DE2825083A1 - Piezoelektrischer kristalliner film - Google Patents
Piezoelektrischer kristalliner filmInfo
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Description
Die Erfindung betrifft piezoelektrische kristalline I
Filme aus Zinkoxyd mit hexagonaler Kristallstruktur. |
Es gibt zahlreiche Verfahren zur Herstellung von piezo—
j elektrischen kristallinen Zinkoxydfilmen,z.B.Vakuumabschei
5 dungsverfahren,orientierte Kristallabscheidung auf Fremdj
kristallen (Epitaxie) und die Zersta'ubungsverf ahren. Von diesen Verfahren werden die Zerstäubungsverfahren,
insbesondere ein Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren, in
letzter Zeit sehr häufig wegen des Vorteils angewendet, ! 10 daß die Wachstumsgeschwindigkeit der orientierten
j kristallinen Filme hoch ist, so daß die industrielle • Massenproduktion von piezoelektrischen kristallinen J
' Filmen möglich ist.
! Zur Herstellung eines piezoelektrischen Kristallfilms
ι 15 aus Zinkoxyd auf einer Substratoberfläche nach dem
Hochfrequenz-Zerstäubungsverfahren wird üblicherweise Keramik aus hochreinem Zinkoxyd als Ausgangsmaterial des
Films verwendet. Selbst bei Durchführung der Hochfrequenz-Zerstäubung mit einem solchen Ausgangsmaterial
des Films entstehen jedoch kristalline Filme mit rauher Oberfläche, so daß es unmöglich ist, gute piezoelektrische
kristalline Filme herzustellen. Ferner ist es bei einem solchen Ausgangsmaterial des Films schwierig, die
c-Achse senkrecht zur Substratoberfläche auszurichten. Wenn ein piezoelektrischer kristalliner Film aus Zinkoxyd
eine rauhe Oberfläche hat, ergeben sich verschiedene Nachteile. Wenn beispielsweise ein akustisches
Oberflächenwellenfilter mit einem solchen Zinkoxydfilm
hergestellt wird, ist es schwierig, Interdigitalumformer auf der Filmoberfläche zu bilden, und das hergestellte
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akustische Oberflächenwellenfilter pflegt eine Unterbrechung der Interdigitalumformer aufzuweisen und zeigt
einen großen Fortpflanzungsverlust der akustischen Oberflächenwellen. Wenn ferner die c-Achse des Zinkoxydfilms
zu der senkrecht zur Substratoberfläche stehenden Achse geneigt ist, wird der Wert des elektromechanischen
Kupplungsfaktors niedrig, so daß es schwierig wird, piezoelektrische Kristallfilmwandler mit gutem Umwandlungswirkungsgrad herzustellen.
Kürzlich wurden piezoelektrische kristalline Filme aus Zinkoxyd, das Kupfer oder Kupferoxyd enthält, als kristalline Filme vorgeschlagen, die diese Nachteile ausschalten. Diese piezoelektrischen kristallinen Filme
können wirksam bei hohen Frequenzen, jedoch nicht bei niedrigen Frequenzen verwendet v/erden, da ihr spezifischer
Widerstand nicht hoch genug ist. Der anwendbare Frequenzbereich eines solchen piezoelektrischen kristallinen
Films ist somit eng.
Dies ergibt sich aus der Theorie der dielektrischen Relaxationswinkelfrequenz (toc) , die durch die folgende
σ 1
(rad/s) (1)
C e° cZn0 ε°
Hierin sind
(T = Leitfähigkeit des kristallinen Films £c>
= Dielektrizitätskonstante des Vakuums {T/m)
£ZnQ =Dielektrizitätskonstante des kristallinen Films
^O= Spezifischer Widerstand des kristallinen Films [Ω·πι]
Es ist allgemein bekannt, daß piezoelektrische kristalline Filme Piezoelektrizität bei Frequenzen aufweisen, bei denen
die Beziehung ( ωα <<u } zwischen der dielektrischen Relaxa
tionswinkelfrequenz (td.J und einer Winkelfrequenz (<tf) bei
der angewandten Frequenz gilt. Mit anderen Worten, der
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piezoelektrische kristalline Film kann als piezoelektrisches
Material nur in einem Frequenzbereich verwendet werden, in dein die Winkel frequenz (CJ) genügend
höher ist als die dielektrische Relaxationswinkelfrequenz
Cdlc) !normalerweise i^
> > ^c χ 1OO) .
Beispielsweise kann die dielektrische Relaxationswinkelfrequenz für den aus hochreinem Zinkoxyd bestehenden
piezoelektrischen kristallinen Film {Reinheit 99,99%)
durch die Gleichung 1 gefunden werden J
= 1.33 χ IQ6 irad/s)
Ό ε«Ζ«0Ρ0
ZnO^
Hierin bedeuten ε, = 8.854 χ 10"X?F/in)
Hierin bedeuten ε, = 8.854 χ 10"X?F/in)
P0 = 106(n.cm)
Da die Winkelfrequenz (ω) = 27rf ist, ergibt sich, daß
die dielektrische Kippfrequenz f =
f = ^L. = ί·33Λί°6 = 2-12 x 105 (Hz)
c 2tt 2 χ 3.14
Die piezoelektrischen kristallinen Filme aus hochreinem Zinkoxyd können somit bei einer Frequenz oberhalb
von 100 MHz verwendet werden. Mit anderen Worten, diese piezoelektrischen kristallinen Filme sind nur bei sehr
hohen Frequenzen verwendbar.
Da ferner die piezoelektrischen kristallinen Filme aus Zinkoxyd, das Kupfer oder Kupferoxyd enthält, einen
Q Q
spezifischen Widerstand von etwa 10 bis 10 Ohm.cm aufweisen, hat f bei Berechnung nach der vorstehenden
c 3 4 Gleichung einen Wert von 10 bis 10 Hz. Die anwendbaren
Frequenzen bei diesen kristallinen Filmen liegen daher nicht unter 100 kHz bis 1 MHz.
In dieser Weise können zwar die bekannten kristallinen
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Zinkoxydfilme im Falle von Zinkoxyd von hoher Reinheit
bei Frequenzen oberhalb von 100 MHz und im Falle von Zinkoxyd, das Kupfer oder Kupferoxyd enthält, bei
Frequenzen über 1 MHz verwendet werden, jedoch eignen sie sich nicht für niedrige Frequenzen, und der anwendbare
Frequenzbereich ist eng.
Gegenstand der Erfindung ist ein verbesserter, aus Zinkoxyd bestehender piezoelektrischer kristalliner
Film, der die vorstehend genannten Nachteile ausschaltet und in einem weiten Bereich von niedrigen bis hohen
Frequenzen verwendet werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist ein piezoelektrischer kristalliner Film auf einem Substrat, wobei der Film
ein kristalliner Zinkoxydfilm ist, dessen c-Achse senkrecht zur Substratoberfläche verläuft, und der
dadurch gekennzeichnet ist, daß er eine Kupferverbindung aus der aus Kupfersulfid, Kupfertellurid, Kupferselenid,
Kupferselenat, Kupferphosphid und Kupferphosphat bestehenden Gruppe ist.
Die Konzentrationen der vorstehend genannten Kupferverbindungen im kristallinen Zinkoxydfilm haben einen
großen Einfluß auf die elektrischen und physikalischen Eigenschaften des Films. Die Konzentration des Kupfers,
das in Form von Kupfer(I)-sulfid, Kupfer(II)-sulfid,
KupferCD-tellurid, Kupfer(II)-tellurid, Kupfer(I)-selenid, Kupferselenat, Kupfer(I)-phosphid, Kupfer(II)-phosphid
oder Kupferphosphat vorhanden ist, kann im Bereich von 0,01 bis 20,0 Atom-% liegen. Wenn die
Kupferkonzentration geringer als 0,01 Atom-% ist, wird
die Oberfläche der erhaltenen kristallinen Filme rauh, und ihr spezifischer Widerstand wird verringert. Wenn
die Kupferkonzentration höher ist als 20,0 Atom-%, kann die Richtung der kristallographischen Orientierung
der Zinkoxydfilme nicht gut eingestellt werden, so daß
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die Orientierung des Zinkoxydfilms sich verschlechtert.
Die c-Achse des piezoelektrischen kristallinen Films gemäß der Erfindung verläuft senkrecht zur Substratoberfläche,
so daß es möglich ist, piezoelektrische Umformer mit gutem Umwandlungswirkungsgrad herzustellen.
Die piezoelektrischen kristallinen Filme gemäß der Erfindung können nach beliebigen üblichen Verfahren,
beispielsweise durch chemisches Aufdampfen (chemical vapor deposition), Aufdampfen, reaktives Aufdampfen,
Kathodenzerstäubung, Hochfrequenz-Zerstäubung, Verfahren
der gemeinsamen Zerstäubung (cosputtering methods), Ionenimplantationsverfahren (ion implanting methods)
oder Ionenstrahl-Auftragsverfahren (ion beam deposition
15 methods) hergestellt werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von Beispielen unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben.
Fig.l zeigt schematisch die zur Herstellung von piezoelektrischen Kristallfilmen gemäß der Erfindung verwendete
Hochfrequenz-Zerstäubungsapparatur.
Fig.2 zeigt eine Elektronenmikroskopaufnahme eines
üblichen kristallinen piezoelektrischen Films.
Fig.3 zeigt eine Elektronenmikroskopaufnahme eines
piezoelektrischen kristallinen Films gemäß der Erfindung.
Fig.4 zeigt das Bild der Auger-Spektralanalyse des piezoelektrischen kristallinen Films gemäß der Erfindung.
Fig.l zeigt eine mit zwei Elektroden versehene Hochfrequenz-Zerstäubungsapparatur,
die zur Herstellung von piezoelektrischen kristallinen Filmen gemäß der Erfindung verwendet wird. Zur Apparatur gehört eine
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Glasglocke 1, in der zwei Elektroden, nämlich eine planare Kathode 2 und eine planare Anode 3, parallel
angeordnet sind. An der Kathode 2 ist ein Ausgangsmaterial 4 für den Film befestigt, das im wesentlichen
aus Zinkoxydkeramik, die eine der vorstehend genannten Kupferverbindungen enthält, besteht. Zwischen den Elektroden
2 und 3 ist eine Blende 5 (shutter) angeordnet. Ein Substrat z.B. aus Glas, Metall, Keramik, Einkristall
oder Harz ist an der Unterseite der Anode 3 befestigt. Das Substrat 6 z.B.aus Glas, Metall,Keramik, Einkristall
bis 5000C erhitzt. Die Glasglocke 1 ist mit einer Austrittsöffnung 7 und einem Gaseintritt 8 versehen.
Die Hochfrequenz-Zerstäubung wird wie folgt durchgeführt:
Nach luftdichtem Abschluß wird die Glasglocke 1 durch die Austrittsöffnung 7 auf einen Druck von nicht
mehr als 1 χ 10~ Torr evakuiert, worauf Argon oder Sauerstoff oder ein Gasgemisch aus Argon und Sauerstoff
durch den Gaseintritt 8 so zugeführt wird, daß der
—1 —3
Druck auf 1 χ 10 bis 1 χ 10 Torr eingestellt wird.
Zwischen der Glasglocke 1 und der Kathode 2 wird eine Hochfrequenzspannung durch die Hochfrequenzstromquelle 9
gelegt. An das Ausgangsmaterial 4 des Films wird ein
2
Strom von 2 bis 8 W/cm gelegt.
Strom von 2 bis 8 W/cm gelegt.
Das Ausgangsmaterial 4 des Films, das im wesentlichen aus Zinkoxydkreamik besteht, das eine der vorstehend
genannten Kupferverbindungen enthält, wird wie folgt hergestellt:
Unter Verwendung von pulverförmigem ZnO, CuP.,, Cu-(PO,)«
3 HpO, CUpS, CuS, CuSe, CuSeO3.2 HpO und CuTe als
Ausgangsmaterialien werden Gemische mit der in der Tabelle genannten Zusammensetzung hergestellt. Jedes
Gemisch wird nass gemahlen, getrocknet und dann 2 Stunden bei 600 bis 800°C vorgesintert. Der vorgesinterte
Körper wird zerkleinert, mit einem organischen Bindemittel nass gemahlen und dann getrocknet. Das erhaltene
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Pulver wird zu Scheiben mit einem Durchmesser von 100 mm und einer Dicke von 5 mm unter einem Druck
von 98 N/mm geformt und dann zur Bildung von Ausgangsmaterialien der Filme 2 Stunden bei 1200°C gebrannt.
Zum Vergleich sind in der Tabelle bekannte Ausgangs— materialien für den Film genannt, die Kupfer oder
Kupferoxyd enthalten und in der vorstehend beschriebenen Weise hergestellt wurden, wobei jedoch Scheiben
unter Verwendung von pulverförniigem ZnO, Cu und Cu-O
als Ausgangsmaterialien bei 1300 bis 1400°C gebrannt wurden.
Für die in dieser Weise hergestellten Ausgangsmate— rialien der Filme wurden der spezifische Widerstand
und das Verhältnis von Raumgewicht d zur theoretischen Dichte d. (d /d. χ 100) gemessen. Die erhaltenen
Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle genannt.
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| Probe Nr. |
Zusatzstoff | Cu-Konzentra tion (Atom-%) |
Ausgangsmaterial des Films |
% | Zinkoxydfilm | 2 | σ | j Spezif. Widerstand |
«ro OO |
|
| Material | Spezifischer Widerstand (d /d,) χ 100 |
92.0 | Orientierunc | 2 | .5 | (Ω. cm) | ro cn |
|||
| 0.01 | 93.0 | X (Grad) |
1 | .1 | 1.1 χ ΙΟ12 | 083 | ||||
| OO | 1 | Cu2S | 0.1 | 8.0 χ 105 | 95.0 | 3.1 | 3 | .7 | 5.9 χ ΙΟ13 | |
| O co co |
2 | CuS | 1.0 | 2.3 χ 106 | 95.0 | 1.0 | 4 | .4 | 8.5 χ ΙΟ14 | |
| cn | 3 | Cu2S | 10.0 | 39 χ 109 | 92.0 | 1.6 | 2 | .0 | 1.2 χ ΙΟ13 | |
| O | 4 | Cu0S | 0.01 | 5.4 χ 108 | 95.0 | 4.2 | 2 | .9 | 1.2 χ ΙΟ12 | |
| OO cn *■» |
5 | CuTe | 0.1 | 2.5 χ 105 | 96.0 | 3.4 | 4 | .2 | 3.5 χ ΙΟ13 | |
| 6 | η | 1.0 | 1.9 χ 107 | 94.0 | 1.7 | 4 | .1 | 2.7 χ ΙΟ14 | ||
| 7 | η | 10.0 | 6.4 χ 108 | 91.0 | 1.9 | 4 | .3 | 4.3 χ ΙΟ12 | ||
| 8 | η | 0.01 | 8.2 χ 107 | 93.0 | 5.0 | 2 | .0 | 1.5 χ ΙΟ12 | ||
| 9 | CuSe | 0.1 | 1.7 χ 104 | 95.0 | 4.5 | 4 | .8 | 3.1 χ ΙΟ13 | ||
| 10 | H | ,0 1.0 | 4.3 χ 105 | 94.0 | 3.4 | .1 | 1.7 χ ΙΟ14 | |||
| 11 | CuSeO,.2H, | 10.0 | 2.5 χ 108 | 1.9 | 2.8 χ ΙΟ12 | |||||
| 12 | ■J 4L CuSe |
6.1 χ 107 | 4.8 | |||||||
Probe
Nr.
Nr.
Zusatzstoff
Ausgangsmaterial des
Films
Films
Zinkoxydfilm
Material Cu-Konzentration (Atom-%)
| OO | 13 | Cu3P | 0.01 |
| O | |||
| cc | 14 | Il | 0.1 |
| oo | |||
| cn | 15 | Cu3(PO4).3H2O | 1.0 |
| O | 16 | Cu7P | 10.0 |
| α» | |||
| cn | 17 | Cu | 0.1 |
| 18 | Il | 1.0 | |
| 19 | Cu„Ö | 10.0 |
| Spezifischer Widerstand (d /d.) χ 100 |
X | 105 | 95.6 | Orientierung Spezif. _ Widerstand X (Grad) ° * |
2.7 | 4.7 | X | 1012 |
| 4.7 | X | 106 | 97.5 | 2.2 | 2.8 | 1.3 | X | 1013 |
| 3.0 | X | 109 | 99.2 | 2,4 | 2.2 | 2.9 | X | 1014 |
| 8.9 | X | 109 | 98.1 | 1.1 | 4.8 | 3.2 | X | 1012 |
| 1.5 | X | 104 | 86.0 | 5.2 | 3.7 | 8.7 | X | 106 |
| 2.3 | X | 106 | 87.0 | 2.3 | 3.3 | 9.1 | X | 108 |
| 7.5 | X | 107 | 89.0 | 2.9 | 7.8 | 7.0 | X | 107 |
| 5.0 | 14.8 |
CD OO CO
Unter Verwendung der erhaltenen Ausgangsmaterialien der Filme werden piezoelektrische kristalline Filme
aus Zinkoxyd auf Glassubstraten unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Hochfrequenz-Zerstäubungsapparatur
gebildet. Die Hochfrequenz-Zerstäubung wird unter folgenden Bedingungen durchgeführt: Ein Gasgemisch
aus 90 VoI.-% Argon und 10 Vol.-% Sauerstoff
wird der Glasglocke 1 durch den Gaseintritt 8 so zugeführt, daß der Druck in der Glasglocke auf 1 bis 2 xlO~
Torr eingestellt wird. Das Glassubstrat wird auf 35O°C erhitzt und bei dieser Temperatur gehalten. Dem Aus-
2 gangsmaterial 4 der Filme wird ein Strom von 6 W/cm
bei einer Frequenz von 13,56 MHz zugeführt.
Die Orientierung der c-Achse der in dieser Weise nergestellten
piezoelektrischen kristallinen Filme wurde nach einer Sperrkurvenmethode (locking curve method)
durch Rontgenstrahlenbeugung gemessen (siehe Minakata, Chubachi und Kikuchi "Quantitative Representation of
c-axis Orientation of Zinc Oxide Piezoelectric Thin Films" The 20th Lecture of Applied Physics Federation
(Japan) 2 (1973) 84 und Makoto Minakata, Dissertation an der Tohoku-Universität (1974)). Der Mittelwert
(R) und die Standardabweichung (Cf) des Winkels der
c-Achse zur Achse senkrecht zur Substratoberfläche wurde für die jeweilige Probe ermittelt. Die Ergebnisse
sowie der spezifische Widerstand der kristallinen Filme sind ebenfalls in der Tabelle angegeben.
Die Werte in der Tabelle zeigen, daß die kristallinen Filme gemäß der Erfindung eine c-Achse, die ungefähr
senkrecht zur Substratoberfläche verläuft, aufweisen. Hieraus ist ersichtlich, daß die piezoelektrischen
kristallinen Filme gemäß der Erfindung einen hohen elektromechanischen Kupplungsfaktor, d.h. einen guten
Umformungswirkungsgrad aufweisen. Ferner haben die piezoelektrischen kristallinen Filme gemäß der Erfin-
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dung einen extrem hohen spezifischen Widerstand, so daß sie auch bei niedrigen Frequenzen verwendet werden
können.
Der anwendbare Frequenzbereich der piezoelektrischen kristallinen Zinkoxydfilme gemäß der Erfindung kann
durch Bestimmung von o) mit Hilfe der vorstehend genannten
Gleichung ermittelt werden. Die für die Proben
2 bis 16 ermittelten ω -Werte liegen im Bereich von
bis 1. Die niedrigste anwendbare Frequenz für die piezoelektrischen kristallinen Filme gemäß der Erfindung
liegt daher bei nicht weniger als 1 Hz. Dies bedeutet, daß die piezoelektrischen kristallinen Filme gemäß der
Erfindung in einem weiten Bereich von niedrigem bis zu hohen Frequenzen verwendet werden können. Die piezoelektrischen
kristallinen Filme gemäß der Erfindung eignen sich somit für Niederfrequenz-Umformer, beispielsweise
miniaturisierte Stimmgabeln und optischelektronische Geräte wie Hohlleiter.
Die Proben Nr.3 und 18 wurden durch ein Abtast-Elektronenmikroskop
mit 1000-facher Vergrößerung aufgenommen. Fig.2 zeigt eine Elektronenmikroskopaufnahme
der Probe Nr.18 und Fig.3 die Aufnahme der Probe 3.
Wie diese Abbildungen zeigen, haben die üblichen piezoelektrischen
kristallinen Filme eine rauhe Oberfläche (siehe Fig.2), während die Oberfläche des piezoelektrischen
kristallinen Films gemäß der Erfindung glatt ist (siehe Fig.3).
Um die Anwesenheit der Kupferverbindung zu bestätigen,
wurde der piezoelektrische kristalline Film der Probe 3 der Auger-Spektroskopie unterworfen. Fig.4
zeigt das Auger-Spektrogramm der Probe Nr.3. Das Spektrogramm
zeigt, daß im piezoelektrischen kristallinen Film Kupfersulfid vorhanden ist. Die Anwesenheit der anderen
Kupferverbindungen in den jeweiligen piezoelektrischen 809851 /085*
kristallinen Filmen wurde durch Spektralanalyse und ESCA bestätigt.
Die vorstehenden Ergebnisse zeigen, daß der erhebliche Anstieg des spezifischen Widerstandes der piezoelektrischen
kristallinen Filme gemäß der Erfindung auf die Einarbeitung einer Kupferverbindung aus der vorstehend
genannten Gruppe in den Film zurückzuführen ist.
Durch Verwendung des Ausgangsmaterials des Films, das eine Kupferverbindung aus der oben genannten Gruppe
enthält, werden die folgenden Vorteile erzielt:
Bei der Massensproduktion von piezoelektrischen kristallinen Filmen nach der Hochfrequenz-Zerstäubungsmethode
muß die Wachstumsgeschwindigkeit des kristallinen Films so hoch wie möglich sein. Um dies zu erreichen,
muß die dem Ausgangsmaterial der Filme pro Flächeneinheit zugeführte Stromstärke erhöht werden,
so daß das Ausgangsmaterial ein hohes Raumgewicht haben muß. Diese Voraussetzung wird durch die Ausgangsmaterialien,
die eine der vorstehend genannten Kupferverbindungen enthalten, vollständig erfüllt. V.ie die
Werte in der Tabelle zeigen, haben die erfindungsgemäß verwendeten Ausgangsmaterialien der Filme ein
höheres Raumgewicht als die üblicherweise verwendeten Ausgangsmaterialien, so daß die Ausgangsmaterialien,
die die genannten Kupferverbindungen enthalten, die Massenproduktion von piezoelektrischen kristallinen
Filmen unter Anwendung hoher Stromstärken ermöglichen.
Während ferner die Brenntemperatur zur Herstellung der üblicherweise verwendeten, Kupfer oder Kupferoxyd enthaltenden
Ausgangsmaterialien im Bereich von 1300 bis 1400°C liegt, ermöglicht die Zugabe einer Kupferverbindung
aus der vorstehend genannten Gruppe die Senkung der Brenntemperatur für die Ausgangsmaterialien, so daß
diese leichter mit niedrigeren Kosten herstelloar sind.
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L e e r s e i f e
Claims (11)
- PatentansprücheI)] Auf ein Metall- oder Glassubstrat aufgebrachter piezoelektrischer kristalliner Film, der ein kristalliner Zinkoxydfilm ist, dessen c-Achse senkrecht zur Substratoberfläche steht, dadurch gekennzeichnet, daß der kristalline Zinkoxydfilm eine Kupferverbindung aus der aus Kupfersulfid, Kupfertellurid, Kupferselenid, Kupferselenat, Kupferphosphid und Kupferphosphat bestehenden Gruppe enthält.
- 2) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des in Form seines Sulfids, Tellurids, Selenids, Selenats, Phosphids oder Phosphats vorhandenen Kupfers 0,01 bis 20,0 Atom-% beträgt.
- 3) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(I)-sulfid ist.809851/0854ORDINAL INSPECT«)T..Wi» -02?'; 7TdS^l - J Τ·.'-«: 888 2307 J',(,J T.l. rnr,< Π'.-πι,':ΐ·ηΐ Köln
- 4) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(II)-sulfid ist.
- 5) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(I)-tellurid ist.
- 6) Piezoelektrischer Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(II)-tellurid ist.
- 7) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(I)-selenid ist.
- 8) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupferselenat ist.
- 9) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupfer(I)-phosphid ist.
- 10) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung KupferdD-phosphid ist.
- 11) Piezoelektrischer kristalliner Film nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferverbindung Kupferphosphat ist.8098B1/0854
Applications Claiming Priority (4)
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| JP7015177A JPS544400A (en) | 1977-06-13 | 1977-06-13 | Piezoelectric crystal film of zinc oxide |
| JP7015077A JPS544399A (en) | 1977-06-13 | 1977-06-13 | Piezoelectric crystal film of zinc oxide |
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ID=27464993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE19782825083 Granted DE2825083A1 (de) | 1977-06-09 | 1978-06-08 | Piezoelektrischer kristalliner film |
Country Status (2)
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| DE (1) | DE2825083A1 (de) |
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| DE2825083C2 (de) | 1987-01-22 |
| US4182793A (en) | 1980-01-08 |
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