DE2814751A1 - Verfahren zur herstellung von siliciumeinkristallen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zur herstellung von siliciumeinkristallen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

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DE2814751A1
DE2814751A1 DE19782814751 DE2814751A DE2814751A1 DE 2814751 A1 DE2814751 A1 DE 2814751A1 DE 19782814751 DE19782814751 DE 19782814751 DE 2814751 A DE2814751 A DE 2814751A DE 2814751 A1 DE2814751 A1 DE 2814751A1
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liquid
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Maurice Gerard Fey
Francis J Harvey
Robert Mazelsky
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Description

Vestinghouse Electric Corp« ¥estinghouse Building Gateway Center, Pittsburgh Pennsylvania 15222, USA
Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen und . Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen und insbesondere zur Umwandlung von siliciumhaltigen Ausgangsmaterialien in einkristallines Silicium, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, um durch Reduktion flüssiges Silicium herzustellen, aus welchem anschließend ein Einkristall gewachsen wird.
Die Möglichkeit der photovoltaischen Energieumwandlung um elektrische Energie zu erzeugen wird durch die Kosten begrenzt, xielche mit den verschiedenen aufwendigen Herstellungsschritten verbunden sind, um aus Kiesel einkristallines Silicium herzustellen, sox-jie um aus diesem Solarzellen in Form großer Felder aufzubauen. Die bisher bekannten Verfahren zum Herstellen von Solarzellenfeldern sind äußerst arbeitsaufwendig, wobei in der Regel sehr viel Energie und
Fs/gf
Material
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Material verbraucht wird. Aus diesem Grund werden erhebliche Anstrengungen gemacht, um die photovoltaische Energiewandlung durch eine Reduktion der Kosten für die Siliciumsolarzellen preiswerter zu machen, und um Wege zufinden, das Rohmaterial für die Siliciumsolarzellen mit weniger Kosten ökonomischer und möglichst automatisch herstellen zu können.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde ein Verfahren und Einrichtungen zur Herstellung von SiIiciumeinkristallen zu schaffen, so daß die Herstellung von Siliciumeinkristallen in kontinuierlichen Verfahren auch in großen Mengen zu verhältnismäßig geringen Kosten möglich wird.
Diese Aufgabe wird für das Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Lichtbogenerhitzer mit einer Lichtbogenkammer und einer an diese anschließende Reaktionskammer verwendet werden, wobei der in zumindest einem Elektrodenspalt erzeugte Lichtbogen mit einem durch den Elektrodenspalt eingeblasenen Lichtbogengas, insbesondere durch Wasserstoffgas oder ein Gemisch aus Wasserstoffgas und einem Edelgas in die Reaktionskammer verdrängt wird, daß in den Lichtbogen ein Reaktionsmittel, insbesondere ein reduzierendes Metall, Wasserstoff oder ein Gemisch daraus eingeleitet wird, daß ferner in den Lichtbogen Siliciumhalogenid eingeleitet wird, um Reaktionsprodukte mit gasförmigen Salzen des Reaktionsmittels und flüssiges Silicium zu bilden, daß das flüssige Silicium von den gasförmigen Salzen des Reaktionsmittels vorzugsweise in einem Zyklonenreaktor getrennt wird,und daß das flüssige Silicium an einer geneigten Fläche niedergeschlagen und mit einem Kristallkeim geimpft sowie als großer Einkristall aus dem flüssigen Silicium gewachsen wird.
¥eitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren Ansprüchen,,
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Eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Lichtbogenerhitzer in Verbindung mit einem an die Reaktionskammer angeschlossenen Zyklonenscheider Verwendung findet, in xvelchen die Reaktionsprodukte tangential eingeleitet werden.
Durch die Maßnahmen der Erfindung läßt sich Silicium in großen Mengen verhältnismäßig einfach und rasch herstellen, wobei sich die Kosten für die Herstellung wesentlich reduzieren und auch Siliciumeinkristalle unterschiedlicher Formgebung und insbesondere in Form flachen Platten einfach herstellen lassen.
Die Vorteile und Merkmale ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 ein Flußdiagramm für ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines Lichtbogenerhitzers für dreiphasigen Yechselstrombetrieb mit teilweise aufgebrochenen Ansichten;
Fig. 3 eine teilxireise gebrochen dargestellte Ansicht des Zyklonenreaktors mit dem Lichtbogenerhitzer;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumeinkristallen in Form flacher Platten;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumeinkristallen in Form von Stäben»
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Das Verfahren gemäß der Erfindung wird in einem Zyklonenreaktor 11 gemäß Fig. 1 ausgeführt, der mit einem Lichtbogenerhitzer 15 zusammenarbeitet. Der Zyklonenreaktor 11 umfaßt eine Reaktionskammer 13, die mit zumindest einem Lichtbogenerhitzer 15 , vorzugsweise jedoch mit einer Vielzahl von Lichtbogenerhitzern verbunden ist und eine Abgasöffnung 17 für die Spaltgase sowie eine Auslaßöffnung 19 für das flüssige Silicium hat.
Das Lichtbogengas wird in das System durch Einlaßöffnungen 21 über den Lichtbogenerhitzer zugeführt, wie nachfolgend noch näher erläutert wird. Dieses Lichtbogengas zusammen mit anderen Spaltprodukten, wie z.B. HCl und/oder ITaCl, verlassen den Zyklonenreaktor durch die Abgasöffnung 17 und werden über eine entsprechende Verbindung einem als Kondensator aufgebauten Separator 23 zugeführt, um das Lichtbogengas und die Spaltchloride zu separieren. Das Lichtbogengas wird dem Lichtbogenerhitzer 15 über die Einlaßöffnung 21 wieder direkt zugeführt. Die sich ergebenden Spaltchloride verlassen den Separator 23 und werden Elektrolysezellen 31 zugeführt, um daraus Wasserstoff und/oder die Metallkomponente sowie das Chlor durch Spaltung zu gewinnen. Der Wasserstoff oder das Metall wird über die Einlaßöffnung 35 am Lichtbogenerhitzer zurück in den Zyklonenreaktor 11 geführt, wogegen das Chlor von den Elektrolysezellen 31 in eine Verchlorungseinrichtung 37 gegeben wird, welcher über eine Einlaßöffnung 39 kieselhaltige Materialien und über eine Einlaßöffnung 41 kohlenstoffhaltige Materialien, wie z.B. Koks, zugeführt werden. Diese Zuschlagstoffe reagieren mit dem Chlor, so daß ein mit Chloriden verunreinigtes Siliciumtetrachlorid sowie Oxyde des Kohlenstoffs entstehen. Die sich in der Verchlorungseinrichtungen 37 ergebende Gasmischung wird in einer Trenn- und Reinigungsstufe 43 weiter verarbeitet, um
reines
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reines Sxlicxumtetrachlorxd zu erhalten. Das Siliciumtetrachlorid wird einem Verdampfer 45 zugeführt und anschließend in den Zyklonenreaktor über Einlaßöffnungen 51 eingeleitet.
Der Lichtbogenerhitzer 15 gemäß Fig. 2 besteht aus einphasigen sich selbst stabilisierenden Einheiten, welche in der Lage sind ein Leistungsniveau bis zu etwa 3500 kW zu liefern. Bei einer dreiphasigen Betriebsinstallation können Leistungen bis zu etwa 10 000 kW erreicht werden.
Der einzelne Lichtbogenerhitzer 15 hat zwei ringförmige Kupferelektroden 59 und 61, die mit einem Spaltabstand 63 von etwa 1 mm einander gegenüberliegen, um sie an die Netzfrequenzleistung von etwa 4 kV anzupassen. In dem Spalt 63 bildet sich ein Lichtbogen 65 aus, der durch das zugeführte Gas 67 sofort in den Innenraum der Lichtbogenkammer 69 verdrängt, bzxiT. geblasen wird. Das zugeführte Gas 67 muß mit dem Silicium kompatibel sein und kann aus einem Edelgas, aus Wasserstoff, Siliciumhalogeniden bzw. einem Gemisch dieser Gase bestehen. Der Lichtbogen 65 rotiert mit einer Geschwindigkeit von 1000 U/Sek. durch das Zusammenwirken des Lichtbogenwechselstromes von etwa mehreren tausend Ampere mit dem magnetischen Gleichfeld, das durch die !Feldspulen 71 und 73 im Innern aufgebaut wird. Die Umlaufgeschwindigkeiten führen zu einem sehr hohen Wirkungsgrad für die Anlage dieser Art.
Im Fall einer Metallreduktion werden durch die Einlaßöffnung 56 Metalltropfen oder Metallteile zugeführt und in den lichtbogenerhitzten Gasstrom eingeleitet. Bei einer Vasserstoffreduktion kann der gesamte oder auch ein Teil des Wasserstoffs durch den Spalt 63 zugeführt werden» Wenn nur ein Teil des Wasserstoffs durch den Spalt 63 eingeleitet wird, ist der restliche Wasserstoff durch die Einlaßöffnung 56 einzuführen.
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Das Siliciumhalogenid wird durch die Einlaßöffnungen 35 und 51 zugeführt, die vorzugsweise in Strömungsrichtung hinter den Kupferelektroden 61 angeordnet sind. Als Alternative dazu kann jedoch das Siliciumhalogenid auch durch die Einlaßöffnung 56 eingeleitet werden. Wie man aus den !"ig. 2 und 3 entnehmen kann, sind die Lichtbogenerhitzer 15 radial an der Lichtbogenkammer 74- angeordnet, die ihrerseits wieder tangential in die Reaktionskammer 13 des Zyklonenreaktors einmündet. Diese Reaktionskammer 13 ist vorzugsweise zylindrisch aufgebaut, um die Trennung des flüssigen Silicium von den gasförmigen Spaltgasen aufgrund der vorausgehenden Reaktionen mit Hilfe der Zentrifugalkraft zu begünstigen, wobei die gasförmigen Produkte z.B. das ■Wasserstoffchlorid den Zyklonenreaktor 11 über die Abgasöffnung 17 verläßt und das flüssige Silicium über die Auslaßöffnung 19 abfließt.
Die Reaktionskammer 13 besteht aus einer Außenwand 79, an die ein oberer Endabschnitt 81 und ein unterer Endabschnitt anschließen . Der obere Endabschnitt 81 verläuft von der Außenwand 79 aus konisch nach oben und innen, und geht in das untere Ende der Abgasöffnung 17 übero Dadurch werden die Spaltgase direkt und leicht aus der Zentrifugalzone innerhalb der Reaktionskammer 13 zur Abgasöffnung 17 hin gerichtet. In entsprechender Veise ist der untere Endabschnitt 83 sich nach unten konisch verjüngend ausgebildet und geht in die Auslaßöffnung 19 über. Die Außenwandung 79 sowie der obere und untere Endabschnitt 81 bzw. 83 werden vorzugsweise wassergekühlt, indem zwischen der Außenwand und einer inneren Gehäusewand 87 eine Kühlwasserführung 85 vorgesehen ist. Die innere und die äußere Gehäusewand werden durch Keramikstützringe 95 auf Abstand gehalten.
Die
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Die innere Gehäusewand der Reaktionskammer 13 "bestellt vorzugsweise aus einer inneren Lage 89 und aus einer äußeren Lage 91· Die innere Gehäusewand 87 nimmt im Betrieb sehr hohe Temperaturen an, wodurch sich Silicium aufgrund des Reaktionsablaufes in der Reaktionskammer 13 ergibt. Dieses flüssige. Silicium trennt sich durch die Zentrifugalkräfte von den gemeinsam mit ihm zugeführten Spaltgasen und schlägt sich an der inneren Lage 89 der inneren Gehäusewand in Form einer sich verfestigenden Siliciumschicht 99 nieder, wobei sich die Dicke aufgrund des Wärmeübergangs einstellt. Anschließend fließt flüssiges Silicium in der Reaktionskammer 13 nach unten ab. Aufgrund der hohen innerhalb der Reaktionskammer 13 wirkenden Temperatur, mußt die innere Lage 89 der inneren Gehäusewand aus einem bei hohen Temperaturen beständigen Material, xfie z.B. Kohlenstoff, Molybdän oder Silicide bestehen. Die äußere Lage der Innenauskleidung besteht aus einem feuerbeständigen isolierenden Material, wie z.B. AIpO^, SiOp und MgO.
Nachfolgend wird das Verfahren gemäß der Erfindung an einem Beispiel beschrieben, wobei eine Vasserstoffreduktion des Siliciumtetrachlorids Verwendung findet.
Die Reaktion,aus der sich das flüssige Silicium ergibt, läuft nach der folgenden Reaktionsgleichung ab:
SiGl4 + 2H2 # Si + 4HGl
In dieser Reaktionsgleichung liegt das Silicium bei dem beschriebenen Reaktionsablauf in flüssiger Form vor. Neben dem flüssigen Silicium und anderen Siliciumchloriden können sich als Ergebnis des Reaktionsablaufes zwischen dem SiIiciumtetrachlorid und dem Wasserstoff auch Siliciumhydride
und
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ΛΛ
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und Chlor silane ergeben. Diese anderen Produkte "bewirken, daß sich eine Ausbeute für das flüssige Silicium von weniger als 100 % ergibt. Aufgrund einer Berechnung der komplexen Gleichgewichtsverhältnisse in einem Silicium-Wasserstoff-Chlorsystem kann man zeigen, daß sich in einem Temperaturbereich 18000K und 24000K eine maximale Ausbeute bei etwa 22000K ergibt. Insbesondere läßt sich errechnen, daß bei 22000K und einer Atmosphäre Ge.samtdruck theoretisch ein minimaler Anteil von Vasserstoff von etwa 26,6 nr (940 Standard Cubic Feet) für etwa 0,45 kg Silicium benötigt wird, wobei die minimale theoretische Energieanforderung bei etwa 26 kWH pro 0,45 kg Silicium (26 Kw-Hr/lb Si) für eine Speiseströmung mit 25 M öl Wasserstoff pro 1 Mol Siliciumtetrachlorid liegt.
Das von der inneren Lage 89 der Innenauskleidung abfließende flüssige Silicium tropft in eine geneigte Schütte 101 und fließt bei einer Temperatur von etwa 17000K in eine Plattenform 103, die gemäß Fig. 4 um einen kleinen Vinkel 105 nach unten geneigt ist, wobei dieser Winkel etwa 1° bis 2° betragen kann. Sowohl die Schütte 101 als auch die Plattenform 103 sind mit einem kieselartigen Material ausgekleidet, um eine Verunreinigung zu vermeiden und werden ferner in einem nicht dargestellten Gefäß untergebracht, um eine kontrollierte Gasatmosphäre aufrechterhalten zu können, wobei beispielsweise Argon oder Helium zum Verhindern einer Oxydation Verblendung findet. Ferner ist das Gehäuse zusätzlich beheizt.
Das flüssige Silicium verfestigt sich in der Plattenform 103, so daß eine polykristalline Siliciumplatte 104 entsteht. Venn die Platte 104 in der Darstellung auf der rechten
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Seite aus der Plattenform 103 entnommen wird, durchläuft sie eine schmale Erhitzungszone 106, die durch Fokussierung eine linienförmige Wärmequelle darstellt und z.B. von einem fokussierten Laserstrahl oder einem fokussierten Elektronenstrahl gebildet sein kann. Die wiedergeschmolzene Siliciumplatte wird dann beim Erstarrungsvorgang kontrolliert, so daß von einem einkristallinen Kristallkern ausgehend ein plattenförmiger Siliciumeinkristall 107 entsteht. Die Verfahren, die hierbei zum Wachsen eines Einkristalles Verwendung finden, umfassen sowohl eine gerichtete Erstarrungstechnik als auch eine Zonentechnik. Grundsätzlich wird beim Erreichen der Erstarrungstemperatur ein Einkristall in das flüssige Silicium eingeimpft. Die Erhitzungszone 106 kann neben der Verwendung eines Laserstrahls oder eines Hochfrequenzerhitzers auch von einer fokussierten Halogendampflampe oder mit anderen Heizeinrichtungen bewirkt werden, wobei der Kristall durch die Erhitzungszone verläuft. Wegen der sehr schwierigen Steuerung des Värmeflusses und der Notwendigkeit der exakten Einhaltung des Wärmeflusses werden zusätzliche Heizvorrichtungen und/oder Isolationseinrichtungen benötigt, um das richtige Wachsen bzw. sich Ausbreiten des Kristalls sicherzustellen.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 5 dargestellt, bei der die Schütte 101 gemäß Fig. 4· in einen Tiegel 109 mündet, der ebenfalls mit einem Kieselmaterial ausgekleidet ist. Mit Hilfe einer geeigneten Heizvorrichtung, z.B. in Form einer Induktionspule 111, die um den Tiegel 109 herum verläuft, kann das flüssige Silicium im flüssigen Zustand gehalten werden. Der untere Teil des Tiegels 113 ist trichterförmig verengt und geht in eine Auslaßöffnung 115 über, durch welche das sich verfestigende Silicium mit einer der Auslaßöffnung entsprechenden Form
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entnommen wird. Um eine kontrollierte Verfestigung zu einem Siliciumeinkristall zu "bewirken, wird ein einkristalliner Kristallkeim eingebracht, so daß beim Abziehen ein langgestreckter Siliciumeinkristall entsteht. Der Tiegel kann unten auch verschlossen sein, wenn der Einkristall oben aus der Schmelze gezogen wird.
Für das Wachsen des Kristalls können die verschiedensten Techniken Verwendung finden, so daß man Einkristalle mit unterschiedlichen Querschnittsflächen erhält. Die einzelnen Techniken sind an sich bekannt, wobei es sich um dünnschichtig gewachsene Einkristalle mit festgelegten Kanten, um zonengeschmolzenes Vachsen oder das Herstellen von Einkristallen nach Czochrolski, Dendritic, Stepanov und Stockbarger handeln kann.
Nach dem beschriebenen Verfahren wird ein kieselhaltiges Ausgangsmaterial in flüssiges Silicium durch eine Reduktion mit Hilfe eines Lichtbogenerhitzers umgewandelt und dann daraus direkt ein Einkristall nach einer der oben beschriebenen Verfahren gewachsen. Das Verfahren hat gegenüber dem Stand der Technik mehrere Vorteile:
1. Die Handhabung des Siliciums in der Zwischenphase zwischen der Herstellung des polykristallinen Siliciums und dem Vachsen des einkristallinen Siliciums wird eliminiert, so daß das beschriebene Verfahren in der Lage ist, sehr große Mengen bei geringen Kosten in einem kontinuierlichen Herstellungsverfahren zu verarbeiten. Bei den bekannten Verfahren ist eine Wartezeit zumindest bis zum Abkühlen des Siliciums notwendig und außerdem muß das Silicium verpackt und transportiert werden, um es in den Vorrichtungen zum Wachsen des Einkristalls zu installieren. Wenn während dieser Zeit Luft zugängig ist,
muß
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muß das Silicium vor dem Wachsen des Einkristalls in einem evakuierten Behälter bzw. in einem mit Edelgas gefüllten Behälter untergebracht werden. Dadurch werden zusätzliche Herstellungsschritte und Handhabungen notwendig, die sich in Form zusätzlicher Kosten niederschlagen.
2. Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird weniger Energie benötigt, da das Silicium nicht auf Raumtemperatur abgekühlt wird, bevor aus dem mehrkristallinen Silicium ein Einkristall gezogen bzw. gewachsen wird. Der Einkristall wird direkt aus dem flüssigen Silicium gewonnen, so daß man zumindest die Energie für ein erneutes Schmelzen einspart. Da für das Erhitzen des Siliciums von Raumtemperatur auf die Schmelztemperatur in der Größenordnung etwa 30% der Energie verbraucht werden, läßt sich durch das Verfahren eine Energieeinsparung in der Größenordnung von etwa 1200 kWH/Tonne erzielen. Wenn natürlich das mit dem Lichtbogenerhitzer hergestellte Silicium vor der Weiterverarbeitung zum Einkristall erstarrt, wird zum erneuten Verflüssigen zusätzlich Energie verbraucht, so daß die eingesparte Energie geringer sein kann.
3. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, die Form der Einkristalle zu beeinflussen, wobei allerdings eine Abkühlung auf Raumtemperatur vor dem Wachsen des Einkristalls vorgesehen sein kann. Die verschiedenen Verfahren zum Wachsen des Einkristalls erfordern unterschiedliche Ausgangsformen, wie z.B. Stäbe, Scheiben oder Platten usw. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung kann das flüssige Silicium, welches vom Lichtbogenerhitzer über den Zyklonenscheider geliefert wird, bereits in die gewünschte Form gebracht werden, indem das flüssige Silicium in eine entsprechende Gießform gegeben wird.
Patentansprüche:
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Leerseite

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lichtbogenerhitzer (15) mi~k einer Lichtbogenkammer und einer an diese anschließende Eeaktionskammer verwendet werden, wobei der in zumindest einem Elektrodenspalt (63) erzeugte Lichtbogen mit einem durch den Elektrodenspalt eingeblasenen Lichtbogengas, insbesondere durch Vasserstoffgas oder ein Gemisch aus Vasserstoffgas und einem Edelgas in die Reaktionskammer verdrängt wird, daß in den Lichtbogen ein Reaktionsmittel,insbesondere ein reduzierendes Metall, Vasserstoff oder ein Gemisch daraus eingeleitet wird, daß ferner in den Lichtbogen Siliciumhalogenid eingeleitet wird, um Reaktionsprodukte mit gasförmigen Salzen des Reaktionsmittels und flüssiges Silicium zu bilden, daß das flüssige Silicium von den gasförmigen Salzer des Reaktionsmittels vorzugsweise in einem Zyklonenreaktor (11) getrennt wird und daß das flüssige Silicium an einer geneigten Fläche niedergeschlagen und mit einem Kristallkeim geimpft sowie als großer Einkristall aus dem flüssigen Silicium gewachsen wird.
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    ORIGINAL INSPECTED
    FLEUCHAUS & WEHSER
    Se,te: yff Unser Zeichen: VS1 23P~1753
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtbogenerhitzer drei Lichtbogenkammern in gleichmäßiger Verteilung um die Reaktionskammer aufweist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionsmittel Natrium, Kalium oder Magnesium verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e kennz e ic hne t, daß in die Reaktionskammer zur Erzeugung der Reaktionsprodukte einschließlich dem flüssigen Silicium und den gasförmigen Salzen des Reaktionsmittels Siliciumtetrachlorid oder Siliciumtetraiodid oder Siliciumtetrabromid oder Siliciumtetrafluorid eingeleitet wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Natrium, Kalium oder Magnesium in den Lichtbogen zusammen mit einer entsprechenden Menge des Reaktionsmittels eingeleitet wird.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Silicium enthaltende Material halogeniert wird, um ein Siliciumhalogenid zu schaffen, und daß das Siliciumhalogenid vor der Einspeisung in den Lichtbogen zur Reaktion mit dem Reaktionsmittel gereinigt wird.
  7. 7- Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssige Silicium unter Einfluß einer Zentrifugalkraft an einer nach unten geneigten Fläche niedergeschlagen wird, um das flüssige Silicium von den gasförmigen Salzen des Reaktionsmittels zu trennen.
    809842/081 0
    FLEUCHAUS & WEHSER 9 Q 1 / *7 r
    Patentanwälte <*» " I 4 7 5 1
    Seite: 3 Unser Zeichen: \JQ-] 23P—1 753
  8. 8. Einriclitung zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lichtbogenerhitzer in Verbindung mit einem an die Reaktionskammer angeschlossenen Zyklonenscheider Verwendung findet, in welchen die Reaktionsprodukte tangential eingeleitet werden.
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