DE2828836C2 - Wortweise elektrisch löschbarer, nichtflüchtiger Speicher - Google Patents

Wortweise elektrisch löschbarer, nichtflüchtiger Speicher

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1224062B (it) * 1979-09-28 1990-09-26 Ates Componenti Elettron Metodo di programmazione per una memoria a semiconduttore non volatile elettricamente alterabile
US4797856A (en) * 1987-04-16 1989-01-10 Intel Corporation Self-limiting erase scheme for EEPROM
US4875188A (en) * 1988-01-12 1989-10-17 Intel Corporation Voltage margining circuit for flash eprom
KR900019027A (ko) * 1988-05-23 1990-12-22 미다 가쓰시게 불휘발성 반도체 기억장치
US5095344A (en) * 1988-06-08 1992-03-10 Eliyahou Harari Highly compact eprom and flash eeprom devices
US4888738A (en) * 1988-06-29 1989-12-19 Seeq Technology Current-regulated, voltage-regulated erase circuit for EEPROM memory
JP2654596B2 (ja) * 1989-02-06 1997-09-17 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置
US5844842A (en) 1989-02-06 1998-12-01 Hitachi, Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device
DE69033438T2 (de) 1989-04-13 2000-07-06 Sandisk Corp Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze
FR2647941B1 (fr) * 1989-06-06 1991-08-30 Gemplus Card Int Procede d'effacement de points memoire, dispositif destine a sa mise en oeuvre, et son utilisation dans un dispositif a memoire non alimente
DE69013237T2 (de) * 1989-06-19 1995-02-23 Texas Instruments Inc Schaltung und Verfahren zur Vorbereitung gelöschter EEPROMS vor der Programmierung.
JP3448051B2 (ja) * 1990-03-31 2003-09-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2709751B2 (ja) * 1990-06-15 1998-02-04 三菱電機株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法
US6781895B1 (en) 1991-12-19 2004-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
US5361227A (en) * 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
JP3512833B2 (ja) * 1993-09-17 2004-03-31 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR0169267B1 (ko) 1993-09-21 1999-02-01 사토 후미오 불휘발성 반도체 기억장치
JP3202498B2 (ja) * 1994-03-15 2001-08-27 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2987105B2 (ja) * 1996-06-10 1999-12-06 ハライ エリヤホウ フラッシュEEpromメモリシステムとその使用方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2643987C2 (de) * 1974-09-20 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München n-Kanal-Speicher-FET
JPS5193638A (ja) * 1975-02-14 1976-08-17
JPS5823677B2 (ja) * 1976-05-18 1983-05-17 三菱電機株式会社 記憶消去装置
JPS5330838A (en) * 1976-09-03 1978-03-23 Fujitsu Ltd Erasing method of erasable rom

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GB2029145B (en) 1982-06-16
JPH0146949B2 (ja) 1989-10-11
FR2430064B1 (fr) 1985-10-18
DE2828836A1 (de) 1980-01-03

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