DE2819420C2 - Verfahren zum Vorbereiten eines Einkristall-Rohlings, der mittels einer Innenlochsäge in Scheiben zersägt wird - Google Patents
Verfahren zum Vorbereiten eines Einkristall-Rohlings, der mittels einer Innenlochsäge in Scheiben zersägt wirdInfo
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JPS6213305A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | 株式会社日立製作所 | ワ−ク回転式切断法およびその装置 |
JPS6296400A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの製造方法 |
DE3716943A1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-12-08 | Hans J Scheel | Verfahren und vorrichtung zum trennen von insbesondere stabfoermigem material |
US4852304A (en) * | 1987-10-29 | 1989-08-01 | Tokyo Seimtsu Co., Ltd. | Apparatus and method for slicing a wafer |
US5111622A (en) * | 1989-05-18 | 1992-05-12 | Silicon Technology Corporation | Slicing and grinding system for a wafer slicing machine |
US5095664A (en) * | 1990-01-30 | 1992-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical surface polishing method |
JP3060445B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2000-07-10 | 株式会社東京精密 | 半導体ウエハのスライシング方法及びその装置 |
JP2903916B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1999-06-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体インゴット加工方法 |
TW230262B (US07582779-20090901-C00044.png) * | 1992-12-24 | 1994-09-11 | American Telephone & Telegraph | |
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CH690845A5 (de) * | 1994-05-19 | 2001-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür. |
CZ283541B6 (cs) * | 1996-03-06 | 1998-04-15 | Trimex Tesla, S.R.O. | Způsob řezání ingotů z tvrdých materiálů na desky a pila k provádění tohoto způsobu |
JP3213563B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ノッチレスウェーハの製造方法 |
US7007855B1 (en) * | 2000-03-17 | 2006-03-07 | International Business Machines Corporation | Wafer identification mark |
DE10019601B4 (de) * | 2000-04-20 | 2006-09-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
US7637801B2 (en) * | 2000-09-28 | 2009-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making solar cell |
JP3649393B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | シリコンウエハの加工方法、シリコンウエハおよびシリコンブロック |
DE10103592B4 (de) * | 2001-01-26 | 2006-07-13 | Ernst Spielvogel | Säge zum Zerteilen von Materialien in dünne Scheiben, insbesondere zum Zerteilen von Wafern aus Silizium |
KR100810058B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2008-03-05 | 에이디이 코포레이션 | 멀티-채널 데이터의 그래픽 표현을 이용하여 기판의표면에서 발생하는 결함을 분류하는 방법 및 시스템 |
WO2010138764A2 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate side marking and identification |
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US3039235A (en) * | 1961-01-31 | 1962-06-19 | Hamco Mach & Elect Co | Cutting apparatus |
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US3662733A (en) * | 1969-10-12 | 1972-05-16 | Yoji Hattori | Annular cutting apparatus with work removal means |
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