DE2821791C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2821791C2
DE2821791C2 DE2821791A DE2821791A DE2821791C2 DE 2821791 C2 DE2821791 C2 DE 2821791C2 DE 2821791 A DE2821791 A DE 2821791A DE 2821791 A DE2821791 A DE 2821791A DE 2821791 C2 DE2821791 C2 DE 2821791C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grooves
substrate
metal strips
waves
transducer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2821791A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2821791A1 (de
Inventor
Frank Lexington Mass. Us Sandy
Clarence John Waltham Mass. Us Dunnrowicz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of DE2821791A1 publication Critical patent/DE2821791A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2821791C2 publication Critical patent/DE2821791C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538Formation
    • GPHYSICS
    • G10MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
    • G10KSOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G10K11/00Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/36Devices for manipulating acoustic surface waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02653Grooves or arrays buried in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02685Grating lines having particular arrangements
    • H03H9/02716Tilted, fan shaped or slanted grating lines
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02795Multi-strip couplers as track changers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein akustisches Oberflächenwellenbauelement mit den Merkmalen des Oberbegriffes von Anspruch 1 und Anspruch 2.
Oberflächenbauelemente dieser Art sind aus der US-Patentschrift 39 83 517 bekannt.
Die Reflexionsgitteranordungen der bekannten Oberflächenbauelemente nach dieser Schrift enthalten entweder parallele Rillen des Substrates oder parallele Metallstreifen auf dem Substrat als Reflexionsgitter zur Bestimmung von im Winkel zueinander verlaufenden Ausbreitungswegabschnitten für die Oberflächenwellen auf dem Substrat, derart, daß sich die Oberflächenwellen von einem elektroakustischen Wandler weg oder auf diesen hin ausbreiten können.
Die reflektierenden Rillen oder Streifen sind gewöhnlich so angeordnet, daß die Reflexionen benachbarter Rillen oder Streifen in der Phase addierend wirken, so daß das Gitter stark reflektiert. Unglücklicherweise wird von jeder einzelnen Rille oder jedem einzelnen Streifen innerhalb des Gitters nur ein sehr kleiner Anteil der Energie, die in der hineinlaufenden Welle enthalten ist, reflektiert. Die gesamte Reflexionsfähigkeit des Gitters könnte dadurch verbessert werden, daß mehr Reflexionsgitterelemente zugefügt werden. Dadurch allerdings nimmt die Bandbreite des Reflexionsgitters ab, und zwar im allgemeinen umgekehrt proportional zur Zahl der Reflexionsgitterelemente. Somit sind mit einem sehr stark reflektierenden Gitter nur sehr geringe Bandbreiten zu erzielen. Bei vielen Vorrichtungen, wie etwa Filtern, ist es jedoch wünschenswert, sowohl eine hohe Reflexionsfähigkeit, als auch eine große Bandbreite zu haben. Mit den bekannten Reflexionsgittern ist es häufig nicht möglich, ein Oberflächenwellenfilter zu bauen, das diesen beiden Forderungen genügt. Wird eine geringere Anzahl von Reflexionsgitterelementen in den Reflexionsgittern verwendet, um die benötigte Bandbreite zu erzielen, dann werden die in der Vorrichtung entstehenden Verluste häufig größer als gewünscht wegen der Verluste an Signalenergie an den Reflektorgittern.
Bei Verwendung von Reflexionsgittern aus Metallstreifen ist die Reflexionsfähigkeit je Element abhängig von der Art des piezoelektrischen Materials des Substrats aufgrund der piezoelektrischen Verluste festgelegt. Unter Verwendung von Metallstreifen hergestellte Gitter ergeben periodische Körperschwingungen und örtlich verteilte Störungen, und folglich haben sie Reflexionskoeffizienten, die durch Erhöhen der Dicke des Metalls gesteigert werden können. Die nichtlinearen Auswirkungen auf die Wellen und die Umwandlung von Oberflächenenergie in Körperschwingungsenergie macht sich jedoch bemerkbar, wenn die Metallstreifendicke über einen bestimmten Grenzwert ansteigt.
Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, ein akustisches Oberflächenwellenbauelement mit den Merkmalen des Oberbegriffes von Patentanspruch 1 bzw. von Patentanspruch 2 so auszugestalten, daß bei geringen Eigenverlusten eine große Bandbreite und eine niedrige nichtlineare Verzerrung der Oberflächenwellen erreicht werden und möglichst wenig Oberflächenwellenenergie in Körperschwingungsenergie umgesetzt wird.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Anordnung erfindungsgemäß in einer ersten Art und Weise durch das kennzeichnende Merkmal von Patentanspruch 1 und in einer zweiten Art und Weise durch das kennzeichnende Merkmal von Patentanspruch 2 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen von in der vorliegenden Art ausgebildeten akustischen Oberflächenwellenbauelementen sind in den Ansprüchen 3 bis 6 gekennzeichnet.
Anhand der Zeichnung werden nachfolgend Ausführungsbeispiele der Erfindung erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform eines akustischen Oberflächenwellenbauelementes vorliegender Art in Gestalt einer Filtervorrichtung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform;
Fig. 3 A bis 3 C eine Folge von Querschnittsansichten, die den Herstellungsgang des ersten Ausführungsbeispieles wiedergeben;
Fig. 4 A bis 4 G eine Folge von Querschnittsdarstellungen, welche die Herstellung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 2 erläutern;
Fig. 5 A bis 5 E eine Querschnittsfolge zur Erläuterung einer weiteren Herstellungsweise eines Oberflächenwellenbauelementes nach Fig. 2, und
Fig. 6 A bis 6 E eine Querschnittsfolge zur Erläuterung eines wieder anderen Herstellungsganges zur Bildung eines Oberflächenwellenbauelementes nach Fig. 2.
Die Fig. 1 zeigt die Draufsicht eines Oberflächenwellenfilters. Auf die Erregung von einer äußeren elektrischen Signalquelle hin breiten sich vom Wandler 20 Oberflächenwellen in zwei entgegengesetzten Richungen auf die Reflexionsgitter 12 und 13 hin aus, wie dies durch Pfeile angedeutet ist. Die Oberflächenwellensignale, die an den Reflexionsgittern 13 und 12 eintreffen, werden dort in einem um 90° gedrehten Winkel in Richtung auf die Reflexionsgitter 15 und 14 reflektiert. Schließlich reflektieren die Reflexionsgitter 15 und 14 die Oberflächenwellensignale abermals mit einer Drehung um 90°, so daß sie dann am Ausgangswandler 22 aufgefangen und wieder in elektrische Signale umgesetzt werden, die dann an einen äußeren Schaltkreis geführt werden.
Wegen der frequenzselektiven Eigenschaften der Reflexionsgitter 12 bis 15, des Eingangswandlers 20 und des Ausgangswandlers 22 werden bevorzugt nur diejenigen Oberflächenwellen zwischen Eingangs- und Ausgangswandler 20, 22 übertragen, deren Frequenz innerhalb des Durchlaßbandes der Vorrichtung liegt. Der überwiegende Energieanteil in den Oberflächenwellen, deren Frequenz außerhalb des Durchlaßbandes liegt, wird von den Reflexionsgittern 12 bis 15 nicht reflektiert, sondern in Körperschwingungen umgesetzt oder in anderer Weise abgebaut, so daß sie den Ausgangswandler 22 nicht erreicht. Es sei vermerkt, daß bei der Gestaltung gem. Fig. 1 im wesentlichen die gesamte Oberflächenwellenenergie mit innerhalb des Durchlaßbandes liegender Frequenz, welche sich vom Eingangswandler 20 her ausbreitet, dann den Ausgangswandler 22 erreicht, wenn die Reflexionsgitter hinreichend gut reflektieren, denn die in beiden Richtungen sich vom Eingangswandler 20 ausbreitenden Wellen werden zum Ausgangswandler 22 hin umgelenkt. In den bisher gebräuchlichen Vorrichtungen gelangt im wesentlichen nur die Hälfte der Energie der von dem Eingangswandler ausgehenden Oberflächenwellen schließlich zum Ausgangswandler, während die andere Hälfte verlorengeht. Eingangswandler 20 und Ausgangswandler 22 sind hier als ineinandergreifende Finger dargestellt mit jeweils zwei Fingern pro Polanschluß. Üblicherweise werden wesentlich mehr Finger je Anschlußkontakt verwendet; die Vereinfachung dient lediglich der Klarheit bei der Darstellung.
Für viele Anwendungsfälle derartiger Filter ist ein relativ breites Durchlaßbad wie auch eine geringe Einfügungsdämpfung wichtig. Wenn in einem Reflexionsgitter bisher so viele Reflektorelemente verwendet wurden, wie es erforderlich war, um die Einfügungsdämpfung unter dem zulässigen Wert zu halten, dann stellt sich eine zu geringe Bandbreite ein, so daß der Einsatz von Oberflächenwellenfiltern bei gewissen Anwendungsfällen nicht möglich war. Mit der hier angegebenen Konstruktion ist die Reflektion je Gitter wesentlich erhöht gegenüber den bisher bekannten Reflexionsgittern von gleichen Abmessungen und mit derselben Zahl der reflektierenden Elemente.
Jedes der in Fig. 1 gezeigten Reflektiorgitter 12 bis 15 ist so aufgebaut, daß eine Anzahl elektrisch parallel geschalteter Leiterstreifen 16 in Verbindung mit Rillen oder Nuten zwischen den Streifen angeordnet ist. Dabei ist die Breite der Streifen und der Rillen praktisch gleich der halben Wellenlänge der zu reflektierenden Oberflächenwellen. Damit reflektieren sowohl die Leiterstreifen 16, als auch die Rillen 17. Mit der beschriebenen Anordnung von Leiterstreifen 16 und Rillen 17 zueinander befinden sich die von den Leiterstreifen 16 reflektierten Oberflächenwellen in Phase mit den von den Rillen 17 reflektierten.
Bei einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat aus Lithiumniobat, während als Material der Leiterstreifen 16 Aluminium verwendet wird. Die Leiterstreifen 16 stellen einen Kurzschluß des piezoelektrischen Effekts dar, was Reflexionen hervorruft, die um etwa 180° phasengedreht gegenüber denen sind, die von den Rillen 17 hervorgebracht werden und die durch den topographischen Reflexionsmechanismus bedingt sind. Wenn Aluminium verwendet wird, können die Leiterstreifen 16 relativ dick sein, wodurch die topographische Reflexion der benachbarten Rillen 17 verstärkt wird.
Es sollen nun die Querschnittsdarstellungen der Fig. 3 A bis 3 C betrachtet werden, die ein Verfahren zur Herstellung der Reflektionsgitter 12 bis 15 nach Fig. 1 wiedergeben. Ein Substrat 10 mit wenigstens einer glatten freiliegenden Oberfläche, das geeignet ist für eine Oberflächenwellenausbreitung, wird auf dieser Oberfläche mit einer Aluminiumschicht 102 überzogen. Die Aluminiumbeschichtung 102 kann durch Aufdampfen, im Sputtverfahren oder in jeder sonst dafür bekannten geeigneten Art und Weise aufgebracht werden. Auf die Aluminiumschicht 102 wird dann eine Schicht eines Photoresistmaterials 104 aufgebracht. Anschließend wird die Photoresistschicht 104 maskiert, belichtet und anschließend in dem in Fig. 3 B dargestellten Muster chemisch entfernt. Die freiliegenden Abschnitte der Aluminiumschicht 102 werden durch die Öffnungen der Photoresistschicht 104 beispielsweise durch Sputterätzen beseitigt, so daß Leiterstreifen 16 gemäß Fig. 3 B zurückbleiben. Als nächstes werden entsprechend der Darstellung der Fig. 3 C Rillen 17 in das Substrat 10 zwischen die Leiterstreifen 16 in einer gewünschten Tiefe eingegraben. Dies kann beispielsweise durch Ionenätzung erfolgen.
Die Fig. 2 zeigt die Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel des Oberflächenwellenfilters mit Reflektorgittern. Die grundsätzliche Funktionsweise dieser Ausführungform entspricht der der zuerst beschriebenen nach Fig. 1, wobei auch hier geringe Einfügungsverluste auftreten und ein relativ breites Durchlaßband erzielt wird. Allerdings ist der Aufbau der Reflektorgitter anders. Die Reflektorgitter 32 bis 35 sind jeweils als eine Anzahl paralleler Rillen oder Nuten im Substrat 30 ausgebildet, wobei wenigstens einige Rillen wenigstens zum Teil mit einem leitenden Material, wie Metall, angefüllt sind. Die sich dadurch ergebenden Metallstreifen sind miteinander nicht in Verbindung. Wie bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 kann ein Substrat aus Lithiumniobat mit Leiterstreifen aus Aluminium verwendet werden. Wie auch bei dem erstbeschriebenen Ausführungsbeispiel erzeugen die Rillen eine topographische Reflexion der ankommenden Oberflächenwellen. Die Metallstreifen reflektieren aus zwei physikalischen Gründen, dem Kurzschließen des piezoelektrischen Effekts und der elektrischen Regenerierung der Oberflächenwellen. Die aus diesen beiden Gründen reflektierten Wellen sind zueinander um 180° phasenverschoben. Der Reflexionskoeffizient der auf der Regeneration beruhenden Wellen ist jedoch höher als derjenige, der auf dem Kurzschließen des piezoelektrischen Effektes beruht. Die Oberflächenwellen, die durch Regeneration erzeugt werden, sind in Phase mit den durch die topographische Wirkung der Rillen hervorgerufen, so daß für sie eine Addition der Amplitude eintritt und damit erhöhte Reflexionsfähigkeit aufgrund der Anwesenheit des Metalls in den Nuten. Es ist zu bevorzugen, daß die Leiterstreifen dünn sind, so daß nur eine minimale Schwächung der topographischen Reflexion durch die Rillen eintritt.
In einer anderen Beziehung hat es sich als vorteilhaft herausgestellt, in Rillen einen Quarzsubstrates Streifen aus Gold vorzusehen. Dabei kann zwischen dem Quarz und den Goldstreifen eine dünne Chromschicht angeordnet werden, wodurch die Haftung des Goldes auf dem Quarzsubstrat verbessert wird. Für den Fall von Goldstreifen in einem Quarzsubstrat rufen die Goldstreifen Reflexionen hervor aufgrund ihrer Masse und der topographischen Wirkungen. Das piezoelektrische Kurzschließen aufgrund des Vorhandenseins der Goldstreifen ist praktisch vernachlässigbar. Die aufgrund der Massenbelastung entstehenden reflektierten Oberflächenwellen sind um 180° phasenverschoben gegenüber den durch die topographische Wirkung erzeugten. Wenn jedoch die Goldstreifen in den Rillen vertieft liegen und nicht die gesamte Rille ausfüllen, kann die topographische Wirkung sehr klein gehalten werden. Die reflektierten Oberflächenwellen aufgrund der Massenbelastung befinden sich in Phase mit denen, die durch die topographische Wirkung der Rillen hervorgerufen sind, so daß der wirksame Reflexionskoeffizient des Gitters durch die vertieft liegenden Goldstreifen gesteigert wird.
Die Bildfolge von Querschnitten der Fig. 4 A bis 4 G zeigt die Herstellungsschritte beim Fertigen der Reflexionsgitter gemäß Fig. 2. Das dargestellte Verfahren, was in Fig. 4 A bis 4 G gezeigt ist, eignet sich besonders für säurelösliche Substrate.
Das Substrat 30, das eine glatte Oberfläche besitzt und zur Ausbreitung akustischer Oberflächenwellen geeignet ist, erhält in einem bekannten Verfahren eine Überzugsschicht aus Chrom 110. Auf diese Chromschicht 110 wird eine Photoresistschicht 112 aufgebracht. Durch Maskieren der Photoresistschicht 112, Belichten und chemisch Entfernen wird das in Fig. 4 B gezeigte Muster erzeugt. Die Chromschicht 110 wird dann in den Bereichen weggeätzt, in denen die Photoresistschicht 112 zuvor beseitigt worden ist. Die dabei entstehenden Rillen werden durch die Öffnungen in der Photoresistschicht 112 und der Chromschicht 110 vorzugsweise durch Ionenätzung in das Substrat 30 hinein vertieft. Die Photoresistschicht 112 wird anschließend chemisch entfernt, und daraufhin wird eine durchgehende Photoresistschicht 114 auf die gesamten freiliegenden Flächen der noch verbliebenen Chromschicht 110 und der Rillen im Substrat 30 aufgebracht, wie dies Fig. 4 D erkennen läßt. Als nächstes läßt man Licht durch das Substrat 30 hindurch von der Unterseite her hindurchtreten und belichtet damit die Teile der Photoresistschicht 114, die die Nutzen oder Rillen des Substrats 30 anfüllen. Die belichteten Teile der Photoresistschicht 114 werden anschließend chemisch entfernt. Im Anschluß daran werden in dem in Fig. 4 E gezeigten Schritt die Teile der Chromschicht durch einen geeigneten Ätzvorgang an den freiliegenden Rändern leicht weggeätzt, so daß hinterschnittene Bereiche entstehen. Gemäß Fig. 4 F wird im nächsten Schritt durch Aufdampftechnik Aluminium 116 in den Rillen und auf der freiliegenden Oberfläche der Photoresistschicht 114 abgelagert. Das Ablagern wird beendet, wenn die Aluminiumschichtdicke 116 in den Rillen die Oberfläche des Substats 30 erreicht hat. In einem letzten Herstellungsschritt des Reflexionsgitters werden die noch verbliebenen Teile der Photoresistschicht 114, der Chromschicht 110 und die Bereiche der Aluminiumschicht 116, die auf der Photoresistschicht 114 abgelagert sind, chemisch entfernt, wobei dann das fertige Reflexionsgitter übrig bleibt, wie es in der Fig. 4 G gezeigt ist.
Für Substrate, die von Säuren nicht angelöst werden, beispielsweise Lithiumniobat, werden andere Herstellungstechniken angewandt. Dies ist in der Folge von Querschnittsdarstellungen der Fig. 5 A bis 5 E gezeigt. Die Oberfläche eines Substrats 30 wird mit einer Schicht Vanadium 122 und anschließend mit einer Schicht eines Photoresistmaterials 120 überzogen, wie es Fig. 5 A zeigt. Anschließend wird die Photoresistschicht 120 maskiert, belichtet und nach dem Muster gemäß Fig. 5B chemisch beseitigt. Teile der Vanadiumschicht 122 werden chemisch durch die Öffnungen, die in der Photoresistschicht 120 maskiert, belichtet und nach dem Muster gemäß Fig. 5 B chemisch beseitigt. Teile der Vanadiumschicht 122 werden chemisch durch die Öffnungen, die in der Photoresistschicht 120 entstanden sind, beseitigt. Die Nuten oder Rillen 124 werden, wie es die Fig. 5 C zeigt, durch Ionenätzung bis in das Substrat 30 hinein durch die offenen Teile der Photoresistschicht 120 und der Vanadiumschicht 122 hindurch vertieft. Eine Aluminiumschicht 126 wird dann in den Nuten 124 und auf der Oberseite der Photoresistschicht 120 niedergeschlagen, bis die im Substrat vorhandenen Rillen vollständig mit Aluminium ausgefüllt sind (siehe Fig. 5 D). Schließlich werden dann die noch verbliebenen Bereiche der Photoresistschicht 120 und der Vanadiumschicht 122 chemisch abgebaut, wodurch auch die auf der Photoresistschicht 120 aufliegenden Aluminiumschichtbereiche 126 entfernt werden. Dies zeigt Fig. 5 E.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenwellen leitenden Vorrichtung mit Reflexionsgittern, bei welchen Gold in den Rillen eines Quarzsubstrates eingelagert ist, ist in den Fig. 6A bis 6E gezeigt. Das Quarzsubstrat 30 wird mit einer geschlossenen Vanadiumschicht 132 und einer darüber ausgebreiteten Photoresistschicht 130 bedeckt wie auch bereits im vorher beschriebenen Verfahren. Genau wie im vorher beschriebenen Ablauf werden auch die Öffnungen durch die Photoresistschicht 130 und die Vanadiumschicht 132 hergestellt, sowie die Rillen 134 in das Substrat 30 eingeätzt, so daß ein Zustand gemäß Fig. 6 C entsteht. In den Nuten 134 und oben auf der Photoresistschicht 130 wird dann eine dünne Chromschicht 138 niedergeschlagen. Durch die Chromschicht wird die Haftung der Goldstreifen auf dem Quarzsubstrat verbessert, da Gold ohne weitere Hilfsmittel gewöhnlich nicht am Quarz haftet. Eine Goldschicht 136 wird dann auf der Chromschicht 138 abgelagert, und zwar in einer Dicke, die entsprechend der Erläuterung an früherer Stelle, geringer ist als die Tiefe der Rillen 134, so daß die Goldschicht 136 in den Rillen 134 vertieft leigt. Das fertige Reflexionsgitter ist in der Fig. 6 E dargestellt.

Claims (6)

1. Akustisches Oberflächenwellenbauelement mit einem für die Ausbreitung von Oberflächenwellen geeigneten Substrat (10), mit wenigstens einem elektroakustischen Wandler (20, 22), der auf einer Hauptfläche des Substrats angeordnet ist und mit einer Reflexionsgitteranordnung (12, 13, 14, 15), die sich im Ausbreitungsweg der von dem Wandler erzeugten akustischen Oberflächenwellen befindet und die eine Anzahl von im wesentlichen parallelen, durch Materialabtrag in dem Substrat hergestellten Rillen (17) und eine Anzahl von im wesentlichen parallelen Metallstreifen (16) aufweist, wobei die Breite dieser Rillen (17) und Metallstreifen (16) aufweist, im wesentlichen der halben Wellenlänge und der gegenseitige Mittenabstand im wesentlichen der ganzen Wellenlänge der zu reflektierenden Oberflächenwellen entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (16) die Zwischenräume zwischen benachbarten Rillen (17) der genannten Anzahl von Rillen überdecken.
2. Akustisches Oberflächenwellenbauelement mit einem für die Ausbreitung von Oberflächenwellen geeigneten Substrat (30), mit wenigstens einem elektroakustischen Wandler (40, 44), der auf einer Hauptfläche des Substrats angeordnet ist, und mit einer Reflexionsgitteranordnung (32, 33, 34, 35) die sich im Ausbreitungsweg der von dem Wandler erzeugten akustischen Oberflächenwellen befindet und die eine Anzahl von im wesentlichen parallelen durch Materialabtrag in dem Substrat hergestellten Rillen (134) und eine Anzahl von im wesentlichen parallelen Metallstreifen (136, 138) aufweist, wobei die Breite dieser Rillen und Metallstreifen im wesentlichen der halben Wellenlänge und der gegenseitigen Mittenabstand im wesentlichen der ganzen Wellenlänge der zu reflektierenden Oberflächenwellen entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (136, 138) den Boden von Rillen (134) der genannten Anzahl von Rillen bedecken.
3. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der Metallstreifen (136) kleiner ist als die Tiefe der Rillen (134).
4. Bauelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (16 bzw. 136) aus einer Goldschicht bestehen und daß zwischen der Goldschicht und dem Substrat eine Chromschicht (138) vorgesehen ist.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung eines Oberflächenwellenfilters die Reflexionsgitteranordnung (12 bis 15 bzw. 32 bis 35) vier an den Ecken eines im wesentlichen rechteckigen Wellenausbreitungsweges angeordnete Reflexionsgitter enthält, wobei in den zwei gegenüberliegenden Rechteckseiten entsprechenden Wellenausbreitungswegabschnitten ein Eingangswandler (20 bzw. 40) und ein Ausgangswandler (22 bzw. 44) vorgesehen sind, die nach zwei entgegengesetzten Seiten Oberflächenwellen in den Wellenausbreitungsweg aussenden bzw. von einander entgegengesetzten Seiten her vom Wellenausbreitungsweg Oberflächenwellen empfangen.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rillen (17 bzw. 127) durch Ionenätzung gebildet sind.
DE19782821791 1977-05-23 1978-05-18 Einrichtung mit gitterreflektoren zur uebertragung akustischer oberflaechenwellen Granted DE2821791A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/799,622 US4130813A (en) 1977-05-23 1977-05-23 Surface wave device having enhanced reflectivity gratings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2821791A1 DE2821791A1 (de) 1978-12-07
DE2821791C2 true DE2821791C2 (de) 1990-08-23

Family

ID=25176367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782821791 Granted DE2821791A1 (de) 1977-05-23 1978-05-18 Einrichtung mit gitterreflektoren zur uebertragung akustischer oberflaechenwellen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4130813A (de)
CA (1) CA1113554A (de)
DE (1) DE2821791A1 (de)
FR (1) FR2392545B1 (de)
GB (1) GB1587796A (de)
IT (1) IT1103452B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4336895C1 (de) * 1993-10-28 1995-04-13 Siemens Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitender Sensor

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263571A (en) * 1978-11-15 1981-04-21 Hitachi, Ltd. Surface acoustic wave filter
JPS5575333A (en) * 1978-12-04 1980-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave filter
US4237433A (en) * 1979-03-13 1980-12-02 Sperry Corporation Surface acoustic wave resonators with integrated internal coupler reflectors
JPS5647115A (en) * 1979-09-25 1981-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface elastic wave element
US4353046A (en) * 1980-11-04 1982-10-05 R F Monolithics, Inc. Surface acoustic wave device with reflectors
DE3209962A1 (de) * 1982-03-18 1983-09-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mit akustischen wellen arbeitendes elektronisches bauelement
JPS59191126A (ja) * 1983-04-14 1984-10-30 Victor Co Of Japan Ltd ビデオヘツドの位置制御装置
US4499440A (en) * 1983-08-22 1985-02-12 United Technologies Corporation Low reflectivity electrodes in semiconductive SAW devices
GB2145892A (en) * 1983-08-31 1985-04-03 Philips Electronic Associated Surface acoustic wave device
US4577169A (en) * 1984-08-01 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Small ripple surface acoustic wave filter with low insertion loss
NO855284L (no) * 1985-01-18 1986-07-21 Siemens Ag Filter som arbeider med akustiske boelger.
US4609891A (en) * 1985-10-16 1986-09-02 Sperry Corporation Staggered SAW resonator for differential detection
GB2193060B (en) * 1986-07-16 1991-04-03 Japan Radio Co Ltd Surface elastic wave filter
DE3731309A1 (de) * 1987-09-17 1989-03-30 Siemens Ag Oberflaechenwellenanordnung mit konversionsstruktur zur vermeidung unerwuenschter reflektierter wellen
US4890369A (en) * 1988-10-28 1990-01-02 United Technologies Corporation Method of manufacturing saw devices
US5196753A (en) * 1989-07-31 1993-03-23 Raytheon Company Surface acoustic wave devices having long-term frequency stability
US5111168A (en) * 1990-08-15 1992-05-05 Texas Instruments Incorporated Real-time, in-situ saw filter delay adjustment
GB2249681B (en) * 1990-11-08 1994-06-01 Stc Plc Surface acoustic wave device
JPH0685597A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
US5365770A (en) * 1993-04-05 1994-11-22 Ford Motor Company Ultrasonic wave interferometers
DE4447740B4 (de) * 1993-09-06 2008-10-09 Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi Akustisches Oberflächenwellenfilter
DK0758818T3 (da) * 1995-08-15 2000-07-24 Cts Corp Overfladeskimmende massebølgesubstat og anordning indeholdende samme
US6172582B1 (en) 1996-02-20 2001-01-09 Cts Corporation Saw resonator and ladder filter with specified number of reflector electrode fingers
JP3487772B2 (ja) 1998-03-11 2004-01-19 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
FR2779290B1 (fr) * 1998-05-29 2000-08-18 Thomson Csf Transducteur a ondes acoustiques de surface a faible gap
TW498614B (en) * 1999-12-09 2002-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device and communications equipment using the elastic surface wave device
JP3520853B2 (ja) * 2001-01-26 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波素子及びその製造方法
JP4315174B2 (ja) * 2006-02-16 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 ラム波型高周波デバイスの製造方法
CN102334289B (zh) 2009-02-27 2015-10-07 精工爱普生株式会社 表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备
JP5678486B2 (ja) * 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
JP5934464B2 (ja) 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012060420A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE785945A (fr) * 1971-07-06 1973-01-08 Siemens Ag Filtre electrique utilisant le principe des ondes de surface
FR2290786A1 (fr) * 1974-11-08 1976-06-04 Thomson Csf Dispositif a reflexion selective d'ondes elastiques de surface
US3983517A (en) * 1974-12-20 1976-09-28 Hughes Aircraft Company Surface acoustic wave multi-channel filter
GB1529941A (en) * 1975-01-15 1978-10-25 Mullard Ltd Electrical filters including coupled resonators

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4336895C1 (de) * 1993-10-28 1995-04-13 Siemens Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitender Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
IT7849428A0 (it) 1978-05-17
US4130813A (en) 1978-12-19
GB1587796A (en) 1981-04-08
IT1103452B (it) 1985-10-14
CA1113554A (en) 1981-12-01
DE2821791A1 (de) 1978-12-07
FR2392545B1 (fr) 1986-02-07
FR2392545A1 (fr) 1978-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2821791C2 (de)
DE10147116B4 (de) Oberflächenwellenbauelement mit einem Anisotropieindex kleiner als -1, bedingt durch eine Mehrschichtstruktur der Sammelelektroden, sowie Duplexer und Kommunikationsausrüstungsgerät, die dieses verwendet
DE19849782B4 (de) Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
DE69619741T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE69321799T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE2521290A1 (de) Oberflaechenwellenresonatorvorrichtung
DE2600393C2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE112007001426B4 (de) Oberflächenschallwellenvorrichtung
DE19513937C2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE112008001500B4 (de) Oberflächenschallwellenvorrichtung
DE2824371A1 (de) Akustisches oberflaechenwellenfilter
DE2350908A1 (de) Schalter mit einem asymmetrischen wellenleiterpaar
DE2604105A1 (de) Oberflaechenwellenbauelement
DE3723545C2 (de) Akustischer Oberflächenwellenfilter
DE19753664B4 (de) Oberflächenwellen-Resonatorfilter
DE2848267C3 (de) Akustische Oberflachenwelleneinrichtung
DE2739688C2 (de)
DE19838573A1 (de) Oberflächenwellenfilter
DE2820046C2 (de) Akustisches Oberflächenwellen- Bauelement
DE69217776T2 (de) Akustische Wellenanordnung
DE69632710T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
DE69620135T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter
DE69423062T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE69627757T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenanordnungen für Endflächenreflektionen
DE2754494A1 (de) Elastischoberflaechenwellenfilter

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee