DE2819420A1 - Verfahren zum zersaegen eines harten einkristall-rohlings in scheiben - Google Patents
Verfahren zum zersaegen eines harten einkristall-rohlings in scheibenInfo
- Publication number
- DE2819420A1 DE2819420A1 DE19782819420 DE2819420A DE2819420A1 DE 2819420 A1 DE2819420 A1 DE 2819420A1 DE 19782819420 DE19782819420 DE 19782819420 DE 2819420 A DE2819420 A DE 2819420A DE 2819420 A1 DE2819420 A1 DE 2819420A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- blank
- saw
- axis
- sawing
- longitudinal axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 1O5O4
bu/se
Verfahren zum Zersägen eines harten Einkristall-Rohlings in Scheiben
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Sägen eines harten
Einkristall-Rohlings in Scheiben mittels einer Innenlochsäge.
Bei der kommerziellen Herstellung von Halbleitervorrichtungen müssen zunächst große Einkristall-Rohlinge oder Barren aus
beispielsweise Silizium oder Germanium in Scheiben oder Wafer zersägt werden. Ursprünglich wurde solches Rohmaterial aus
Silizium mit einer umlaufenden Piamantsäge zersägt, deren äußerer Umfang oder die Sägeschneide des Sägeblattes mit
Diamantstaub besetzt war. Dieses ursprüngliche Sägeverfahren wurde bald aufgegeben, weil das relativ dicke Sägeblatt ziemlichen
Materialverbrauch verursachte. Außerdem verursachten Schwingungen des Sägeblattes bei diesem Verfahren Beschädigungen
der Seitenflächen der Scheiben. Für die Anwendung der Scheiben in der Halbleitertechnik müssen jedoch die Oberflächen
von besonderer Güte sein. Deshalb mußten Beschädigungen durch den Prozess des Sägens durch Abschleifen oder
andere Oberflächenveredelungsp rozesse beseitigt werden.
In der Halbleitertechnik wurde bald ein Verfahren eingeführt, das eine sogenannte Innenlochsäge benutzt. Das Sägeblatt in
Form eines Kreisringes ist an seinem äußeren Umfange in geeigneter Weise eingespannt und die Sägeschneide wird durch
den inneren Umfang des Kreisringes gebildet. Solche Iimenlochsägen
für die Herstellung von Siliziumscheiben sind beispielsweise in den US-Patentschriften 3 025 738 und 3 039 235
beschrieben. Die Fign. 1 und 1A zeigen schematisch eine sol-
SA 977 016
809850/0626
ehe Anordnung, wo ein Rohling 10 eines Einkristalls aus Silizium
um seine Längsachse gedreht und so bewegt wird, daß er gegen die Sägeschneide 12 des Sägeblattes 14 geführt wird.
Der Rohling 10 wird in einer aufrechten Stellung so gehalten, daß seine Längsachse 16 (Fig. 1A) senkrecht zur Ebene des
Sägeblattes 14 verläuft. Die Lehre nach diesen Patentschriften
berücksichtigt noch nicht die kristallographische Orientierung des Einkristalls. Wie in der Fig. IA angedeutet, könnten
die Richtungen der Längsachse 16 und der Kristallachse 20
des Rohlings 10 erheblich divergieren, meistens um mindestens 3 bis 4 . Die durch diese Verfahren erhaltenen Siliziumscheiben
hatten daher nicht eine saubere kristallographische Orientierung (1,1,1) oder (1,1,0), wie sie für Halbleitervorrichtungen
notwendig ist.
Später wurde ein Verfahren eingeführt, wie es beispielsweise in der US-Patentschrift 3 662 733 beschrieben ist. Dabei wird
der Rohling nicht um seine Längsachse gedreht. Wie in den Fign. 2 und 2A schematisch dargestellt ist, wird der Rohling
3O so ausgerichtet, daß seine Längsachse 36 nicht genau senkrecht zur Ebene des Sägeblattes steht, sondern seine
Kristallachse 38. Der nicht um seine Längsachse rotierende Rohling 30 wird dann gegen die Sägeschneide 32 geführt,
wobei seine Orientierung beibehalten bleibt, bis eine Scheibe vom Rohling abgeschnitten ist. Dieses Verfahren erbringt
Halbleiterscheiben mit sauberer kristallographischer Orientierung (1,1,1) oder (1,1,0), solange wie bei der Herstellung
der Rohling entsprechend seiner kristallographischen Orientierung in Toleranzen von etwa +0,5° geführt wird.
Mit dem Aufkommen von Magnetblasenspeichern braucht man jetzt
t auch harte Scheiben aus Granatmaterialien, wie beispielsweise Gadolinium-Gallium-Granat (GGG),welche wesentlich härter als
allgemein übliche Halbleitermaterialien sind, wie Germanium
SA 977 O16
809850/0626
und Silizium. Nach einem amerikanischen Härtemeßverfahren hat beispielsweise Silizium die Härte 650, während GGG den
Wert 1200 aufweist. Um Granatrohlinge in Scheiben zu zersägen, wird daher üblicherweise das mit Bezug auf die Fig. 2 beschriebene
Verfahren angewendet. Jedoch die wesentlich größere Härte dieser Materialien bringt auch bei diesem Verfahren Probleme
mit sich.
Ein großes Problem ist die wesentlich verringerte Standzeit der Sägeblätter. Während man beispielsweise mit einem Innenlochsägeblatt
etwa 2000 Scheiben aus Silizium absägen kann, ist mit dem gleichen Sägeblatt die Herstellung von nur etwa
25 bis 50 Scheiben gleicher Größe aus Granatmaterial möglich. Sowohl die Anzahl zusätzlicher notwendiger Sägeblätter als
auch der Aufwand an Zeit und Arbeit zum Auswechseln dieser Sägeblätter verteuert das Zersägen von Rohlingen aus Granatmaterial
erheblich.
Magnetblasenscheiben erfordern aber Oberflächen, die glatt, eben, parallel und praktisch frei von Gitterfehlern sind.
Die Oberflächen von GGG-Scheiben, die man durch Sägen mit einer Innenlochsäge bei nicht rotierendem Rohling erhält,
sind rauh, uneben, nicht parallel, d.h., keilförmig, und haben Gitterfehler, die sich bis in beachtliche Tiefe erstrecken
können. Um solche Scheiben für die Anwendung brauch- :bar zu machen, muß man beide Seiten der Scheibe Oberflächen-'vergütungsverfahren
unterziehen, wie beispielsweise Läppen |und Polieren. Das Läppverfahren verteuert diese Scheiben
erheblich, weil dieser Verfahrensschritt sowohl zeitraubend ist, als auch erhebliche Mengen von Halbleitermaterial unnötig
verbraucht.
;Es ist Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum ,Zersägen eines harten Einkristall-Rohlings in Scheiben mittels
.einer Innenlochsäge anzugeben, um auch Kristalle verarbeiten
977 016 809850/0626
zu können, deren Härte größere Werte als 700 aufweist, wobei auch die Standzeit der Sägeblätter wesentlich erhöht ist, so
daß sich Scheiben ergeben, deren Oberflächen bei parallelen Flächen mit wenig Gitterstörungen von ausreichender Güte sind.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst, wie es dem Kennzeichen
des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich äußert harte
Kristalle zu Scheiben mit brauchbaren Oberflächen zersägen. Außer für Gadolinium-Gallium-Granat gilt dies auch für
Saphir und dgl. Dementsprechend wird also ein Rohling zunächst vorzugsweise durch Schleifen vorbehandelt, um die
longitudinale Rohlingsachse parallel zu seiner kristallographischen Orientierungsachse zu bringen, die bei Halterung
in Verarbeitungslage senkrecht zum Sägeblatt liegt. Beim Zersägen wird Sorge dafür getragen, daß diese Orientierung
und Ausrichtung beibehalten bleibt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Verbesserungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens lassen sich den Unteransprüchen entnehmen.
Dank der Erfindung ergeben sich Scheiben mit einwandfreien Oberflächeneigenschaften, wobei zudem noch relativ wenige
Gitterstörungen zu verzeichnen sind, so daß diese Scheiben
an sich direkt poliert werden können, ohne, wie sonst üblich, vorher einen Läppverfahrensgang anwenden zu müssen. Dies
schließt allerdings nicht aus, daß bei ganz speziellen Verwendungszwecken der Scheiben auch eine vorherige Läppung
durchaus zweckmäßig sein kann.
Die Erfindung wird anschließend anhand eines Ausführungs-
SA 977 016 809850/0626
- 7 - SA9-77-016
beispiels mit Hilfe der Zeichnungen näher beschrieben. ^O f 3HtV
Fig.l ist eine schematische Draufsicht auf eine Innenlochsäga,
die nach einem bekannten Verfahren arbeitet und vrobei der Rohling um seine. Längsachse gedreht wird.
Fig.IA ist eine schematische Darstellung des Rohlings des
Einkristalls und zeigt die kristallographische Orientierung bezüglich seiner Längsachse.
Fig.2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Innenlochsäge,
die nach einem bekannten Verfahren arbeitet und wobei der Rohling ohne Eigenrotation zersägt wird.
Fig.2A zeigt die kristallographische Orientierung des Rohlings.
Fig.3 veranschaulicht die Reihenfolge der Schritte des
neuen Verfahrens.
Fig. 4 ist eine schematische Draufsieht .auf eine Innenlochsäge,
welche nach dem beschriebenen Verfahren arbeitet.
Fig.4A ist die zugehörige Darstellung der kristallographischen Orientierung des Rohlings.
Der Rohling des Einkristalls wird vorzugsweise durch
Schleifen so vorbereitet, dass seine Längsachse in die gleiche Richtung
wie seine Kristallachse fällt. Dann wird der Rohling in eine Halterung eingesetzt und so ausgerichtet, dass diese gemeinsame Längsachse
und Kristallachse sich senkrecht zur Ebene des Sägeblattes erstreckt. Dann wird der Rohling um seine Längsachse gedreht, wobei diese
Orientierung beibehalten wird, und er wird genügend lange gegen die Sägeschneide geführt, bis eine entsprechende Scheibe vom Rohling
des Kristalles abgesägt ist. Auf diese Weise erhaltene Halbleiterscheiben oder Wafer sind eben, haben parallele Flächen, sind verhältnismässig
glatt und haben dementsprechend wenig Gitterfehler. Diese Wafer können daher unmittelbar poliert werden, ohne dass der
bisher übliche Verfahrensschritt des Läppens notwendig ist.
Die Verfahrensschritte sind im Flussdiagramm der Fig.3
809850/0626
- 8 - SA9-77-016
stichwortartig aufgeführt. Der wichtige erste Schritt ist das Vorbereiten
des Rohlings. Ein solcher Rohling eines Einkristallsaus
einem Material wie Gadolinium-Gallium-Granat (GGG) wird auf herkömmliche
Weise gewonnen, beispielsweise nach der Czochralski-Methode. Das beschriebene Verfahren zum Sägen von Halbleiterscheiben kann auf
jegliches Exiikristallinaterial angewendet werden, es ist jedoch besonders
brauchbar für solche Materialien mit grossen Härtewerten, die oberhalb 700 liegen. Das Verfahren wird im Folgenden beschrieben
mit einem Ausführungsbeispiel, bei welchem als Halbleitermaterial Gadolinium-Gallium-Granat verwendet wird. Es ist jedoch für jedes
harte Einkristallmaterial verwendbar, wie beispielsweise andere Granate, Saphire oder ähnliche Materialien.
Durch ein übliches Verfahren, beispielsweise mittels Röntgenstrahlen, wird zunächst die kristallographische Orientierung
des Rohlings bestimmt. Danach wird der rohe Kristall abgeschliffen in einer sol'.hen Weise, dass beispielsweise die Kristallachse 40 parallel
zu oder gleichachsig mit der Längsachse 42 des Rohlings 44 ist, wie in der Fig.4A dargestellt. Die Toleranz für beide Achsenrichtungen
sollte innerhalb 0,05 liegen. Wenn nähmlich beide Achsenrichtungen nicht genügend übereinstimmen, dann haben auch die erhaltenen Scheiben
nicht die richtige kristallographische Orientierung.
Der nächste Verfahrensschritt ist die kristallographische Ausrichtung. Der Rohling 44, welcher entsprechend der Fig.4A vorbehandelt
wurde, wird anschliessend in eine Haltevorrichtung eingesetzt, die irgendeine Klemmvorrichtung oder andere geeignete Vorrichtung
45 aufweist ,um den Rohling 44in seiner bestimmten Lage zu halten. Die Haltevorrichtung 45 für den Rohling wird in nicht dargestellter
Weise mit anderen Teilen der Apparatur verbunden, womit der Rohling 44 um seine Längsachse gedreht werden und dabei die eingestellte
Ausrichtung präzis aufrechterhalten kann.
Wie in der Fig.4 dargestellt ist, wird der Rohling so mit
der Innenlochsäge in Verbindung gebracht, dass sowohl seine Kristallachse als auch seine Längsachse sich senkrecht zur Ebene des Sägeblattes
46 erstrecken. Der innere Umfang des ringförmigen Säge-
809850/0626
- 9 - SA9-77-016
blattes 46 bildet die Sägeschneide 48. Der Rohling 44 wird um
seine Längsachse gedreht und dabei gegen die Sägeschneide. 48 bewegt. Während dieses Vorgangs kann über eine Düse 50 Flüssigkeit
zugeführt werden, die zum Kühlen und zum gleichzeitigen Schmieren dient. Das Sägeblatt 46 läuft'in dem durch den eingezeichneten Pfeil
angedeuteten Umlaufsinn um. Vorzugsweise rotiert der Rohling im gleichen UmIaufsinn. Die Richtung und Menge der Kühl- und Schmierflüssigkeit
wird entsprechend eingestellt. Das Sägeblatt 46 läuft mit verhältnismässig hoher Geschwindigkeit um, beispielsweise mit
2000-2500 je Minute.
Der Rohling dreht sich um seine Längsachse mit einer verhältnismässig geringen Geschwindigkeit, die grossenteils von
der Apparatur, insbesondere der Präzision der Lagerung und des Antriebs abhängt. Beispielsweise erlauben Luftlager oder hydrostatische
Lager eine höhere Umlaufgeschwindigkeit als mit Kugellagern ausgerüstete Antriebe. Je nach Ausführung der Apparatur liegt
die Drehgeschwindigkeit des Rohlings im Bereich zwischen 10 und Umdrehungen je Minute. Ob man jedoch insbesondere die höheren Umlaufgeschwindigkeiten
erreichen kann, hängt weitgehend von der verwendeten Apparatur ab. In der folgenden Tabelle sind einige Versuchsergebnisse
dargestellt.
spiel | Umlauf Rohling U/min |
Anzahl Wafer |
Sägespuren Tiefe |
Anzahl Wafer je Sägeblatt |
Ebenheit cm/cm |
Paral lelismus cm/cm |
1 | 0 | 25 | annehmbar | 5 | 0,0010 | 0,0005 |
2 | 30 | 85 | annehmbar | 17 | 0,0002 | 0,0002 |
3 | 45 | 192 | annehmbar | 38 | 0,0002 | 0,0002 |
4 | 50 | a) | ungenügend | — | — | — |
a) starke Sägespuren
Im Beispiel Nr. 1 erfolgte keine Eigendrehung des Rohlings. Es konnten 25 Scheiben mit etwa 5 cm Durchmesser aus Gadolinium-Gallium-Granat
abgesägt werden, bis das Sägeblatt unbrauchbar wurde. Bei einem Verfahren gemäss der Erfindung, wie in Beispiel 2 gezeigt,
wurden 85 Scheiben abgesägt, bevor das Sägeblatt unbrauchbar wurde. Dabei erfolgte die Eigendrehung des Rohlings mit 30 Umdrehungen je
809850/0626
SA9-77-O16
Minute. Im Beispiel Nr.3 mit einer Eigendrehung des Rohlings von
45 Umdrehungen je Minute wurden sogar 192 Scheiben erreicht.
Im Beispiel Nr. 4 erfolgte die Eigenumdrehung des Rohlings mit 50 Umdrehungen je Minute zu schnell. Die Erschütterungen und
Vibrationen der Apparatur bewirkten, dass die erhaltenen Scheiben zu rauh ausfielen, um noch brauchbar zu sein. Die erhaltenen Scheiben
zeigten also starke Sägespuren. Die Tiefe solcher Sägespuren wurde . bei den Beispielen danach beurteilt, wie sich die Scheiben
verhielten, wenn sie anschliessend nach einem üblichen Verfahren poliert wurden. Die durchschnittliche Tiefe der Sägespuren war
noch annehmbar für die Beispiele 1,2 und 3. Aber es war bei den Beispielen 2 und 3 leichter, die Tiefe der Sägespuren im annehmbaren
Rahmen zuhalten, als bei dem Beispiel 1, welches das bisher gebräuchliche Verfahren betrifft. Dies wird dadurch veranschaulicht,
wie oft das Sägeblatt neu zugerichtet werden musste. Im Beispiel 1 musste das Sägeblatt nach je 5 Scheiben erneuert werden. Dem gegenüber
konnten in einer Standzeit des Sägeblattes bei den Beispielen 2 und 3 17 bzw. 38 Scheiben abgesägt werden.
Die Ebenheit und der Parallelismus der Scheiben wurde mit einem herkömmlichen Messtaster untersucht, welcher die Messwerte
in cm/cm des Auslaufens angab. Die für die Ebenheit gemessenen,
Werte von 0,0002 für die Beispiele 2 und 3 waren besser als der Wert;
OjOOlOyder für das Beispiel nach dem herkömmlichen Verfahren erzielt'
wurde. Die Messwarte 0,0002 für den Parallelismus bei den Beispielen 2 und 3 waren ebenfalls besser als der Wert 0,0005, welcher für
das Beispiel 1 nach den herkömmlichen Verfahren erzielt wurde. Die Wafer nach den Beispielen 2 und 3 wurden visuell untersucht und ihre
Oberflächen als ausreichend glatt befunden.
Die verbesserten Werte für Ebenheit und Parallelismus der Scheiben und die erheblich geringere Anzahl von Gitterfehlern erlaubt
es nun, dass eine Scheibe aus Gadolinium-Gallium-Granat sofort poliert werden kann, ohne dass es notwendig ist, die Flächen der
Scheiben zuerst zu läppen. Die nachdem herkonunlichen Verfahren hergestellten
Scheiben des Beispiels 1 mussten nämlich zuerst auf beiden
809850/0626
_„_ 2819A20
SA9-77-016
Seiten, geläppt v/erden und anschliesscnd poliert, damit die Water
ausreichend eben und parallel genug waren und auch genügend wenig Gitterstörstellen aufwiesen, um als Trägermedium für Magnetblasen
geeignet zu sein. Die nach den Beispielen 2 und 3 erhaltenen Scheiben waren von gleich guter Qualität. Sie waren für die Anwendung
in Magnetblasenvorrichtungen.schon dadurch geeignet, dass man sie auf beiden Seiten polierte, ohne sie erst vorher läppen zu
müssen. Wenn man ein Trägermedium für llagnetblasen von hervorragender
Qualität erhalten will, genügt es, nur eine der Oberflächen vor dem Polieren zu läppen.
Das beschriebene Verfahren ist besonders geeignet für harte Einkristallmaterialien wie Gadolinium-Gallium-Granat, Granate,
Saphire oder ähnliche Materialien, weil es damit möglich ist, diese harten Materialien leichter als mit den bisherigen Methoden zu
sägen und doch dabei Wafer mit überragend guten Eigenschaften zu erhalten.
Das beschriebene Verfahren kann jedoch auch mit Vorteil bei weicheren Materialien wie Germanium oder Silizium verwendet
werden, wenn es auf besondere Anforderungen bezüglich der Ebenheit und des Parallelismus ankommt.
809850/0628
Claims (9)
1. Verfahren zum Zersägen eines harten Einkristall-Rohlings, vorzugsweise aus Gadolinium-Gallium-Granat oder Saphir,
in Scheiben mittels einer Innenlochsäge, dadurch gekennzeichnet, daß zuerst zur eindeutigen Orientierung
der Längsachse (42) des Rohlings mit einer ausgezeichneten kristallographischen Achse (40) die Oberfläche
des Rohlings (44) zubereitet wird, daß dann der Rohling in eine Halterung (45) so eingesetzt wird, daß die
genannte Achse sich senkrecht zur Ebene des Sägeblattes (46) der Innenlochsäge erstreckt, und daß während des
Absägens einer Scheibe der Rohling um die genannte Achse gedreht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zubereitung des Rohlings so erfolgt, daß die sich ergebende Längsachse von der Kristallachse höchstens um
0,1° abweicht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abweichung der Längsachse von der Kristallachse
kleiner als 0,05° ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß während des Sägens der Rohling mit einer
Drehzahl zwischen 10 und 100 Umdrehungen je Minute um seine Längsachse gedreht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Rohling mit einer Drehzahl zwischen 10 und 45 Umdrehungen
je Minute gedreht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rohling und das Sägeblatt im gleichen Sinne rotieren.
SA 977 °16 809850/0626
. . ORIGINAL JNSPEGTED
2813420
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rohling und das Sägeblatt im gegenläufigen Sinne
rotieren.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
abschließend mindestens eine Seite einer jeweiligen Scheibe poliert wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß/insbesondere zur Verwendung in Magnetblasen-Funktionseinheiten,
die zu polierende Seite einer Scheibe vorher geläppt wird.
SA 977 °16 8 0 98 50/0626
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/803,082 US4084354A (en) | 1977-06-03 | 1977-06-03 | Process for slicing boules of single crystal material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2819420A1 true DE2819420A1 (de) | 1978-12-14 |
DE2819420C2 DE2819420C2 (de) | 1987-05-14 |
Family
ID=25185528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2819420A Expired DE2819420C2 (de) | 1977-06-03 | 1978-05-03 | Verfahren zum Vorbereiten eines Einkristall-Rohlings, der mittels einer Innenlochsäge in Scheiben zersägt wird |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4084354A (de) |
JP (1) | JPS542585A (de) |
AU (1) | AU516065B2 (de) |
BR (1) | BR7803511A (de) |
CA (1) | CA1084172A (de) |
CH (1) | CH633744A5 (de) |
DE (1) | DE2819420C2 (de) |
FR (1) | FR2392793A1 (de) |
GB (1) | GB1555299A (de) |
IT (1) | IT1111182B (de) |
NL (1) | NL7804265A (de) |
SE (1) | SE429313B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3716943A1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-12-08 | Hans J Scheel | Verfahren und vorrichtung zum trennen von insbesondere stabfoermigem material |
US6041766A (en) * | 1996-03-06 | 2000-03-28 | Trimex Tesla, S.R.O. | Method of cutting blocks of hard substances into plates by means of a wire saw, and wire saw for carrying out this method |
DE10103592A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Ernst Spielvogel | Anordnung zur Einspannung und Bewegung von Wenigstens einem Trennbauteil für das Zerteilen von Materialien |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4344260A (en) * | 1979-07-13 | 1982-08-17 | Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. | Method for precision shaping of wafer materials |
JPS56105638A (en) * | 1980-01-26 | 1981-08-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of circular gallium arsenide wafer |
DE3036829A1 (de) * | 1980-09-30 | 1982-05-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum aufnehmen von kristallscheiben |
JPS6213305A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | 株式会社日立製作所 | ワ−ク回転式切断法およびその装置 |
JPS6296400A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの製造方法 |
US4852304A (en) * | 1987-10-29 | 1989-08-01 | Tokyo Seimtsu Co., Ltd. | Apparatus and method for slicing a wafer |
US5111622A (en) * | 1989-05-18 | 1992-05-12 | Silicon Technology Corporation | Slicing and grinding system for a wafer slicing machine |
US5095664A (en) * | 1990-01-30 | 1992-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical surface polishing method |
JP3060445B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2000-07-10 | 株式会社東京精密 | 半導体ウエハのスライシング方法及びその装置 |
JP2903916B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1999-06-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体インゴット加工方法 |
TW230262B (de) * | 1992-12-24 | 1994-09-11 | American Telephone & Telegraph | |
JP2789983B2 (ja) * | 1993-01-28 | 1998-08-27 | 信越半導体株式会社 | 加工誤差補正装置 |
CH690845A5 (de) * | 1994-05-19 | 2001-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür. |
JP3213563B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ノッチレスウェーハの製造方法 |
US7007855B1 (en) * | 2000-03-17 | 2006-03-07 | International Business Machines Corporation | Wafer identification mark |
DE10019601B4 (de) * | 2000-04-20 | 2006-09-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
JP3649393B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | シリコンウエハの加工方法、シリコンウエハおよびシリコンブロック |
US7637801B2 (en) * | 2000-09-28 | 2009-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making solar cell |
DE112004001024T5 (de) * | 2003-06-10 | 2006-06-01 | Ade Corp., Westwood | Verfahren und System zur Klassifizierung von an einer Oberfläche eines Substrats auftretenden Defekten unter Verwendung einer grafischen Darstellung von Vielkanal-Daten |
WO2010138764A2 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate side marking and identification |
CN108523329A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-09-14 | 上海黛恩妠珠宝有限公司 | 一种碳硅石圆钻 |
CN111775354B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-10-01 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种钽铌酸钾单晶基片元件的加工制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1145989B (de) * | 1959-10-29 | 1963-03-21 | Intermetall | Vorrichtung zum Saegen von kleinen stabfoermigen Objekten, insbesondere Halbleiter-Einkristallen |
DE1165163B (de) * | 1955-12-30 | 1964-03-12 | Ibm Deutschland | Schneidvorrichtung fuer Germanium-Halbleitereinkristalle in Barrenform zum Herstellen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente |
DE2328543B2 (de) * | 1972-06-05 | 1975-10-23 | Hitachi, Ltd., Tokio | Vorrichtung zum Schneiden eines Kristalls in einer seiner Kristallebenen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3039235A (en) * | 1961-01-31 | 1962-06-19 | Hamco Mach & Elect Co | Cutting apparatus |
DE1427716A1 (de) * | 1964-01-20 | 1969-01-16 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen duenner Kristallscheiben aus Halbleitermaterial von Einkristallstaeben |
DE1752443A1 (de) * | 1968-05-27 | 1971-05-27 | Helmut Willems | Innenlochsaege |
US3626644A (en) * | 1969-07-17 | 1971-12-14 | John A Cupler | Method of making solid diamond drills |
US3662733A (en) * | 1969-10-12 | 1972-05-16 | Yoji Hattori | Annular cutting apparatus with work removal means |
JPS5243189A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-04 | Hitachi Ltd | Method for cutting crystal |
-
1977
- 1977-06-03 US US05/803,082 patent/US4084354A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-03-31 CA CA300,171A patent/CA1084172A/en not_active Expired
- 1978-04-06 AU AU34831/78A patent/AU516065B2/en not_active Expired
- 1978-04-18 CH CH411078A patent/CH633744A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-04-21 NL NL7804265A patent/NL7804265A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-04-26 GB GB16574/78A patent/GB1555299A/en not_active Expired
- 1978-04-27 FR FR7813285A patent/FR2392793A1/fr active Granted
- 1978-05-03 DE DE2819420A patent/DE2819420C2/de not_active Expired
- 1978-05-24 SE SE7805925A patent/SE429313B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-05-26 IT IT23831/78A patent/IT1111182B/it active
- 1978-06-01 JP JP6500078A patent/JPS542585A/ja active Granted
- 1978-06-01 BR BR7803511A patent/BR7803511A/pt unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1165163B (de) * | 1955-12-30 | 1964-03-12 | Ibm Deutschland | Schneidvorrichtung fuer Germanium-Halbleitereinkristalle in Barrenform zum Herstellen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente |
DE1145989B (de) * | 1959-10-29 | 1963-03-21 | Intermetall | Vorrichtung zum Saegen von kleinen stabfoermigen Objekten, insbesondere Halbleiter-Einkristallen |
DE2328543B2 (de) * | 1972-06-05 | 1975-10-23 | Hitachi, Ltd., Tokio | Vorrichtung zum Schneiden eines Kristalls in einer seiner Kristallebenen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DE-Z.:"technica", 1968, Nr.24, S.2281-2284 u.2291 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3716943A1 (de) * | 1987-05-20 | 1988-12-08 | Hans J Scheel | Verfahren und vorrichtung zum trennen von insbesondere stabfoermigem material |
US6041766A (en) * | 1996-03-06 | 2000-03-28 | Trimex Tesla, S.R.O. | Method of cutting blocks of hard substances into plates by means of a wire saw, and wire saw for carrying out this method |
DE10103592A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Ernst Spielvogel | Anordnung zur Einspannung und Bewegung von Wenigstens einem Trennbauteil für das Zerteilen von Materialien |
DE10103592B4 (de) * | 2001-01-26 | 2006-07-13 | Ernst Spielvogel | Säge zum Zerteilen von Materialien in dünne Scheiben, insbesondere zum Zerteilen von Wafern aus Silizium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT7823831A0 (it) | 1978-05-26 |
BR7803511A (pt) | 1979-04-24 |
JPS6159889B2 (de) | 1986-12-18 |
SE429313B (sv) | 1983-08-29 |
US4084354A (en) | 1978-04-18 |
CA1084172A (en) | 1980-08-19 |
CH633744A5 (de) | 1982-12-31 |
GB1555299A (en) | 1979-11-07 |
IT1111182B (it) | 1986-01-13 |
AU3483178A (en) | 1979-10-11 |
NL7804265A (nl) | 1978-12-05 |
SE7805925L (sv) | 1978-12-04 |
FR2392793B1 (de) | 1982-05-14 |
AU516065B2 (en) | 1981-05-14 |
JPS542585A (en) | 1979-01-10 |
FR2392793A1 (fr) | 1978-12-29 |
DE2819420C2 (de) | 1987-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2819420A1 (de) | Verfahren zum zersaegen eines harten einkristall-rohlings in scheiben | |
DE69734414T2 (de) | Verfahren zum Zerschneiden eines Einkristallbarren aus Halbleitermaterial | |
EP0269997B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Korrektur des Schnittverlaufs beim Zersägen von Kristallstäben oder -blöcken. | |
DE112009002528B4 (de) | Rohblockschneidvorrichtung und Rohblockschneidverfahren | |
DE102012220161B4 (de) | Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einem abgeschrägten Abschnitt entlang des äusseren Umfangs davon | |
DE69715798T2 (de) | Oberflächen-Schleifvorrichtung und Verfahren zum oberflächlichen Schleifen eines dünn-flächigen Werkstückes | |
DE3524978A1 (de) | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben | |
DE3686548T2 (de) | Verfahren zur herstellung von scheiben. | |
DE3026272A1 (de) | Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung | |
DE2702261A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum schleifen der kanten eines zerbrechlichen werkstuecks | |
DE3613132C2 (de) | ||
DE19959414A1 (de) | Vorrichtung zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück | |
DE112009001195B4 (de) | Doppelseiten-Schleifvorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Wafern | |
DE1621473B2 (de) | Verfahren zum chemisch mechanischen polieren von silizium oberflaechen | |
DE10147761B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Siliciumwafern | |
DE3045760A1 (de) | Verfahren zum planschleifen von flachen platten u.dgl. | |
DE10344602A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben | |
DE2007865C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer Siliciumoberfläche | |
DE102006022089A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einr profilierten Kante | |
DE112009002220B4 (de) | Rohblockschneideverfahren | |
DE112019005268T5 (de) | Verfahren zur herstellung eines lasermarkierten siliziumwafers und lasermarkierter siliziumwafer | |
DE112012002299T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidsubstrates | |
EP0279949A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE112012002597T5 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats | |
DE112016003032T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |