DE2745046C3 - Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung - Google Patents

Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung

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DE2745046C3 DE2745046A DE2745046A DE2745046C3 DE 2745046 C3 DE2745046 C3 DE 2745046C3 DE 2745046 A DE2745046 A DE 2745046A DE 2745046 A DE2745046 A DE 2745046A DE 2745046 C3 DE2745046 C3 DE 2745046C3
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Description

besteht, und einen MOS-Schalttransistorbereich mit einer Gate-Elektrode, die über einer auf der Hauptfläche ausgebildeten Isolierschicht zwischen dem Signalladungsfeststellbereich und der Photodiode liegt, umfaßt, wobei der Schalttransistorbereich die von der Photodiode bereitgestellten Signalladungen an den Signalladungs-Feststellbereich weitergibt, dadurch gekennzeichnet, daß die Photodiode eine einen lichtempfindlichen Bereich (A) bildende pn-FIächendiode und eine einen Signa'Jadungs-Speicherbereich (B) bildende MOS-Diode aufweist, und daß der Signalladungs-Feststellbereich (B) und der Schalttransistorbereich (C) mit einer Lichtabschirmschicht (37) bedeckt sind, die ein den lichtempfindlichen Bereich f/ψ freigebendes Fenster (39) aufweist
2. Festkörper-Bildaufnahmecinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotodiode eine die pn-Flächendiode bildende Zone (32) des zweiten Leitfähigkeitstyps umfaßt und daß die jo MOS-Diode aus dem an die Zone (32) vom zweiten LeitfähigkeiUiyp angrenzenden Hauptflächenbereich, einer die HauptL'äche br deckenden Speicher-Gate-Isolierschicht (33) und einer Speicher-Gateelektrode (36) besteht, die auf ■'er Speicher-Gate-Isolierschicht (33) ausgebildet ist (F i g. 3).
3. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die pn-FIächendiode der Fotodiode eine in der Hauptfläche ausgebildete Zone (32) vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, und daß die MOS-Diode der Fotodiode eine auf einem Teil der den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisenden Zone (32) der pn-Flächendiodc vorgesehenen Gate-Isolierschicht (33), sowie eine auf der Gate-Isolierschicht (33) ausgebildete Spei- 4> cher-Gateelektrode (37) aufweist (Fig. 4).
4. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicher-Gateelektrode (37) auch als Lichtabschirmschicht dient (F ig. 4).
5. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Ladungsverschiebeeinrichtung (D), die auf der Hauptfläche ausgebildet ist, die Signalladungen vom MOS-Schalttransistorbereich (C) zugeführt be- « kommt und diese dann an den Signaliadungsfeststellbereich (34,44) überträgt (F i g. 5... 8).
6. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsverschiebeeinrichtung (D) ein BBD-, ein CCD- oder eo ein BCD'Elementist(Fig. 5...8).
7. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung nach einem der Ansprüche I bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (31) aus Silizium besteht. h·)
Die Erfindung betrifft eine Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Gattung.
Eine aus »1972 IEEE International Solid-State Circuits Conference«, Digest of Technical Papers, Seiten 30 und 31 bekannte Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung ist in Fig. IA dargestellt, die eine Gate-Leitung 11, eine Ausgangsleitung 12, einen schaltenden Metall-Oxid-Halbleiter-(MOS)-Tivnsistor 11 nnH »in*» rtn-PtnoliAn.EVttsvrlin.rjA i λ —.-.;.-.*
·—· w*»to will», f*' * ***w*-t*-»t * W#*.K>V*lWVJfc- «T «.Wlgl.
Der Querschnitt der einem Bildelement entsprechenden Festkörperbildaufnahmeeinrichtung ist in Fig. IB dargestellt, die weiterhin eine Siliziumoxid-(SiO2)-Schicht 15 und ein p-Ieitendes Siliziumsubstrat zeigt. Die Gate-Elektrode 11 besteht beispielsweise aus polykristallinem Silizium. Die Signalausgangsleitung 12 liegt in Form einer n+-leitenden, diffundierten Schicht vor. Eine weitere n+-leitende Diffusionsschicht bildet den lichtempfindlichen Bereich der Fotodiode 14. Eine Verarmungsschicht 17 erstreckt sich in das Substrat 16.
Bei dieser Einrichtung werden die Informationen über das einfallende Licht in der Sperrschichtkapazität zwischen dem p-leitenden Substrat 16 und der n+-leitenden Diffusionsschicht 14 gespeichert Wie im weiteren noch ausgeführt wird, ist die Speicherkapazität etwa eine Größenordnung kleiner als die Kapazität in einer Oberflächen-MOS-Diode, die im weiteren noch beschrieben werden wird. Es sei V« die Impulsamplitude einer Betriebsspannung, VY die Schweliwertspannung des MOS-Transistorschalters, 65 die dielektrische Konstante von Silizium, q die elektrische Elementarladung, Vi, die sogenannte builtin-Spannung oder interne Spannung, Na die Fremdatomkonzentration im Substrat, und Nd die Fremdatomkonzentration in der η+-leitenden Diffusionsschicht Die Dicke XD der Verarmungsschicht läßt sich dann mit folgender Gleichung ausdrücken:
(D
Wenn beispielsweise
V„(~~ 5V) - VT[~ 0,7V) + Kw(~ 0,6V) = 5V ,
NA = 1 χ IO14 χ cm"3
und
Nn= \ xlO19 cm
ist, so beträgt die Dicke der Verarmungsschicht
X1- = 2,1 «m . (2)
Die Kapazität Cn pro Einheitsfläche wird dann:
Cn = s = 0.5 χ IO~H F'cm2.
In F i g. 2A und 2B ist eine weitere, einem älteren Vorschlag (Patentanmeldung P 27 36 878.1-33) entsprechende FestkörDcr-Bildaufnahmeeinrichtune der ein-
gangs angegebenen Gattung dargestellt, bei der für die Kapazität die MOS-Struktur (die Oberllächen-MOS-Diode) verwendet wird. Wenn in diesem Falle angenommen wird, daß die Dicke Tox der Siliziumdioxidschicht 15 unter einer Elektrode 19 einen Wert von 100 nm ist und wenn εοχ die Dielektrizitätskonstante von Siliziumdioxid ist, dann erhält man eine Kapazität Cox pro Einheitsfläche von:
t 'OX
χ IU
H cm*
(4)
10
Bei dem in den F i g. 1A und IB dargestellten Aufbau ist die Kapazität pro Einheitsfläche sehr klein und nur '/7 der Kapazität, die bei dem in den Fig.2A und 2B dargestellten Aufbau vorliegt, und daher kann die Packungs- bzw. Integrationsdichte nicht erhöht werden.
Bei dem in den Fig.2A und 2 B dargestellten Aufbau wird eine auf der MOS-Struktur beruhende Inversionsschicht in einem Substrat anstelle einer auf der pn-Flächendiode gemäß den Fig. IA und IB beruhenden Inversionsschicht benutzt. In diesem Falle tritt in der Si-Oberfläche ein relativ starkes elektrisches Feld auf, so daß die meisten der im Silizium erzeugten Paare von Defektelektronen und Elektronen zur optischen Information beitragen. Da der größere Teil des auf die Bildaufnahmeeinrichtung auffallenden Lichtes in der Elektrode 19 absorbiert wird, sind die Gesamtlichtempfindlichkeit und die Empfindlichkeit im Blaubereich erheblich geringer als die Empfindlichkeiten bei der in den Fig. IA und IB dargestellten, bekannten Anordnung. Um die Lichtempfindlichkeit zu verbessern, müßte die Elektrode 19 dünner ausgebildet sein. Mit den bis jetzt bekannten Verfahren ist es jedoch sehr schwierig, die Elektrode 19 ohne Erhöhen des Widerstands dünner als 03 μηι zu machen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtungen zu schaffen, die eine hohe Quantenausbeute, d. h. eine hohe Empfindlichkeit, einen geringen Dunkelstrom und eine große Speicherkapazität besitzen.
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichenteil des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Die erfindungsgemäße Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung weist einen geringen Dunkelstrom, eine geringe Ungleichmäßigkeit oder Ungleichförmigkeit und eine hohe Empfindlichkeit auf, weil das Licht mit der pn-Flächendiode aufgenommen und die Signalladungen mit der MIS-Struktur gespeichert wird bzw. werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der weiteren Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigen
F i g. 3 einen Querschnitt durch eine Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung.die einem Bildelement entspricht;
F i g. 4 einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform einer Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung, die einem Bildelement entspricht;
Fig.5 eine Aufsicht, die ein Elektrodenmuster bzw. eine Elektrodenanordnung und ein Muster der fremdatomdotierten Schichten bei einem Ausführungsbeispiel wiedergibt, das die Form eines linearen Sensors bzw. einer linearen Lichtabfühleinrichtung hat;
Fig.6 einen Querschnitt entlang der in Fig. 5 b5 eingezeichneten Sciiuiulinie Vl — Vl;
Fig. 7A einen Querschnitt entlang der in Fig.5 eineezeichneten Schnittlinie VII —VII:
Fig.7B ein Diagramm zur Erläuterung der Zwei-Phasen-Steuerimpulse Φ, und Φ2. die an die Verschiebeelektroden einer sogenannten »Bulk Charge-Transfer«-(BCD)-SchaItung angelegt werden;
Fig.8 einen Querschnitt entlang der in Fig.5 eingezeichneten Schnittlinie V111 — VIII; und
F i g. 9 ein Diagramm mit einem Vergleich der Empfindlichkeit zwischen den Anordnungen nach Fig. 1A, 1B und 2A, 2B einerseits und der erfindungsgemäßen Einrichtung andererseits.
Fig.3 zeigt einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel mit einem p-leitenden Siliziumsubstrat 31, einer η-leitenden, fremdatomdotierten Schicht 32, die einen lichtempfindlichen Bereich darstellt und durch Thermodiffusion, Ionenimplantation oder einem anderen Verfahren ausgebildet wird. Eine Isolierschicht 33 besteht aus Siliziumdioxid oder dergleichen. Eine η-leitende, fremdatomdotierte Schicht 34 dient als Ausgangsleining. Eine Gate-Elektrode 35 für einen MOS-Transistorschalter besteht aus polykristallinem Silizium oder dergleichen. Eine Gate· iiektrode 36 für einen Speicherbereich besteht ebenfalls aui polykristallinem Silizium oder dergleichen. Eine Lichtabschirmplatte 37 besteht aus Aluminium oder dergleichen.
Das Licht fällt nur durch ein in der Lichtabschirmplatte 37 ausgebildetes Loch 39 auf die η-leitende Schicht 32 auf. Die in dieser n-Ieitenden Schicht 32 erzeugten Elektronen werden unterhalb der Speichergate-Elektrode 36 und in der η-leitenden Schicht 32 gehalten. Die spektrale Empfindlichkeit und die Lichtempfindlichkeit sind daher durch die n-Ieitende Schicht 32 vorgegeben, und die größte Ladungsmenge, die gehalten werden kann, wird hauptsächlich durch eine große Kapazität Cox 38 festgelegt Es kann also eine Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung hergestellt werden, deren Empfindlichkeiten und Integrationsdichte höher sind als bei herkömmlichen Einrichtungen.
Unter denselben Bedingungen wie bei der Berechnung der Werte Cd und Cox in den zuvor angegebenen Gleichungen (3) und (4), d. h. unter der Voraussetzung, daß die Fremdatomkonzentration des p-leitenden Siliziumsubstrats 1 χ 10ls cm-3, die Oxidschicht 100 nm dick und die Elektronenkonzentration der n-leitenden Schicht 1 χ 1019cm-3 ist, wird die Kapazität Cs pro Einheitsfläche bei der in F i g. 3 dargestellten Festkörper- Bildaufnahmeeinrichtung:
Cx = C0 + Cox = 4 χ l(T18F/cm2
Diese Speicherkapazität ist ausreichend groß. Bei dem pn-Flächendioden verwendenden Abfühl- und Speichersystem, wie es in den F i g. 1A und 1B dargestellt ist (pn-Flächendiodensystem) tritt ein Dunkelstro"', von 3 nA/cm2 auf, wogegen bei dem Abfühl- und Speichersystem mit der MOS-Struktur (der Oberflächen-MOS-Diüde) wie sie in den Fig. 2A und 2B dargestellt ist (Oberflächen-MOS-Dioden-System) der Dunkelstrom einen Wert von 5 nA/cm2 aufweist. Bei der Einrichtung mii der in F i g. 3 dargestellten Struktur beträgt der Dunktistrom 2 bis 5 nA/cm2 und liegt zwischen den Werten der beiden zuvor erwähnten Systeme. Wie aus Fig.9 hervorgeht, ist die Lichtempfindlichkeit 91 der Einrichtung mit dem in Fig. 3 dargestellten Aufbau besser als die Lichtempfindlichkeit 92 bei dem Oberflächen-MOS-Diodensystem, und die Lichtempfindlichkeit »1 ist etwa gleich gut oder besser als die Lichtempfindlichkeit 93 des pn-Flächendiodensystems.
Wie aus der vorausgegangenen Besehreibung deutlich wird, kann eine Fcstkörper-Bildaufnahmceinrichtung mit großer Seicherkapazität, geringem Dunkelstrom und guter Lichtempfindlichkeit hergestellt werden, indem das Licht erfindungsgemäß mit der pn-Flächendiode aufgenommen wird und die Signalladungen mit der Oberflächen-MOS-Diode gespeichert werden.
Fig.4 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Schicht 37 dient als Lichtabschirmplatte und gleichzeitig als Speichergate-Elektrode. Auch hier kann Licht nur durch ein Loch 39 hindurchgehen, und die Ladungen werden in einer Oxidschicht-Kapazität Cav 38 gespeichert. In diesem Falle erstreckt sich die η-leitende Schicht 32 unter den Speicherbereich. Diese Tatsache ist jedoch im Hinblick auf das Grundprinzip ohne Nachteil. Eine solche Verlängerung oder Erstreckung der η-leitenden Schicht 32 unter den Speicherbereich ist eher vorteilhaft, weil der lichtempfindliche Bereich 32 im selben Verfahrensschritt ausgebildet werden kann, mit dem eine als Ausgangsleitung dienende η-leitende Schicht 34 gebildet wird.
Wichtig ist, daß die η-leitende Schicht 32. die Speichergate-Elektrode 36 (oder 37), und die das Loch 39 aufweisende Lichtabschirmplatte 37 gemeinsam vorliegen. Wenn bei dem in Fig.4 dargestellten Ausführungsbeispiel die Speichergate-Elektrode 37 beispielsweise die gesamte Oberfläche ohne Vorhandensein des Loches 39 überdeckt, unterscheidet sich die sich dadurch ergebende Einrichtung in ihrer Wirkungsweise kaum von den in den Fig. 2A und 2B dargestellten Einrichtungen, und diese derart ausgebildete Einrichtung ist dann hinsichtlich der Lichtempfindlichkeit schlechter als die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform.
In den Fig.3 oder 4 ist nur ein Bildelement dargestellt. Derartige Bildelemente können eindimensional in einem linearen Sensor oder zweidimensional in einem Flächensensor angeordnet sein und eine wirkliche Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung bilden.
Die Fig. 5, 6, 7A und 7B. sowie 8 zeigen ein 36' der speichernden Bereich mit MOS-Struklur bestehen aus polykristallinem Silizium und liegen in einer festen, vorgegebenen Gleichspannung (beispielsweise 8 V). Weiterhin ist ein lichtempfindlicher Bereich A. ein Speicherkapazitätsbereich B. ein MOS-Transistorschaltbereich Cund ein Ladungsverschiebcelement-Bereich D dargestellt. Diese Ausführungsform arbeitet so, daß das auf die η-leitenden Schichten 32, 32' auffallende Licht in Substrat-Oberflächenbereichen 310, 311 unterhalb der Gate-Elektroden 36, 36' der MOS-Struktur gespeichert wird, und daß die Information durch Anlegen von Gateimpulsspannungen (mil einer Amplitude von beispielsweise 8 V) an die Schaltgate-Elektroden 35, 35' der MOS-Transistorschaltbereiche zu den Ladungsverschicbcclcmcntcn D. D' verschoben und von dort ausgelesen werden. Die Ladungsverschiebeeinrichtung ist ein analoges Schieberegister, das Signale entlang mehrerer, auf der Siliziumoberfläche ausgebildeten Elektroden 41, 43 verschiebt. Solche Einrichtungen werden als »Bucket Brigade Device: BBD« (IEEE journal of Solid-State Circuit, SC-4 (1969), Seite 131. F. L. J. Sangster), »Charge Coupled Device: CCD« (Bell System Technical )ournal. April 1970, Seite 74), »Bulk Charge-transfer Device: BCD« (Proceedings of the 6th Conference on Solid State Device, 1974, Seiten 173 ff, M. Kubo) usw. bezeichnet.
Die in den F i g. 5 und 6 dargestellten n-leitenden Schichten 40 und 40' (mit einer Fremdatom-Konzentration von I χ 10" — 3 χ ΙΟ16 cm-') entsprechen den Kanälen der BCD-Elemente und werden durch Ionenimplantation, thermische Diffusion oder dergleichen gebildet. Die optische Information wird entlang dieser η-leitenden Schichten zu den Ausgängen verschoben. Bei dem in F i g. 5 dargestellten linearen Sensor wird die optische Information zu zwei BCD-Elementen, nämlich zu dem rechten und dem linken BCD-Element verschoben, die die Bezugszeichen Dund D'besitzen.
Fig. 7A zeigt den Aufbau der BCD-Einrichtung im Querschnitt. Die Verschiebungselektroden 41 und 43 bestehen aus polykristallinem Silizium und sind in zwei Elektrodenreihen derart aufgeteilt, daß benachbarte
aufnehmers. Fig.5 zeigt in Aufsicht ein Elektrodenmuster und ein Muster der fretndatom-dotierten Schichten (die beispielsweise durch Ionenimplantation oder Thermodiffusion gebildet werden). Das Elektrodenmuster ist auf der linken Hälfte der Zeichnung und das Muster der fremdatomdotierten Schichten unter den Elektroden ist auf der rechten Hälfte der Zeichnung nicht dargestellt. F i g. 6. 7A und 8 zeigten Querschnitte entlang der in rig. 5 eingezeichneten Schnittlinien VI-VI, VII-VII bzw. VIII-VIII. In den Zeichnungen ist das einfallende Licht mit dem Bezugszeichen 61 versehen, und schaltende Gate-Elektroden der MOS-Transistorschalter weisen die Bezugszeichen 35 und 35' auf. n-ieitende Schichten 32 und 32' (mit einer Fremdatomkonzentration von 1 χ ΙΟ16 — 1 χ 1020Cm-3) der lichtempfindlichen Bereiche bilden Fotodioden durch die pn-Übergänge mit einem p-leitenden Siliziumsubstrat 31 (mit einer Fremdatomkonzentration von etwa 1 χ 10I5cm-3). Eine p-Ieitende Schicht 42 (mit einer Fremdatomkonzentration von 1 χ 1016 — 1 χ 10l7cm-3). die durch Ionenimplantation, Diffusion oder dergleichen ausgebildet wird, dient als Kanaltrennzone zur Isolierung benachbarter Bildelemente. Lichtabschirmplatten 37 und 37' sind aus Aluminium hergestellt. Speichergate-Elektroden 36 und verbunden und zu einer ersten Gruppe zusammengefaßt und jede zweite Gruppe durch bekannte Einrichtungen leitend verbunden sind. An die beiden Elektrodenreihen werden die in Fig. 7B dargestellten Steuerimpulse Φ\ und Φ2 angelegt. In Fig. 7A sind in einer Schicht 49 Bor-Ionen (B+) von etwa 3 χ 10" — 7 χ 10" cm-2 implantiert, um eine Potentialschwelle zu bilden. Eine η + -leitende Schicht 44 (mit einer Fremdatomkonzentrationvonl χ 10" — 1 χ lO^cm-^dient der Detention einer Ausgangsspannung. Eine Ausgangs-Gate-Elektrode 46 besteht aus polykristallinem Silizium, und an sie wird als Vorspannung eine Gleichspannung (beispielsweise von 6 V) angelegt. Darüber hinaus ist eine aus Aluminium oder dergleichen bestehende Ausgangselektrode 45, ein Verstärker 47 und ein Signalausgangsanschluß 48 vorgesehen. Der Verstärker 47 kann entweder als integrierte Schaltung auf demselben Halbleitersubstrat oder als integrierte Schaltung auf einem davon getrennten Substrat vorliegen.
Der in F i g. 8 dargestellte Querschnitt entlang der in Fig.5 eingezeichneten Schnittlinie VIII—VIII gibt wieder, daß die Siliziumsubstrat-Oberflächenbereiche 311 der Bereiche mit MOS-Struktur in den Speicherkapazitätsbereichen der jeweiligen Bildelemente durch die Kanal-Unterbrecher 42 (das sind p+-leitende. durch
Implantation von B' gebildete Schichten) isoliert werden
Bei dieser Ausführiingsform werden die Fotoeigenschaften durch die η-leitenden Schichten 32 festgelegt, obgleich das Verfahren .'!im Detektieren der Signale sich von dem Verfahren der in den F i g. 3 und 4 dargestellten Einrichtungen unterscheidet.
Bei v-ieser Ausfiihningsform weist die n-leitende Schicht 39 des BCD-Vcrsehiebiingsbcreichs eine Fremdatomkonzentration von etwa 3 / 10" — I χ 10"Cm ' auf und kann gemeinsam mit der n-lcitendcn Schicht des lichtempfindlichen Bereiches hergestellt werden. Fs ist daher möglich, die n-leitende
Schicht 32 des lichtempfindlichen Bereichs und die n-leitende Kanalschicht 39 der BCD-Einrichmng mit demselben Herstellungsschritt auszubilden. Die nachfolgende Tabelle dient dem Vergleich der Wirkungsweise bzw. der F.igenschaften eines linearen Sensors mit der hier beschriebenen Struktur (Spalte I), eines linearen Sensors, bei dem das pn-Flächendiodensystem nach Fig. IA. IB verwendet wird (Spalte 3), und eines linearen Sensors mit dem MOS-Struktur-(Oberflächen-MOS-Dioden-)System nach F i g. 2A, 2B (Spalte 3). Aus der Tabelle wird deutlich, daß sich mit der hier beschriebenen Einrichtung ausgezeichnete Ergebnisse erzielen lassen.
Tabelle
Lichtuu Hall-Bereich
Speicherbereich
Verse hiebe be reich
Sättigungsbelichtung
Dunkel st rom komponente
(50 C. 10 s)
Ungleichmäßigkeit
Art lies Sensors
pn-Flächendiode) MOS-Struktur I BCD
1.5 Ix -s
I bis 2 %
iVIOS-Struktur pn-Flä'chendiode
HCD BCD
2,8 Ix ■ s 4,0 Ix · s
5 bis 7 7o 1 bis 2 %
± 10%
10%
Anmerkungen zur Tabelle:
Sättigungsbelichtung: Wird in [Ix ■ s| angegeben und ist das Produkt aus der Intensität des zur Beleuchtungverwendeten Lichts und einer Speicherzeit zu einem Zeitpunkt, bei dem das Ausgangssignal gesättigt bzw. saturiert ist. wenn die Bestrahlung bzw. die Beleuchtung während der zuvor festgelegten Speicherzeit intensiviert wird. Ein kleiner Wert für die Sättigungsbelichtung ist anzustreben, um eine einfachere Lichtquelle verwenden zu können.
Die Dunkelstromkomponente oder das Dunkelsignal ist der Prozentsatz, mit dem ein Leckstrom einem Fotosignal zuaddiert wird. Ein möglichst kleiner Wert ist anzustreben.
Die Ungleichmäßigkeit wird in Prozent ausgedrückt und ist die Streuung der Ausgangssignale um 50% einer Sättigungsausgangsspannung herum, wobei die Streuung auf die Sättigungsspannung bezogen ist. Dieser Wert betrifft die Stabilität der Einrichtung.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung mit einer
in der Hauptfläche eines Halbleitersubstrats eines ersten Leitfähigkeitstyps angeordneten Vielzahl von photoelektrischen Elementen, deren jedes eine Photodiode, einen Signalladungs-Feststellbereich, der aus einer Zone eines dem ersten Leitfähigkeits-
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