DE2830382A1 - Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen - Google Patents

Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen

Info

Publication number
DE2830382A1
DE2830382A1 DE19782830382 DE2830382A DE2830382A1 DE 2830382 A1 DE2830382 A1 DE 2830382A1 DE 19782830382 DE19782830382 DE 19782830382 DE 2830382 A DE2830382 A DE 2830382A DE 2830382 A1 DE2830382 A1 DE 2830382A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gate
thyristor
ignition
generator
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19782830382
Other languages
English (en)
Inventor
Christian Ruetsch
Roland Dr Phil Sittig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri France SA filed Critical BBC Brown Boveri France SA
Publication of DE2830382A1 publication Critical patent/DE2830382A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1012—Base regions of thyristors
    • H01L29/102—Cathode base regions of thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42308—Gate electrodes for thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Description

Leistungsthyristor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung derartiger. Thyristoren, in Stromrichterschaltungen
Die Erfindung betrifft einen Leistungsthyristor mit mindestens zwei auf der kathodenseitigen Basiszone angeordneten Elektroden, wobei eine der beiden Elektroden als Steuerelektrode (Zündgate) und die zweite Elektrode zur Entnahme eines Stromes (Generatorgate) verwendet wird; sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Thyristoren und eine Verwendung derartiger Thyristoren in Stromrichterschaltungen, in denen mehrere Thyristoren parallelgeschaltet sind.
In grossen Anlagen der Leistungselektronik müssen häufig mehrere Thyristoren parallel geschaltet werden. Dabei ist es möglich, dass bei ungünstigen Betriebsbedingungen einzelne Elemente nicht zünden oder bei niedrigen Strömen ausgehen. Bei einem nachfolgenden Stromanstieg können dann die eingeschalteten Thyristoren überlastet und zerstört werden. Zur Vermeidung solcher Ausfälle müssen gegenwärtig relativ aufwendige Massnahmen in der Schaltung getroffen werden (vgl.z.B. DE-OS 26 12 549).
Aus der DE-OS 21 46 178 ist nun ein Thyristor bekannt5 auf dessen kathodenseitiger Basiszone mehrere Elektroden vorgesehen sind. Ein Amplifyinggate (Hilfsthyristor) steuert dabei über sperrschichtfreie Leitungen mehrere über die Thyristoroberfläche verteilte Zündelektroden an, um einen gleichmässigeren Zündvorgang zu gewährleisten. Ein von dem Amplifyinggate des gezündeten Hauptthyristors entnommener Strom reicht indessen nicht aus, um einen entsprechenden parallelgeschalteten Thyristor zu zünden.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Thyri-
909851/J0538
BBC Baden " : : / · .-"."'. 79/78
— 5 —
stor anzugeben, dessen Zünd- und Generatorgate derart dimensioniert sind, dass der von einem gezündeten Thyristor gelieferte Generatorstrom ausreicht, um einen entsprechenden nichteingeschalteten Thyristor zu zünden. Dabei soll der Anodenstrom, J , des gezündeten Thyristors kleiner sein, als sein Stossstromgrenzwert, vorzugsweise aber kleiner als das dreifache des Dauergrenzstromes. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung derartiger Thyristoren angegeben werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils der Ansprüche 1 und 5 gelöst. Eine weitere Ausgestaltung dieser Merkmale ist in den Unteransprüchen offenbart.
Weitere Einzelheiten sowie Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand von Zeichnungen näher erläutert .
Es zeigt:
Fig. 1 schematisch den Querschnitt eines bekannten Thyristors,
Fig. 2 das Ersatzschaltbild eines Thyristors nach Fig. 1 im gezündeten Zustand,
Fig. 3 eine Draufsicht auf einen Thyristor nach der Erfindung (ohne Kathodenmetallisierung),
Fig. 4 einen Querschnitt des Thyristors nach Fig. 3 entlang der Schnittlinie S-S,
909851 /0538
BBC Baden *: " . .- . .'-.-. 79/78
Fig. 5 eine Schaltungsanordnung mehrerer parallel geschalteter Thyristoren nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein Thyristor dargestellt, dessen Kathoden-, P-Basis-, N-Basis-, und Anodenzone mit 1, 2, 3 und 4· bezeichnet sind. Die jeweiligen Zonenübergänge sind mit J1 , J- und J benannt. Die Kathoden- und Anodenzone sind mit den Kontakten K und A und die P-Basiszone 2 mit dem Gate G versehen. Unter dem Gate G weist die P-Basiszone 2 eine höhere (P ) Dotierung auf als unter der Kathodenzone 1.
Soll das Gate als Zündgate wirken, so muss der zwischen Kathodenzone 1 und Gate liegende laterale Widerstand R„v
bis.
möglichst klein sein, weil dann die über diesem Widerstand abfallende Spannung klein ist und die am Gate liegende Spannung unmittelbar auf den Zonenübergang J1 wirkt. Vorzugsweise soll der an dem Widerstand Rnv. abfallende Span-
bl\
nungsabfall bei dem minimalen Zündstrom Ii, kleiner als 0,2 V betragen. Der Thyristor zündet aann selbst bei kleiner Anodenspannung. Um den Bahnwider stand R_,v möglichst klein zu
oJS.
machen wird der Abstand zwischen Gate, bzw. gateseitigen Rand der P -Zone 5, und dem gateseitigen Rand der Kathodenzone 1 möglichst klein gemacht. Eine weitere Möglichkeit die Zündempfindlichkeit zu erhöhen besteht darin, den kathodenseitigen Gaterand möglichst kurz zu wählen.
Anders als im Falle des Zündgates ist bei der Dimensionierung des Generatorgates zu beachten, dass der zwischen Gate, bzw. der P -Zone, und der Kathodenzone 1 befindliche laterale Widerstand R£K möglichst gross gewählt wird. Mindestens sollte R' dreimal grosser sein als Rn,,. Dieses
bi\ bÄ
soll anhand des in Fig. 2 dargestellten Ersatzschaltbildes eines gezündeten Thyristors erläutert werden. Danach besteht der gezündete Thyristor zwischen Kathodenkontakt K
909851/0538
BBC Baden ' \: f : -' . '": \."- 79/78
und Anodenkontakt A aus einer in Flussrichtung gepolten, durch den Uebergang J, gebildeten Diode und zwei den ohmschen Spannungsabfall im überschwemmten Gebiet (P- und N-Basiszone 2 und 3) charakterisierenden Widerstände R-.
und R„. Zwischen Gate G und Anode A liegt hingegen eine reine Transistorstruktur. Dieser Transistor T wird durch den lateralen Elektronenstrom in der N-Basis 3 über einen entsprechenden Bahnwiderstand R„ angesteuert. Sobald nun die Kollektor-Emitterspannung an dem Thyristor die Sättigungsspannung U .. . überschreitet, fliesst ein konstanter Kollektorstrom I . Der vom Gate G entnehmbare Strom I,
ist dann: 1G = 1C ■ ugk - Uj1
RGK
Je nach Grosse des Bahnwiderstandes Ri11x. in der P-Basiszone
his.
2 überlagert sich dem Kollektorstrom I noch ein weiterer Strom. Eine Erhöhung des Generatorstromes Ig ist also - abgesehen von der Wahl eines längeren Gaterandes - im wesentlichen dadurch möglich, dass der Bahnwiderstand und/ oder der Kollektorstrom I entsprechend gross gewählt werden. Einen grossen Wert für I erhält man insbesondere dann, wenn der durch den Thyristor fliessende Strom J entsprechend gross gewählt wird, da I s** \J j ist; wobei j die Stromdichte des gezündeten Thyristors unterhalb der Kathode bedeutet. Für grosse Widerstandswerte RI„ kann das Gate im Idealfall den Strom I bei einer Spannung von
U. v - U ..... liefern.
AK .sattig
Aus den vorstehenden Ausführungen folgt, dass es wenig sinnvoll wäre bei parallelgeschalteten Thyristoren nur jeweils ein einziges Gate zu verwenden und diese unterein-
909851 /0538
BBC Baden
— 8 —
ander zu verkoppeln, weil die Forderungen nach grossen Generatorströmen oder hoher Zündempfindlichkeit entweder zu entgegengesetzten Lösungen führen (grosser bzw. niedriger Bahnwiderstand Rn ', lange bzw. kurze Randlänge des Gates) oder aber Ströme J erfordern, die ein Vielfaches des Nennstromes betragen können. Letzteres liesse sich aber nur selten realisieren, weil die Gefahr bestände, dass jeweils der gezündete Thyristor zerstört werden würde. So betrug beispielsweise bei einem im Handel erhältlichen Thyristor mit Zentralgate und einer Randlänge von 2,4 cm, der erforderliche Zündstrom 4-15 mA. Der Generatorstrom I„ hingegen
betrug selbst bei einem Strom J von 1500 A (i «i 100 A/cm) ° ο Jo
nur 2M-0 mA und reichte daher nicht aus, um einen parallelgeschalteten entsprechenden Thyristor zu zünden.
In den Figuren 3 und 4 ist dieser Thyristor mit geänderter Gatestruktur dargestellt. Weder die mit 6 bezeichneten EmitterkurζSchlüsse noch die Dotierungen oder Abmessungen der Zonen 3 und 4· wurden geändert. Hingegen wurde das Zentralgate durch die beiden nebeneinanderliegenden Gates,
2Θ das Zündgate ZG und das Generatorgate GG, ersetzt. Die Randlänge des Zündgates ZG beträgt 1 cm und diejenige des Generatorgates GG ist etwa doppelt so lang. Der Bahnwiderstand zwischen Zündgate ZG und Kathodenzone 1 wurde von ursprünglich 300 yum auf 50 bis 100 tun verringert. Zur Zündung reicht dann eine Gatespannung von 1 V bei einem Zündstrom von nur 17 5 mA aus.
Der Abstand zwischen Gate und Kathode, gemessen vom kathodenseitigen Rand der P -Zone 5" bis zum gateseitigen Rand der Kathodenzone 1, beträgt 100 bis 200yum. Zur Erhöhung des entsprechenden Bahnwiderstandes R' erfolgt eine zusätzliche Aetzung eines Grabens 7 in der P-Basis 2. Der
90 9 8 51/0538
BBC Baden .::.-..- 79/78
Graben weist eine Tiefe von 30 bis 4-0 Jum auf. Diese Grabenätzung bietet den Vorteil, dass der Widerstand RIV stark erhöht werden kann, ohne dass der Abstand des Gates von der Kathodenzone zuzunehmen braucht.
Zur Kontaktierung weisen die Gates nebeneinander liegende metallisierte Flächen 8, 81 auf. Für den Thyristor sind diese Bereiche völlig passiv. Zur Isolierung gegen die P-Basis 2 wird die Metallisierung auf eine dünne Oxidschicht (1500 bis 2000 A) 9 aufgebracht. Der Stromstoss, der bei einem Spannungsanstieg in diesem Bereich entsteht, kann über benachbarte Kurzschlüsse 10 an die Kathode abgeführt werden.
Wie aus Fig. 5 ersichtlich ist, kann zur Verkopplung mehrerer parallelgeschalteter Thyristoren Th,, Th , Th- jeweils das Generatorgate GG des einen direkt mit dem Zündgate ZG . des nächsten Thyristors verbunden werden.
909851/0538

Claims (7)

BBC Aktiengesellschaft P/dh Brown, Boveri &Cie. . 2830382 Baden (Schweiz) Patentansprüche
1. Leistungsthyristor mit mindestens zwei auf der kathodenseitigen Basiszone angeordneten Elektroden, wobei eine der beiden Elektroden als Steuerelektrode (Zündgate) und die zweite Elektrode zur Entnahme eines Stromes (Generatorgate) verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der zwischen dem Generatorgate, GG, und der Kathodenzone (1) befindliche laterale Bahnwider stand, RI1,, und/
la Jx
oder die Randlänge des Generatorgates, GG, so gross gewählt sind/ist, dass der am Generatorgate, GG, des gezündeten Thyristors - bei einem Anodenstrom, der kleiner als der Stossstromgrenzwert des jeweiligen Thyristors ist - entnehmbare Strom, I_, ausreicht, um einen entsprechenden parallelgeschalteten Thyristor über dessen Zündgate, ZG, zu zünden, und dass der zwischen Zündgate, ZG, und Kathodenzone (1) liegende laterale Widerstand, Rq^j möglichst klein (RG„ -< R^) gewählt ist, damit die an dem Zündgate, ZG, liegende Zündspannung direkt auf den kathodenseitigen Emitterübergang, J1, wirken kann.
2. Leistungsthyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für einen Thyristor mit Emitterkurzschlüssen (6) zwischen den lateralen Widerständen, · Rp^. bzW'Rpi- , die zwischen Generatorgate bzw. Zündgate und Kathodenzone (1) liegen, die folgenden beiden Beziehungen gelten:
RGK .< 1
RG.K - 3
1G · RGKS0'2 V
909851/0538
BBC Baden
79/78
wobei mit II der minimale Gatestrom bezeichnet ist s bei dem der Thyristor noch zündet.
3. Leistungsthyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils ein Zündgate, ZG, und ein Generatorgate,. GG, nebeneinander angeordnet sind, dass die Kontaktierung des Gates mit der Basiszone (2) über einen schmalen 'der Kathode zugewandten Randbereich (5, 5', 5") erfolgt, unter dem die Randkonzentration der Basiszone (2) grosser ist, als in dem Bereich zwischen Gate und Kathodenzone (1), und dass zwischen dem übrigen Teil des Gates und der Basiszone (2) sich eine 500 bis 2000 A dicke Isolierschicht (9) befindet.
4. Leistungsthyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zu dem Teil des Gates, der gegenüber der Basiszone (2) isoliert ist, jeweils ein streifenförmiger Emitterkurzschluss (10) vorgesehen ist.
5. Verfahren zur Herstellung eines Thyristors nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass ausgehend von einer bestimmten Thyristorstruktur die gewünschte Zündempfindlichkeit des Zündgates durch Verkleinerung des zwischen Gate, ZG, und Kathodenzone (1) befindlichen lateralen Bahnwiderstandes, Rei<s eingestellt wird und . dass der erforderliche Generatorstrom durch Vergrösserung des entsprechenden lateralen Bahnwiderstandes, R'v, und/oder durch Erweiterung der Randlänge des Generatorgates , GG, eingestellt wird.
6- Verfahren nach Anspruch I3 dadurch gekennzeichnet., dass der laterale Bahnwiderstand, R^>, zwischen Generatorgate, GG, und Kathodenzone (1) dadurch vergrössert wird,
908851/0538
BBC Baden
79/76 A
dass in diesem Bereich der Basiszone ein etwa 30 bis 40 /tun tiefer Graben geätzt wird.
JUJIl
7. Verwendung der Thyristoren nach Anspruch 1 bis 3, in einer Stromrichterschaltung, in der mehrere Thyristoren parallel geschaltet sind, wobei jeweils das Generatorgate, GG, des einen direkt mit dem Zündgate, ZG, des nächsten Thyristors verbunden ist.
909851/0538
DE19782830382 1978-06-15 1978-07-11 Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen Withdrawn DE2830382A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH652278A CH630491A5 (de) 1978-06-15 1978-06-15 Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2830382A1 true DE2830382A1 (de) 1979-12-20

Family

ID=4310933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782830382 Withdrawn DE2830382A1 (de) 1978-06-15 1978-07-11 Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4231054A (de)
JP (1) JPS553698A (de)
CH (1) CH630491A5 (de)
DE (1) DE2830382A1 (de)
FR (1) FR2428919A1 (de)
GB (1) GB2023343B (de)
IT (1) IT1121080B (de)
SE (1) SE7905052L (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2471048A1 (fr) * 1979-12-07 1981-06-12 Silicium Semiconducteur Ssc Structure et procede de montage d'un composant semi-conducteur principal et d'un circuit auxiliaire
JPS5917862A (ja) * 1982-06-25 1984-01-30 Hitachi Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタの並列接続体
EP0240690B1 (de) * 1986-03-05 1991-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit einstellbarem Basis-Emitter-Widerstand
TW359024B (en) * 1996-05-28 1999-05-21 Winbond Electronics Corp Stage silicon control rectifier protection circuit and the structure
US6333664B1 (en) * 2000-08-22 2001-12-25 Agere Systems Guardian Corp. Low operating power, high voltage ringing switch circuit

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1103389B (de) * 1959-10-14 1961-03-30 Siemens Ag Schaltanordnung mit einer Vierschichthalbleiteranordnung
US3364440A (en) * 1965-03-31 1968-01-16 Texas Instruments Inc Inverter circuits
GB1158256A (en) * 1965-10-23 1969-07-16 Westinghouse Electric Corp Semiconductor Switch for Handling Rapidly Increasing Currents.
SE338363B (de) * 1967-03-16 1971-09-06 Asea Ab
US3462620A (en) * 1967-07-18 1969-08-19 Int Rectifier Corp Axial bias gate for controlled rectifiers
DE1589536A1 (de) * 1967-08-01 1970-03-05 Bbc Brown Boveri & Cie Steuerbarer Gleichrichter mit mindestens zwei Steuerelektroden
DE1589538C3 (de) * 1967-08-09 1974-01-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Thyristor
US3486088A (en) * 1968-05-22 1969-12-23 Nat Electronics Inc Regenerative gate thyristor construction
US3740584A (en) * 1971-06-08 1973-06-19 Gen Electric High arrangement frequency scr gating
DE2146178C3 (de) * 1971-09-15 1979-09-27 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Thyristor mit Steuerstromverstärkung
DE2341211C3 (de) * 1973-08-16 1978-09-14 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Thyristor
DE2355507A1 (de) * 1973-11-07 1975-05-15 Bbc Brown Boveri & Cie Thyristorschaltung
CH574168A5 (en) * 1974-10-14 1976-03-31 Bbc Brown Boveri & Cie Trial with efficient separation of control and transmission zones - has penetration depth of surface zone which allows control of current requirement

Also Published As

Publication number Publication date
GB2023343B (en) 1982-09-29
IT7923510A0 (it) 1979-06-13
CH630491A5 (de) 1982-06-15
IT1121080B (it) 1986-03-26
GB2023343A (en) 1979-12-28
FR2428919A1 (fr) 1980-01-11
JPS553698A (en) 1980-01-11
SE7905052L (sv) 1979-12-16
US4231054A (en) 1980-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2945324C2 (de)
EP0118785B1 (de) Zweipoliger Überstromschutz
DE102004055879B4 (de) Halbleiterbauteil mit isolierter Steuerelektrode
DE3046266A1 (de) Hochspannungs-hochstrom-festkoerper-schaltanordnung und verfahren zum beschraenken einer ersten schaltvorrichtung
DE2625917B2 (de) Halbleiteranordnung
DE3018468C2 (de)
DE19528998C2 (de) Bidirektionaler Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Steuerung
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE3240564A1 (de) Steuerbares halbleiterschaltelement
DE1514017A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2906961A1 (de) Feldgesteuerte thyristor-steueranordnung
DE2830382A1 (de) Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen
DE2822336A1 (de) Thyristor mit verstaerkender gateanordnung
DE10023956A1 (de) Halbleiter-Leistungsbauelement
DE2822166C2 (de)
DE2915885A1 (de) Thyristor mit steuerung durch feldeffekttransistor
DE2830381A1 (de) Leistungsthyristor und verfahren zu seiner herstellung
DE2559361C2 (de) Halbleiterbauelement mit mehreren, Feldeffekttransistoren definierenden Zonen
DE2614580A1 (de) I hoch 2 l-schaltung
DE2922926C2 (de) Mit zwei Anschlüssen versehener, optisch zündbarer, monolithischer Zweiweg-Thyristor
DE19721322A1 (de) Schutzschaltung gegen elektrostatische Entladung
DE2237086C3 (de) Steuerbares Halbleitergleichrichterbauelement
DE10022368A1 (de) ESD-Schutzstruktur
DE3435550A1 (de) Thyristor mit erhoehter di/dt-festigkeit
DE1524945C3 (de) Integrierter Festwertspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
OAM Search report available
OC Search report available
8139 Disposal/non-payment of the annual fee