DE2734397C2 - Baugruppe für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellenoszillator - Google Patents
Baugruppe für elektrische Schaltkreise mit einem MikrowellenoszillatorInfo
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Baugruppe aus einem metallischen Gehäuse für elektrische Schaltkreise
mit einem Mikrowellenoszillator, insbesondere eine Trägerversorgung.
Mikrowellenträgerversorgungen werden meist mit Oszillatoren aufgebaut, die in der RF-Frequenzlage
schwingen. Für einen solchen Oszillator soll gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe eine Lösung
angegeben werden, die eine kostengünstige Integrierbarkeit des Oszillators in den Gesamtaufbau der Trägerversorgung
ermöglicht sowie einen möglichst identischen mechanischen und elektrischen Aufbau für Oszillatoren
für weit unterschiedliche Frequenzen schafft.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung in der Weise gelöst, daß eine tragende Wand (Bodenplatte oder
Seitenwand) des Gehäuses die aktiven Elemente des Mikrowellenoszillators, beispielsweise Transistoren
oder Halbleiterdioden, einschließlich der Spannungszuführungen enthält und daß an der Außenseite der betreffenden
Wand, im Bereich über den aktiven Elementen des MikrowellenosziHators, der topfförmig ausgebildete
Resonator des MikrowellenosziHators HF-dicht aufgesetzt ist und daß die elektrischen Anschlüsse einer
die elektrischen Schaltkreise tragenden Leiterplatte unmittelbar über bzw. neben für die Stromzuführung vorgesehenen
Durchführungen angeordnet sind.
Durch die DE-AS18 06 114 ist eine temperaturstabilisierte
Schwingquarz-Oszillatorschaltung mit einem ein Schwingquarzgehäuse dicht umschließenden topfartigen
Thermostat-Heizmantel bekannt, der von einem Deckel verschlossen und in einem abgeschlossenen Gehäuse
angeordnet ist Hierbei ist der Deckel des Heizmantels an seiner vom Heizmanteünnenraum abgewandten
Seite mit einer kammerartigen Ausformung versehen. Diese Ausformung ist mit einer die Bauelemente
der Oszillatorschaltung tragenden Schaltungsplatine derart abgedeckt, daß die Halbleiterbauelemen-
te und die Zuleitungen für den Schwingquarz im Innenraum der Ausformung und die restlichen Bauelemente
der Oszillatorschaltung neben der Ausformung angeordnet sind.
Ferner ist durch die DE-AS 19 03 518 ein Hochfrequenzoszillator bekannt, der einen Körperblock aus
Kupfer, Aluminium oder Invar aufweist, der einen rechteckigen Hohlraum oder eine zylindrische Bohrung aufweist,
so daß ein Hohlraumresonator gebildet wird. Der Hohlraum ist mit einem Flansch oder einer Endwand
mit einer auf dieser aufmontierten Diode abgeschlossen. In vorteilhafter Ausgestaltung des Erfindungsgegenstandes
ist vorgesehen, daß die Stromzuführung zu den aktiven Elementen über Durchführungskondensatoren
oder -filter erfolgt und die Verbindung von den Durchführungen zu den aktiven Elementen über dünne lackisolierte
Drähte.
Der topfförmig ausgebildete Resonator ist in vorteilhafter Weise auf der Außenseite der tragenden Wand
(Bodenplatte, Seitenwand) fest aufgebracht, beispielsweise aufgelötet oder auswechselbar befestigt, insbesondere
aufgeschraubt. Zur HF-Abdichtung ist zwischen Resonatorstirnseite und tragender Wand in vorteilhafter
Weise ein Dichtblech angeordnet.
Nachstehend wird die Erfindung anhand von zwei in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen
Nachstehend wird die Erfindung anhand von zwei in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen
F i g. 1 und 2 in einer Unteransicht und einem Querschnitt
den schematischen Aufbau eines mit der gesamten Trägerversorgung integrierten Gunn-Oszillators,
bei der der Resonator auf der Bodenplatte des Gehäuses befestigt ist und
F i g. 3 und 4 in einer Seitenansicht und einem Schnitt in der Ebene einer in das Gehäuse eingesetzten Leiterplatte
eine Ausführungsform, bei der der Resonator an einer Seitenwand des Gehäuses befestigt ist.
Beim Ausführungsbeispiel nach den F i g. 1 und 2 besteht das Gehäuse aus einer metallischen Grundplatte
(Trägerplatte) 1 sowie einem auf der Oberseite aufgesetzten kammerartigen Deckel 2 und einem weiteren,
auf der Unterseite aufgesetzten kammerartigen Deckel 3. Auf der Oberseite der Trägerplatte 1 ist eine Leiterplatte
4 aus Isolierstoff angeordnet, auf der die Regelschaltkreise der Trägerversorgung und die Anschlußpunkte
zur Spannungsversorgung der Oszillatorhalbleiter angebracht sind. Die aktiven Elemente des MikrowellenosziHators,
eine Gunn-Diode 5 und eine Abstimmdiode 6, sind an der Unterseite der Trägerplatte 1,
d. h. an der der Leiterplatte gegenüberliegenden Seite der Trägerplatte befestigt. Sie können beispielsweise
über Gewindebohrungen an der Unterseite angeschraubt werden oder auch, dies ist bei der beschriebenen
Ausführungsform nicht vorgesehen, in einen Durchbruch der Trägerplatte eingesetzt werden. Die elektri-
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sehe Versorgung der aktiven Elemente des Oszillators
geschieht also über die gleiche Trägerplatte der Gesamiträgerversorgüng,
auf bzw. in welcher diese aktiven Elemente selbst angeordnet sind. Die Stromzuführung
zu den aktiven Elementen 5,6 des Mikrowellenoszillators erfolgt über Durchführungskondensatoren 7,8.
Die Verbindung von der jeweiligen Durchführung 7, 8 zu dem betreffenden aktiven Element 5, 6 wird über
dünne lackisolierte Drähte 9, 10 hergestellt, die im Bereich der Oüillatorfrequenz als Drossel wirken.
Im Bereich der aktiven Elemente 5, 6 des Mikrowellenoszillators
ist an der Außenseite der Trägerplatte 1 ein topfförmig ausgebildeter Resonator 11 HF-dicht
aufgesetzt Der Resonator 11 des Mikrowellenoszillators kann dabei auf der Trägerplatte fest aufgebracht,
beispielsweise aufgelötet oder auswechselbar befestigt, insbesondere aufgeschraubt sein, wobei zur HF-Abdichtung
zwischen Resonatorstirnseite und Trägerplatte 1 vorteilhafterweise ein Dichtblech 12 angeordnet ist.
Die flexible Ankopplung der aktiven Elemente 5, 6 an den Hohlraumresonator 11 erfolgt direkt, d.h. ohne
Zwischenlängen, und damit verlustarm über auf die aktiven Elemente aufgelötete Bänder 13 und/oder in den
Resonator 11 eintauchende Stifte 14. Sie kann auch über
Koppelschleifen erfolgen. Durch die Wahl der Bandchenfläche und das mehr oder weniger starke Hineinragen
der Stifte in den Resonator kann die Ankopplung in weiten Grenzen gewählt werden. Der Toleranzausgleich
für die aktiven Elemente erfolgt z. B. durch geringfügiges Verbiegen der Bänder.
Der auf der Trägerplatte befestigte Resonator 11 enthält ausschließlich mechanische Teile, wie die Frequenzabstimmschraube
15, die durch eine seitliche Bohrung in den Resonator 11 eintaucht, und die RF-Leistungsauskopplung
in Form einer koaxialen Anschlußleitung 16. Die Höhe der Lastankopplung kann durch mehr oder
weniger starkes Einschrauben der koaxialen Anschlußleitung in den Resonator 11 erfolgen. Die Kopplung ist
induktiv oder kapazitiv ausführbar. Die Auskopplungen können auch in die Trägerplatte 1 eingebaut werden.
Beim Ausführungsbeispiel nach den F i g. 3 und 4 wird die Trägerplatte von einer Stirnseite 21 des Gehäuses
gebildet, dessen beide Längsseiten mit 19 und 20 bezeichnet sind. In die Trägerplatte 21 ist an der Außenseite
ein aktives Element 5, beispielsweise eine Gunn-Diode eingeschraubt, deren Stromzuführung über einen
Durchführungskondensator 7 erfolgt. Die Verbindung von der Durchführung 7 zum aktiven Element 5 erfolgt
in entsprechender Weise wie beim Ausführungsbeispiel nach den F i g. 1 und 2, ebenso die flexible Ankopplung
des aktiven Elementes 5 an den Hohlraumresonator 11 sowie die RF-Leistungsauskopplung über die koaxiale
Anschlußleitung 16. Die Abstimmschraube 15 für die mechanische Frequenzabstimmung des Resonators ist
in einer bodenseitigen Bohrung des Resonators 11 eingesetzt. Der Resonator 11 ist in entsprechender Weise
wie beim Ausführungsbeispiel nach den F i g. 1 und 2 an der Außenwand der Trägerplatte 21 im Bereich des aktiven
Elementes 5 aufgesetzt und durch Löten oder Verschrauben befestigt, wobei zur H F-Abdichtung zwischen
Stirnseite des Resonators 11 und der Trägerplatte in vorteilhafter Weise ein Dicht- bzw. Abschirmblech 12
in Form eines gefiederten bzw. lameliierten Bleches angeordnet ist. Die Verbindung vom Durchführungskondensator
7 zu der im Gehäuse eingesetzten Leiterplatte 17 für Regelschaltkreise und dgl. erfolgt über die Anschlußleitung
18, welche sich vorteilhafterweise auf gleicher Höhe wie die Oberseite der Leiterplatte 17 befin-
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65 det. Wegen der günstigen räumlichen Anordnung der
Leiterplatte und deren Anschlüsse und der sich dadurch ergebenden kurzen Verbindungswege kann in vorteilhafter
Weise der Anschlußdrahi des Durchführungskondensators als Anschlußleitung verwendet werden.
Bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen ist eine kostengünstige Integration des Mikrowellenoszillators
in die Trägerversorgung sowie eine einfache Umstellung oder Anpassung an andere aktive Elemente
möglich. Bei der Umstellung oder Anpassung an andere aktive Elemente ist allein das Koppelband des betreffenden
Elementes in seiner Fläche und räumlichen Ausrichtung neu festzulegen. Da das aktive Element praktisch
ohne zwischengeschaltete Leitungslänge an den Resonator angekoppelt wird, ist bei diesem Oszillator
eine besondere Stabilisierung für das Oszillatorelement nicht erforderlich. Ferner ist eine hohe Frequenz-Temperaturkonstanz
gegeben. Sie hängt wegen der einfachen Konstruktion bei der Güte Q = 200 bereits fast
ausschließlich vom Ausdehnungskoeffizienten des Resonators ab, den man in diesem Fall aus Materialien wie
Invar herstellen kann. Für die Trägerplatte kann man beispielsweise Messing verwenden. Von besonderem
Vorteil bei den erfindungsgemäßen Ausfüiirungsformen ist ferner, daß für weit unterschiedliche Frequenzen fast
identische Konstruktionen verwendet werden können. Lediglich die Kopplungsbänder und der Resonatordurchmesser
sind abzuwandeln.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Baugruppe aus einem metallischen Gehäuse für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellenoszillator,
insbesondere eine Trägerversorgung, dadurch gekennzeichnet, daß eine tragende
Wand (Bodenplatte 1 oder Seitenwand 21) des Gehäuses die aktiven Elemente (5,6) des Mikrowellenoszillators,
beispielsweise Transistoren oder Halbleiterdioden, einschließlich der Spannungszuführungen
enthält und daß an der Außenseite der betreffenden Wand (1, 21), im Bereich über den aktiven Elementen
(5,6) des Mikrowellenoszillators, der topfförmig ausgebildete, gegebenenfalls kapazitiv belastete Resonator
(11) des Mikrowellenoszillators HF-dicht aufgesetzt ist und daß die elektrischen Anschlüsse
einer die elektrischen Schaltkreise tragenden Leiterplatte (4, 17) unmittelbar über bzw. neben für die
Stromzuführung vorgesehenen Durchführungen angeordnet sind.
2. Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromzuführung zu den aktiven Elementen (5,6) über Durchführungskondensatoren
oder -filter (7,8) und die Verbindung von den Durchführungen zu den aktiven Elementen (5,6) über dünne
lackisolierte Drähte erfolgt.
3. Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonator (11) auf der Außenseite
der tragenden Wand (1, 21) (Bodenplatte, Seitenwand) fest aufgebracht, beispielsweise aufgelötet
ist.
4. Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonator (11) auf
der Außenseite der tragenden Wand (1, 21) (Bodenplatte, Seitenwand) auswechselbar befestigt, insbesondere
aufgeschraubt ist.
5. Baugruppe nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Resonatorstirnseite und tragender
Wand (1, 21) ein Dichtblech (12) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772734397 DE2734397C2 (de) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Baugruppe für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellenoszillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772734397 DE2734397C2 (de) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Baugruppe für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellenoszillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2734397A1 DE2734397A1 (de) | 1979-02-01 |
DE2734397C2 true DE2734397C2 (de) | 1986-12-11 |
Family
ID=6015221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772734397 Expired DE2734397C2 (de) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | Baugruppe für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellenoszillator |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2931428C2 (de) * | 1979-08-02 | 1982-03-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mikrowellenoszillator |
CA1195393A (en) * | 1983-05-16 | 1985-10-15 | Northern Telecom Limited | Aperture-coupled microwave apparatus |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3290614A (en) * | 1964-03-20 | 1966-12-06 | Sanders Associates Inc | High frequency oscillator having distributed parameter resonant circuit |
US3474351A (en) * | 1968-01-25 | 1969-10-21 | Edward J Cook | High frequency apparatus employing a displacement current coupled solidstate negative-resistance device |
-
1977
- 1977-07-29 DE DE19772734397 patent/DE2734397C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2734397A1 (de) | 1979-02-01 |
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