DE2830382A1 - Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen - Google Patents
Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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Description
Leistungsthyristor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung
derartiger. Thyristoren, in Stromrichterschaltungen
Die Erfindung betrifft einen Leistungsthyristor mit mindestens zwei auf der kathodenseitigen Basiszone angeordneten
Elektroden, wobei eine der beiden Elektroden als Steuerelektrode (Zündgate) und die zweite Elektrode zur Entnahme
eines Stromes (Generatorgate) verwendet wird; sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Thyristoren und eine
Verwendung derartiger Thyristoren in Stromrichterschaltungen, in denen mehrere Thyristoren parallelgeschaltet sind.
In grossen Anlagen der Leistungselektronik müssen häufig mehrere Thyristoren parallel geschaltet werden. Dabei ist
es möglich, dass bei ungünstigen Betriebsbedingungen einzelne Elemente nicht zünden oder bei niedrigen Strömen ausgehen.
Bei einem nachfolgenden Stromanstieg können dann die eingeschalteten Thyristoren überlastet und zerstört
werden. Zur Vermeidung solcher Ausfälle müssen gegenwärtig relativ aufwendige Massnahmen in der Schaltung getroffen
werden (vgl.z.B. DE-OS 26 12 549).
Aus der DE-OS 21 46 178 ist nun ein Thyristor bekannt5 auf
dessen kathodenseitiger Basiszone mehrere Elektroden vorgesehen sind. Ein Amplifyinggate (Hilfsthyristor) steuert
dabei über sperrschichtfreie Leitungen mehrere über die Thyristoroberfläche verteilte Zündelektroden an, um einen
gleichmässigeren Zündvorgang zu gewährleisten. Ein von dem
Amplifyinggate des gezündeten Hauptthyristors entnommener Strom reicht indessen nicht aus, um einen entsprechenden
parallelgeschalteten Thyristor zu zünden.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Thyri-
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stor anzugeben, dessen Zünd- und Generatorgate derart
dimensioniert sind, dass der von einem gezündeten Thyristor gelieferte Generatorstrom ausreicht, um einen entsprechenden
nichteingeschalteten Thyristor zu zünden. Dabei soll der Anodenstrom, J , des gezündeten Thyristors kleiner sein,
als sein Stossstromgrenzwert, vorzugsweise aber kleiner als das dreifache des Dauergrenzstromes. Ferner soll ein Verfahren
zur Herstellung derartiger Thyristoren angegeben werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die Merkmale des
kennzeichnenden Teils der Ansprüche 1 und 5 gelöst. Eine weitere Ausgestaltung dieser Merkmale ist in den Unteransprüchen
offenbart.
Weitere Einzelheiten sowie Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand von Zeichnungen näher erläutert
.
Es zeigt:
Fig. 1 schematisch den Querschnitt eines bekannten Thyristors,
Fig. 2 das Ersatzschaltbild eines Thyristors nach Fig. 1 im gezündeten Zustand,
Fig. 3 eine Draufsicht auf einen Thyristor nach der Erfindung (ohne Kathodenmetallisierung),
Fig. 4 einen Querschnitt des Thyristors nach Fig. 3 entlang der Schnittlinie S-S,
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Fig. 5 eine Schaltungsanordnung mehrerer parallel geschalteter Thyristoren nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein Thyristor dargestellt, dessen Kathoden-, P-Basis-, N-Basis-, und Anodenzone mit 1, 2, 3 und 4· bezeichnet
sind. Die jeweiligen Zonenübergänge sind mit J1 ,
J- und J benannt. Die Kathoden- und Anodenzone sind mit den Kontakten K und A und die P-Basiszone 2 mit dem Gate G
versehen. Unter dem Gate G weist die P-Basiszone 2 eine höhere (P ) Dotierung auf als unter der Kathodenzone 1.
Soll das Gate als Zündgate wirken, so muss der zwischen Kathodenzone 1 und Gate liegende laterale Widerstand R„v
bis.
möglichst klein sein, weil dann die über diesem Widerstand abfallende Spannung klein ist und die am Gate liegende
Spannung unmittelbar auf den Zonenübergang J1 wirkt. Vorzugsweise
soll der an dem Widerstand Rnv. abfallende Span-
bl\
nungsabfall bei dem minimalen Zündstrom Ii, kleiner als
0,2 V betragen. Der Thyristor zündet aann selbst bei kleiner Anodenspannung.
Um den Bahnwider stand R_,v möglichst klein zu
oJS.
machen wird der Abstand zwischen Gate, bzw. gateseitigen Rand der P -Zone 5, und dem gateseitigen Rand der Kathodenzone
1 möglichst klein gemacht. Eine weitere Möglichkeit die Zündempfindlichkeit zu erhöhen besteht darin, den
kathodenseitigen Gaterand möglichst kurz zu wählen.
Anders als im Falle des Zündgates ist bei der Dimensionierung des Generatorgates zu beachten, dass der zwischen
Gate, bzw. der P -Zone, und der Kathodenzone 1 befindliche laterale Widerstand R£K möglichst gross gewählt wird. Mindestens
sollte R' dreimal grosser sein als Rn,,. Dieses
bi\ bÄ
soll anhand des in Fig. 2 dargestellten Ersatzschaltbildes eines gezündeten Thyristors erläutert werden. Danach besteht
der gezündete Thyristor zwischen Kathodenkontakt K
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und Anodenkontakt A aus einer in Flussrichtung gepolten, durch den Uebergang J, gebildeten Diode und zwei den
ohmschen Spannungsabfall im überschwemmten Gebiet (P- und N-Basiszone 2 und 3) charakterisierenden Widerstände R-.
und R„. Zwischen Gate G und Anode A liegt hingegen eine
reine Transistorstruktur. Dieser Transistor T wird durch den lateralen Elektronenstrom in der N-Basis 3 über einen
entsprechenden Bahnwiderstand R„ angesteuert. Sobald nun
die Kollektor-Emitterspannung an dem Thyristor die Sättigungsspannung U .. . überschreitet, fliesst ein konstanter
Kollektorstrom I . Der vom Gate G entnehmbare Strom I,
ist | dann: | 1G | = 1C ■ | ugk - Uj1 |
RGK | ||||
Je nach Grosse des Bahnwiderstandes Ri11x. in der P-Basiszone
his.
2 überlagert sich dem Kollektorstrom I noch ein weiterer Strom. Eine Erhöhung des Generatorstromes Ig ist also
- abgesehen von der Wahl eines längeren Gaterandes - im wesentlichen dadurch möglich, dass der Bahnwiderstand und/
oder der Kollektorstrom I entsprechend gross gewählt werden. Einen grossen Wert für I erhält man insbesondere
dann, wenn der durch den Thyristor fliessende Strom J
entsprechend gross gewählt wird, da I s** \J j ist; wobei
j die Stromdichte des gezündeten Thyristors unterhalb der Kathode bedeutet. Für grosse Widerstandswerte RI„ kann
das Gate im Idealfall den Strom I bei einer Spannung von
U. v - U ..... liefern.
AK .sattig
AK .sattig
Aus den vorstehenden Ausführungen folgt, dass es wenig sinnvoll wäre bei parallelgeschalteten Thyristoren nur
jeweils ein einziges Gate zu verwenden und diese unterein-
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ander zu verkoppeln, weil die Forderungen nach grossen Generatorströmen
oder hoher Zündempfindlichkeit entweder zu entgegengesetzten Lösungen führen (grosser bzw. niedriger
Bahnwiderstand Rn ', lange bzw. kurze Randlänge des Gates)
oder aber Ströme J erfordern, die ein Vielfaches des Nennstromes betragen können. Letzteres liesse sich aber nur
selten realisieren, weil die Gefahr bestände, dass jeweils der gezündete Thyristor zerstört werden würde. So betrug
beispielsweise bei einem im Handel erhältlichen Thyristor mit Zentralgate und einer Randlänge von 2,4 cm, der erforderliche
Zündstrom 4-15 mA. Der Generatorstrom I„ hingegen
betrug selbst bei einem Strom J von 1500 A (i «i 100 A/cm)
° ο Jo
nur 2M-0 mA und reichte daher nicht aus, um einen parallelgeschalteten
entsprechenden Thyristor zu zünden.
In den Figuren 3 und 4 ist dieser Thyristor mit geänderter Gatestruktur dargestellt. Weder die mit 6 bezeichneten
EmitterkurζSchlüsse noch die Dotierungen oder Abmessungen
der Zonen 3 und 4· wurden geändert. Hingegen wurde das
Zentralgate durch die beiden nebeneinanderliegenden Gates,
2Θ das Zündgate ZG und das Generatorgate GG, ersetzt. Die
Randlänge des Zündgates ZG beträgt 1 cm und diejenige des Generatorgates GG ist etwa doppelt so lang. Der Bahnwiderstand
zwischen Zündgate ZG und Kathodenzone 1 wurde von ursprünglich 300 yum auf 50 bis 100 tun verringert. Zur Zündung
reicht dann eine Gatespannung von 1 V bei einem Zündstrom von nur 17 5 mA aus.
Der Abstand zwischen Gate und Kathode, gemessen vom kathodenseitigen
Rand der P -Zone 5" bis zum gateseitigen Rand der Kathodenzone 1, beträgt 100 bis 200yum. Zur Erhöhung
des entsprechenden Bahnwiderstandes R' erfolgt eine zusätzliche
Aetzung eines Grabens 7 in der P-Basis 2. Der
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Graben weist eine Tiefe von 30 bis 4-0 Jum auf. Diese Grabenätzung
bietet den Vorteil, dass der Widerstand RIV stark
erhöht werden kann, ohne dass der Abstand des Gates von der Kathodenzone zuzunehmen braucht.
Zur Kontaktierung weisen die Gates nebeneinander liegende metallisierte Flächen 8, 81 auf. Für den Thyristor sind
diese Bereiche völlig passiv. Zur Isolierung gegen die P-Basis 2 wird die Metallisierung auf eine dünne Oxidschicht
(1500 bis 2000 A) 9 aufgebracht. Der Stromstoss, der bei einem Spannungsanstieg in diesem Bereich entsteht, kann
über benachbarte Kurzschlüsse 10 an die Kathode abgeführt werden.
Wie aus Fig. 5 ersichtlich ist, kann zur Verkopplung mehrerer parallelgeschalteter Thyristoren Th,, Th , Th- jeweils
das Generatorgate GG des einen direkt mit dem Zündgate ZG . des nächsten Thyristors verbunden werden.
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Claims (7)
1. Leistungsthyristor mit mindestens zwei auf der kathodenseitigen
Basiszone angeordneten Elektroden, wobei eine der beiden Elektroden als Steuerelektrode (Zündgate) und
die zweite Elektrode zur Entnahme eines Stromes (Generatorgate) verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass
der zwischen dem Generatorgate, GG, und der Kathodenzone (1) befindliche laterale Bahnwider stand, RI1,, und/
la Jx
oder die Randlänge des Generatorgates, GG, so gross gewählt
sind/ist, dass der am Generatorgate, GG, des gezündeten Thyristors - bei einem Anodenstrom, der kleiner
als der Stossstromgrenzwert des jeweiligen Thyristors
ist - entnehmbare Strom, I_, ausreicht, um einen entsprechenden parallelgeschalteten Thyristor über
dessen Zündgate, ZG, zu zünden, und dass der zwischen Zündgate, ZG, und Kathodenzone (1) liegende laterale
Widerstand, Rq^j möglichst klein (RG„ -<
R^) gewählt ist, damit die an dem Zündgate, ZG, liegende Zündspannung
direkt auf den kathodenseitigen Emitterübergang, J1, wirken kann.
2. Leistungsthyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für einen Thyristor mit Emitterkurzschlüssen
(6) zwischen den lateralen Widerständen, · Rp^. bzW'Rpi- , die zwischen Generatorgate bzw. Zündgate
und Kathodenzone (1) liegen, die folgenden beiden Beziehungen gelten:
RGK .<
1
RG.K - 3
RG.K - 3
1G · RGKS0'2 V
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wobei mit II der minimale Gatestrom bezeichnet ist s bei
dem der Thyristor noch zündet.
3. Leistungsthyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils ein Zündgate, ZG, und ein Generatorgate,.
GG, nebeneinander angeordnet sind, dass die Kontaktierung des Gates mit der Basiszone (2) über einen schmalen
'der Kathode zugewandten Randbereich (5, 5', 5") erfolgt,
unter dem die Randkonzentration der Basiszone (2) grosser ist, als in dem Bereich zwischen Gate und Kathodenzone
(1), und dass zwischen dem übrigen Teil des Gates und der Basiszone (2) sich eine 500 bis 2000 A dicke Isolierschicht
(9) befindet.
4. Leistungsthyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass parallel zu dem Teil des Gates, der gegenüber der Basiszone (2) isoliert ist, jeweils ein streifenförmiger
Emitterkurzschluss (10) vorgesehen ist.
5. Verfahren zur Herstellung eines Thyristors nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass ausgehend von
einer bestimmten Thyristorstruktur die gewünschte Zündempfindlichkeit des Zündgates durch Verkleinerung des
zwischen Gate, ZG, und Kathodenzone (1) befindlichen
lateralen Bahnwiderstandes, Rei<s eingestellt wird und
. dass der erforderliche Generatorstrom durch Vergrösserung des entsprechenden lateralen Bahnwiderstandes, R'v,
und/oder durch Erweiterung der Randlänge des Generatorgates , GG, eingestellt wird.
6- Verfahren nach Anspruch I3 dadurch gekennzeichnet., dass
der laterale Bahnwiderstand, R^>, zwischen Generatorgate, GG, und Kathodenzone (1) dadurch vergrössert wird,
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dass in diesem Bereich der Basiszone ein etwa 30 bis 40 /tun tiefer Graben geätzt wird.
JUJIl
7. Verwendung der Thyristoren nach Anspruch 1 bis 3, in
einer Stromrichterschaltung, in der mehrere Thyristoren parallel geschaltet sind, wobei jeweils das Generatorgate, GG, des einen direkt mit dem Zündgate, ZG, des
nächsten Thyristors verbunden ist.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH652278A CH630491A5 (de) | 1978-06-15 | 1978-06-15 | Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2830382A1 true DE2830382A1 (de) | 1979-12-20 |
Family
ID=4310933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782830382 Withdrawn DE2830382A1 (de) | 1978-06-15 | 1978-07-11 | Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4231054A (de) |
JP (1) | JPS553698A (de) |
CH (1) | CH630491A5 (de) |
DE (1) | DE2830382A1 (de) |
FR (1) | FR2428919A1 (de) |
GB (1) | GB2023343B (de) |
IT (1) | IT1121080B (de) |
SE (1) | SE7905052L (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2471048A1 (fr) * | 1979-12-07 | 1981-06-12 | Silicium Semiconducteur Ssc | Structure et procede de montage d'un composant semi-conducteur principal et d'un circuit auxiliaire |
JPS5917862A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-30 | Hitachi Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの並列接続体 |
EP0240690B1 (de) * | 1986-03-05 | 1991-04-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit einstellbarem Basis-Emitter-Widerstand |
TW359024B (en) * | 1996-05-28 | 1999-05-21 | Winbond Electronics Corp | Stage silicon control rectifier protection circuit and the structure |
US6333664B1 (en) * | 2000-08-22 | 2001-12-25 | Agere Systems Guardian Corp. | Low operating power, high voltage ringing switch circuit |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1103389B (de) * | 1959-10-14 | 1961-03-30 | Siemens Ag | Schaltanordnung mit einer Vierschichthalbleiteranordnung |
US3364440A (en) * | 1965-03-31 | 1968-01-16 | Texas Instruments Inc | Inverter circuits |
GB1158256A (en) * | 1965-10-23 | 1969-07-16 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor Switch for Handling Rapidly Increasing Currents. |
SE338363B (de) * | 1967-03-16 | 1971-09-06 | Asea Ab | |
US3462620A (en) * | 1967-07-18 | 1969-08-19 | Int Rectifier Corp | Axial bias gate for controlled rectifiers |
DE1589536A1 (de) * | 1967-08-01 | 1970-03-05 | Bbc Brown Boveri & Cie | Steuerbarer Gleichrichter mit mindestens zwei Steuerelektroden |
DE1589538C3 (de) * | 1967-08-09 | 1974-01-10 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Thyristor |
US3486088A (en) * | 1968-05-22 | 1969-12-23 | Nat Electronics Inc | Regenerative gate thyristor construction |
US3740584A (en) * | 1971-06-08 | 1973-06-19 | Gen Electric | High arrangement frequency scr gating |
DE2146178C3 (de) * | 1971-09-15 | 1979-09-27 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Thyristor mit Steuerstromverstärkung |
DE2341211C3 (de) * | 1973-08-16 | 1978-09-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Thyristor |
DE2355507A1 (de) * | 1973-11-07 | 1975-05-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thyristorschaltung |
CH574168A5 (en) * | 1974-10-14 | 1976-03-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | Trial with efficient separation of control and transmission zones - has penetration depth of surface zone which allows control of current requirement |
-
1978
- 1978-06-15 CH CH652278A patent/CH630491A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-07-11 DE DE19782830382 patent/DE2830382A1/de not_active Withdrawn
-
1979
- 1979-05-22 US US06/041,332 patent/US4231054A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-11 SE SE7905052A patent/SE7905052L/ not_active Application Discontinuation
- 1979-06-13 GB GB7920571A patent/GB2023343B/en not_active Expired
- 1979-06-13 IT IT23510/79A patent/IT1121080B/it active
- 1979-06-13 FR FR7915136A patent/FR2428919A1/fr not_active Withdrawn
- 1979-06-13 JP JP7359579A patent/JPS553698A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH630491A5 (de) | 1982-06-15 |
IT7923510A0 (it) | 1979-06-13 |
GB2023343A (en) | 1979-12-28 |
SE7905052L (sv) | 1979-12-16 |
GB2023343B (en) | 1982-09-29 |
IT1121080B (it) | 1986-03-26 |
FR2428919A1 (fr) | 1980-01-11 |
JPS553698A (en) | 1980-01-11 |
US4231054A (en) | 1980-10-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAM | Search report available | ||
OC | Search report available | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |