DE2745582A1 - Verfahren zur herstellung einer optischen schaltung aus einer keramik- glasstruktur - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer optischen schaltung aus einer keramik- glasstrukturInfo
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Description
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
bu/se - 4 -
Verfahren zur Herstellung einer optischen Schaltung aus einer Keramik-Glasstruktur
Die Erfindung betrifft eine Anordnung, wie sie dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist.
Bei mikrominiaturisierten elektronischen Schaltkreisen wird angestrebt, eine große Anzahl von monolithisch integrierten
Halbleiterschaltungen aufeinanderzupacken und so mit elektrisch leitenden Zwischenverbindungen zu versehen, daß eine Betriebsweise
ohne übermäßige zeitliche Verzögerung möglich wird. Um dies zu realisieren, wird in breitester Weise die keramische
Vielschicht-Technologie angewendet. Bei dieser Technologie werden Grün-Keramikplättchen mit Edelmetall-Leitungsmustern versehen,
wobei als Metall ggf. auch sonstiges widerstandsfähiges Material herangezogen werden kann. Die so mit Leitungsmustern
versehenen Grün-Keramikplättchen werden aufeinandergestapelt, laminiert und aufgeheizt, um so ein Keramik-Metall-Modul
bereitzustellen. Dieses Keramik-Metall-Modul enthält dann ein sich dreidimensional erstreckendes Netz von
elektrischen Leitungszügen. Halbleiterbauelemente können dann auf die Moduloberfläche angebracht und elektrisch angeschlossen
werden. Eine ausführliche Beschreibung der mit diesem Herstellungsvorgang verbundenen Probleme und Resultate findet
sich in dem Artikel "A Fabrication Technique for Multilayer Ceramic Modules" von H.D. Kaiser u.a., in "Solid State
Technology", Mai 1972, Seiten 35 bis 40.
Auf dem Gebiet der integrierten Optik zur übertragung von
optischer Information mittels Plättchen, Streifen und Fasern ist ebenfalls eine Menge Vorarbeit geleistet. Hierbei häufig
verwendetes Material besteht aus Glas oder entsprechenden amorphen lichtleitenden Medien. Der Ausdruck "häufig" für
diesen Strukturtyp bezieht sich insbesondere auf optische FI 976 008
80981 6/0723
Wellenleiter. Nähere Beschreibungen hierfür finden sich in nachstehend genannten Druckschriften:
"Integrated Optics: An Introduction", von S.E. Miller in "The Bell System Technical Journal", Bd. 48, Sept. 1969,
Nr. 7, Seiten 2059, 2067; "A Survey of Integrated Optics", von S.E. Müller in "IEEE Journal of Quantum Electronics",
Band QE-8, Nr. 2, Februar 1972, Seiten 199-205; US-Patentschriften:
3 785 717, 3 806 223, 3 817 730, 3 825 318, 3 873 339, 3 879 606 und 3 903 488.
Ein integrierte-Optik-Modul ist außerdem in der US-Patentschrift
3 663 194 beschrieben. Hierbei enthält das Modul ein Netzwerk von optisch leitenden Bereichen und optisch
isolierenden Schichten. Dieses Modul wird aus abwechselnden Schichten optisch leitender und optisch isolierender
Materialien gebildet, die auf einem Substrat sowie abwechselnd aufeinanderfolgend hierauf aufgebracht sind. Vorgegebene
Muster optisch isolierender Bereiche werden auf Schichten mit optisch leitendem Material gebildet,
um auf diese Weise eine entsprechende Anzahl lichtleitender Kanäle bereitzustellen. Das optisch leitende Material
besteht in typischer Weise aus Glas. Das Glas wird aus einer Suspension im flüssigen Zustand auf das Substrat in
gewünschter Dicke aufgebracht. Das ganze wird dann aufgeheizt, um eine kontinuierliche Glasschicht zu bilden. Die
optisch isolierende, also lichtundurchlässige Schicht, die außerordentlich reflektierend ist und aus Metall bestehen
kann, ist hierüber niedergeschlagen. Das gesamte Modul läßt sich auf diese Weise aufbauen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht nun darin, ein für integrierte Optik geeignetes Modul bereitzustellen,
das leicht herzustellen ist und zuverlässig betrieben werden kann, jedoch nach Art eines elektrischen Schaltungsmoduls
aufgebaut ist.
FI 976 008 . ΜΛ
809816/0723
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist.
Gemäß vorliegender Erfindung ist also ein vielschichtiger Körper derart strukturiert, daß Signale innerhalb dieses
strukturierten Körpers sowohl von einem Punkt zu einem anderen Punkt in vorgebbarer Weise als auch auf Stellen
außerhalb des strukturierten Körpers in Form optischer Impulse über die Übertragungswege geleitet werden können
und zwar ebenso wie es für elektrische Impulse bei metallischen Leitungszüge in Moduln bekannter Bauart zvr Übernahme
dieser Aufgabe vorgesehen ist.
Der erfindungsgemäße strukturierte Körper ist derart gestaltet, daß er zur Aufnahme von Halbleiterbauelementen
geeignet ist, wobei sich dann mit der Erfindung wesentliche Vorteile gegenüber üblichen Vielschicht-Keramikmoduls
mit metallischen Leitungszügen erzielen lassen. Die bekannten Breitbandeigenschaften optischer Leitungskanäle gestatten
es, mit einem erfindungsgemäß aufgebauten Modul eine sehr viel größere Informationsmenge zu verarbeiten, als
dies bei bisher üblichen Vielschicht-Keramikmoduls der Fall ist. Außerdem breiten sich Signale wesentlich schneller in
Form optischer anstatt elektrischer Impulse aus. Gegenüber elektrischer Leitungszugsführung ergibt sich dann noch der
Vorteil, daß übersprechen und andere wechselseitige Störungen zwischen den einzelnen Übertragungskanälen bei den erfindungsgemäß
aufgebauten optischen Moduls entfallen. Die optischen Leitungskanäle lassen sich deshalb sehr viel enger zueinander
anordnen sowie parallel zueinander führen. Die optischen Leitungskanäle, die aus Glas oder ähnlichen dielektrischen
Materialien bestehen, sind einer Korrosion nicht zugänglich, wobei auch Elektromigration ausgeschaltet ist, die sonst bei
bekannten Moduls die Betriebszuverlässigkeit wesentlich beeinträchtigt, wenn nicht besonderer Aufwand getrieben
wird.
FI 976 008
809816/0723
Das Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Vielschicht-Keramikmoduls
mit mehreren optischen Leitungskanälen geht aus von der Bereitstellung mehrerer Grün-Keramikplättchen. Entsprechend
dem vorgegebenen Leitungszugsmuster werden in die Grün-Keramikplättchen, Durchbohrungen und Nuten eingebracht, um
so den Verlauf der optischen Leitungskanäle festzulegen. In diese Nuten und Durchbohrungen wird eine Glaspaste eingedrückt.
Diese Grün-Keramikplättchen werden dann aufeinandergestapelt, laminiert und gesintert, so daß sich ein Modulpack
ergibt. Während des Sintervorganges schmilzt die Keramik rund um das Glas, das seinerseits erweicht, um so
die optischen Leitungskanäle zu bilden. Das Verfahren hat den Vorteil, daß die optischen Leitungskanäle innerhalb des
strukturierten Körpers gleichzeitig mit der Keramiksinterung gebildet werden. Dies läßt sich dadurch gewährleisten, daß
Keramik- und Glasmaterialien derart gewählt werden, daß sich möglichst eng beieinanderliegende Sinter- und Erweichungstemperaturen
neben den für die Informationsübertragung erforderlichen Brechungsindex-Eigenschaften ergeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt außerdem wesentliche
Vorteile im bezug auf die Zeitdauer des anzuwendenden Erwärmungsvorgangs, um die endgültige Modulausführung bereitzustellen,
wenn berücksichtigt wird, daß bei bekannten Herstellungsverfahren Glasschichtbildung jeweils einzeln
in aufeinanderfolgenden Herstellungsschritten vorgenommen
wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer Ausführungsbeispielsbeschreibung
mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert.
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- 8 Es zeigen:
Fig. 1 ein Flußdiagramm zur Darstellung der Verfahrensschritte
für das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren,
Fig. 2 das erfindungsgemäße hergestellte Modul in
perspektivischer Ansicht, teilweise im Schnitt, das seinerseits auf einem Substrat aufgebracht
ist,
Fig. 3 einen Modulausschnitt zur Erläuterung der
Signalübertragung von und zum erfindungsgemäßen Modul.
Das erfindungsgemäße Verfahren beginnt mit dem Gießen und Formen der Grün-Keramikplättchen, indem entsprechende Anteile
des Keramikpulvers und der Glasfritte oder der glasbildenden Materialien abgewogen werden, um die Teilchen
mit Hilfe einer Kugelmühle oder dergleichen gründlich zu vermischen. Bei diesem Mischvorgang werden außerdem organischer
Binder, bestehend aus thermoplastischem Material, Weichmacher und Lösungen dem Keramik- und Glaspulver zugesetzt. Der sich
ergebende Schlicker wird mit Hilfe einer Strangpresse oder einer Streichmesseranordnung in Streifenform gebracht. Die
so gebildeten Grün-Keramikstreifen werden dann einem Trocknungsvorgang unterzogen, um den Lösungsbestandteil des Bindersystems
entweichen zu lassen. Nach vollständiger Trocknung dieser Grün-Keramikstreifen werden sie zu Rohstücken oder
Plättchen zerschnitten. In die sich so ergebenden Grün-Keramikplättchen werden Justierlöcher zusammen mit Durchbohrungen
an hierfür vorgesehenen Stellen eingebracht. Diese Löcher und Durchbohrungen lassen sich durch mechanisches
Ausstanzen, Elektronenstrahlverfahren oder Laserstrahlanwendung einbringen. Zudem werden noch Nuten in die
Grün-Keramikplättchen eingebracht. Diese Nuten lassen sich
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ebenfalls durch Anwenden von Elektronenstrahlen, Laserstrahlen oder Stanz- und Preßinittel bilden. Die Bereitstellung
von Grün-Keramikplättchen ist im einzelnen in der USA-Patentschrift 2 966 719 beschrieben.
Die zur Herstellung des erfindungsgemäßen Moduls erforderliche Glaspaste oder Paste aus ähnlichem dielektrischen
Material wird durch Mischen von Teilchen, die eine Partikelgröße von etwa 0,1 Aim bis 2 um besitzen, mit geeigneten
anderen Materialien, wie organische Harze und Lösungen, bereitgestellt. Typische Harze sind Äthylcellulose oder
Methylstyrol. Typische Lösungsmittel sind Butyl-Diäthylenglykoläther-Azetat
oder Terpineöl. Eine geeignete Zusammensetzung könnte aus folgenden Gewichtsprozenten der
beteiligten Materialien bestehen: 80 % Glaspulver, 6 % Kunstharz und 14 % Lösungsmittel. Alle diese Bestandteile werden
gründlich in einem Mullit- oder Aluminiummörser mittels Stempel gründlich gemischt, bis sich eine homogene gleichförmige
Paste ergibt. Für diese Pastenherstellung würde auch ein Drei-Walzen-Mischer mit mit Aluminium Überzogenen Walzen geeignet
sein.
Die sich ergebende Glaspaste wird dann in die Nuten und in die Durchbohrungen der Grün-Keramikplättchen durch Abstreifen,
Fließpressen oder dergleichen Verfahren eingebracht. Die Glaspaste wird getrocknet, indem die Grün-Keramikplättchen
Temperaturen zwischen 80 bis 100 0C während einer Zeitdauer
von 1 bis 2 Stunden in einem mit zirkulierender Luft durchströmten Ofen ausgesetzt werden, bis das Lösungsmittel im
wesentlichen entwichen ist.
Die Grün-Keramikplättchen werden dann in vorgegebener Reihenfolge aufeinandergestapelc. Dieser Stapel muß in sich sorgfältig
ausgerichtet sein, was unter Ausnutzung von Justierstiften gewährleistet ist, so daß die Ubertragungskanäle von Grün-Keramikplättchen
zu Grün-Keramikplättchen aufeinander eingestellt und zueinander ausgerichtet sind. Der so in sich aus-
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- ίο -
gerichtete und eingestellte Grün-Keramikplättchenstapel wird in eine Laminierpresse eingebracht. Geringfügige Hitze und
leichter Druck werden angewendet. Der bevorzugte Druck bei diesem Herstellungsvorgang beträgt zwischen 703 bis 1055 at und die
Temperatur liegt zwischen 35 bis 45 0C und zwar bei allem für
eine Zeitdauer von 5 bis 15 Minuten.
Im Laminierungsverfahrensschritt entweicht der thermoplastische
Binder aus den Grün-Keramikplättchen und die Keramikschichten sintern zusammen, indem sie rund um die mit der Glaspaste
gefüllten Kanäle zusammenbacken, so daß diese vollständig eingeschlossen sind. Als Ergebnis zeigt sich,
daß der auf diese Art ungebrannte Laminierstapel keine einzelnen Keramikschichten mehr erkennen läßt. Der Grün-Keramikplättchenstapel
wird dann unter Berücksichtigung der Schrumpfverluste beim nachträglichen Brennen auf die Modulabmessungen
zurechtgesägt oder -gestanzt.
Die so erhaltene Grün-Keramikpackung wird unter Zuhilfenahme eines geeigneten Ofens gebrannt oder gesintert, wobei der
Sinterungsvorgang weitgehend in einer Gasatmosphäre ausgeführt wird, deren Atome oder Moleküle jeweils von verhältnismäßig
geringem Volumen sind, wie z.B. Wasserstoff oder Helium. Der Abschluß des Sintervorgangs für die Glas- und Keramikmasse
findet dann in einer Luft-, Stickstoff-, Argon- oder dergleichen Atmosphäre statt, also unter Einwirkung eines Gases mit verhältnismäßig
großem Atom- oder Molekülvolumen. Vorzugsweise wird Stickstoff oder Argon aus Sicherheitsgründen nach anfänglichem
Sintern in Wasserstoffatmosphäre angewendet. Die Zeitdauer zur Durchführung dieses Sinterungsvorganges kann variieren,
da sie hauptsächlich abhängig ist von solchen Faktoren, wie Teilchenvolumen in der Gasatmosphäre, Aufteilung zwischen Glas-
und Keramikmaterialien, Verhältnis von Verflüssigungstemperatur
zur Erweichungstemperatur des Glases, Sinterungskinetik der Keramik und Einwirkungsatmosphäre. Ein typischer Verfahrenszyklus
für die oben angegebenen Materialien könnte folgendermaßen aussehen:
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Erhöhen der Temperatur von Raumtemperatur auf Fließtemperatur (800 0C) bei einer Rate von etwa 300 bis 400 0C pro Stunde
durch Glühen in Wasserstoff oder Helium während einer Zeitdauer von 1 bis 2 Stunden;
dann Umstellen auf Stickstoff, Argon oder Luft, um für weitere 1 bis 2 Stunden das Aufglühen durchzuführen;
anschließend Temperatur bis etwa 100 °C bei einer Rate von 50 bis 100 0C pro Stunde verringern, um Spannungen im
Sinterprodukt zu vermeiden.
Der Zweck der Verwendung eines Gases, bestehend aus Atomen oder Molekülen verhältnismäßig kleinen Volumens, besteht im
wesentlichen darin, die Entstehung von Blasen im Glas oder in anderen, für die Leitungskanäle verwendeten Materialien zu
vermeiden. Dies tritt nämlich dann auf, wenn der Sinterungsvorgang bis zu seinem Abschluß in einem Gas mit Atomen oder
Molekülen jeweils verhältnisßmäßig kleinen Volumens, wie z.B. Helium oder Wasserstoff durchgeführt wird. Die sich dabei
ergebende Struktur besteht dann aus erschmolzenem oder gesintertem Glas- oder Keramikmaterial, in welchem Gas gelöst
ist und außerdem hierin auftretende geschlossene Poren Gasfüllungen aufweisen können. In diesem Zustand wird dann die
Ofenatmosphäre auf ein Gas umgestellt, dessen Atome und Moleküle größere Volumina besitzen, wie z.B. Stickstoff,
Argon usw. Daraus resultiert eine Reduktion des Partialdrucks außerhalb des Substrats, von dem des ursprünglichen Gases
(He, H2) auf im wesentlichen Null, so daß die Ausdiffusion
dieser Gase aus dem Sinterkörper heraus begünstigt wird. Dies tritt ein, weil die Gase geringes Atom- bzw. Molekülvolumen
besitzen und deshalb leicht diffundieren können. Gleichzeitig sind die nun einwirkenden Gase, wie N~, Ar, die
jetzt die Ofenatmosphäre bestimmen, bezüglich ihres Atombzw. Molekülvolumens zu groß, um in störenden Mengen in
das im wesentlichen bereits ausgesinterte Substrat eindringen zu können. Daraus ergibt sich, daß das Substrat
nunmehr praktisch gasfrei ist, indem die geschlossenen Poren zusammenschrumpfen und verschwinden, so
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- 12 daß blasenfreie Glaskanäle übrig bleiben.
In vielen Fällen kann es wünschenswert sein, metallische Leitungezüge innerhalb des erfindungsgemäßen keramischen
Vielschichtmoduls vorzusehen. Diese elektrisch leitenden Schichten lassen sich für Masseverbindungen und zum Anschluß
von Spannungsquellen an Halbleiterchips vorsehen, die am erfindungsgemäß aufgebauten Modul angebracht werden sollen.
Diese elektrisch leitenden Leitungszüge lassen sich durch geeignete Metallpasten einbringen. Elektrisch leitende Pasten
bestehen im wesentlichen aus einem Metallpulver, einem organischen Kunststoff und einem Lösungsmittel. Das Metallpulver
hängt in seiner Zusammensetzung von der Sinterungstemperatur
und der Atmosphäre ab und muß einen Schmelzpunkt oberhalb der benötigten Sinterungstemperatur besitzen; außerdem
sollte es imstande sein, seinen metallischen Charakter in der angewendeten Sinterungsatmosphäre beizubehalten. So wird
z.B. für ein bei 800 0C gesintertes System in reduzierender
Atmosphäre vorzugsweise entweder Gold oder Kupfer verwendet. Typische Kunststoffe bestehen aus Äthylzellulose oder Metylstyrol,
wobei typische Lösungen Butyl-Diäthylenglykoläther-Azetat
oder Terpineöl sein können.
Die metallische Paste wird mittels Siebdruck auf die betreffenden Grün-Keramikplättchen des Stapels aufgebracht
und außerdem in die dazu vorgesehenen Durchbohrungen eingefüllt, um so daß angestrebte Leitungsmuster als Netzwerk im
Modulkörper bereitzustellen. Die metallische Paste wird gleichzeitig mit dem Keramikmaterial und der Glaspaste gebrannt.
Anschließend an die Sinterung können dann die weiteren Behandlungsvorgänge,
wie Galvanisierung, Stiftanlötung usw. vorgenommen werden, die erforderlich sind, um auf das sich
so ergebende Substrat Halbleiterchips anbringen zu können, oder um dieses Substrat auf eine Steckkarte und dergleichen anbringen
zu können. Die Halbleiterchips werden auf das fertiggestellte Modul mit Hilfe üblicher Verfahrensweisen aufgebracht.
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Fig. 2 zeigt ein Keramikmodul 14 mit hierin enthaltenen Glasoder
anderen dielektrischen Kanälen 16. Diese Kanäle 16 dienen dazu, optische Signale oder Impulse von einer geeigneten
Lichtquelle oder Lichterfassungsstellen 18 des Halbleiterchips 20 zu übertragen. Das Modul enthält die metallischen
Leitungszüge 22, die dazu dienen, die Betriebsspannungen von Stiften 24 auf die Anschlußstellen 26 der Halbleiterchips zu
übertragen. Diese Anschlußstellen lassen sich auch dazu benutzen, um das Modul 10 auf das darunterliegende Substrat 12
anzubringen und/oder auszurichten, wie es in gleicher Weise für die Halbleiterchips 20 bezüglich des Moduls 10 gilt.
Ein Verfahren zum übertragen von Signale zu und vom Modul 10
ist mit der in Fig. 3 ausschnittsweisen gezeigten Anordnung möglich. In üblicher Weise werden hierbei die Signale mittels
der Glaskanäle 16 auf die Außenseite des Moduls 10 übertragen. Diese optischen Sinale werden dann durch eine Erfassungsstruktur 40 erfaßt, um über ein Lichtleitungskabel 42 weiterübertragen
zu werden. Die Erfassungsstruktur kann dabei entweder passiv oder aktiv sein. Der Unterschied zwischen passiver
und aktiver Betriebsweise besteht darin, daß im Falle einer aktiven Erfassungsstruktur das Signal vor Überleitung auf die
optische Lichtleitung erst noch verstärkt wird. Andererseits lassen sich auch mit Hilfe dieser Erfassungsstruktur optische
Signale auf das Modul 10 übertragen.
Die hier verwendeten Halbleiterchips 20 (Fig. 2) stellen spezielle Chips dar, die nicht nur ihre elektrischen Funktionen,
wie Speicher- und Schaltoperationen durchführen, sondern auch in der Lage sind, Lichtsignale (Impuls- oder Dauerstrich),
in elektrische Signale oder umgekehrt umzusetzen. Dies läßt sich durch Anwenden von LED-Anordnungen oder Laseranordnungen
sowie Photodioden an der Chipseite durchführen, die dem Substrat gegenüberliegt. Die Chips können mit dem Modul verbunden werden,
indem gemäß bekannter Verfahren die metallischen Betriebs-
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spannungs-Zuführungsstifte gleichzeitig zur Befestigung herangezogen
werden.
Es gibt viele verschiedene Materialien, die zum Herstellen eines Moduls mit optischen Leitungsführungen herangezogen
werden können. Die Kriterien für ihre Auswahl sind dabei:
(1) Im Grün-Keramikzustand muß das Keramikmaterial, das entweder kristallin oder amorph sein kann, wie z.B. Glas,
in der Lage sein, bearbeitet oder gefräst zu werden, um homogene scharf definierte übertragungsleitungskanäle bereitstellen
zu können. Diese Bedingung läßt sich verhältnismäßig leicht erfüllen, wenn die Partikelgröße des Keramik- oder
Glaspulvers für das Modul verhältnismäßig klein ist;
(2) das Glas für die optischen Leitungsführungen muß in blasen- und fehlerfreie Leitungsführungen umschmelzbar sein. Dies
wird erfindungsgemäß durchgeführt, indem die oben angegebenen Kriterien und Parameter beim Sintern Anwendung finden;
(3) der Brechungsindex des Leitungsführungsmaterials muß
größer sein als der des Keramik- oder Glasmoduls. Die Glaszusammensetzung
als solche ist dabei im allgemeinen nicht bedeutsam für das Herstellungsverfahren, lediglich Erweichungspunkt
und Brechungsindex sind zu beachten.
Einige Ausführungsbeispiele für Modul-Leitungsführungs-Materialkombinationen
werden angeführt, die sowohl Keramik- als auch Glaskörper einschließen, um die Erfindung zu erläutern. Selbstverständlich
ist die Erfindung hierauf jedoch nicht beschränkt.
Keramikkörpermaterial:
80 % Ecutyptite
20 % Borosilikatglas, bestehend aus 70 % SiO2
28 % B3O3
1,0 % Li2O
1,0 % Al3O3
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1O
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Sinterungstemperatur: 805 0C
Brechungsindex (n): 1,52
Lichtleitungs-Material:
Kaliunibleiglas (Corning Glass 8161)
Erweichungspunkt: 600 C
Brechungsindex (n): 1,66
Keramikkörpermaterial:
45 % Anorthite
55 % Borosilikatglas
70 % SiO2
28 % B2O3
1,0 % Li2O
1,0 % Al2O3
»rtemperatur:
Brechungsindex (n): 1,52
»rtemperatur:
Brechungsindex (n): 1,52
Sintertemperatür: 800 0C
Lichtleitungs-Material: Kaliumbleiglas (G.E. 138 Glass)
Erweichungspunkt: 665 C
Brechungsindex (n): 1,58
Glaskörpermaterial:
Geschmolzene Kieselerde Sinterungstemperatur: 1585 C
Brechungsindex (n): 1,46
Lichtleitungsmaterial: amorphes Titansilikat
Erweichungspunkt 1490 C
Brechungsindex (n): 1,48
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- 16 -Beispiel 4
Glskörpermaterial:
Alkali-Zink-Borosilikatglas (Corning 0211-Glass)
Erweichungspunkt: 720 0C Brechungsindex (η): 1,53
Lichtleitungs-Material:
Kaliumbleiglas (Corning 8161-Glass)
Erweichungspunkt: 6OO C Brechungsindex (η): 1,66
Im Falle der Verwendung von Glaskörper-Glas-Lichtleitungsführungs-Kombinationen
kann während des Sintervorgangs ein Ausdiffundieren der Gläser erfolgen, so daß sich ein gewisser
Gradient des Brechungsindexes zwischen Packungskörper und Lichtleitungs-Führung einstellt. Dies ist jedoch für den
Betrieb nicht schädlich und kann im Gegenteil sogar nur nützlich sein.
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Claims (15)
- PATENTANSPRÜCHEVerfahren zur Herstellung eines optische-Schaltungs-Moduls, bestehend aus einer Keramik-Glasstruktur, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Bereitstellen einer Anzahl von Grün-Keramikplättchen; Einbringen von Durchbohrungen und Nuten in die bereitgestellten Grün-Keramikplättchen entsprechend einem optische-Schaltungs-Muster;Einführen einer Glaspaste in die Durchbohrungen und Nuten der Grün-Keramikplättchen;Aufeinanderstapeln. Laminieren und Sintern der Grün-Keramikplättchen zu einer Packung derart, daß das keramische Material rund um die eingebrachte Glaspaste schmilzt, wohingegen das Glasmaterial selbst zur Bildung durchsichtiger Kanäle nur erweicht, wobei die Materialien so gewählt sind, daß die Sinterungstemperatur der Keramik und der Erweichungspunkt der Glaspaste im wesentlichen übereinstimmen.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sinterungstemperatur des Keramik-Materials und der Erweichungspunkt der Glaspaste so gewühlt sind, daß eine Abweichung von maximal 300 C auftreten kann.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikmaterial aus einer Mischung von Ecutyptite mit Borosilikatglas hergestellt wird, so daß die Sinterungstemperatur bei etwa 850 0C eingestellt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikmaterial aus einer Mischung von Anorthite mit Borosilikatglas bereitgestellt wird, so daß die Sinterungstemperatur bei etwa 800 0C eingestellt wird.pi 976 008 809816/0723
- 5. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikmaterial aus geschmolzener Kieselerde gebildet wird, so daß seine Sinterungstemperatur bei etwa 1600 C eingestellt wird.
- 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaspaste unter Verwendung von Kalium-Bleiglas hergestellt wird, so daß der Erweichungspunkt bei etwa 600 0C eingestellt wird.
- 7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaspaste unter Verwendung eines Kalium-Barium-Bleiglases hergestellt wird, so daß der Erweichungspunkt bei etwa 665 C eingestellt wird.
- 8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaspaste aus amorphem Titansilikat bereitgestellt wird, wobei der Erweichungspunkt bei etwa 1500 0C eingestellt wird.
- 9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchbohrungen und die Nuten in den Grün-Keramikplättchen mit einem Querschnitt von etwa2
0,065 bis 0,0325 cm eingebracht werden. - 10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikelgröße des Keramikmaterials zur Herstellung der Grün-Keramikplättchen in einem Durchmesser von weniger als 5 pm gewählt wird.
- 11. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikelgröße in der Glaspaste mit einem Durchmesser von weniger als 2 um gewählt wird.FI 976 008809816/07232 7 A 5 b 8
- 12. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Glaspastenmaterial und das Keramikmaterial derart gewählt werden, daß sich nach dem Sintern für die Glaskanäle ein größerer Brechungsindex einstellt als der des Keramikmaterials.
- 13. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterungsvorgang unter Einwirken eines Gases durchgeführt wird, dessen Atom- bzw. Molekülvolumen verhältnismäßig klein ist und daß anschließend ein Sinterungsvorgang unter Einfluß eines Gases fortgesetzt wird, dessen Atom- bzw. Molekülvolumen verhältnismäßig groß ist, so daß Blasen im Sinterungskörper, bestehend aus Gasatomen bzw. -molekülen relativ geringen Volumens ausdiffundieren können, so daß die entsprechenden Hohlräume während des anschließenden Sinterungsvorgangs unter Einfluß der Gasatome bzw. -moleküle großen Volumens zusammenfallen.
- 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Gas mit kleinem Atom- bzw. Molekülvolumen Wasserstoff und als Gas mit großem Atom- bzw. Molekülvolumen Stickstoff gewählt werden.
- 15. Anordnung, hergestellt nach den Verfahren gemäß der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Anbringen von Halbleiterchips zur Einwirkung auf die Glaskanäle in Anwendung als Modul für die integrierte Optik vorgesehen ist.FI 976 008ti 0 () 8 1 H / 0 7 2 'J
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/733,546 US4070516A (en) | 1976-10-18 | 1976-10-18 | Multilayer module having optical channels therein |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2745582A1 true DE2745582A1 (de) | 1978-04-20 |
Family
ID=24948066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772745582 Withdrawn DE2745582A1 (de) | 1976-10-18 | 1977-10-11 | Verfahren zur herstellung einer optischen schaltung aus einer keramik- glasstruktur |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4070516A (de) |
JP (1) | JPS5350464A (de) |
DE (1) | DE2745582A1 (de) |
FR (1) | FR2367714A1 (de) |
GB (1) | GB1529294A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2592723A1 (fr) * | 1985-10-16 | 1987-07-10 | Schott Glaswerke | Procede de production d'un guide d'ondes lumineuses plan |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4518219A (en) * | 1980-01-25 | 1985-05-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical guided wave devices employing semiconductor-insulator structures |
JPS57184260A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Photo coupling integrated circuit |
JPS5842403U (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-22 | 株式会社日の丸デスプレ− | パネル看板の連結構造 |
JPS608769Y2 (ja) * | 1981-09-14 | 1985-03-28 | 研器工業株式会社 | 取っ手の構造 |
JPS60252308A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Hitachi Ltd | 電気及び光学回路素子基板 |
US4699449A (en) * | 1985-03-05 | 1987-10-13 | Canadian Patents And Development Limited-Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee | Optoelectronic assembly and method of making the same |
US4867532A (en) * | 1985-10-16 | 1989-09-19 | British Telecommunications Public Limited Company | Wavelength selection device having a diffraction grating mounted on a torsion member |
JPS62235922A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シヤツタ素子の製造方法 |
JPH0734483B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1995-04-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH0715527B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | 光・電気集積回路 |
US4789214A (en) * | 1987-09-21 | 1988-12-06 | Tacan Corporation | Micro-optical building block system and method of making same |
US5119448A (en) * | 1990-09-21 | 1992-06-02 | Tacan Corporation | Modular micro-optical systems and method of making such systems |
DE4120198A1 (de) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Bosch Gmbh Robert | Integriert optische schaltung |
US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
US5281305A (en) * | 1992-05-22 | 1994-01-25 | Northrop Corporation | Method for the production of optical waveguides employing trench and fill techniques |
US5394490A (en) * | 1992-08-11 | 1995-02-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having an optical waveguide interposed in the space between electrode members |
US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
EP0617314A4 (de) | 1992-09-10 | 1995-10-18 | Fujitsu Ltd | System mit optischer schaltung und dessen komponenten. |
JPH06167622A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | 光素子用回路基板及びその製造方法 |
US5499312A (en) * | 1993-11-09 | 1996-03-12 | Hewlett-Packard Company | Passive alignment and packaging of optoelectronic components to optical waveguides using flip-chip bonding technology |
US5818984A (en) * | 1996-11-18 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic interconnection of integrated circuits |
ATE341089T1 (de) * | 1997-06-27 | 2006-10-15 | Elektro Ebert Gmbh | Verfahren zum ausführen einer elektroinstallation und bausatz für elektroinstallation |
JP3715425B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2005-11-09 | ブラザー工業株式会社 | 光導波路付基板の製造方法 |
JP3542268B2 (ja) * | 1998-04-16 | 2004-07-14 | 富士通株式会社 | チップ実装用光伝送機構およびチップ実装方法 |
JP2000081524A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Sony Corp | 光送受信システム |
US6793407B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-09-21 | International Business Machines Corporation | Manufacturable optical connection assemblies |
US7095920B1 (en) * | 2003-02-11 | 2006-08-22 | Little Optics Inc | Broadband optical via |
US7613368B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | Mixed electrical and optical LGA interposer for facilitating chip to board communications by dual signal types |
WO2018139045A1 (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及びインターポーザ |
US20220404551A1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Intel Corporation | Through-substrate optical vias |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3237039A (en) * | 1961-04-17 | 1966-02-22 | Litton Prec Products Inc | Cathode ray tube using fiber optics faceplate |
DE1917400A1 (de) * | 1969-04-03 | 1970-10-15 | Siemens Ag | Integriertes optisch-elektronisches Festkoerpersystem |
US3817730A (en) * | 1969-12-29 | 1974-06-18 | Nippon Electric Co | Method of making optical lines in dielectric body |
US3663194A (en) * | 1970-05-25 | 1972-05-16 | Ibm | Method for making monolithic opto-electronic structure |
US3771983A (en) * | 1971-06-24 | 1973-11-13 | Varian Associates | Method for fabrication of precision miniature glass circuits |
FR2152464B1 (de) * | 1971-09-16 | 1974-05-31 | Thomson Csf | |
GB1372578A (en) * | 1971-11-05 | 1974-10-30 | Inst Kib Akademii Nauk Gruzins | Light guides |
US3879606A (en) * | 1973-09-24 | 1975-04-22 | Texas Instruments Inc | Light projection coupling of semiconductor type devices through the use of thermally grown or deposited SiO{HD 2 {B films |
-
1976
- 1976-10-18 US US05/733,546 patent/US4070516A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-08-19 FR FR7726003A patent/FR2367714A1/fr active Granted
- 1977-09-08 GB GB37506/77A patent/GB1529294A/en not_active Expired
- 1977-09-14 JP JP11008877A patent/JPS5350464A/ja active Granted
- 1977-10-11 DE DE19772745582 patent/DE2745582A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2592723A1 (fr) * | 1985-10-16 | 1987-07-10 | Schott Glaswerke | Procede de production d'un guide d'ondes lumineuses plan |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1529294A (en) | 1978-10-18 |
FR2367714A1 (fr) | 1978-05-12 |
JPS5739403B2 (de) | 1982-08-21 |
US4070516A (en) | 1978-01-24 |
JPS5350464A (en) | 1978-05-08 |
FR2367714B1 (de) | 1980-07-11 |
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