DE2531998A1 - Vorspannungsschaltung fuer differentialverstaerker - Google Patents
Vorspannungsschaltung fuer differentialverstaerkerInfo
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Description
Dipl.-Ing. H. MITSCHERLICH Dipl.-Ing. K. GUNSCHMANN
Dr. r.r. not. W. KÖRBER Dipl.-Ing. J. SCHMIDT-EVERS
D —8 MÜNCHEN 22
Steins4nrtstraBe 10 ■& (089) * 29 66 84
2531998 17. Juli 1975
SS/er
SOlTY CORPORATION 7-35 Kitashinagawa
6-eh.ome, Shinagawa-ku
!Tokyo 141 /Japan
Patentanmeldung
VORSPANHUHGSSCHAXTUHG FÜR
609886/0887
sony (83069/74) SC695
Vorspannungsschaltung für Differentialverstärker
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Vorspannungsschaltung
und insbesondere auf eine Vorspannungsschaltung für einen Differentialverstärker mit Einzelsteuerung.
Stand der Technik
Bei einigen Differentialverstärkern mit Eintakteingangskreis
luird die Basisvorspannung von einem Emitterfolger abgeleitet, der
an die Basen der beiden differential geschalteten Transistoren angeschlossen ist. Zwar kömbB die Basis des differential geschalteten
Transistors, dem das Eingangssignal nicht zugeführt wird, an einen niederohmigen Speisestromkreis angeschlossen werden,
jedoch muß der andere differential geschaltete Transistor, an dem das Eingangssignal liegt, einen verhältnismäßig hochohmigen Basisstromkreis
haben, damit das Eingangssignal nicht gedämpft wird.
Der verhältnismäßig hochohmige Kreis macht es erforderlich, einen
Widerstand zwischen die Basis des Signaleingangstransistors und den Emitter des Emitterfolgekreises, der die Basisvorspannung
liefert, zu legen. Der durch diesen Widerstand fließende Basisstrom
beeinflußt die Vorspannung an der Basis.
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? b 3 Ί 9 9 8
Ein symmetrischer Betrieb der beiden differential (geschalteten
Transistoren macht es erforderlich, auch den anderen der beiden Transistoren mit einem Widerstand zu/ischen seiner Basis
und dem Emitter dee Emitterfolgekreises zu versehen. Damit die Basis des zuzeiten differential geschalteten Transistors praktisch
auf Erdbotential gegenüber einem Eingangssignal bleibt, kann ein Kondensator zwischen diese Basis und Erde gelegt werden. Das
ist jedoch bei der Wertsendung integrierter Schaltungen unbefriedigend,
weil eine äußere Verbindung für den Kondensator vorgesehen werden muß. Darüber hinaus wird die Niederfrequenzkurve des
DifferentialVerstärkers beeinträchtigt.
Statt die Basis des zweiten Transistors eh esäeR über einen
Kondensator zu erden, können Abgleichwiderstände in die Emittarleitungen
der differential geschalteten Transistoren eingeschaltet werden. 3edoch vermindern diese Abstimmwiderstände den mit dem
Differentialverstärker erreichbaren Verstärkungsgrad.
Der Erfindung liegt die l\ufgbe zu Grunde, eine verbesserte
Emitterfolger-Vorspannungsschaltung für einen Differantialverstärker
zu entwickeln, der unsymmetrische Eingangssignale verarbeitet,
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oder einen Differentialverstärker mit einem Eintaktsingangskreis.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung in Verbindung mit den zugehörigen
Zeichnungen.
Gemäß der Erfindung werden getrennte Emitterfolger-Vorspannungsschaltungen
an die Basiselektroden der Transistoren eines Differsntialverstärkers angeschlossen. Die einzelnen
Emitterfolgerkreise besitzen eigene Vorspannungsschaltungen, diB
die Basisvos^annungen ausgleichen, die den Differentialverstärkertransistoren
zugeleitet werden.
Die Figuren 1 und 2 stellen als Schemaschaltungen bekannte Differentialverstärker mit gemeinsamen Emitterfolger-Basisvorspannungsschaltungen
dar.
Die Figuren 3 und 4 geben Schemaschaltungen wieder, die Au8führungsformen von Differentialverstärkerkreisen mit getrennten
Emitterfolger-Basisvorspannungsschaltungan gemäß der Erfindung
zeigen.
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Ein Differentialverstärker 10 mit unsymmetrischem Eingang
ist in Fig.1 dargestellt. In dieser Schaltung sind die Emitterelektroden
von zwei Transistoren 11 und 12 unmittelbar zusammen an eine gemeinsame Konstantstromquelle 13 geführt. Die Basiselektrode
des Transistors 11 ist an einen Eingangsanschluß 14 geschaltet, die Kollektorelektroden des Transistors 11 sind über
ihre zugeordneten Belastungsuiiderstände 16 und 17 an eine Netzanschlußklemme
18 angeschlossen, an der eine Spannung +U anliegt, Zu/ei Ausgangsklemmen 19 bzw. 21 sind an die Kollektorelektroden
der Transistoren 11 bzw. 12 angeschlossen. Ein in einen Emitterfolgerkreis geschalteter Transistor 22 liefert die Vorspannung
für den DifferentialverstärkBr 10. Der Emitter des Transistors
ist über Widerstände 23 bzu/. 24 an die Basiselektroden der Transistoren
11 bzar.12 angeschlossen, so daß die Emitterspannung des Transistors 22 als Basisvorspannung an die Transistoren 11
bziu. 12 geführt iuird.
In dieser Schaltung udrd, wenn dar Widerstand 23 nicht vorgesehen
sondern stattdessen die Basis des Transistors 11 unmittelbar mit dem Emitter des Transistors 22 verbunden ist, ein
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Eingangssignal von dem Eingangsanschluß 14 durch dia Emitterelektrode
des Transistors 22 umgeleitet, der einen niederohmigen
Strompfad darstellt, und daher u/ird die praktische Spannungsverstärkung des l/erstärkers 10 vermindert. Um das zu vermeiden,
ist der Widerstand 23 vorgesehen, aber dar Basisstrom des Transistors
11, der durch den Widerstand 23 fließt, verursacht einen Spannungsabfall. Somit wird die Basisspannung des Transistors
durch diesen Spannungsabfall herabgesetzt.
Damit die Transistoren 11 und 12 unter gleichen Bedingungen arbeiten, luird die Basisspannung das Transistors 12 herabgesetzt,
indem der Widerstand 24 in Reihe zwischen den Emitter des Transistors 22 und die Basis das Transistors 12 gelegt mird. Aus
diesem Grunde erhalten die Widerstände 23 und 24 im allgemeinen übereinstimmenden Widerstandsujert.
Da der Widerstand 23 vorgesehen ist, um die Herabsetzung
des Eingangssignal an dem Eingangsanschluß 14 zu vermeiden, und da der Transistor 11 differential angeschlossen und seine Eingangsimpedanz
verhältnismäßig hoch ist, muß der Widerstand 23 einen hohen Widerstandsu/ert haben. Wenn der Widest an ds u/er t
des Widerstands 23 hoch geu/ählt wird, muß der Widerstand 24
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-/■
entsprechend dem Widerstand 23 ebenfalls einen hohen Wert erhalten.
Wenn aber der Widerstand 24 einen hohen Wert hat, wird der äquivalente
Basisiuiderstand des Transistors 12 hoch. Infolgedessen
kann der Verstärker 10 nicht als idealer Differentialverstärker
arbeiten. Da der Differentialverstärker 10 einen Eintakteingang
hat, muß die Basis des Transistors mit Wechselstromerdung arbeiten. Wenn jedoch der Widerstandsiuert des Widerstands 24 höher ist,
shält die Basiselektrode des Transistors einen höheren Abstand
von der Wechselstromerde. Infolgedessen erscheinen die Eingangssignalkomponenten
an der Basiselektrode des Transistors in Phase mit Signalen an der Basiselektrode des Transistors 11, wodurch
der Spannungsverstärkungsgrad des Verstärkers 10 herabgesetzt wird.
Um das auch bei hohen Widarstandsu/erten der Widerstände 23
und 24 zu vermeiden kann die Basiselektrode des Transistors 12 über einen Kondensator 26, der in Fig.1 gestrichelt
angedeutet ist, gegen Erde abgeleitet sein.
Ein solcher Kondensator 26 wird jedoch gern vermieden, wenn
die Schaltung als integrierte Schaltung ausgeführt sein soll.
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Wenn daher der in Fig.1 dargestellte Differentialverstärker
als integrierte Schaltung ausgeführt wird, u/ird der Widerstandswert
des Widerstands 23 hoch gewählt, der Wert des Widerstands 24 u/ird klein gehalten, und die Widerstände 27 bzw. 28 werden zwischen
die Emitterelektroden der Transistoren 11 bzw. 12 und die Konstantqtromquelle 13 gelegt, wie in Fig.2 dargestellt ist, deren
Bezugszeichen mit denen aus Fig.1 übereinstimmen. In diesem Falle, wenn nur vorgesehen ist, daß der Widerstandswert des Widerstands
groß ist, während derjenige des Widerstands 24 klein ist, unterscheidet sich die Basisspannung des Transistors 11 von derjenigen
des Transistors 12, und dementsprechend wird eine Offsetspannung
an den Ausgangsanschlüssen 19 und 21 hervorgerufen. Wenn dann
die Differenzspannung zwischen den Basisspannungen der Transistoren
11 und 12 einige zehn Millivolt übersteigt, stellt der in Fig.1 gezeichnete Differentialverstärker 10 nicht einen linearen
Verstärker dar sondern beginnt nach Art eines Stromschalters zu arbeiten. Um diesen Fehler zu vermeiden, wenn die Widerstände 23
und 24 sich in ihrem WiderstandswBrt unterscheiden, sind die
Widerstände 27 und 2Θ vorgesehen (vgl.Fig.2), damit keine Offsetspannung
an den Anschlüssen 19 und 21 auftreten kann oder damit der Differentialverstärker 10 als linearer Verstärker arbeiten kann.
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Nimmt man an, daß die Widerstände 27 und 28 den Wert R^-
haben und die Widerstände 16 und 17 den Wert R. , so ist die Spannungsverstärkung des in Fig.2 gezeichneten Differentialverstärkers
10 gegeben durch R./R.- . Wird die in Fig.2 gezeichnete
Schaltung als integrierte Schaltung ausgeführt, so wird der Widerstandsiuert R. der Widerstände 16 und 17 stark verkleinert,
und entsprechend u/ird der Spannungsverstärkungsgrad reduziert.
Infolgedessen kann kein hoher Spannungsverstärkungsgrad erzielt werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung soll an Hand der Fig.3
beschrieben iuerden, in der die Bauelemente, die den Bauelementen
in den Figuren 1 und 2 eni^rechen, mit entsprechenden Bezugszeichen gekennzeichnet sind.
In dem in Fig.3 beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die
Widerstände 29 und 31 in Serie zmischen den Spannungsquellenanschluß
18, an dem eine Spannung von +U liegt, und Erde geschaltet.
Der Verbindungspunkt zmischen den Widerständen 29 und 31 ist an die Basiselektrode des Transistors 22 geschaltet
und führt ihr eine Vorspannung zu. Die Kollektorelektrode des Transistors 22 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 18 verbun-
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den, und seine Emitterelektrode ist über einen Widerstand 32 geerdet. Der Transistor 22 ist demnach als Emitterfolgeranordnung
geschaltet. Die Emitterelektrode des Transistors liegt außerdem über einen Widerstand 33 an der Basiselektrode
des Transistors 11 und überträgt die Emitterspannung des Transistors 22 an die Basiselektrode des Transistors 11 als deren
Vorspannung.
In dieser Erfindung (vgl.Fig.3) ist ferner ein Transistor
vorgesehen, dessen Basiselektrode über einen Widerstand 36 an
den Verbindungspunkt zwischen dan Widerständen 29 und 31 oder an die Basiselektrode des Transistors 22 angeschlossen ist; die
Kol]ä<torelektrode des Transistors 34 ist mit dem Spannungsquellenanschluß
18 verbunden, und seine Emitterelektrode ist über einen Widerstand 37 geerdet, so daß der Transistor 34 in Emitterfolgeranordnung
geschaltet ist. Die Emitterelektrode des Transistors ist außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 12 verbunden,
so daß die Emitterspannung des Transistors 34 als Vorspannung an die Basiselektrode des Transistors 12 übertragen uuird.
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— I U —
Bei dem oben an Hand von Fig.3 beschriebenen Schaltungsaufbau uiird angenommen, daß
bzu/. ^QCjA die Basisemitterspannungen der Transistoren
22 bzuj. 34 bedeuten,
VRR die Basisspannung des Transistors 22 ist,
β . bzw. Α_£ die Stromuerstarkungsfaktoren der Transistoren
11 bzuj. 34 sind,
Ir-,. der Emitterstrom des Transistors 34 ist,
I der Konstantstrom aus der Konstantstromquelle ist, R,, bzuj. RT, die Widerstandsiuerte der Widerstände 33 bzu/.
JJ JO
sind;
dann können die Basisspannungen liR1>
und UR/.„ der Transistoren
und 12 geschrieben u/erden:
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- rr-
Unter der Voraussetzung ^ώλλ ~ ^g-i?
Gleichung: _
^p -k/z. _ ρ T£3* . J/
O^ yf + β,, /f /
wobei, uienn in der obigen Gleichung ^g^o? = WBE34 und
/Ov- = /^3^· vorausgesetzt uiird, diese Gleichung folgendermaßen
geschrieben werden kann:
R,, . I 33 ο
R33
hl
R,, 36
Demnach ergibt sich, luenn die Werte der die Gleichung (1)
betreffenden Elemente so geu/ählt aerden, daß Gleichung (1) erfüllt
ist, V8i<t = WB12* Dansr besteht, eelbst iuenn die in der
Schaltung nach Fig.2 verwendeten Widerstände 27 und 28 nicht bei der erfindungsgemäßen Ausführung nach Fig.3 angewendet uierden,
bei der Erfindung keine Gefahr, daß eine Offsetspannung an den
Anschlüssen 19 und 21 hervorgerufen u/ird, und der Differentialveratärker
10 gemäß der Erfindung arbeitet als Linearverstärker.
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Gemäß der Erfindung ujird, weil der Widerstandswert R,, des
Widerstands 33 groß gewählt werden kann, das auf den Eingangsanschluß 14 gegebene Eingangssignal nicht durch die Emitterelektrode
des Transistors 22 umgeleitet. Die Basiselektrode des Transistors 12 wird durch die Emitterelektrode des Transistors
34 umgangen. Ferner kann, weil die aus dem Stande der Technik bekannten Widerstände 27 und 28 in der vorliegenden,
oben beschriebenen Erfindung nicht verwendet werden, der Spannungsverstärkungsfaktor nach der Erfindung erheblich vergrößert
werden.
Wie ermähnt, wird bei dem erfindungsgemäßen Differentialverstärker
an den Anschlüssen 19 und 21 keine Offsetspannung hervorgerufen, und der Spannungsverstärkungsfaktor des Differentialverstärkers
10 mit der erfindungsgemäßen Schaltung kann groß gemacht werden. Ferner kann die erfindungsgemäße Schaltung
leicht als integrierte Schaltung ausgeführt werden.
Bei der in Fig.3 gezeichneten Ausführungsform der Erfindung
ist nur der Transistor 11 an den Eingangsanschluß 14 geschaltet, man kann aber weitere Transistoren mit dem Eingangsanschluß
verbinden.
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Fig.4 zeigt eine u/eitere Ausführungsform der Erfindung}
danach steht die Basis eines u/eiteren Transistors 38 in Verbindung
mit dem Eingangsanschluß 14. Die Basiselektrode des Transistors 38 ist außerdem an den Eingangsanschluß 14 geführt,
die Kollektorelektrode liegt an dem Spannungsquellenanschluß 18, und seine Emitterelektrode ist geerdet. Die übrige Schaltung
nach Fig.4 stimmt praktisch überein mit der Schaltung nach Fig.3, uieil aber der Eingangskreis des Transistors 38 parallel
zu dem Eingangskreis des Transistors 11 liegt, fließen die Basisströme der beiden Transistoren 11 und 38 durch den
Widerstand 33. Aus diesem Grunde muß der Widerstandsu/ert
auf etiuas andere Weise bestimmt werden als bei der Schaltung
nach Fig.3.
Bezeichnet man den Eraitterstrom des Transistors 38 mit Ir-30 und den Stromuerstärkungsfaktor des Transistors 38
mit /3j| und verwendet im übrigen die oben angegebenen Definitionen,
so ergibt sich die Basisv/orpspannung V011 an dem
Transistor nunmehr aus der Gleichung
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Wie zuvor, muß Up-I1 = Vnio sein, und zwar gil#hoch
U - \1 - R *34
bT Z DD ^D -
Unter der Annahme, daß die Verstärkungsfaktoren /b der
Transistoren 11, 34 und 38 praktisch gleich sind und die Basis-Emitterspannungen der Transistoren 22 und 34 praktisch
gleich sind, ergibt sich die folgende Gleichung, wenn man UB11 = UB12 SBtzt:
Patentansprüche;
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Claims (10)
1. Schaltung, bestehend aus:
A) einem Differentialverstärker mit Eintakteingang,
unter Verwendung eines ersten und eines zweiten differential geschalteten Transistors mit jeweils einer Basiseingangselektrode,
wobei die genannte Eingangselektrode des genannten ersten Transistors einen Signaleingangsanschluß für den genannten Differentialverstärker
aufweist;
B) einer ersten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung und
einem ersten Widerstand, der die genannte Vorspannungsschaltung mit der genannten Basiseingangselektrode des genannten ersten
Transistors verbindet}
C) einer zweiten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung,
die mit der genannten Basiseingangselektrode des genannten zweiten Traneistors verbunden ist}
D) Biner ersten Einrichtung zum Zuführen einer ersten
vorbestimmten Vorspannung in einen Basiskreis der genannten ersten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung}
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E) einer zweiten Einrichtung mit einem zuzeiten Widerstand für die Zuführung einer zuzeiten vorbestimmten Vorspannung
in einen Basiskreis der genannten zuzeiten Emitterfalger-Vorspannungsschaltung,
und
F) einer Einrichtung zur Abzweigung eines AusgHangsanschlusses
von dem genannten Differentialverstärker.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste bzuz. die zu/eite Einrichtung zum Zuführen einer ersten bzuj.
einer zuzeiten vorbestimmten Vorspannung zuzei in Reihe geschaltete Widerstände aufweist, die zuzischen einem Netzanschluß und einem
Bezugspotentialanschluß liegen, uzobei das genannte erste Widerstandsglied einen dritten Widerstand aufweist, der in Reihe
zuzischen der Basis der genannten ersten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung
und einem gemeinsamen Schaltungspunkt zuzischen den genannten beiden Widerständen liegt.
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3. Schaltung, bestehend aus: ^0'^^'-1
A) einem Eingangsanschluß j
B) einem Dif f erentialverstärker mit Eintakteingang, mit
einer ereten und einer zweiten Basiseingangselektrode j
C) einer Einrichtung zum Anschließen des genannten Anschlusses an die genannte erste Einganjs/cjelektrode des Differentialverstärkers
;
D) einer ersten Eroitterfolger-Vorspannungsschaltung
mit einem ersten Widerstand, der die genannte Vorspannungsschaltung mit der genannten ersten Eingangselektrode des
Differentialver^äärkers verbindet}
E) einer zweiten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung,
die mit der genannten zweiten Eingangselektrode des Differentialverstärkers verbunden ist|
F) einer ersten Einrichtung, die eine vorbestimmte Vorspannung in einen Basiskreis der genannten ersten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung
führt;
G) einer zweiten Einrichtung mit einem zweiten Widerstand, der die genannte vorbestimmte Vorspannung in einen
Basiskreis der genannten zweiten Emitterfolger-Vorspannungsschaltung
führt, und
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' ORIGINAL INSPECTED
H) einer Einrichtung zur Abzweigung eines Ausgangs anschlusses von dem genannten Differentialverstärker.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der genannte Differentialverstärker zuiei Transistoren sowie
eine gemeinsame Stromquelle auf u/eist, die die beiden Emitterelektroden
der genannten Transistoren an einen Bezugspotentialanschluß legt.
5. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die genannte vorbestimmte Vorspannung von reihengeschalteten Widerständen erzeugt wird, die zwischen einen Netzanschluß
und einen BezugspotentManschluß gelegt sind.
Der Patentanwalt
b ü 9 8 8 6 / 0 8 8 7 0R1GINAL 1NSPECTED
Dipl.-In9. H. MITSCHERLICH
Dipl.-Ing. K. GUNSCHMANN Dr. rar. not. W. KÖRBER
Dipl.-Ing. J. SCKMIDT-EVERS
PATENTANWÄLTE
D — 8 MÖNCHEN 22
SWinsdorfstrtBe 10 "S>
(0*9) * 29 66 84
7 B 3 1 9 9 R Π. Juli 1975
SE/er
-2.0-
Neue Patentanmeldung v. 17.7.1975
SOHT COBPORATION - SO695
SOHT COBPORATION - SO695
Vorspanmi-ngsschaltung für Differentialverstärker
Alternativansprüche
M ΛSchaltung zur Erzeugung einer Vorspannung für die
Basiselektroden eines Transistor-Differentialverstärkers mit zwei in Differentialschaltung geschalteten Transistoren,
bei dem die Basiselektrode des einen Transistors mit einem Eingangssignal-Anschluß verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest die mit dem Eingangsanschluß
(14) verbundene Basiselektrode des einen Transistors (11)
des Differentialverstärkers (10) über einen Widerstand (23»
33) mit dem Ausgang einer Transistor-Emitterfolgerschaltung verbunden ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Basiselektrode des anderen Transistors (12)
des Differentialverstärkers (10) über einen Widerstand (24) mit dem Ausgang der Transistor-Emitterschaltung verbunden
ist.
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253199B
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden der "beiden Transistoren (11, 12)
des Differentialverstärkers (10) über je einen Widerstand
(23, 24) mit dem Ausgang einer gemeinsamen Transistor-Emitterfolgerschaltung verbunden sind.
4. Schaltung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterfolgerschaltung aus einem Transistor (22)
besteht, dessen Kollektorelektrode direkt an erstes Versorgungsspannungspotential
und dessen Emitterelektrode über einen Widerstand an ein zweites Versorgungsspannungspotential
geführt ist, daß die Basiselektrode des Transistors (22) am Verbindungspunkt von zwei in Serie zwischen
die beiden Versorgungsspannungspotentiale geschalteten Transistoren liegt, und daß die Emitterelektrode des Transistors
(22) mit den beiden Widerständen (23, 24) verbunden ist, die zu den Basiselektroden der Transistoren (11, 12) des Differentialverstärkers
hinführen.
5. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kollektorelektroden der beiden Transistoren des
Differentialverstärkers separat über Lastwiderstände an ein erstes Versorgungsspannungspotential geführt sind, bei dem
die Ausgangsanschlüsse des Differentialverstärkers mit den
beiden Kollektorelektroden der Transistoren des Differentialverstärkers verbunden sind, und bei dem die Emitterelektroden
der beiden Transistoren des Differentialverstärkers
- 3 609886/0887
753 1998 22.
an eine gemeinsame Konstantstromquelle gelegt sind, dadurch
gekennzeichnet, daß die Emitterelektroden der beiden Transistoren (11, 12) des DifferentialVerstärkers
(10) über 3e einen Widerstand (27, 28) mit der Konstantstromquelle
(13) verbunden sind.
6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des anderen Transistors (12) des
Differentialverstärkers (10) direkt mit dem Ausgang einer separaten Transistor-Emitterfolgerschaltung verbunden ist.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistor-Emitterfolgerschaltung, mit welcher die
mit dem Eingangssignal-Anschluß (14) verbundene Basiselektrode
des einen Transistors (11) des Differentialverstärkers
(10) über einen Widerstand (33) verbunden ist, einen Transistor (22) aufweist, dessen Kollektorelektrode direkt an
ein erstes Versorgungsspannungspotential und dessen Emitterelektrode über einen Widerstand (32) an ein zweites Spannungs-Versorgungspotential
geführt ist, daß die Basiselektrode des Emitterfolgertransistors (22) mit dem Verbindungspunkt von
zwei zwischen den beiden Spannungsversorgungspotentialen in Serie geschalteten Widerständen (29, 31) verbunden ist,
daß mit der Emitterelektrode des Emitterfolgertransistors (22) der Widerstand (33) führt, der den Transistor-Emitterfolger
mit der mit dem Eingangs Signalanschluß (H) verbundenen Basiselektrode des einen Transistors (11) des Differentialverstärkers
(10) verbindet, daß der andere Transistor-Emitterfolger, mit dem die Basiselektrode des anderen Tran-
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? B 319 9B
sistors (12) des DifferentialVerstärkers (10) verbunden
ist, einen Transistor (34) enthält, dessen Kollektorelektrode direkt an das erste Spannungsversorgungspotential
und dessen Emitterelektrode über einen Widerstand (37) an das zweite Spannungsversorgungspotential geführt ist,
daß die Basiselektrode des Transistors (34) dieses weiteren Transistor-Emitterfolgers über einen Widerstand (36)
mit dem Verbindungspunkt der beiden in Serie geschalteten Widerstände (29, 31) verbunden ist, und daß die Emitterelektrode
des Transistors (34) des weiteren Transistor-Emitterfolgers direkt mit der Basiselektrode des anderen Transistors
(12) des DifferentialVerstärkers (10) verbunden ist.
8. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Basiselektrode des mit
dem Eingangssignalanschluß (Η) verbundenen Transistors (11) des Differentialverstärkers (1O) ferner die Basiselektrode
eines weiteren Transistors (38) verbunden ist, dessen Kollektorelektrode über einen Widerstand an das erste Spannungsversorgungspotential
und dessen Emitterelektrode ebenfall über einen Widerstand an das zweite Spannungsversorgungspotential
geführt ist.
9. Schaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Spannungsversorgungspotential
ein festes Bezugspotential oder Hasse ist.
— 5 — bübb86/088 7
τ 1 <i η s
10. Schaltung nacli Anspruch 5 und 9» dadurch gekennzeichnet,
daß die Konstantstromquelle (13) zwischen dem zweiten Spannungsversorgungspotential und, gegebenenfalls
unter Zwischenschaltung der Widerstände (27, 28), den Emitterelektroden der beiden Transistoren (11, 12)
des Differentialverstärkers (10) liegt.
Der Patentanwalt
ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49083069A JPS5111554A (de) | 1974-07-19 | 1974-07-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2531998A1 true DE2531998A1 (de) | 1976-02-05 |
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