DE2734203A1 - Hetero-uebergangslaser - Google Patents

Hetero-uebergangslaser

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DE2734203A1
DE2734203A1 DE19772734203 DE2734203A DE2734203A1 DE 2734203 A1 DE2734203 A1 DE 2734203A1 DE 19772734203 DE19772734203 DE 19772734203 DE 2734203 A DE2734203 A DE 2734203A DE 2734203 A1 DE2734203 A1 DE 2734203A1
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semiconductor
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James Alden Van Vechten
Jerry Mac Pherson Woodall
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International Business Machines Corp
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Description

Böblingen, den 28. Juli 1977 bu-cn/bb
Anmelderin: International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Aktenzeichen der Anmelderin: YO 976 044
Vertreter: Patentanwalt
Dipl.-Ing. Robert Busch Böblingen
Bezeichnung: HETERO-ÜBERGANGSLASER
809807/0688
Die Erfindung betrifft eine Anordnung, wie sie dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Heteroübergangs-Diodenlaser finden dank ihrer vorteilhaften Eigenschaften mehr und mehr Anwendung. Bei derartigen Anordnungen zeigt sich aber ein schwerwiegender Nachteil, nämlich der, daß eine große Klasse von Halbleiterverbindungen mit an und für sich brauchbaren und nützlichen Eigenschaften bei Laseranwendung jedoch eine Erscheinung zeigt, die als Selbstkompensation bekannt geworden ist, so daß infolgedessen der Leitungsfähigkeitstyp hierfür in der Regel auf den N-Typ beschränkt bleibt.
An anderer Stelle sind allerdings Mittel und Wege vorgeschlagen, um selbstkompensierenden Verbindungs-Halbleitermaterialien eine P-Leitfähigkeit zu erteilen. Die somit erschlossene Möglichkeit eröffnet damit einer ganzen Klasse von Verbindungs-Halbleitermaterialienneue Anwendungsmöglichkeiten mit einem weiten Bereich physikalischer Eigenschaften.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, einen Heteroübergangs-Diodenlaser bereitzustellen, der aus einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter, zumindest im Bereich einer Zone, besteht.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Zur Herstellung eines derartigen Diodenlasers wird also zunächst eine Zone, bestehend aus einem selbstkompensierenden Verbindungs-Halbleiter, auf einen anderen Halbleiter aufgebracht, um dann anschließend entsprechend den Anforderungen die Zone mit dem selbstkompensierenden Halbleiter in die P-Leitfähigkeit zu bringen. So lassen sich gemäß der Erfindung Heteroübergangs-Diodenlaser mit zwei oder mehr aneinanderstoßenden Zonen bereitstellen.
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S"
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird anschließend in einer Ausführungsbeispielsbeschreibung mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Heteroüber-
gangs-Diodenlasers, bestehend aus zwei Zonen gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine schematische Ansicht eines Doppe1-Hetero-
übergangs-Diodenlasers gemäß der Erfindung,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Doppel-
Heteroübergangs-Diodenlasers gemäß der Erfindung.
Das Phänomen der Selbstkompensation in Verbindungshalbleitern ist begleitet vom Auftreten nur eines Leitfähigkeitstyps, nämlich N, so daß Halbleiter dieser Art für viele Verwendungszwecke an sich unbrauchbar sind. Dieses Phänomen zeigt sich, : wenn immer ein Element des Verbindungshalbleiters genügend Gitterstörungen hervorruft, üblicherweise Leerstellen, die die jeweilige Fremdatomkonzentration des verlangten Leitfähigkeitstyps kompensieren. In der Praxis hat sich herausgestellt, daß das Phänomen die P-Leitfähigkeit bei Halbleitern mit großer Bandlücke zu verhindern vermag, wobei Anionen-Leerstellen zahljreicher sind als Kationen-Leerstellen. Liegt bei einem derartigen Halbleiter das Ferminiveau nahe dem Valenzband, jedoch mit einem wesentlichen Abstand von einem höheren, dem jDonator-Ionisationsniveau, dann läßt sich die Gesamtenergie !des Halbleiters durch Hervorrufen einer Anionen-Leersteile vermindern, indem diese auf ihren Donatorzustand ionisiert '
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_. g —
(ο
wird, wobei dann das freiwerdende Elektron auf das Ferminiveau abfallen kann. Dieser Vorgang läßt sich das Ferminiveau vom Valenzband entfernen, so daß normalerweise die P-Leitfähigkeit unterdrückt wird. Dank der Erfindung jedoch werden Strukturen bereitgestellt, die dennoch eine P-Leifähigkeit bei derartigen Halbleitern auftreten lassen können.
In Fig. 1 ist eine HeteroÜbergangs-Diodenstruktur gezeigt, deren Zone 2 aus einem üblichen Halbleiter und deren Zone 3 aus einem selbstkompensierten Halbleiter besteht, so daß sich ein P-N-Ubergang 4 zwischen diesen Zonen 2 und 3 ergibt. Beide Zonen sind mit entsprechenden Elektrodenanschlüssen 5 und 6 versehen.
Die Möglichkeit, einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter sowohl N- als auch P-Leitfähigkeit zu verleihen, gestattet der Zone 2 eine freiere Gestaltung des Leitfähigkeitstyps und des spezifischen Widerstandes.
Als Beispiel für eine HeteroStruktur läßt sich gemäß der Erfindung die Zone 2 aus Galliumnitrid (GaN) und die Zone 3 aus Aluminiumnitrid (AlN) herstellen. Die Umwandlung vom P-Leitfähigkeitstyp erfolgt durch Bombardierung mit geladenen Teilchen. Diese geladenen Teilchen können Elektronen, Protonen oder Ionen sein. Dies steht in gewisser Weise im Gegensatz zu üblicher Ionenimplantation zum Zwecke der Leitfähigkeitstyps-Änderung, wobei die Konzentration der implantierten Fremdatome die ursprünglich vorhandene Konzentration von Fremdatomen weit überwiegt. Hiermit ist jedoch eine beträchtliche Schädigung des Kristallgitters verbunden, so daß erst durch Aufheizen das Dotierungsniveau zur Wirkung kommen kann. Die Ionenimplantationsverfahren führen zu breiten übergängen.
Mit anderen Worten, bei der Erfindung wird das Atomgefüge im Kristall umgeordnet, um die gewünschte Leitungsfähigkeit hervor)-
zurufen; wohingegen die Ionenimplantation zur Dosierung der je-j YO 976 044 809807/0586
weiligen Leitungsfähigkeit eine entsprechende Anzahl von Ionen vom Halbleiter aufnehmen läßt. Die sich dabei ergebende Struktur besitzt in der Zone 2 eine Bandlücke von etwa 3,39 eV und in der Zone 3 eine Bandlücke von etwa 6,2 eV.
Ein derartiges Halbleiter-Bauelement läßt sich unter Anwendung eines Verfahrens, wie es von H. Maruska und J. Tietjen in "Applied Physics Letters", Bd. 15, Nr. 10, 15. November 1969, beschrieben ist, bereitstellen, wie nachstehend ausgeführt.
Eine langgestreckte Röhre ist von einem Gas durchströmt, bei dem Chlorid zum Transport metallischen Galliums dient, um anschließend eine Reaktion dieser Transportprodukte mit Ammoniak durchführen zu lassen, so daß sich GaN auf einer aus einem Saphir-Einzelkristall (Al2O.) gebildeten Substratoberfläche niederschlägt. Da die 2Zone 3 aus Aluminiumnitrid besteht, wird vorzugsweise eine (111)-Orientierung angewendet. Die für vorliegenden Zweck geeigneten Saphirsubstrate sind mechanisch zu einer spiegelblanken Oberfläche poliert und anschließend in einer Wasserstoffatmosphäre bei 1200 0C vor Einsetzen in die Kristall-aufwachs-Apparatur behandelt. Typische Substratabmessungen sind etwa 2 cm bei einer Dicke von 0,25 mm. Zum Kristallwachstum werden frisch behandelte Substrate in die Niederschlagszone der Kristallwachstumskammer eingebracht und in Wasserstoff mit einer Rate von etwa 20 °C/Min. aufgeheizt. Ist die endgültige Kristallwachstumstemperatur erreicht, dann setzt die ΝΗ-,-Strömung ein, und nach einem Zeitraum von etwa 15 Minuten, einer Zeit, bei der sich die NH.,-Konzentration auf einen endgültigen Wert einstellen kann, wird eine HCl-Strömung eingeleitet, die den Transport des metallischen Galliums übernimmt, so daß der Niederschlag von GaN erfolgen kann.
Die Strömungsraten der HCl- und NH3-GaSe betragen 5 bzw. 4OO cm pro Minute, wobei zusätzlich 2,5 1 Wasserstoff pro Minute als Trägergas Verwendung finden.
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Die Zone 2 besitzt dann N-Leitfähigkeit. Nebenbei bemerkt, läßt sich GaN mit anderer als N-Leitfähigkeit nicht leicht herstellen. Die Zone 3, bestehend aus einem selbskompensierten Halbleiter, wird anschließend aufgebracht. Bei Anwendung von Aluminiumnitrid (AlN) wird die Zone 3 auf die oben genannte Zone 2 mit Hilfe eines Verfahrens, wie es von R. F. Rutz in "Applied Physics Letters", Bd. 28, Nr. 7, April 1976, beschrieben ist, aufgebracht.
Hierbei läßt man eine 1 pm dicke Schicht von AlN mit Hilfe hochfrequenter, reaktiver Verstäubung bei etwa 1000 0C auf der Zone 2 aufwachsen. Die sich hierbei ergebende Schicht dient zur Keimbildung für ein Kristallwachsturnsverfahren, das sich durch Einbringen des jeweiligen Substrats mit der AlN-überzogenen GaN-Zone 2 des Substrates, also der AlN-Fläche, nach unten auf eine polykristalline, gesinterte AlN-Quellenscheibe gerichtet, in einen Wolframtiegel unter Aufheizen auf etwa 1850 0C in einem aus 15 % Wasserstoff und 85 % Stickstoff bestehenden Formiergas durchführen läßt. Ein vertikaler Temperaturgradient gestattet den Übergang von AlN von der gesinterten Quelle auf das Substrat, um so einkristalline Epitaxieschichten zu bilden.
Die aus AlN bestehende Zone 3 ist aufgrund des Se lbs tkompens actions-Phänomens vom N-Leitfähigkeitstyp, wie sie es auch von Natur aus zu sein pflegt. Die Zone 3 wird nun gemäß der Erfindung durch Bombardierung mit Protonen (H ) je nach gewünschtem { spezifischen Widerstand unter Kombination mit Akzeptorfremd- [
atomen, wie Beryllium, also ionisiertem Beryllium, bombardiert^ Die hierdurch bedingte Umwandlungstiefe legt dabei gleichzei- j tig die örtliche Lage des PN-Ubergangs fest. Die sich hieraus i ergebende HeteroStruktur läßt sich in vorteilhafter Weise als Gleichrichter oder optoelektronisches Bauelement verwenden, i wobei elektrische Signale den Elektrodenanschlüssen 5 und 6 zu4 geführt, oder wenn über Zone 1 Licht absorbiert wird, abgeführt werden. i
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- nr-
Der in Fig. 2 gezeigte Doppelheteroübergangs-Diodenlaser besteht in beiden Zonen 11 und 12 aus einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter, welche jeweils mit der Zone 15, einem Halbleiter mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, einen PN-Übergang 13 und 14 bilden. Die Elektrodenanschlüsse 16 und 17 gestatten dabei die praktische Verwendung. Die Leitfähigkeitsbezeichnungen N und P sind hier lediglich zur Erläuterung vorgesehen und beruhen nicht auf Materialerfordernisse, da ja gemäß der Erfindung sowohl N als auch P-selbstkompensierte Verbindungshalbleiter zum Aufbau von Heteroübergangs-Halbleiterbauelementen Verwendung finden können.
Das Halbleiterbauelement gemäß Fig. 2 läßt sich als Hochtemperaturtransistor, optischer Modulator, lichtemittierendes Halbleiterbauelement oder als Halbleiter-Diodenlaser durch Anlegen entsprechender Signale über Elektrodenanschlüsse 16 und 17 verwenden.
Das Heteroübergangs-Halbleiterbauelement gemäß Fig. 2 verwendet zum Aufbau der Zonen 11 und 12 Aluminiumnitrid und zum Aufbau der Zone 15 Galliumnitrid, indem das Aufwachsen wie oben angegeben durchgeführt werden kann. Hierbei wird die Zone 11, bestehend aus Aluminiumnitrid, auf einem (111)-Substrat, bestehend aus Wolfram oder Aluminiumoxid, durch hochfrequentes, reaktives Zerstäuben bei 1000 0C in 1-um-Stärke aufgebracht. Diese Schicht dient zur Keimbildung für das Kristallwachstum, wenn das mit Aluminiumnitrid überzogene Substrat mit der AlN-Schicht nach unten auf einen polykristallinen, gesinterten AlN-Quellenwafer gerichtet, in einen Wolframtiegel eingegeben wird, um dann auf eine Temperatur von ungefähr 1850 C in einer Gasatmosphäre aufgeheizt zu werden, die aus 15 % Wasserstoff und 85 % Stickstoff besteht. Ein vertikaler Temperaturgradient bewirkt dabei den Transport von AlN von der Quelle zum Substrat zwecks Niederschlags einer Epitaxieschicht.
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Die aus Galliumnitrid bestehende Zone 12 wird dann, wie ebenfalls oben beschrieben, auf Zone 11 aufgebracht. Chlorid als Trägergas dient zum Transport von metallischem Gallium bei anschließender Reaktion der Transportprodukte mit Ammoniak, um auf die Zone 11 Galliumnitrid niederzuschlagen. Galliumnitrid ist hierbei N-leitend. Die Strömungsraten des reinen HCl und NH_ betragen etwa 5 bzw. 400 om pro Minute, wobei zusätzlich 2,5 1 Wasserstoff pro Minute als Trägergas dienen. Mit diesen Strömungsraten, einer Substrattemperatur von 825 0C, einer Gallium-Zonentemperatur von 900 0C und einer Mittelzonentemperatur, nämlich der Temperatur der Zone zwischen Gallium und Niederschlagszonen, von 925 0C lassen sich Wachsturnsraten von etv/a 0,5 jam/min im eingefahrenen Zustand erzielen. Typische Niederschlagsdicken für Zone 12 liegen in der Größenordnung von 50 bis 150 pm. Das während des Wachstumsprozesses durchgeführte Dotieren erfolgt durch Zuführen der Fremdatome in die Kristallwachstumsanordnung entweder in Form eines entsprechenden Hydrids oder durch direkte Verdampfung des betreffenden Elements in das Wasserstoffträgergas.
Die Zone 12 wird dann unter Anwenden des Verfahrens für Zone aufgebracht. Da beide Zonen 11 und 12 normalerweise N-leitend sind, muß zunächst die Schichtstruktur vom Substrat entfernt werden, um in die P-Leitfähigkeit umgewandelt zu werden. Dies geschieht entweder durch Bombardierung mit geladenen Teilchen oder mittels einer Kombination von Akzeptorenimplantation mit Bombardement, wie es an anderer Stelle vorgeschlagen ist.
Als nächstes wird die Herstellung eines Doppelheteroübergangs-Bauelements in Form eines Halbleiter-Diodenlasers gezeigt. Bei \ dieser Art Halbleiterbauelementen wird elektrische Energie in einer Zone, die gleichzeitig eine hohe Ladungsträgerdichte beizubehalten und Photonen einzuschließen vermag, in elektrische Energie umgesetzt. Gemäß der Erfindung gestattet die Flexibili·+ tat in der Verwendung von selbstkompensierenden Verbindungshalbleitern für beide Leitungsfähigkeitstypen die Verwendung
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von Halbleitern größerer Bandlücke und höherem Brechungsindex bei Heteroübergangs-Diodenlasern als es je zuvor der Fall gev/esen ist. Bei dieser Art von Bauelement wird angestrebt, daß der optische Resonator, wo die Ladungsträgerbesetzungsumkehr stattfinden soll, eine solche Bandlücke aufweist, daß Licht mit der gewünschten Frequenz hervorgerufen wird, wobei dann außerdem noch die Forderung besteht, daß diese Bandlücke geringer ist als die der hieran jeweils angrenzenden Zonen. Aus Gründen des Wirkungsgrads wird angestrebt, den optischen Resonator zum Erzielen hoher Ladungsträgerkonzentration bei geringem Strom so klein wie möglich zu halten, neben dem Bestreben, einen höheren Brechungsindex zu erzielen, als er für die daran angrenzenden Zonen vorliegt. Erfindungsgemäß läßt sich selbstverständlich auch ein Heteroübergangs-Diodenlaser mit nur einem PN-Übergang verwenden.
In der perspektivischen Darstellung nach Fig. 3 besteht der Heteroübergangs-Diodenlaser aus einer Halbleiterstruktur 20, die auf einem leitenden Substrat 21 montiert ist. Die Halbleiterstruktur 20 enthält eine Zone 22 des einen Leitungsfähigkeitstyps, z.B. N, bestehend aus einem sebstkompenslerenden Verbindungshalbleiter. Die Halbleiterstruktur 20 enthält außerdem eine Zone 23, bestehend aus einem Halbleiter, der hinsichtlich seiner Bandlücke und seinem Brechungsindex ausgewählt ist. Da der Leitungsfähigkeitstyp der Zone 23 der gleiche wie der für die Zone 22, also z.B. N, sein kann, ergibt ! sich eine beträchtliche Flexibilität in der Auswahl. Die
j Halbleiterstruktur 20 besteht aus einer äußeren Schicht 24 i aus selbstkompensierendem Halbleitermaterial des P-Leitungs-I fähigkeitstyps, so daß sich mit der Zone 23 ein PN-Übergang 25 ergibt. Die Elektrodenanschlüsse 26 und 27 dienen wie üblich ■ zum Betrieb des sich ergebenden Heteroübergangs-Diodenlasers. ι Dadurch, daß die Seitenflächen 28 und 29 parallel zueinander ausgerichtet sind und einen entsprechenden Abstand zueinander besitzen, ergibt sich eine Fabry-Perot-Interferometeranordnungi
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Da es vorteilhaft ist, wenn die Bandlücke in den Zonen 22 und 24 größer als in der Zone 23 ist, und wenn der Brechungsindex in den Zonen 22 und 24 geringer als in der Zone 23 ist, wird zweckmäßigerweise als selbstkompensierender Verbindungshalbleiter Aluminiumnitrid zur Bildung der Zonen 22 und 24 und Galliuinnitrid (GaN) oder Galliumaluminiumnitrid (Ga1 Al N) als Halbleiter für die Zone 23 verwendet.
Die Dimensionen für die Zonen 22 und 24 liegen dickenmäßig im Bereich zwischen 0,1 bis 5 pm. Die Dicke der Zone 23 als optischer Resonator sollte im Bereich zwischen 500 bis 5000 A liegen. Der Substratkontakt 21 besteht aus Aluminium und die mit dem Elektrodenanschluß 27 verbundene Elektrode sollte vorteilhafterweise eine große Austrittsarbeit aufweisen, wie es z.B. für Beryllium oder Gold der Fall ist. Die Fabry-Perot-Interferometerflachen 28 und 29 lassen sich mit Hilfe von üblichen Verfahren des Abspaltens und Polierens streng parallel zueinander gestalten. Die Zone 22 wird gemäß oben beschriebenem Verfahren wie folgt gebildet:
Zunächst wird eine μπ\ dicke Schicht aus Aluminiumnitrid epitaxial auf (111)-orientiertes, einkristallines Wolfram oder auf Saphir mit entsprechenden Eigenschaften mittels hochfrequenter, reaktiver Zerstäubung bei einer Temperatur von 1000 0C niedergeschlagen. Diese Schicht dient, wie gesagt, als Keimbildungsschicht für weiteres Kristallwachstum, bei dem dann das Substrat mit der AlN-Schicht nach unten auf eine AlN-gesinterte Quellenscheibe gerichtet in einem Wolframtiegel auf eine Temperatur von etwa 1850 C in einer Gasatmosphäre, bestehend aus 15 % Wasserstoff und 85 % Stickstoff, aufgeheizt wird. Ein vertikaler Temperaturgradient bewirkt den Transport von AlN, der aufrechterhalten bleibt, bis eine Dicke im Bereich zwischen 1 bis 5 jum erreicht ist. Die dabei niedergeschlagene AlN-Schicht ist N-leitend wegen der Leerstellenselbstkompensation auf Zone 22 als Substrat. Die Zone 23 wird unter Verwendung von Galliumnitrid unter Anwendung des ebenfalls oben beschriebenen Verfahrens wie folgt gebildet:
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Mittels Chloridträgergas transportiertes metallisches Gallium reagiert am Niederschlagsort mit Ammoniak (NH-), so daß sich ein Galliumnitridniederschlag auf der Zone 22 als Substrat bildet. Die Strömungsraten von HCl und NH_ betragen 5 bzw.
400 cm pro Minute und zusätzlich wird Wasserstoff als Trägergas mit einer Strömungsrate von 2,5 1 pro Minute verwendet. Die Galliumzonentemperatur beträgt 900 °C, die Temperatur der Zone 22 825 0C und die Temperatur der Zone zwischen Galliumquelle und Substrat beträgt 925 0C. Unter diesen Voraussetzungen liegen Wachstumsraten von etwa 0,5 um pro Minute vor, wobei der Wachstumsprozeß fortgesetzt wird, bis Schichtdicken zwischen 500 bis 5000 8 erreicht sind. Der Leitfähigkeitstyp des aufgewachsenen Galliumnitrids ist dabei N.
Die Zone 24 wird dann unter Verwendung des gleichen Verfahrens wie zur Bildung der Zone 22 aufgebracht, wobei die Zone 23 ihrerseits als Substrat dient. Als hierbei zu verwendende Fremdatomquelle zur Bereitstellung des P-Leitungsfähigkeitstyps dient Beryllium. Die Zone 24 wird in einer Schichtdicke zwischen 0,1 und 5 pm aufgetragen. Anschließend wird dann die Zone 24 vom N-Leitungsfähigkeltstyp in den P-Leitungsfähigkeitstyp umgewandelt. Ein BerylIium-überzug wird auf die Zone 24 aufgebracht und eine Beryllium-Ionenquelle im Rahmen eines üblichen Ionenimplantationsverfahren dient zur Einbringung von Beryllium. Das Beryllium-Bombardement selbst findet mit einer Leistung von 140 kW statt. Der Beryllium-Überzug dient als Teil der mit dem Elektrodenanschluß 27 verbundenen Elektrode. Das aus Aluminiumoxid oder Wolfram bestehende Substrat wird anschließend durch eine mit dem Elektrodenanschluß 26 in Verbindung stehende Aluminiumelektrode ersetzt. Abschließend sei darauf hingewiesen, daß die Herstellungsverfahrensschritte derart vorgenommen sind, daß sich Hochtemperaturverfahrensschritte nach Umwandlung in den P-Leitungsfähigkeitstyp weitgehend erübrigen.
YO 976 044
809807/0586
-AH-Le e rs β i t e

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Heteroübergangs-Diodenlaser, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Zone aus N-leitendem Galliumni- ψ trid und mindestens eine weitere zweite Zone aus einer e»i Aluminiumnitrid enthaltenden, selbstkompensierenden "" Halbleitersubstanz besteht, die über Umordnung des Atomgefüges in P-Leitfähigkeit gebracht ist.
    Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Zonen, bestehend aus Aluminiumnitrid, jeweils einen P-W-übergang mit einer dritten Zone, bestehend aus Galliumnitrid, bilden.
    Anordnung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone aus N-leitendem Material, die zweite Zone aus N-leitendem, gegenüber der ersten Zone unterschiedlichem Material besteht, jedoch benachbart zur ersten Zone angebracht ist, und daß die dritte Zone aus P-leitendem, selbstkompensierendem Halbleitermaterial besteht und mit der zweiten Zone einen P-N-übergang bildet.
    4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und dritten Zonen aus Aluminiumnitrid und die zweite Zone aus Galliumnitrid besteht.
    5. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone aus Calliumaluininiumnitrid (Ga1- Al N)
    I ™*it Ji
    besteht.
    6. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der optische Resonator aus Galliumnitrid und die daran grenzenden Außenzonen aus Aluminiumnitrid bestehen.
    Yo 976 044 8098 07/0586
    ORIGINAL INSPECTED
    7. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der optische Resonator aus Galliumaluminiumnitrid (Ga, Al N) besteht.
    I "™X X
    b. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine P-leitende AIN-Zone als eine der
    Elektroden vorgesehen ist, und daß mindestens eine der P-leitenden Zonen des Diodenlasers aus Be-dotiertem
    AlN besteht, welche nach Dotierung mit 100 bis 1OOO-eV-Protonen bombardiert ist.
    YO 976 044 809807/0586
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