DE3007184A1

DE3007184A1 - Fotomaske

Info

Publication number: DE3007184A1
Application number: DE19803007184
Authority: DE
Inventors: Masatoshi Migitaka; Koichiro Mizukami
Original assignee: VLSI Technology Research Association
Current assignee: VLSI Technology Research Association
Priority date: 1979-03-28
Filing date: 1980-02-26
Publication date: 1980-10-23
Also published as: JPS55129347A; US4368230A

Description

Beschreibung

Die Erfindung bezieht sich auf Fotomasken zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen, insbesondere auf Fotomasken, bei denen die darauf ausgebildeten Muster unter Verwendung eines Elektronenstrahls als Fühleinrichtung geprüft werden.

Die Inspektion oder Prüfung eines Musters auf einer Fotomaske mit einem Elektronenstrahl umfaßt die aufeinander folgende Bestrahlung der zu betrachtenden Oberflächenbereiche der Fotomaske mit dem Elektronenstrahl und die Erfassung eines Signals, das die von der Maske erhaltene musterbezogene Information darstellt. Als solches Signal können rückgestrahlte Elektronen, Sekundärelektronen, der Absorptionsstrom usw. verwendet werden. Die Prüfung des Zustandes einer Gegenstandsoberfläche unter' Verwendung rückgestrahlter Elektronen, Sekundärelektronen, des Absorptionsstroms unw.,' die von dem mit einem Elektronenstrahl bestrahlten Gegenstand erhalten werden, sind bekannt. Beispielsweise ist es aus der US-PS 3 381 132 bekannt, eine Probe unter Verwendung von Sekundärelektronen und rückgestrahlter Elektronen zu analysieren. Aus der US-PS 3 549 999 ist es bekannt, integrierte Schaltungen unter Verwendung von Sekundärelektronen zu testen. Da die Intensität der beschriebenen Informationssignale mit der Art des Oberflächenmaterials der Maske veränderlich ist, können Form und Größe des Musters inspiziert werden, indem ein solches Signal unter aufeinander folgender Abtastung der Maskenoberfläche mit dem Elektronenstrahl erfaßt wird.

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Die Abtastung mittels eines Elektronenstrahls macht es erforderlich, eine Aufladung der Maskenoberfläche durch die Abtastelektronen zu verhindern. In der Patentanmeldung P 28 32 151.9 wurde bereits vorgeschlagen, eine transparente leitfähige Schicht auf die Maskenoberfläche aufzulegen oder das Maskensubstrat aus einem transparenten leitfähigen Material herzustellen. Der Elektronenstrahl wird unter Bedingungen aufgestrahlt, bei denen die leitfähige Schicht oder das Substrat an ein vorbestimmtes Potential,"beispielsweise Massepotential angeschlossen ist. Verschiedene Beispiele solcher leitfähiger Masken sind in den Figuren 1A bis 1C gezeigt. In diesen Figuren sind ein transparentes Substrat aus Isoliermaterial, beispielsweise Glas mit 1, ein transparenter Film aus leitfähigem Material mit 2, ein Maskenmuster oder ein lichtabschirmender Film aus Chrom (Cr) mit 3 und ein transparentes Substrat aus leitfähigem Material mit 4 bezeichnet.

Fig. 2A zeigt schematisch ein Signal, das sich ergibt, wenn die Nachbarschaft des Musters der Maske der Fig. 1A mit einem Elektroneristrahl abgetastet wird. Das Maskenmuster bestimmt denjenigen Teil der Maske, der als Lichtschirm dient, wenn die Figur auf der Maske auf ein Resist übertragen wird; er wird im folgenden einfach als "Muster" bezeichnet. Das tatsächliche erhaltene Signal enthält gemäß Fig. 2B Störungen. Bei erhöhter Strahlabtastgeschwindigkeit zur Verminderung der Muster-Inspektionszeit ist eine entsprechend erhöhte Signalerfassungsgeschwindigkeit notwendig. In diesem Fall werden die im erfaßten Signal enthaltenen Störungen verstärkt (Fig. 2C), wodurch die Unterscheidung einer Differenz in der Signalintensität infolge Gegenwart oder Abwesenheit des Musters erschwert und die Zuverlässigkeit der Ergebnisse beträchtlich

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beeinträchtigt wird. Wird jedoch die Signalintensität mit stark unterscheidbarem Unterschied zwischen Muster- und Nichtmusterbereichen (Fig. 2D) erhalten, so ist zu erwarten, daß Gegenwart oder Abwesenheit des Musters richtig erkannt werden, auch wenn starke Störungen im. erfaßten Signal vorhanden sind. Mit anderen Worten, ist die Maske selbst so aufgebaut, daß sie bei der Abtastung durch einen Elektronenstrahl einen hohen Kontrast bietet (Verhältnis der Intensität eines auf ein musterbezogenen Signals zur Intensität eines auf das Fehlen eines musterbezogenen Signals und umgekehrt, das heißt das Verhältnis der höheren zu niedrigeren Intensität), so kann die Signalerfassungsgeschwindigkeit ohne Verschlechterung der Zuverlässigkeit der erfaßten Ergebnisse verbessert werden.

Fig. 3 zeigt in graphischer Darstellung Versuchsergebnissse, bei denen der Kontrast des aus den rückgestrahlten Elektronen gewonnenen Signals bei Bestrahlung mit Elektronenstrahlen für Maskenproben gemessen wurde, die den gleichen Aufbau wie die der Fig. 1A haben und einen Film aus Indiumoxid (In-O-) (das tatsächlich verwendete Material enthielt eine kleine Menge an Sn und hatte ein Verhältnis von In/O, das etwas von 2/3 abwich) mit einer Stärke von d.s-0,2 μΐη Stärke als transparenter leitfähiger Schicht 2 und Cr-Filmen verschiedener Dicke d„ als Musterfilm 3. Fig. 3 zeigt, daß die Probe mit einer Stärke von d„ = 0,1 um den stärksten Kontrast liefert. Ein maximaler Kontrast von nur etwa 1,1 erlaubt jedoch keine Erhöhung der Prüfgeschwindigkeit. Ein Hauptgrund für den geringen Kontrast dürfte der Einfluß des darunter liegenden leitfähigen Materials auf die Intensität des aus den rückgestreuten Elektronen gewonnenen Signals sein, der sich aus dem Eindringen oder Durchdringen eines auftreffenden Elektronenstrahls durch den Cr-FiIm 3 ergibt. Zwar würde bei einer Erhöhung der Dicke

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d„ des Cr-Films 3 auf einen Wert, bei dem die vom darunterliegenden Material rückgestreuten Elektronen vernachlässigbar sind, eine Signalintensität ergeben, die eine Differenz im Oberflächenmaterial anzeigt· Es ist jedoch festgestellt v/orden, daß eine Dicke d„ vom mehr als etwa 0,5 μπι zu diesem Zweck bei einer Elektronenstrahl-Beschleunigungsspannung von 20 kV notwendig ist. Ferner macht es eine erhöhte Dicke d„ des Musterfilms schwierig, ein feindefiniertes Muster zu bilden. Obwohl die erforderliche Musterdicke verringert werden kann, wenn die Elektronenstrahl-Beschleunigungsspannung abgesenkt wird, verschlechtert sich infolge der Verringerung des Strahlstroms und der Instabilität der Strahllage das S/N-Verhältnis.

Durch die Erfindung soll eine Fotomaske geschaffen werden, bei der der Kontrast des auf ein Muster bezogenen Informationssignals, das aus der Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl erhalten wird, hoch ist.

Die erfindungsgemäße Fotomaske ernthält auf einem transparenten Substrat einen transparenten Film aus leitfähigem Material und einen lichtabschirmenden Film mit einem vorbestimmten Muster. Nach einem Aspekt der Erfindung besteht der Musterfilm aus einem metallischen Element mit einer Atomzahl von wenigstens 25 (vorzugsweise wenigstens 72) oder aus einer das Metallelement enthaltenden Masse. Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist das Verhältnis des Elektronen-Rückstrahlkoeffizienten des Musterfilms zu dem des transparenten leitfähigen Films gleich oder größer als etwa 1,3 (der Optimalwert liegt bei 1,5 oder mehr). Ferner ist vorzugsweise die Dicke des Musterfilms gleich oder größer als etwa das 0,2-fache (als Optimalwert das 0,5-fache) des mittleren Bereichs der Elektronen in dem den Musterfilm bildenden Material.

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Fig.	1A
bis	IC
Fig.	2A
bis	2C

Durch die erfindungsgemäße Maske läßt sich der Kontrast eines rausterbezogenen Informationssignals (rückgestrahlte Elektronen, Sekundärelektronen, Absorptionsstrom usw.),'das aus der Bestrahlung der Maske mit einem Elektronenstrahl erhalten wird, beträchtlich verbessern.

Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiele. Es zeigen:

Querschnitte von Beispielen der Fotomaske gemäß der DE-OS 28 32 151.9,

schematisch den Verlauf von Signalen, die bei der Abtastung eines Musters auf einer Fotomaske gemäß Fig. 1A mit einem Elektronenstrahl in der Nähe des Musters gewonnen wurde,

Fig. 2D schematisch den Signalverlauf zur Erläuterung eines idealen Kontrastes der Signalintensität zwischen ein Muster tragenden und kein Muster tragenden Bereichen,

Fig. 3 in einem Diagramm die bei Untersuchungen der Fotomaske der Fig. 1A ermittelte Abhängigkeit des Konstrastes der rückgestreuten Elektronen von der Musterfilmstärke,

Fig. 4 in einem Diagramm die Abhängigkeit des Rückstreukoeffizienten η eines dünnen Films von der Dicke des dünnen Films, zur Erläuterung des Prinzips der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5 im Diagramm die Abhängigkeit des Rückstreukoeffizienten η für ein Bauelement mit einem auf einem

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Substratmaterial gebildeten dünnen Film von der Stärke des dünnen Films, zur Erläuterung des Prinzips der vorliegenden Erfindung/

Fig. 6 im Diagramm die Abhängigkeit des !Contrasts bei einer Maske mit einem Musterfilm aus einem leitfähigen Film von der Dicke des Musterfilms, zur Erläuterung der Erfindung,

Fig. 7 den Querschnitt des Hauptteils einer erfindungsgemäßen Fotomaske,

Fig. 8 im Diagramm den Kontrast bei Änderung der Dicke des Au-Films in der Fotomaske der Fig. 7,

Fig. 9

und 10 im Querschnitt den Hauptteil von Fotomasken nach weiteren Ausfuhrungsformen der Erfindung.

Das Prinzip und verschiedene Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der Figuren 4 bis 10 erläutert.

Die allgemeine Abhängigkeit zwischen der Dicke eines dünnen Films und der Intensität der von dem dünnen Film rückgestrahlten Elektronen (oder die Menge der als rückgetrahlte Elektronen je Zeiteinheit erzeugten Ladungen) bei Bestrahlung desselben mit einem Elektronenstrahl, ist in Fig. 4 gezeigt. Auf der Ordinate ist die Intensität der rückgestrahlten Elektronen, normalisiert durch einen Strahlstrom (d.h. einen in den dünnen Film eintretenden Strom) aufgetragen. Die normalisierte Intensität ist gleich dem sogenannten Rückstreukoeffizienten η, der den Gesamtstrom oder die Gesamtzahl der je auftreffendes Elektron erzeugten rückgestreuten Elektronen definiert. Fig. 4 zeigt, daß die Intensität der rückgestrahlten Elektronen mit steigender Filmdicke d ansteigt, daß jedoch ein konstanter Wert erreicht wird, der von dem den Film bildenden Material abhängig ist, wenn

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BAD ORIGINAL

die Dicke d die Hälfte des Hauptbereichs R der Elektronen im den Film bildenden Material überschreitet. Die Größe R

ist definiert als Eindringtiefe, bei der die mittlere Energie in ein Material eintretender Elektronen gleich Null wird. Diese Tiefe ist abhängig von der Art des verwendeten Materials und von der Strahlbeschleunigungsspannung.

Wenn ein dünner Film aus einem Material mit dem Rückstreukoeffizienten n„ auf einem Material mit einem Rückstreukoeffizienten H₁ ausgebildet wird, dürfte die Abhängigkeit zwischen der Intensität der rückgestreuten Elektronen oder der Rückstreukoeffizient η für die gesamte Struktur und die Dicke d des dünnen Films gemäß Fig. 5 verlaufen, wenn η. kleiner ru. Bei einer Maske, bei der ein Muster aus einem Material mit dem Rückstreukoeffizienten n₂ auf einem leitfähigen Substrat mit einem Rückstreukoeffizienten H₁ (oder ein Glassubstrat mit einem leitfähigen Oberflächenfilm) gebildet wird, ist ein Kontrast gemäß Fig. 6 zu erwarten. Aus Fig. 6 läßt sich erkennen, daß der erreichbare maximale Kontrast gleich dem Verhältnis ru/η.. ist., und die Dicke d des das Muster bildenden Films wenigstens R /2 betragen muß, um den maximalen Kontrast zu erzielen. Aus den vorstehenden Ausführungen läßt sich erkennen, daß die folgenden Bedingungen zur Verbesserung des Kontrastes einer leitfähigen Maske vorteilhaft sind:

1. Verwendung eines Materials zur Bildung des Musters, das

einen kleineren Wert von R aufweist und

2. Wahl des den Musterfilm und des den leitfähigen Film bildenden Materials mit einem großen Verhältnis zwischen den Rückstreukoeffizienten η beider Materialien.

Andererseits ist bekannt, daß ein Material mit einem kleineren Wert von R im allgemeinen mit einem Material mit einem größeren

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Wert von η übereinstimmt; ein solches Material ist ein Element mit einer größeren Atomzahl oder eine Zusammensetzung desselben, beispielsweise eine Masse oder ein Gemisch. Demzufolge können die obigen Bedingungen 1 und 2 wie folgt dargestellt werden;

3. Bevorzugte Verwendung eines Materials zur Bildung des Musters, dessen Rückstreukoeffxzient η (oder Atomzahl Z) einerseits so groß wie möglich ist und andererseits Verwendung eines den leitfähigen Film bildenden Materials mit einem Rückstreukoeffizienten η (oder einer Atomzahl Z), die so klein wie möglich sind.

Bei Verwendung eines zusammengesetzten Materials, beispielsweise einer Masse oder einem Gemisch kann als Atomzahl Z das gewichtete Mittel der jeweiligen Atomzahlen der Bestandteile genommen werden. Beispielsweise ist das gewichtete Mittel einer Zusammensetzung A B mit einem Element A der Atomzahl Z und einem Element B der Atomzahl Z definiert als (xZ_A + yZ_B)/(x + y).

Glas, das normalerweise als Maskensubstrat verwendet wird, hat einen kleineren Wert von η. Selbst wenn daher der leitfähige Film auf dem Glassubstrat aus einem Material mit höherem η gebildet wird, liegt die Intensität der vom leitfähigen Film rückgestreuten Elektronen in der Nähe der des Glassubstrats, wenn der leitfähige Film dünner ausgeführt wird. Es ist daher möglich, den Rückstreukoeffizienten η des leitfähigen Films klein zu halten. Das η des leitfähigen Films kann in diesem Fall als "effektiver" Rückstreukoeffxzient bezeichnet werden, und es sei darauf hingewiesen, daß der Begriff "Rückstreukoeffxzient¹¹ bezüglich des leitfähigen Films den effektiven

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Rückstreukoeffizienten umfaßt.

Das Erfordernis nur für die obige Bedingung 2 kann erfüllt werden durch Kombination eines leitfähigen Substrats mit einem größeren Wert von η und einem Musterfilm mit einem kleineren Wert von η. In diesem Fall läßt sich jedoch kein ausreichender Kontrast erreichen/ wenn nicht der Musterfilm dicker ausgeführt wird. Die erhöhte Dicke des Musterfilms macht aber die Bildung eines feindefinierten Musters schwierig.

Die vorstehenden Ausführungen beziehen sich auf die Maskenanordnung der Fig. 1A. Das gleiche gilt für die Maskenanordnungen der Figuren 1B und 1C. Ähnliches gilt, wenn statt rückgestreuter Elektronen Sekundärelektronen oder der Absorptionsstrom erfaßt werden. Da Sekundärelektronen nicht nur durch Primärelektronen erzeugt werden, die auf eine Probenfläche auftreffen/ sondern auch rückgestreute Elektronen, die in der Nähe der Oberfläche durchtreten, ist der Koeffizient S der' Erzeugung von Sekundärelektronen (oder die Anzahl der je auftreffendes Elektron erzeugten Elektronen) durch folgende Gleichung ausdrückbar:

⁶ = ⁶SE ^{+ n<S}RE ^; - (1)

Hierin sind <$„„ die Anzahl der je auf treffendes Elektron direkt erzeugten Sekundärelektronen und δ die Anzahl der je rückgestreutes Elektron erzeugten Sekundärelektronen. Die Gleichung (1) zeigt, daß <5 mit steigendem η größer wird und damit eine Maske mit hohem durch die Rückstreuelektronen verursachtem Kontrast, d.h. eine Maske mit einem großen Verhältnis zwischen den Rückstreukoeffizienten η der ein Muster und der

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kein Muster aufweisenden Bereiche ist auch vorteilhaft hinsichtlich der Erzielung eines großen Verhältnisses zwischen den Sekundärelektronen-Erzeugungskoeffizienten δ.

Ist der in eine Probe eintretende Strom gleich I-, so läßt sich der Absorptionsstrom I_Ä„ wie folgt ausdrücken:

¹AE ^{= 1}O

Aus Gleichung (2) ergibt sich, daß die Kombination von Materialien mit stark unterschiedlichem Rückstreukoeffizienten η zu einer großen Differenz zwischen den Absorptionsströmen I_n„ führt. Daher ist eine Maske mit hohem/ durch die Rückstreuelektronen verursachtem Kontrast auch vorteilhaft hinsichtlich der Erzielung eines hohen Kontrastes des Absorptionsstroms.

Für eine auf der Basis des obigen Prinzips ausgeführte erfindungsgemäße Fotomaske wurde festgestellt, daß ein metallisches Element mit einer Atomzahl Z von wenigstens 72, d.h. ein Schwermetall wie Wolfram (Z = 74), Gold (Z = 79) und Platin (Z = 78) oder eine das metallische Element enthaltende Zusammensetzung vorzugsweise als Material zur Bildung des Musters verwendet werden kann. Es wurde ferner festgestellt, daß das Verhältnis des Rückstreukoeffizienten η2 des Musterfilms zum Rückstreukoeffizienten η., des transparenten leitfähigen Films vorzugsweise gleich oder größer als etwa 1,3 (optimal gleich oder größer 1,5) und die Dicke des Musterfilms vorzugsweise gleich oder größer als etwa das 0,2-fache (optimal das 0,5-fache) des mittleren Bereichs R der Elektronen in dem den Musterfilm bildenden Material zu wählen ist.

Fig. .7 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen

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Fotomaske. Auf der gesamten oberen Oberfläche eines transparenten Glassubstrats 1 ist ein transparenter leitfähiger Film aus Indiumoxid (In-O-) mit einer Dicke d. ausgebildet, auf dem wiederum ein Goldfilm 3' mit einem vorbestimmten Muster mit einer Stärke d„ ausgebildet ist. In Fig. 7 ist aus Zweckmäßigkeitsgründen zwar nur ein Goldfilm 3' gezeigt, dieser enthält jedoch einen durchgehenden Film mit einem komplizierten Muster oder mehrere getrennte Filme. Ein dünner Chrom- oder Titanfilm 5 zwischen dem Goldfilm 3' und dem transparenten leitfähigen Film 2 mit einer Stärke von etwa 0,01 um (bei diesem Beispiel) dient zur Verbesserung der Haftung zwischen dem Goldfilm 3¹ und dem In₂O₃-FiIm 2.

Nimmt man

die Dicke d₁ des In'0-.-Films 2 bei der in Fig. 7 gezeigten Maske als Parameter und ändert die Dicke d des Goldfilms 3¹, so ergibt sich der Kurvenverlauf der Fig. 8. Kurve A gilt für den Fall von d* = 0,2 μΐη und Kurve B für den Fall von d₁ = 0,01 bis 0,02 um. Der Kontrast der Fotomaske für einen gegebenen Wert der Dicke des Musters oder des Goldfilms läßt sich durch Änderung der Dicke d₁ des transparenten leitfähigen Films 2 steuern. Wenn beispielsweise der Goldfilm 3^l eine Dicke von d„ = 0,1 um aufweist, beträgt bei d = 0,2 um der Kontrast etwa 1,5 und bei d ungefähr gleich 0,01 bis 0,02 um etwa 3,3. Durch Änderung d.. in einem Bereich zwischen 0,2 lim und 0,01 um läßt sich also ein Kontrast im Bereich von 1,5 bis 3,3 erzielen. Je kleiner die Dicke d. ist, um so größer wird der Kontrast. Der bei d₁ ^ 0,2 um erzielte Kontrast wird gegenüber sämtlichen Dicken des Goldfilms 3' verglichen mit dem Fall der Fig. 3, in dem ein Chrom-Musterfilm verwendet wird, beträchtlich verbessert. Auch läßt sich sagen, daß ein geringer Wert 1,3 des Kontrastes im Vergleich mit Fig. 3 ausreichend praktisch ist. Dieser Kontrastwert von 1,3 ist der maximal erzielbare Kontrast, wenn ru/H-i ⁼ ^'^

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erfüllt ist (η..: Rückstreukoeffizient des transparenten leitfähigen Films 2, η„: Rückstreukoeffizient des Goldfilms 3'). Entsprechend läßt sich sagen, daß bei η /n^ έ 1,3 (vorzugsweise ^ 1/5) ein für die praktische Anwendung ausreichender Kontrast erzielt wird.

Fig. 8 zeigt weiter, daß der Kontrastwert bei einer Goldfilmdicke von ä 0,15 bis 0,2 μ,τα in die Sättigung geht; d.h., eine Goldfilmdicke von 0,15 bis 0,2 μπι ist für die Erzielung eines maximalen Kontrasts ausreichend. Daher läßt sich der maximale Kontrast mit verhältnismäßig geringer Filmdicke erzielen. Aus der Erläuterung der Fig. 6 ergibt sich, daß die den maximalen oder den Sättigungskontrast ergebende Dicke gleich oder größer ist als etwa das 0,5-fache des mittleren Bereichs R

der Elektronen im den Musterfilm 3¹ bildenden Goldmaterial. Berücksichtigt man, daß, selbst wenn der Goldfilm 3' eine geringere Dicke hat als den oben erwähnten Wert (beispielsweise 0,1 um entsprechend dem 0,2-fachen von R ) der Kontrast ausreichend höher ist als im Fall der Fig. 3 bei Verwendung des Cr-Films. Eine praktisch annehmbare Dicke des Goldfilms 3' ist gleich oder größer als etwa 0,2 . R und optimal etwa 0,5 · R .

Bei Verwendung von Wolfram (W)(Z = 74) und Platin (Pt) (Z = 78) lassen sich ähnlich günstige Ergebnisse erzielen wie bei Gold (Au) (Z = 79), für das die Meßwerte in Fig. 8 aufgetragen sind.

Eine Untersuchung verschiedener Materialien führte zu dem Ergebnis, daß wenigstens ein von einem metallischen Element gewähltes Material mit einer Atomzahl von wenigstens 72 oder eine das metallische Element enthaltende Zusammensetzung zu bevorzugten Ergebnissen führt. Geeignete metallische Elemente außer Au, W und Pt sind Tantal (Ta) (Z = 73) und Blei (Pb) (Z=82)

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Ferner hat sich gezeigt, daß ein metallisches Element mit einer Atomzahl größer als der von Chrom (Cr)(Z = 24), d.h. einer Atomzahl von nicht weniger als 25 / beispielsweise Molybdän •(Mo)(Z = 42) verwendbar ist.

Der transparente leitfähige Film kann aus Indiumoxid oder NESA-Glas bestehen. Die Verwendung eines Oxids eines metallischen Elements mit einer Atomzahl kleiner der von Indium (In) (Z = 49), Zinn (Sn) (Z = 50), beispielsweise Titan (Ti) (Z = 22), Zink (Zn) (Z = 30) kann einen höheren Kontrast liefern.

Die Erfindung ist statt auf den Fotomaskenaufbau der Fig. 1A auch auf den der Figuren 1B und 1C anwendbar. Fig. 9 zeigt eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Fotomaske, bei der auf einem transparenten Substrat 1 aus Isoliermaterial wie Glas und einem transparenten leitfähigen Film 2 ein Maskenmuster 3' aus einem Schwermetall ausgebildet ist. Fig. 10 zeigt eine dritte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Fotomaske , bei der auf einem transparenten Substrat 4 aus einem leitfähigen Material ein Maskenmuster 3' aus Schwermetall ausgebildet ist. In den Figuren 9 und 10 ist ein Film zur Verbesserung der Haftung zwischen dem Musterfilm 3' und dem leitfähigen Film 2 oder dem leitfähigen Substrat 4 ebenso wie in Fig. 7 mit 5 bezeichnet.

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Claims

SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK MARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 95Ο16Ο, D-8OOO MÜNCHEN 95 ALSO PROFESSIONAL REPRESENTATIVES BEFORE THE EUROPEAN PATENT OFFICE KARL LUDWIQ SCHIFF (1964-1078) DIPL. CHEM. DR. ALEXANDER V. FÜNER DIPL. INQ. PETER STREHL DIPL, CHEM. DR. URSULA SCHUaEL-HOPF DIPL. INQ. DIETER EBBINQHAUS DR. INQ. DIETER FINCK Telefon (oaa)-teaoo« TELEX B-S3 5SS AURO O TELEGRAMME AUROMARCPAT MÜNCHEN VLSI TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION DEA-14559 26. Februar 1980 FOTOMASKE Patentansprüche

1. Fotomaske, gekennzeichnet durch ein transparentes Substrat (1 oder 4) mit einem transparenten Oberflächenfilm (2) aus leitfähigem Material, und durch einen auf dem Substrat ausgebildeten Lichtabschirmfilm (3¹) mit vorbestimmtem Muster, der aus einem metallischen Element mit einer Atomzahl von wenigstens 25 oder einer das metallische Element enthaltenden Zusammensetzung besteht (Fig. 7, 10).

2. Fotomaske, gekennzeichnet durch ein transparentes Substrat (1) und durch einen auf dem Substrat ausgebildeten Lichtabschirmfilm (3¹) mit einem vorbestimmten

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Muster, der aus einem metallischen Element mit einer Atomzahl von wenigstens 25 oder einer das metallische Element enthaltenden Zusammensetzung besteht, und durch einen transparenten Film (2) aus leitfähigem Material auf einer Oberfläche des Substrats einschließlich dem Musterfilm (Fig. 9).

3. Fotomaske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des Elektronen-Rückstreukoeffizienten des Musterfilms (3¹) zu dem des transparenten leitfähigen Films (2) gleich oder größer ist als etwa 1,3. ,

4. Fotomaske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Musterfilms (3¹) gleich oder größer ist als das etwa 0,2-fache des mittleren Bereichs der Elektronen in dem den Musterfilm bildenden Material.

5. Fotomaske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Element aus Gold, Platin, Wolfram, Tantal, Blei oder Molybdän besteht.

6. Fotomaske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e η η - zeichnet, daß die Dicke des transparenten leitfähigen Films (2) höchstens etwa 0,2 μΐη beträgt.

7. Fotomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (4) aus einem leitfähigen Material besteht und der transparente leitfähige Film auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist.

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8. Fotomaske nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Haftfilm (5) zwischen dem transparenten leitfähigen Film (2) und dem Musterfilm (3¹).

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