Dadurch kann die Fotomaske
auf einfache Weise von der Rückseite aus, welche nicht mit einem Maskenmuster versehen ist, mit Erde
verbunden werden.
In Fig.3b ist die leitende transparente Schicht 2 so
angeordnet daß sie sich fortlaufend von der Oberseite zu den Seitenflächen der Glasplatte 1 erstreckt, in
F i g. 3c verläuft die Schicht 2 von der Oberseite zu den Seitenflächen der Glasplatte 1 und erstreckt sich über
Teile der Unterseite.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen ist das aus den Filmteilen 3 bestehende lichtundurchlässige Maskenmuster
auf der leitenden transparenten dünnen Schicht 2 ausgebildet Erforderlichenfalls kann das
Maskenmuster direkt auf einer Glasplatte 1 ausgebildet und eine leitende transparente dünne Schicht 2 darauf
angeordnet werden, wie dies in Fig.4 gezeigt ist. Hinsichtlich des Retuschierens der Fotomaske und der
Verwendung der fertigen Fotomaske werden jedoch die vorher beschriebenen Ausführungsformen bevorzugt,
da ihr Ebenheitsgrad besser ist, wodurch ein stärkerer Kontrast zwischen dem reflektierten Licht des Elektronenstrahls
erreicht wird, wenn die Fotomaske mit dem Elektronenstrahl betrachtet wird.
Wenn Fehler des Maskenmusters durch das Bestrahlen der Fotomaske in der beschriebenen Weise mit dem
Elektronenstrahl ermittelt werden, müssen die Fehler korrigiert oder retuschiert werden. Bei den Fotomasken,
bei welchen das Maskenmuster aus den lichtundurchlässigen Filmteilen 3 auf der Außenfläche der
transparenten Schicht 2 ausgebildet ist, wie dies in den Fig.2b und 3a bis 3c gezeigt ist, kann das teilweise
Retuschieren nur des Maskenmusters in dem Zustand ausgeführt werden, in welchem die transparente Schicht
2 erhalten bleibt Das Retuschieren des Maskenmustern kann durch eine der nachstehenden Methoden erreicht
werden:
1. Auf das Maskenmuster wird ein Fotoresistmaterial aufgebracht Das Fotoresistmaterial wird teilweise
einer Punktbelichtung ausgesetzt um die Oberfläche des fehlerhaften Teils des Maskenmusters zu
belichten. Danach wird der fehlerhafte Teil geätzt und mit einem Ätzmittel entfernt
2. Durch Bestrahlen des fehlerhaften Teils des Maskenmusters mit einem Laserstrahl oder mit
einem Elektronenstrahl wird der Film aus Chrom oder einer sonstigen lichtundurchlässigen Substanz
entsprechend dem fehlerhiken Teil verflüchtigt bzw. verdampft oder zur Umwandlung in eine
transparente Substanz oxydiert
Insbesondere beim Retuschieren des Maskenmusters, bei welchem das fehlerhafte Teil wie beim Prüfen mit
dem Elektronenstrahl bestrahlt wird, muß die Aufladung wenigstens der Maskenoberfläche vermieden werden,
damit die unter Bestrahlung vorher festgelegte Stelle mit dem Elektronenstrahl genau eingehalten werden
kann. Aus diesem Grund ist es günstig, wenn das Maskenmuster auf der leitenden transparenten Schicht
2, wie dies in den F i g. 2b und 3a bis 3c gezeigt ist, ausgebildet ist, wobei die Schicht 2 wie bei der Prüfung
der Maske belassen wird. Während die Schicht 2 wieder auf einem vorgegebenen Potential gehalten wird, wird
das fehlerhafte Teil mit dem Elektronenstrahl bestrahlt, um die Maske zu retuschieren.
Anstelle der Verwendung eines Maskensubstrats, das aus einer isolierenden Glasplatte 1 und einer transparenten
Schicht 2 besteht, kann auch, wie in F i g. 5 gezeigt, ein Substrat 8 aus einer transparenten und
leitenden Substanz verwendet werden, wobei das Maskenmuster bildenden, beispielsweise aus Chrom
bestehenden Filmteile 3, direkt auf der Hauptfiäche bzw. der größeren Oberfläche des Substrats 8 ausgebildet
werden. In jedem Fall werden Reflexion, Absorption usw. des Lichts an der Zwischenfläche zwischen dem
Glas und dem leitenden Film vermieden, was bei der tatsächlichen Verwendung der Fotomaske günstig ist.
Ein weiterer damit erreichter Effekt besteht darin, daß der Arbeitswirkungsgrad beim Retuschieren der Maske
verbessert wird.
Claims (2)
1. Verfahren zum Prüfen eines auf einem Substrat aufgebrachten Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film mittels eines Elektronenstrahls, dadurch
gekennzeichnet, daß während der Abtastung mit dem Elektronenstrahl mindestens der den Film
tragende, aus einer leitenden Substanz bestehende Oberflächenteil des Substrats auf einem vorgegebenen Potential gehalten wird.
2. Verfahren zum Prüfen eines auf einem Substrat aufgebrachten Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film mittels eines Elektronenstrahls, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat samt dem Muster mit einer leitenden Substanz überzogen wird, und
daß während der Abtastung mit dem Elektronenstrahl die leitende Substanz auf einem vorgegebenen
Potential gehalten wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8842777A JPS5423473A (en) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | Photomask and method of inspecting mask pattern using same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2832151A1 DE2832151A1 (de) | 1979-02-15 |
DE2832151C2 true DE2832151C2 (de) | 1982-05-06 |
Family
ID=13942476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2832151A Expired DE2832151C2 (de) | 1977-07-25 | 1978-07-21 | Verfahren zum Prüfen eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4256778A (de) |
JP (1) | JPS5423473A (de) |
DE (1) | DE2832151C2 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2449291A1 (fr) * | 1979-02-15 | 1980-09-12 | Carenco Alain | Procede d'equilibrage d'un dispositif optique integre a l'aide d'une couche metallique mince et dispositif obtenu par ce procede |
JPS55129347A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Photomask |
US4444801A (en) * | 1981-01-14 | 1984-04-24 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for correcting transparent defects on a photomask |
US4411972A (en) * | 1981-12-30 | 1983-10-25 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit photomask |
US4636403A (en) * | 1985-04-29 | 1987-01-13 | At&T Technologies, Inc. | Method of repairing a defective photomask |
DE3576088D1 (de) * | 1985-05-29 | 1990-03-29 | Ibm Deutschland | Verfahren zur reparatur von transmissionsmasken. |
JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
AT392857B (de) * | 1987-07-13 | 1991-06-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Vorrichtung und verfahren zur inspektion einer maske |
US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
CA1315023C (en) * | 1987-09-30 | 1993-03-23 | Kenji Ohta | Photo-mask |
US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
US5057642A (en) * | 1991-04-18 | 1991-10-15 | Phillips Petroleum Company | Removal of basic impurities from olefin streams |
US20030000921A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Ted Liang | Mask repair with electron beam-induced chemical etching |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL297262A (de) * | 1962-09-04 | |||
BE793605A (fr) * | 1972-01-03 | 1973-05-02 | Rca Corp | Appareil et procede pour corriger un masque photographique defectueux |
US4109029A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-22 | Hughes Aircraft Company | High resolution electron beam microfabrication process for fabricating small geometry semiconductor devices |
-
1977
- 1977-07-25 JP JP8842777A patent/JPS5423473A/ja active Pending
-
1978
- 1978-07-18 US US05/925,791 patent/US4256778A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-07-21 DE DE2832151A patent/DE2832151C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2832151A1 (de) | 1979-02-15 |
US4256778A (en) | 1981-03-17 |
JPS5423473A (en) | 1979-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3782381T2 (de) | Fluessigkristall-vorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE2832151C2 (de) | Verfahren zum Prüfen eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film | |
DE2302116C3 (de) | Vorrichtung zur Herstellung einer maskierenden Schicht auf einem Träger mit Hilfe von weichen Röntgenstrahlen | |
DE2723914C3 (de) | Lichtfühler | |
DE1532268B1 (de) | Pruef-und Kontrollvorrichtung fuer die Stirnenden von Zigarettenblocks | |
DE2727156C2 (de) | ||
DE3503048A1 (de) | Zweidimensionale bildlesevorrichtung | |
DE2260229B2 (de) | ||
DE2047316A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Er zeugen einer Anordnung diskreter Be reiche mit einer Photolackschicht | |
DE3232499A1 (de) | Maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2420001C3 (de) | Ladungsspeicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2750387C2 (de) | Elektrochrome Anzeigevorrichtung | |
DE2554613C3 (de) | Ladungsspeicherplatte für eine Einröhren-Farbbildkameraröhre | |
DE3617229C2 (de) | Strahlungsdetektor | |
DE19842679C2 (de) | Verfahren zur Strukturierung von transparenten Elektrodenschichten | |
DE3415831A1 (de) | Leuchtstoffschirm und verfahren zu dessen herstellung | |
EP0981066A1 (de) | Lichtdichtesteuerung mittels LCD-Einrichtung | |
DE3007184A1 (de) | Fotomaske | |
EP0033894B1 (de) | Mehrstufiger Vakuum-Röntgenbildverstärker | |
DE10110179A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Chipwiderständen | |
DE665698C (de) | Verfahren zur Abtastung eines speichernden Photozellenmosaiks | |
DE3236142A1 (de) | Musteruebertragungsmaske fuer ein elektronenstrahlprojektionssystem und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE4330655C2 (de) | Kennzeichnungsmuster auf Bildröhren und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2954146C2 (de) | Elektronenstrahllithographie-Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung oder einer Miniaturverdrahtung | |
DE683656C (de) | Verfahren der Spektraluntersuchung, insbesondere kurzzeitiger Vorgaenge |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBEL-HOPF, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |