DE2015579B2 - Halterung und anschlussvorrichtung fuer einen halbleiter-mikrowellenoszillator - Google Patents

Description

65 b) c.er Abstand zwischen den Leitgliedern ist der art bemessen, daß sich die Leitglieder auf den

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halterung gleichen effektiven Hochfrequenzpotential b"

und Anschlußvorrichtung für einen Halbleiter- finden und eine zusammengesetzte Hoch

frequenz-Grundebene in bezug auf den Mittel- F · g. 3 einen vergrößerten Teil-Querschnitt gemäß

pi· iktsleiter bilden; Linie 3-3 in Fig. 2 und

c) es sind Schaltungsmittel zur elektrischem Ver- ^FiS·^{4 einen} vergrößerten Teil-Querschnitt einer bindung des im Querschnitt dünnen Leitgliedes Ψ*?™ ^^SS^T erfindimgsgeniaßen mit einem zweilen Anschluß der Halbleiter- ⁵ Oszillators mit IMPA ΓΤ-Diode.

vorrichtung vorgesehen, die zusammen mit den B« der Oszillatorschaltung gemäß Fig. 1 ist ein.

im gegenseitigen Abstand angeordneten Leit- ^lMFAJJ:^Ol°^de _A ¹l ^νθΓ^^ε1ιεη' ^die >ⁿ. ^^em f ^

gliedern zwischen den Anschlüssen der Halb- tiven Widerstandsbereich vorgespannt ist und durch

leitervorrichtung eine von den Abmessungen eine Ersatzschaltung dargestellt werden kann, die

der verbindenden Schaltungsmittel _abhän|_ge xo aus der Parallelschaltung emes Konde^ators C mit

Reaktanz von vorgegebener Größe bilden,; einem negativen Widerstand -R besteht. Durch

^{& 6} Hinzufugen einer Induktivität 8 und eines Lastwider-

d) die Halbleitervorrichtung ist an die zwischen Standes 10 (beide von gleichem Betrag wie A₁₁) in dem Mittelpunktsleiter und der zusammen- der Schaltung gemäß F i g. 1 parallel zur Diode 11 gesetzten Hochfrequenz-Grundebene schwin- ₁₅ ergibt sich ein Oszillator mit der Resonanzfrequenz g( nde Hochfrequenzenergie gekoppelt.

in Ausgestaltung der Erfindung wird vorgischla- 1 I /. · <"

«en, daß bei anliegender Glekh-Vorspannunj eine 2.τ " "
kapazitive Reaktanz zwischen den Ap~*chlüssun der

Halbleitervorrichtung vorgesehen ist und daß die an Wenn der Lastwiderstand 10 nicht den richtigen

verbindenden Schaltungsmittel und wenigstem eines Wert aufweist, so kann ein veränderlicher Konden-

der im gegenseitigen Abstand angeordneten Leit- sator9 zur Transformation des für die Diode \virk-

glieder mindestens eine kurzgeschlossene Zwe:leiter- samen Widerstandes vorgesehen werden. Hiermit ist

Übertragungsleitung mit einer rechtwinklig zu der ein vernachlässigbar geringer Einfluß auf die

Achse der Halbleitervorrichtung zwischen dieser 25 Schwingfrequenz verbunden. Für den Betrieb der

Achse und dem Kurzschluß gemessene I .änge bilden, Schaltung ist eine geeignete Vorspannungsquelle 7

die wesentlich geringer als eine Viertelwellealänge für die Gleichvorspannung der Diode 11 erforder-

der Oszillatorschwingung ist, wobei die Frequenz lieh.

der Oszillatorschwingung umgekehrt proportional zu Mit der Einfügung dieser Vorspannungsquelle

der Quadratwurzel aus der genannten Länge der 30 sind gewisse Komplikationen hinsichtlich der Schal-

Zweileiter-übertragungsleitung ist. tungsauslegung verbunden. Die innere Impedanz der

Die erfindungsgemäße Halterung und Anschluß- meisten Gleichspannungsquellen ist vergleichsweise vorrichtung ermöglicht durch einen großen Radial- niedrig, so daß der Resonanzschwingkreis im Oszilkondensator gleichzeitig die erforderliche Gleich- lator hierdurch kurzgeschlossen und die Schwingung Spannungskopplung und Hochfrequenzentkopplung 35 unterdrückt wird, sofern nicht eine Enucopplung der der Vorsnannungsquelle von der übrigen Schaltung, Gleichspannungsquelle von der im Resonanzschwingvvobei keine Erhöhung des Gütefaktors auftritt und kreis erzeugten Hochfrequenzenergie vorgesehen ist. ferner eine zusammengesetzte Grundebene für das Nach dem bekannten Stand der Technik wurde erzeugte Hochfrequenisignal gebildet wird. Der dieses Problem durch Anordnung eines Tiefpasses durch die Leitbrücke auf der oberen Leitschicht des 40 parallel zur Vorspannungsquelle und zum Resonanz-Kondensators gebildete Schwhigraum wirkt ais ein- schwingkreis gelöst. Hiermit .vurde der Rückfluß stellbare Induktivität, die — von der Vorspannungs- von Hochfrequenzenergie durch das Filter bei Durchquelle aus gesehen — in Serie mit der Einrichtung laß der Gleichvorspannung unterbunden. Das Filter geschaltet is', während die Leitbrücke in Verbindung bildet hierbei eine zusätzliche Reaktanzbelastung für mit dem Kondensator den Gleichvorspannungspfad 45 den Resonanzschwingkreis, die zusammen mit der durch die Schaltung vervollständigt. Reaktanz der Nutzlast unerwünschte Resonanzen

Diese grundsätzliche Anordnung kann in Verbin- im negativen Widerstandsbereich der Diode und dung mit anderen Elementen wie Wärmeleitern und damit die bereits erwähnten Streuschwingungen her-Ausgangskoppelvorrichtungen für verschiedene Halb- vorrufen kann. Abhilfe hiergegen kann im allgemeileitervorrichtu'igen eingesetzt werden. Beispielsweise 50 nen nur durch Entkopplung des Tiefpasses selbst kommt der Einsatz einer Varactordiode in Betracht, vom Resonanzschwingkreis mit Hilfe eines Abwodurch sich eine LC-Schnltung mit veränderlicher schwächers erreicht werden, was aber wiederum Reaktanz ergibt. Bei einer anderen, besonders vor- unerwünschten Einfluß auf den Schaltungsaufwand teilhaften Ausführungsform wird eine IMPATT- und die Kompliziertheit der Schaltung und die erziel-Diode als Halbleitervorrichtung verwendet, wodurch 55 bare Verstärkung hat. Weiterhin ist eine solche Entsich eine Mikroveiien-Öszillatorschaltung mit nega- kopplung im Fall von phasengesperrten Oszillatoren, tivem Widerstand und wesentlichen neuen Eigen- die eine große Sperrbandbreite aufweisen sollen, schäften ergibt. besonders problematisch. Die Sperrbandbreite ist

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung für ein gegebenes Verhältnis der Ausgangsleistung

ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines 60 zur Eingangsieistung eine inverse Funktion des Ge-

Mikrowellenoszillators mit niedrigem Gütefaktor als samt-Gütefaktors Q. Eine Entkopplung mit einem

Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der Tiefpaß beeinflußt diesen Gütefaktor infolge der in

Zeichnungen. Hierin zeigt der Siebinduktivität gespeicherten Energie, so daß

Fig. 1 den schematischen Schaltungsaufbau des ein die Vorspannungsquelle von dem erzeugten Oszillators unter Verwendung einer IMPATT-Diode 65 Hochfrequenzsignal mit einer Einbuße an Spurrais negatives Widerstandselement, bandbreite verbunden ist.

F i g. 2 eine perspektivische Ansicht einer Einrich- Erfindungsgemäß wird dagegen die gewünschte

tung mit. einem Schaltungsaufbau gemäß F i g. 1, Entkopp'ung ohne Erhöhung des Gütefaktors und

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ohne Verursachung von Streuschwingungen über- offene Leitungsende angeschlossenen Halbleiterwunden. In der Schaltung gemäß Fig. 1 ist hierzu element wirksame Reaktanz induktiv und unmittellediglich ein neues Schaltungselement vorgesehen, bar proportional zu der in F i g. 2 eingetragenen nämlich ein in Serie zwischen der Diode 11 und der Längenabmessung / der Leitung ist, sofern diese Resonanzinduktivität 8 des Schwingkreises angeord- 5 Längenabmessung wesentlich geringer als V-i Wellenneter Kondensator 15. Die Kapazität dieses Konden- länge des erzeugten Hochfrequenzsignals bleibt, sators ist so groß bemessen, daß er im wesentlichen Diese Erscheinung wurde experimentell dadurch einen Kurzschluß für die Hochfrequenz darstellt, belegt, daß die Schwingfrequenz des Systems, multiwährcnd die Gleichvorspannung ungeschmälert zur plizieri mit dem Faktor | T. konstant ist. Dies beüiode gelangt. Wenn die Kapazität des Konden- io deutet, daß die Schwingfreqiienz durch Veränderung sators 15 über den gesamten interessierenden Fre- eines einzigen äußeren Schallungsparameters gequenzbereich entsprechend groß ist, so wird hier- steuert werden kann.

durch praktisch keine zusätzliche Schwingenergie Die Wirkungsweise der Einrichtung ergibt sich im

gespeichert und eine Verminderung der Sperrband- einzelnen wie folgt:

breite vermieden. Die Schwingkreisinduktivität 8 ver- 15 Durch eine Gleichstromverbindung von einer Seile

hindert hierbei einen Hochfrequenzkurzschluß des des Kondensators 15 über die Leitbrücke zur Diode

Lastwiderstandes 10. und zurück zur anderen Seite des Kondensators 15

Bei dem erfindungsgemäßen Schaltungsaufbau wird die Diode in einen negativen WiderstaiuK-

nach F i g. 2 und 3 ist die IMPATT-Diode 11 inner- bereich vorgespannt. Da die äquivalente Reaktanz

halb eines Schwinghohlraumes angeordnet, der durch 20 der Diode hier kapazitiv ist. ergeben sich stabile

eine Leitbrücke 17 und weitere Schaltungselemente Hochfrequenzschwingungen, sofern der übrige Teil

12. 13 und 14 gebildet bzw. begrenzt ist. Die drei des Schwingkreises induktiv wirkt. Diese Bedingung

letztgenannten Elemente bilden gemeinsam den wird durch die beiden Hälften des Schwinghohl-

Kondcnsator 15 gemäß Fig. 1. rabies erfüllt, die gegenüber der Vorspannungs-

Im einzelnen handelt es sich hierbei um platten- 25 quelle als ein Paar von zueinander parallel und in

förmige Leitglieder 12 und 14. die durch eine dünne Serie zu der Diode angeordneten Induktivitäten

Isolierschicht 13 voneinander getrennt sind, und erscheinen. Die Reaktanz des Kondensators 15 lieat

zwar in der Weise, daß diese Leitglieder einen im in Serie mil der Diode und der Induktivität und

Vergleich zu der Hochfrequenzwellenlänge geringen stellt eine große Kapazität von vernachlässiabareni

gegenseitigen Abstand aufweisen. Nach unten ist 30 Hochfrequenzwiderstand dar. so daß sich eui ver-

dieser Abstand nur durch die Spannungsfestigkeit gleichsweise starker Hochfrequenzstrom im Schwina-

der Isolierung zwischen den Leiigliedcrn begrenzt. kreis zwischen der Diode 11 und der Schwinakrei^-

Die Diode 11 wird durch eine Öffnung im oberen induktivität 8 ergibt.

Leitglied 14 und in der Isolierschicht 13 eingesetzt. Die Impedanz des Schwinghohlraumes ist von wobei ein unterer Anschluß der Diode mit dem 35 dessen räumlichen Abmessunaen abhänaia. Wenn Leitglied 12 in Kontakt tritt. Die Leitbrücke 17 ist also hierfür ein reines Widerstandsverhaltcn an an beiden Enden mit dem oberen Leitglied 14 ver- Stelle eines induktiven Verhaltens verlanat wird, so bundcn. während die Gleichvorspannung über die muß die Längenabmessung / gleich ¹M Wellenlänge Leitglieder 12 und 14 zur Diode 11 geführt wird. eingestellt werden. Für ein kapazitives Verhallen Der Gleichspannungspfad verläuft somit von der 40 des Schwinghohlraumes ist umgekehrt ein Wen dei Vorspannungsquelle 7 über das Leitglied 14 zur Längenabmessung/ oberhalb d< >,₄ Wellenlänge Leitbrückc Ϊ7 und zur Diode 11 sowie von hier aus erforderlich. Auf diese Weise läßt sich die Hohlziim Leitglied 12 und zurück zur Quelle. Weiterhin raumimpedanz in jedem Falle einfach einstellen, ist ein Wärmeableiter 16 vorgesehen, der aus einem Das erzeugte Hochfrequenzsigna! wird durch den elektrischen Leiter wie Kupfer oder einem Isolator 45 einstellbaren Kondensator 9 über die Diode 11 zum mit guter Wärmeleitfähigkeit bestehen kann. z. B. Ausgang der Schaltung übcrtraccn. Der Kondensaaus Beryll. Im Falle eines elektrisch leitfähigen tor 9 umfaßt räumlich einen Endabschniu 18 eines Wärmeabieiters kann das Leitglied 12 entfalfen, Ausgangs-Mittelpjnktsleiters 19 und den darunterwobei der untere Anschluß der Diode unmittelbar liegenden Abschnitt der Leitbriicke 17. D»e beiden mit dem Wärmeableiter verbunden ist. Bei dieser 50 Leitglieder 12 und 14 des Kondensators 15 wirken Konstruktion bildet der Wärmeableiter 16 die untere als zusammengesetzte Grundebene für das Ausgangs-Hälfte des Kondensators 15 und wird zweckmäßig signal auf dem Mittelpunktsleiter 19, da der Wert mit dem einen Anschluß der Vorspannungsquelle 7 der Kapazität infolge seiner Größe praktisch einen verbunden. Bei einem isolierenden Wärmeableiter Kurzschluß für die Hochfrequenz darstellt. Die Ausist das untere Leitglied 12 Bestandteil des Konden- 55 gangskapazität und die Leitungsimpedanz des Mitlelsators 15. wie dies bei einem Aufbau gemäß Fig. 2 punktsleiters 19 werden auf maximale Ausgangsund 3 zutrifft. Infolge seiner Ausbildung als Planar- leistung eingestellt. Gegebenenfalls kann hier weiter element weist der Kondensator 15 unabhängig von eine Kopplung zu einer Koaxialleitung oder einem der im einzelnen gewählten Konstruktion eine im Wellenleiter vorgesehen werden. Vergleich zu den üblichen Koaxial- oder Mikrostrip- 60 Das aus den Leitgliedern 12 und 14 sowie der Hochfrequenzbrücken, wie sie in Wellenleitern und Isolierschicht 13 bestehende kapazitive Element ist üblichen Schaltungen mit Koaxialleitungen verwendet sowohl für die Gleichvorspannung wie auch für die werden, wesentlich höhere Kapazität auf. Hochfrequenzfunktion der Schaltung wirksam. Die

Jede der beiden Flälften des Schwinghohlraumes Leitbrücke 17 vervollständigt den Vorspannungspfad

kann — von der Diode 11 aus gesehen — als Zwei- 65 und ermöglicht gleichzeitig die Schwingresonanz.

draht-Übertragungsleitung mit kurzgeschlossenem Wegen der geringen Hochfrequenzspeicherung in

Ende betrachtet werden. Hierfür kann gezeigt werden, dieser Schaltung ergibt sich ein minimaler Gütefaktor

daß die an der Diode bzw. einem anderen, an das und eine maximale Sperrbandbreite. Experimentell

ergab sich ζ. B. bei 32 GHz eine Sperrbandbreite von 2 GHz mit einer Verstärkung von 22 db und ein Gütefaktor von 0,8.

Bei der Alternativausführung gemäß F i g. 4 ergeben sich gewisse weitere Vorteile. Diese Schaltung kann als Mikrostrip mit Luftisolierung betrachtet werden. Es ist hier eine invertierte oder dreischichtige Mikrostrip-Leitung mit einer Diode 11 vorgesehen, welch letztere zwischen einem elektrisch leitenden Wärmeableiter 16 und dem Mittelabschnitt der Leitbrücke 17 angeordnet ist. Ein plattcnförmiges Leitglied 14 und eine Isolierschicht 13 sind auf der Grundebene angeordnet, während der Schwinghohlraum durch zwei Metallstifte 20 und 21 zwischen dem Leilglied 14 und der Leitbrücke 17 gebildet ist. Der Abschnitt 18 stellt das Ende des normalen Streifenleiters einer invertierten Mikrostrip-Leitung dar und liegt daher unmittelbar auf einem Substrat 22. Eine weitere Isolierschicht 23 ist zwischen dem Abschnitt 18 und der Leitbrücke 17 angeordnet. Die Wirkungsweise einer in dieser Weise aufgebauten Schaltung entspricht der vorangehend erläuterten, während sich andererseits eine höhere mechanische Festigkeit und eine bessere Anpassungsfähigkeit in bezug auf Festkörperschaltungen ergibt. Bei Verwendung einer !!.vertierten oder dreischichtigen Mikrostrip-Leitung können zusätzliche Gabelschaltungen mit der Leitbrücke auf uem gleichen Substrat angeordnet werden. Hierdurch lassen sich andere Schaltungsfunktionen verwirklichen wie z. B. eine Aufwärts- und Abwärts-Transformation oder eine phasengesperrte Wirkungsweise des Oszillators.

Abweichend von den erläuterten Ausführungsbeispielen sind zahlreiche Abwandlurigen der Erfindungsgedanken denkbar. Beispielsweise kann von der Rechteckform des Schwinghohlraumes abgewichen werden. Die Rechteckform vereinfacht zwar die Impedanzgleichungen und führt zu einer zweckmäßigen Beziehung zwischen der Schwingfrequenz und der Länge des Schwinghohlraumes, jedoch ist hierin keine wesentliche Bedingung für die erfindungsgemäße Wirkungsweise zu erblicken. Induktive, resistive und kapazitive Hohlraumimpedanzen lassen sich grundsätzlich mit rechteckigen wie auch mit

ao anderen Querschnittsformen erreichen. Für gewisse Anwendungszwecke Kann der Schwinghohlraum ferner nur aus einem einzigen Abschnitt bestehen, wozu die Leitbrücke 1.7 durch eine entsprechende einzige Verbindung zwischen dem Leitglied 14 und

dem oberen Abschluß der Diode 11 ersetzt wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

$09508/440

♦-V

Claims (2)

1 *J 2 Mikrowellenoszillator, umfassend zwei mit gegen- Patentanspriiche: seitigem Abstand angeordnetii Leitglieder, von denen wenigstens eines im Querschnitt dünn ausgebildet ist,

1. Halterung und Anschluß vorrichtung für während das andere Leitglied mit einem ersten einen Halbleiter-Mikrowellenoszillator, umfas- 5 Anschlu.3 einer Halbleitervorrichtung verbunden ist, send zwei mit gegenseitigem Abstand angeord- sowie ferner umfassend einen Abschnitt eines Mittelnete Leitglieder, von denen wenigstens eines im punktlehers einer Übertragungsleitung. Querschnitt dünn ausgebildet ist, während das Eine derartige Vorrichtung kann beispielsweise andere Leitglied mit einem ersten Anschluß einer in Verbindung mit Volumeneffekt- oder Wanderfeld-Halbleitervorrichtung verbunden ist, sowie ferner io Halbleitervorrichtungen, Avalanche-Dioden oder umfassend einen Abschnitt eines Mittelpunkt- Varactoren verwendet werden. In jed^ra Fall ist leiters einer Übertragungsleitung, ge kenn- hierbei eine Haltering innerhalb des Schaltungszeichnet durch folgende Merkmale: aufbaue;, erforderlich, welche die Wärmeabfuhr be-

a) Die Leitglieder (12,14) sind für die Zufüh- ^irkt und die Abstimmung und Zuführung bzw. rung euter Gleich-Vorspannung zu der ¹^ Einstellung der Gleichvorspannung ermöglicht Halbleitervorrichtung (11) vorgesehen und ^^ur ** Spannungszufuhrung an unen M.kroweisen sich in Parallelebenen zu dem Mittel- wellen-Cileichnditer_ist es bereits bekannt deut .ehe Punktsleiter (19) erstreckende Abschnitte Auslege «hnft 1 633 737), den G e.chnch erkn ,tall £_uf. ^v ' mit seirer Basis auf einer schmalen Blattfeder zu

' 20 befestigen, welche ihrerseits innerhalb eines als

b) der Abstand zwischen den Leitgliedern (12, Rütr ahrung dienenden Rohres parallel zu der 14) ist derart bemessen, daß sich die Leit- Roiirwandung angeordnet ist. Da die Blattfeder bei glieder auf dem gleichen effektiven Hoch- d_en verwendeten Frequenzen eine Längsinduktivität frequenzpotential befinden und eine zusam- ;_{st un}d j_er Abs.and /wischen der Blattfeder und der mengesetzte Hochfrequenz-Grundebene in ₂₅ Rohrwpndung die Größe der Parallelkapazität hebezug auf den Mittelpunktsleiter (19) bilden; stimmt, kann der Wellenwiderstand und die Grenz-

c) es sin.i Schaltungsmittel (17) zur elektri- frequenz der als Tiefpaß wirkenden Anschlußvorrichschen Verbindung des im Querschnitt dün- tung di nh die Breite und den Abstand der Blattnen Leitgliedes mit einem zweiten Anschluß feder eingestellt werden. Bei der bekannten Ander Halbleitervorrichtung (11) vorgesehen, 3o schlußvarrichtung ist indessen weder eine Zuführung die zusammen mit dta in gegenseitigem einer Gleichvorspannung :<och eine Entkopplung Abstand angeordneten Leitgliedern (12,14) eine·· Gleichvorspannung von der Hochfrequenzzwischen der. Anschlüssen der Halbleiter- spannung vorgesehen.

vorrichtung (11) eine von den Abmessungen Bei allgemein bekannten Anschlußvoi richtungen der verbindenden Schaltungsmittel (17) ab- 35 für Mikrowellenoszillatoren sind zwar Entkopplungs-

hängige Reaktanz von vorgegebener Größe mittel für die Gleichvorspannung vorgesehen, doch

bilden; sind die zur Verfügung stehenden Entkopplungs-

i\ α- uiu.·. u /ii\ ■ j- mittel nicht ohne Auswirkung auf das Hochfrequenz-

d) die Halbiervorrichtung (11) ,st an die _{Ausgangssignal}. Beispielsweise trägt ein parallel zu zw,schen dem M.ttelpunktsleiter und der _der *,*> * ^ _{und der G} ^S _enerato;_schai_tung zusammengesetzten Hochfrequenz-Grund- _angeordl£_{ter Τί} ^δ ₆£_αβ _zum Gesamt-Gütefaktor der ebene schwingende Hochfrequenzenergie ge- Einrichtung bei und kann unter Umständen Streu-

PP ■ schwingungen auf unerwünschten Frequenzen im

2. Halterungs- und Anschlußvorrichtung nach Ausgang zur Folge haben. Während der erstgenannte Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß bei 45 Effekt fi':^r bestimmte Anwendungen, jedoch nicht in anliegender Gleich-Vorspannung eine kapazitive allen Fällen, erwünscht sein kann, stellt der letzt-Reaktanz zwischen den Anschlüssen der Halb- genannte Effekt in jedem Fail einen wesentlichen lei leitvorrichtung (11) vorgesehen ist und daß die Nachteil dar.

verbindenden Schaltungsmittel (17) und wenig- Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine stens eines der im gegenseitigen Abstand ange- so Halterung und Anschlußvorrichtung zu schaffen, die ordneten Leitglieder (14) mindestens eine kurz- durch entsprechende Vorspannungszuführung einen geschlossene Zweileiter-Übertragungsleitung mit niedrigen Gütefaktor sowie die Ausschaltung von einer rechtwinklig zu der Achse der Halbleiter- Einwirkungen der Vorspannungsquelle auf das vorrichtung zwischen dieser Achse und dem erzeugte Hochfrequenzsignal ermöglicht. Kurzschluß gemessenen Länge (1) bilden die 55 Die Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der einwesentlich geringer als eine Viertelwellenlänge gangs genannten Art erfindungsgemäß durch folder Oszillatorschwingung ist, wobei die "' ^quenz gende Merkmale gelöst: der Oszillatorschwingung umgekehrt proportional

zu der Quadratwurzel aus der genannten Länge a) Die Leitglieder sind für die Zuführung eine

(1) der Zweileiter-Übertragungsleitung ist. 60 Gleichvorspannung zu der Halbleitervorrichtuni

vorgesehen und weisen, sich in Parallelebenei zu dem Mittelpunkts!eiter erstreckende Ab schnitte auf;