DE2805813C3 - l.PT 23.02.84 Halbleiteranordnung SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg, DE - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der aus wenigstens zwei, mit
ihren äußeren Zonen jeweils eine gemeinsame Oberfläche zur Kontaktierung des Halbleiterkörpers bildenden
Schichtenfolgen mit jeweils wenigstens einem pn-Übergang besteht und der auf jeder gemeinsamen Oberfläche
jeweils mindestens eine Laststromelektrode sowie bei Schichtenfolgen für steuerbare Halbleiterbauelemente
an deren jeweils funktionsbestimmter Basiszone eine Steuerelektrode aufweist, und bei dem die
Schichtenfolgen zur gegenseitigen strommäßigen Entkopplung jeweils durch einen den Halbleiterkörper von
einer der gemeinsamen Oberflächen aus wenigstens teilweise durchsetzenden Volumenabschnitte getrennt
sind.
Eine derartige Halbleiteranordnung ist aus der DE-OS 22 61 666 bekannt.
Durch die Entwicklung der Halbleitertechnologie sind Halbleiterkörper mit mehreren Funktionsbereichen
und Schichtenfolgen für gleiche oder unterschiedliche Funktionen hsrsteübar. Damit wird auch den
Forderungen der Anwender nach Halbleiteranordnungen mit immer wirtschaftlicherer Herstellung und
geringerem Raumbedarf entsprochen.
Grenzen in einem Halbleiterkörper Funktionsbereiche aneinander, so können je nach Aufbau und
Anwendungsfall Ladungsträger aus dem einen Funktionsbereich in den anderen diffundieren. Bei einer
entsprechend anliegenden Spannung entstehen durch diese strommäßige Kopplung der Funktionsbereiche
unerwünschte Schaltvorgänge. Bei Leistungshalbleiterbauelementen wird dies am Beispiel eines Zweirichtungsthyristors
besonders deutlich. Ist eine der beiden aneinandergrenzenden Schichtenfolgen gezündet, d. h.
mit Ladungsträgern überschwemmt, so entsteht von dort insbesondere im Gebiet der niedrig dotierten
Mittelzone eine Bewegung von Minoritätsladungsträgern, aufgrund ihrer in dieser Zone dotierungsbedingt
höheren Diffusionslänge, in den nichtgezündeten benachbarten Funktionsbereich. Die dort derart entstehende
Ladungsträgeransammlung kann nach Kommutierung des leitenden Zustandes in diese Schichtenfolge
bei entsprechendem Spannungsanstieg zu einer unerwünschten, vorzeitigen Durchschaltung ohne Steuerimpuls
und damit zum Verlust der Schalt- und Steuerbarkeit
der Anordnung führen. Durch diese Erscheinung ist demzufolge die kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
beim Kommutieren von einer der beiden Durchlaßphasen zur anderen begrenzt.
In entsprechender Weise kann bei einem Halbleiterkörper, der einen Funktionsbereich für einen Thyristor ,und einen weiteren Funktionsbereich für eine Gleichrichterdiode aufweist, durch Bewegung von Ladungsträ- | gern aus dem Funktionsbereich der Gleichrichterdiode * bei durchgeschaltetem Zustand derselben in den Funktionsbereich des Thyristors bei gesperrtem Zustand desselben ein unerwünschtes vorzeitiges Durchschalten des Thyristors eintreten.
In entsprechender Weise kann bei einem Halbleiterkörper, der einen Funktionsbereich für einen Thyristor ,und einen weiteren Funktionsbereich für eine Gleichrichterdiode aufweist, durch Bewegung von Ladungsträ- | gern aus dem Funktionsbereich der Gleichrichterdiode * bei durchgeschaltetem Zustand derselben in den Funktionsbereich des Thyristors bei gesperrtem Zustand desselben ein unerwünschtes vorzeitiges Durchschalten des Thyristors eintreten.
Zur Vermeidung dieser Schwierigkeiten, d.h. zur strommäßigen Entkopplung der Funktionsbereiche, ist
es aus der DE-OS 22 61 666 bekannt, durch Eindiffundieren von Schwermetallionen, vorzugsweise von Gold,
in einem Volumenabschnitt zwischen den Funktionsbereichen
eines Zweirichtungsthyristors eine sogenannte Diffusionsbarriere herzustellen. Dadurch wird zwar die ·
gewünschte Entkopplung erreicht, jedoch sind damit auch die Nachteile einer unerwünschten Erhöhung der
Zündwerte und des Durchlaßspannungsabfalls einer solchen Halbleiteranordnung verbunden. Weiterhin ist
durch die hohe Diffusionsneigung von Gold in Silizium eine unkontrollierte Ausbreitung der Schwermetallionen
in die beiden Funktionsbereiche gegeben.
Es kann weitergehend auch die Notwendigkeit bestehen, zwei oder mehr Funktionsbereiche, die jeweils
getrennten Schaltkreisen zugeordnet sind, jedoch in einem Halbleiterkörper in unterschiedlicher gegenseitiger
räumlicher Zuordnung ausgebildet sind, strommäßig zu entkoppeln.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Halbleiteranordnungen zu schaffen, bei denen aneinandergrenzende
Funktionsbereiche des Halbleiterkörpers mit gleicher oder unterschiedlicher Funktion und in
Zuordnung zu jeweils gemeinsamen oder unterschiedlichen Schaltkreisen ohne Beeinträchtigung der Parameter
der Bereiche strommäßig derart entkoppelt sind, daß die jeweilige Wirkungsweise des einen Funktionsbereiches
unabhängig vom Ladungszustand des anderen ist
Die Lösung der Aufgabe besteht bei der eingangs genannten Halbleiteranordnung erfindungsgemäß darin,
daß der Volumenabschnitt durch Elektronenbestrahlung erzeugte Kristallgitterstörstellen aufweist
Die Dicke des Voiumenabschnitts entspricht vorzugsweise
der ein- oder mehrfachen Diffusionsiänge der
Ladungsträger nach der Bestrahlung.
Der Volumenabschnitt kann aus zwei oder mehr sich verzweigenden Teilen, die an den Grenzbereichen der Schichtenfolgen verlaufen, bestehen.
Der Volumenabschnitt kann aus zwei oder mehr sich verzweigenden Teilen, die an den Grenzbereichen der Schichtenfolgen verlaufen, bestehen.
Weiterhin können im Halbleiterkörper zwei oder mehr Volumenabschnitte vorgesehen sein.
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Nun ist es aus einer Arbeit von in de« Jahresmitteilungen
1977 der IEEE Industry application society, Seiten 648—655 bekannt geworden, die Lebensdauer von
Ladungsträgern in Kalbleiterbauelementen durch Elektrcnenbestrahlung
einzusteilen. Dort wird aber der Halbleiterkörper ganzflächig bestrahlt, wobei in unerwünschter
Weise verschiedene Parameter, insbesondere die Zündwerte und auch der Durchlaßspannungsabfali,
verändert werden. Diese Maßnahme kann somit keine Lösung der vorliegend genannten Aufgabe sein.
Aus der DE-OS 26 22 193 ist eine Halbleiteranordnung bekannt, bei welcher der eine integrierte Struktur
aus Hauptthyristor, Hilfsthyristor und einer Diode aufweisende Halbleiterkörper im Bereich der Diode
durch Elektronenbestrahlung erzeugte Kristallgitterstörstellen
aufweist, um den Stromverstärkungsfaktor eines Teiltransistors der Thyristorstruktur zu senken.
Anhand der in den F i g. 1 bis 3 dargestellen Ausführungsbeispiele wird der Gegenstand der Erfindung
aufgezeigt und erläutert.
F i g. 1 zeigt im Querschnitt eine Anordnung mit je einer Schichtenfolge für einen Thyristor und für eine
Gleichrichterdiode.
In Fig.2 ist in perspektivischer Darstellung schematisch
ein Aufbau für einen Zweirichtungsthyristor gezeigt, und in
F i g. 3 ist in Draufsicht die Anordnung mehrerer aus einem oder mehreren Teilen bestehenden Volumenabschnitte
dargestellt Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt
Bei einem Aufbau des Halbleiterkörpers gemäß der Darstellung in F i g. 1 bildet die aus vier schichtförmigen
Zonen abwechselnden Leitungstyps, nämlich einer hochohmigen, η-leitenden, mittleren Zone 1, je einer an
deren beiden Seiten angrenzenden, höher dotierten, p-leitenden Zone 2 und 3 und einer in die Basiszone 2
vertieft angeordneten, hochdotierten, n-!e'itenden Zone 4 bestehende Schichtenfolge eine Thyristorstruktur mit
der Steuerelektrode 9, 19. Die Zonen 1 und 2 dieser Struktur sind gleichzeitig auch Zonen der Gleichrichterdiodenstruktur,
welche außerdem noch die hochdotierte, η-leitende Zone 31 aufweist Beide Strukturen sind
durch die Laststromelektroden 7, 17 und 8, 18 gemeinsam kontaktiert und durch den Volumenabschnitt
10 getrennt, welcher durch Elektronenbestrahlung erzeugte Kristallgitterstörstellen aufweist Der
Volumenabschnitt 10 durchsetzt die Schichtenfolge zumindest in einer solchen Tiefe, daß zur Vermeidung
der unerwünschten Ladungsträgerbewegung zwischen beiden Funktionsbereichen in seinem Verlauf von einer
Hauptfläche aus auch die mittlere, hochohmige Zone 1
einbezogen ist. Die Dicke des Volumenabschnitts ist insoweit wählbar, als sie in seinem ganzen Verlauf
wenigstens die Diffusionslänge der Ladungsträger nach der Bestrahlung beiragen soll. Dieser Wert ist empirisch
feststellbar und gehört nicht zum Gegenstand der Erfindung. Die Anzahl der Kristallgitterstörstellen wird
durch die Dosis der Elektronenbestrahlung bestimmt Mit einer Dosis im Bereich 3 χ 10" Us 5 χ ΙΟ16
Elektronen pro cm2 und mit einer Bestrahlungsenergie
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55 von circa 0,5 bis 3 MeV sind vorteilhafte Anordnungen
gewährleistet. Der Querschnitt des Volumenabschnitts 10 entspricht im wesentlichen an jeder Stelle dem zu
bestrahlenden Oberflächenabschnitt.
Fig.2 zeigt den Aufbau eines Zweirichtungsthyristors
»nit jeweils vier antiparallel^n Schichtenfolgen abwechselnden Leitungstyps 2,1,3,5 bzw. 3,1,2,4, die
durch den Volumenabschnitt 10 getrennt sind und die gemeinsame Laststromelektroden 7, 8 sowie die
Steuerzone 14 und die gemeinsame Steuerelektrode 9 aufweisen. Der Volumenabschnitt 10 kann sich in seiner
Länge durch den ganzen Halbleiterkörper erstrecken. Eine besondere Ausführungsform kann darin bestehen,
daß der Volumenabschnitt durch Vorgabe der Maskierung abhängig von der jeweils erforderlichen Flächengeometrie,
z. B. bei Anordnung von Steuerelektroden, eine gewünschte Längsausdehnung aufweist und, wie in
F i g. 2 gezeigt, nur bis zur Steuerelektrode 9 oder einer gegebenenfalls mit dieser verbundenen Steuerzone 14
verläuft.
Wie in Fig.3 dargestellt, kann bei Erfordernis beliebiger Schichtenfolgen in Halbleiterkörpern der
Volumenabschn'itt 11 aus mehreren gegebenenfalls in unterschiedlicher Richtung verlaufenden Bereichen 11a
bestehen, bzw. sind mehrere, voneinander getrennte Volumenabschnitte 10 innerhalb eines Halbleiterkörpers
herstellbar, wordurch jeweils die Funktionsbereiche entsprechend der Schichtenfolgen d bis g bzw. a bis
c des Halbleiterkörpers strommäßig entkoppelt sind. Durch optimal angepaßte Ausbildung und Anordnung
von Volumenabschnitten ist somit die strommäßige Entkopplung von Schichtenfolgen beliebiger Strukturen
in Halbleiterkörpern möglich.
Zur Herstellung des gewünschten Volumenabschnitts wird die zu bestrahlenden Oberfläche, d. h. eine der
Hauptflächen des Halbleiterkörpers, mit einer vorzugsweise aus Metall bestehenden Maske abgedeckt. Z. B.
kann eine Maske aus beweglichen Teilen verwendet werden, deren Begrenzungskanten für Volumenabschnitte
mit unterschiedlicher Ausdehnung verstellbar sind. Dann wird die Anordnung einer Elektronenbestrahlung
mit einer Dosis im oben angegebenen Bereich ausgesetzt, indem die maskierten und die nicht
markierten Flächenabschnitte gleichzeitig bestrahlt werden. Dadurch können jedoch auf der den Schichtenfolgen
zugewandten Flächenteilen der Maske nicht erwünschte Sekundärelektronen erzeugt werden. Zur
Vermeidung dieser Erscheinung kann die Bestrahlung auch ohne Maskierung der Halbleiteroberfläche mit
Hilfe eines in an sich bekannter Weise gebündelten und gezielt über den vorgesehenen Flächenabschnitt geführten
Elektronenstrahls erfolgen.
Der Vorteil der Anordnung von Volumenabschnitten mit durch Elektronenbestrahlung erzeugten Kristallgitterstörstellen
besteht darin, daß die strommäßige Entkopplung benachbarter Funktionsbereiche ohne
Beeinträchtigung weiterer Parameter auf fertigungstechnisch wirtschaftlichstem Wege und in nach Verlauf
und Ausdehnung gewünschter Weise erzielbar ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper,
der aus wenigstens zwei, mit ihren äußeren Zonen jeweils eine gemeinsame Oberfläche zur
Kontaktierung des Halbleiterkörpers bildenden Schichtenfolgen mit jeweils wenigstens einem
pn-Übergang besteht, unr1 der auf jeder gemeinsamen
Oberfläche jeweils mindestens eine Laststromelcktrode sowie bei Schichtenfolgen für steuerbare
Halbleiterbauelemente an deren jeweils funktionsbestimmter Basiszone eine Steuerelektrode aufweist,
und bei dem die Schichtenfolgen zur gegenseitigen strommäßigen Entkopplung jeweils
durch einen den Halbleiterkörper von einer der gemeinsamen Oberflächen aus wenigstens teilweise
durchsetzenden Volumenabwihnitt getrennt sind,
dadurch gekennzeichnet, daß der Volumenabschnitt (10, 11) durch Elektronenbestrablung
erzeugte Kristallgitterstörstellen aufweist
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Volumenabschnitfs
der ein- oder mehrfachen Diffusionslänge der Ladungsträger nach der Bestrahlung entspricht
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Volumenabschnitt
(11) aus zwei oder mehr sich verzweigenden Teilen (Wa) besteht die an den Grenzbereächen der
Schichtenfolgen (db'is g) verlaufen.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Halbleiterkörper
zwei oder mehr Volumenabschnitte (10) vorgesehen sind.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
8281 | Inventor (new situation) |
Free format text: SCHAEFER, HORST, DIPL.-MINERAL., 8502 ZIRNDORF, DE TURSKY, WERNER, DIPL.-ING. DR. FUCHS, HANS-JUERGEN, DIPL.-ING., 8500 NUERNBERG, DE |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH, 8500 NUERNBERG, DE |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |