DE2804064A1 - Verstaerkerschaltungsanordnung fuer aperiodische signale - Google Patents

Verstaerkerschaltungsanordnung fuer aperiodische signale

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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 78 P 10 0 9 BRD
Verstärkerschaltungsanordnung für aperiodische Signale
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verstärkerschaltungsanordnung für aperiodische Signale mit einer basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe, in der zwei Transistoren mit ihren Basen direkt gekoppelt sind, in der die Emitter der Transistoren zwei Eingänge bilden, wobei in einen der Eingänge ein Signal einspeisbar ist und der jeweils andere Eingang kapazitiv auf Bezugspotential gelegt ist, und in der an den Kollektoren der Transistoren Ausgangssignale abnehmbar sind.
Eine Verstärkerschaltung der vorstehend genannten Art ist aus der DT-OS 2 209 8^9/bekannt geworden. Durch die kapazitive Ankopplung eines der Eingänge einer derartigen Verstärkerschaltungsanordnung an Bezugspotential kann ein aperiodisches Signal am anderen Eingang eingekoppelt werden, wodurch zwangsläufig eine gewisse Symmetrierung der an den Kollektoren verfügbaren Ausgangssignale erhalten wird. Bei Frequenzen im VHF- und UHF-Bereich ist
Lz 1 Kg / 27.1.1978
SO98 31/CUÖ2
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jedoch durch die in jedem realen Transistor vorhandenen Basis- und Emitterwiderstände die Verkuppelung nicht ideal realisiert, so daß in den symmetrisehen Ausgangssignalen noch ein deutlicher Betrags- und Phasenunterschied feststellbar ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärkerschaltungsanordnung der in Rede stehenden Art anzugeben, bei der eine Symmetrierung der an den Ausgangen verfügbaren Ausgangssignale mit wesentlich reduzierten Betrags- und Phasenunterschieden möglich ist. Diese Aufgabe wird bei einer Verstärkerschaltungsanordnung der eingangs genannten Art durch folgende Merkmale gelöst:
Eine weitere emittergekoppelte Differenzverstärkerstufe mit zwei Transistoren, deren Emitter direkt gekoppelt sind und an einem dritten Eingang liegen, deren Basen jeweils an einen Eingang an die Emitter der Transistoren der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe angekoppelt sind und deren Kollektoren mit den Kollektoren der Transistoren der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe kreuzgekoppelt sind, einer Ankopplung der Basen der Transistoren der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe an eine Klemme für ein Versorgungspotential
und eine derartige Einprägung von Ruheströmen in die Eingänge, daß in die an den Emittern der Transistoren der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe und den Basen der Transistoren der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe liegenden Eingänge ein Strom gleicher Größe und über den dritten Eingang an den Emittern der Transistoren der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe ein Strom doppelter Größe fließt.
Ausgestaltung des vorstehend definierten Erfindungsgedankens sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
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Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigt:
Figur 1 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Verstärkerschaltungsanordnung,
Figur 2 eine Kaskadenschaltungsanordnung von zwei Verstärkerschaltungsanordnungen gemäß Figur 1.
Die in Figur 1 dargestellte Verstärkerschaltungsanordnung enthält eine basisgekoppelte Differenzverstärkerstufe mit zwei Transistoren 1 und 2, deren Basen direkt miteinander gekoppelt sind, deren Emitter an einem Eingang 7 bzw. an einem Eingang 8 liegen, und deren Kollektoren an einem Ausgang 10 bzw. an einem Ausgang 11 liegen. Weiterhin enthält diese Verstärkerschaltungsanordnung eine emittergekoppelte Differenzverstärkerstufe mit zwei Transistoren 3 und 4, deren Emitter direkt miteinander gekoppelt sind, deren Basen am Eingang 7 bzw. am Eingang 8 liegen, und deren Kollektoren mit den Kollektoren der Transistoren 1 und 2 der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe kreuzgskOppe2b sind. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist in den Eingang 7 über eine Koppelkapazität C^ an einer Klemme 12 ein zu verstärkendes Nutzwechselsignal einspeisbar, während der Eingang 8 über eine Kapazität C an Erde gelegt ist. Der Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 3 und 4 der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe ist an einen Eingang 9 geführt.
Den direkt miteinander gekoppelten Basen der Transistoren 1 und 2 wird von einer Klemme 6 über einen ohmschen Widerstand 5 ein positives Versorgungspotential zugeführt. Weiterhin werden an den Eingängen 7, 8 und 9 über Stromquellen 13,14 und 15 Ruhe-Gleichströme in die
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Verstärkerschaltungsanordnung eingespeist, wobei in die Eingänge 7 und 8 ein Strom des Wertes I und in den Eingang 9 ein Strom des doppelten Wertes 21 fließt. Diese Ströme werden bei Ausbildung mit npn-Transistören von einem negativen Potential gezogen.
Nimmt man nun an, daß in den Eingang 7 zusätzlich ein Eingangswechselstrom der Größe iy+ eingespeist wird, während in den Eingang 8 für den Fall unsymmetrischer Einspeisung nur der Gleichstrom der Größe I fließt, so teilen sich die in den Eingang 7 fließenden Ströme I und i~ jeweils in zwei Anteile auf, die in den Emitter des Transistors 1 und die Basis des Transistors 3 fließen. Am Eingang 8 wird ein aufgrund der Verkopplung der Transistoren möglicher Wechselstrom durch die Kapazität C nach Erde kurzgeschlossen. Der Eingangswechselstrom iy+ am Eingang 7 teilt sich in einen Emitterstrom 1IE+ für ^en ^1*51111513^01* 1 ^10· in einen Basisstrom i«_ für den Transistor 3 auf. Aufgrund des Emitterstroms im Transistor 1 entsteht in diesem Transistor ein Basisstrom i1B ,der sich in einen über den Widerstand 5 fließenden Strom i=R_ und in einen Baisstrom i?3_ des Transistors 2 aufteilt. Der letztgenannte Steuerstrom ipB_ ruft im Transistor 2 einen Kollektorstrom der Größe ρ . i2g_ 5^PC-* 0^ ' "^2E- ilervor» worin oi, und p die Stromverstärkungsfaktoren des Transistors 2 und ipjp den Emitterstrom des Transistors 2 bedeuten. Der Betrag dieses Kollektorstroms ipr- is^ JecLoc*1 kleiner als der Kollektorstrom I1Q+ =οί -i-ιπ;. ^es Transistors Aufgrund der dynamisehen Impedanz des Transistors 1 entsteht an der Basis des Transistors 3 ein Steuersignal mit niedriger Generatorimpedanz, das durch die Steilheit einen Kollektorstrom i-zC_ im Transistor 3 hervorruft, dessen Betrag der Größe von i1c+ für den Fall entspricht, daß der Gleichstrom im Eingang 9 den Wert 2 I besitzt.
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Die steuernde Wirkung des Emitterstroms i-zg_ ruft im Transistor 4 einen Emitterstrom i^E+ hervor, wodurch im Transistor 4 ein Kollektorstrom i>c = <*, . i/,·?+ entsteht, dessen Betrag ebenfalls kleiner als der Kollektorstrom i^C+ des Transis'fcors 1 ist. Am Ausgang 10 entsteht damit ein Summenstrom i10+ ~ Hc+ + ^4C+ "11^- 3113^-0S am Ausgang 11 ein Summenstrom i^ ^ _= i2n_ + 1^r-' dessen Betrag gleich dem Betrag des Stromes i-j0+ is-fc· Diese Ströme haben annähernd den doppelten Wert des EingangsStroms iy+. Außerdem fließt in den Ausgängen 10 und 11 jeweils ein Ausgangsgleichstrom der Größe 21.
Die Vorteile der vorstehend erläuterten Verstärkerschaltung sanordnung sind darin zu sehen, daß die durch die unsymmetrische Ansteuerung bedingte geringere Ansteuerung der Transistoren 2 und 4 durch die kreuzweise verkoppelten Kollektoren aller Transistoren kompensiert wird. Der Einfluß der parasitären Kollektor-Basiskapazitäten tritt sowohl in der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe mit den Transistoren 1 und 2 als auch in der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe mit den Transistoren 3 und 4 durch die niederohmige dynamische Impedanz der Emitter der Transistoren 1 und 2 jedoch nur geringfügiger auf. Der Einfluß des parasitären Kollektor-Basis-Rückstroms ist gering, da diese Ströme an der Basis gegenphasig eingespeist werden und sich kompensieren; es entsteht damit ein fiktiver Massepunkt.
Werden gemäß Fig. 1, in der gleiche Elemente wie in der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, mehrere Verstärkerschaltungsanordnungen nach Fig. 1 in Kaskade geschaltet, wobei die Ausgänge 10 und 11 einer ersten Verstärkerschaltungsanordnung mit Eingängen 7' und 8' einer nachfolgenden Verstärkerschaltungsanordnung zusammengeschaltet sind, so
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steigt der Gleichstrom von Verstärker zu Verstärker um den Faktor 2 an. Aus diesem Grunde wird die Eingangsimpedanz jeweils um den Faktor 2 kleiner. Die Spannungsverstärkung aller Verstärker - bis auf den mit einem (nicht dargestellten) ohmschen Widerstand belasteten letzten Verstärker - ist dann etwa gleich Eins. Wegen der niedrigen Eingangsimpedanz eines folgenden Verstärkers macht sich der Einfluß von parasitären Kapazitäten erst in der Nähe der Grenzfrequenz bemerkbar.
Wird eine Schaltungsanordnung nach Fig. 2 mit weiteren Widerständen 16,17,18 und 19 beschaltet, wobei ein Widerstandszweig 16,18 vom Eingang 7 und ein Widerstandszweig 17,19 vom Eingang 8 des vorangehenden Verstärkers auf den Eingang 9' des nachfolgenden Verstärkers geführt ist, so ist es möglich, jeden Verstärker mit dem gleichen Strom zu betreiben. Durch entsprechende Wahl der Versorgungsspannungen an den Klemmen 6 und 61 sowie der Werte für die Widerstände 16,17,18 und 19, die vorzugsweise groß gegen die Eingangsimpedanzen sind, kann der Einfluß dieser Widerstände auf den Frequenzgang der Verstärkung minimal gehalten werden.
Schaltungsanordnungen der vorstehend beschriebenen Art lassen sich in vorteilhafter Weise als integrierte Schaltkreise ausführen, wobei die geringe Frequenzabhängigkeit weiteste Anwendungsmöglichkeiten in Breitbandverstärkern garantiert. Sie lassen sich sowohl mit bipolaren Transistoren als auch mit Feldeffekttransistoren aufbauen. Für Feldeffekttransistoren sind die Begriffe Emitter, Kollektor und Basis der bipolaren Transistoren sinngemäß durch Source, Drain und Gate zu"ersetzen.
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Claims (3)

  1. Patentansprüche
    Verstärkerschaltungsanordnung für aperiodische Signale mit einer basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe, in der zwei Transitoren mit ihren Basen direkt gekoppelt sind, in der die Emitter der Transitoren zwei Eingänge bilden, wobei in einen der Eingänge ein Signal einspeisbar ist und der jeweils andere Eingang kapazitiv auf Bezugspotential gelegt ist, und in der an den Kollektoren der Transitoren Ausgangssignale abnehmbar sind, gekennzeichnet durch eine weitere emittergekoppelte Differenzversiärkerstufe mit zwei Transitoren (3, 4), deren Emitter direkt gekoppelt sind und an einem dritten Eingang (9) liegen, deren Basen jeweils an einen Eingang (7, 8) an den Emittern der Transistoren (1, 2) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe angekoppelt sind und deren Kollektoren mit den Kollektoren der Transistoren (1, 2) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe kreuzgekoppelt sind, durch eine Ankopplung der Basen der Transistoren (1, 2) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe an eine Klemme (6) für ein Versorgungspotential und durch eine derartige Einprägung von Ruhegleichströmen in die Eingänge (7,8,9), daß in die an den Emitter der Transistoren (1,2) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe und den Basen der Transistoren (3,4) der emittergekoppelt^Differenzverstärkerstufe liegende Eingänge (7,8) ein Strom gleicher Größe (I) und über den dritten Eingang (9) an den Emittern der Transistoren (3,4) der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe ein Strom doppelter Größe (21) fließt.
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  2. 2. Verstärkerschaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Kaskadenschaltung mehrerer Verstärker durch Kopplung der Ausgänge (10,11; 10',11'j ) eines vorangehenden Verstär-
    kers mit den an den Emittern der Transistoren (1!,2'; ) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe
    und den Basen der Transistoren (3!,V; ) der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe liegenden Eingängen
    (7',81J ) des nachfolgenden Verstärkers.
  3. 3. Verstärkerschaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet durch von den an den Emittern der Transistoren (1,2) der basisgekoppelten Differenzverstärkerstufe und den Basen der Transistoren (3»4) der emittergekoppelten Differenzverstärkerstufe eines vorangehenden Verstärkers auf den dritten Eingang (91) eines nachfolgenden Verstärkers geführte Widerstandszweige (16,18 bzw. 17,19) zur Einprägung gleicher Ruhegleichströme in die Verstärker.
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DE2804064A DE2804064C3 (de) 1978-01-31 1978-01-31 Verstärkerschaltungsanordnung für aperiodische Signale
FR7901385A FR2416588A1 (fr) 1978-01-31 1979-01-19 Montage amplificateur pour des signaux aperiodiques
JP866179A JPS54111739A (en) 1978-01-31 1979-01-26 Aperiodic signal amplifying circuit
IT19624/79A IT1109793B (it) 1978-01-31 1979-01-26 Disposizione circuitale per amplificare segnali aperiodici
US06/007,780 US4277756A (en) 1978-01-31 1979-01-30 Amplifier circuit arrangement for aperiodic signals
GB7903272A GB2013444B (en) 1978-01-31 1979-01-30 Amplifier circuit arrangement for aperiodic signals

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Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2804064A1 true DE2804064A1 (de) 1979-08-02
DE2804064B2 DE2804064B2 (de) 1980-06-19
DE2804064C3 DE2804064C3 (de) 1985-12-05

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Country Status (6)

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US (1) US4277756A (de)
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DE (1) DE2804064C3 (de)
FR (1) FR2416588A1 (de)
GB (1) GB2013444B (de)
IT (1) IT1109793B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0063228A1 (de) * 1981-04-03 1982-10-27 International Business Machines Corporation Differenzverstärker
EP0893880A1 (de) * 1997-07-22 1999-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Verstärkerstufe mit konstanter Eingangsimpendanz

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390848A (en) * 1981-02-12 1983-06-28 Signetics Linear transconductance amplifier
DE3212188A1 (de) * 1982-04-01 1983-10-06 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur verstaerkung von elektrischen signalen
US4720685A (en) * 1986-09-02 1988-01-19 Tektronix, Inc. FET transconductance amplifier with improved linearity and gain
US4887047A (en) * 1988-09-30 1989-12-12 Burr-Brown Corporation Current sense amplifier with low, nonlinear input impedance and high degree of signal amplification linearity
ATE540471T1 (de) * 2006-10-26 2012-01-15 Nxp Bv Verstarkerschaltung
RU2461956C1 (ru) * 2011-08-12 2012-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный усилитель тока
RU2467468C1 (ru) * 2011-10-20 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный усилитель тока
RU2480894C1 (ru) * 2012-01-25 2013-04-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
US9692368B2 (en) 2014-09-09 2017-06-27 Qualcomm Incorporated Dual-band low noise amplifier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2209898A1 (de) * 1972-03-01 1973-09-06 Siemens Ag Schaltungsanordnung fuer eine phasenumkehrstufe

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1967007C3 (de) * 1968-01-29 1980-01-31 Tektronix, Inc., Beaverton, Oreg. (V.St.A.) Vierquadranten-Multiplikationsschaltung
US3689752A (en) * 1970-04-13 1972-09-05 Tektronix Inc Four-quadrant multiplier circuit
US3760194A (en) * 1972-01-31 1973-09-18 Advanced Mamory Systems High speed sense amplifier
US3843934A (en) * 1973-01-31 1974-10-22 Advanced Micro Devices Inc High speed transistor difference amplifier
US4048577A (en) * 1976-05-07 1977-09-13 Hewlett-Packard Company Resistor-controlled circuit for improving bandwidth of current gain cells
US4146844A (en) * 1977-10-31 1979-03-27 Tektronix, Inc. Feed-forward amplifier

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2209898A1 (de) * 1972-03-01 1973-09-06 Siemens Ag Schaltungsanordnung fuer eine phasenumkehrstufe

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"IEEE Journal of Solid State Circuits" Nr.4, 1968,S.353-365 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0063228A1 (de) * 1981-04-03 1982-10-27 International Business Machines Corporation Differenzverstärker
EP0893880A1 (de) * 1997-07-22 1999-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Verstärkerstufe mit konstanter Eingangsimpendanz
US5973562A (en) * 1997-07-22 1999-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Amplifier stage with constant input impedance

Also Published As

Publication number Publication date
FR2416588A1 (fr) 1979-08-31
GB2013444A (en) 1979-08-08
DE2804064C3 (de) 1985-12-05
FR2416588B1 (de) 1983-01-21
IT7919624A0 (it) 1979-01-26
IT1109793B (it) 1985-12-23
JPS54111739A (en) 1979-09-01
DE2804064B2 (de) 1980-06-19
US4277756A (en) 1981-07-07
JPS637046B2 (de) 1988-02-15
GB2013444B (en) 1982-06-03

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