DE2729074A1 - Gekapseltes elektronisches bauteil mit waermeableitung und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Gekapseltes elektronisches bauteil mit waermeableitung und verfahren zu deren herstellung

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Description

  • Bezeichnung: Gekapseltes elektronisches Bau-
  • teil mit Wärmeableitung und Verfahren zu deren Herstellung Gekapseltes elektronisches Bauteil mit Wärmeableitung und Verfahren zu deren Herstellung Die Erfindung betrifft den Einbau elektronischer Bauteile, insbesondere von stark wärmeerzeugenden Halbleiterbauteilen oder integrierten Schaltungen mit Kühlkorper bzw. Gehäuse.
  • beim: flau elektronischer Geräte ist die Kühlung der llalbleiterbauteile ein wesentliches Problem. Je mehr Transistoren und andere Schaltelemente auf einem einzigen lialbleiterchip hergestellt werden, desto mehr Wärme wird irn Chip erzeugt. Die Wärme muß auf geeignete Weise abgeführt werden. Bisher wurde dazu allgemein entweder Luftkühlung oder Flüssigkeitskühlung verwendet. Zur letzteren wird der eingekapselte Chip in eine Flüssigkeit niedrigen Siedepunktes, z.B. einen Fluorkohlenstoff, eingetaucht. Die Schwierigkeit dieser an sich sehr wirksamen Kühlung liegt in der Verunreinigung der Bauteile uurch die Flüssigkeit, in der Gefahr des beckens von Behältern, was zur Zerstörung von Geräten führen kann, und bei den hohen Ijerstellkosten.
  • Zur Luftkühlung dagegen muß wenigstens eine Oberfläche des Hableiterchips in gutem Kontakt mit einem wärmeleitenden Element, z.B. aus Kupfer, stehen. Luftkühlung ist billiger, sauber und füiirt nicht so leicht zur Zerstörung der Geräte. Die Wirkung eines Kühlelements kann wegen mangelhaften Kontaktes mit dem Chip unzureichend sein. Außerdem können durch; diesen kontakt im Chip und dessen elektrischen Anschlüssen aufgrund der ungleichen Wärmeausdehnungen und anderer mechanischer Störungen Spannungen entstehen.
  • Für Luftkühlung werden die Halbleiterchips bei der Kapselung meistens mit dem wärmeleitenden Gehäuse verlötet, wobei das Gehäuse auch gleich hermetisch verschlossen werden kann. Kapselungen dieser @@@ sind beschrieben im @@@ Technical Disclosure Bulletin, Band 12, ivr. 10, Dtärz 1970, Seite 1665.
  • Eine ähnliche Kapselung ist im 11314 Technical Disclosure Bulletin, Band 13, Nr. 2, Juli 1970, Seite 442, beschrieben.
  • Beide Lösungen sind, was die Wärmeabführung anbetrifft, sehr günstigt. Sie weisen jedoch metallisch feste Verbindungen sowohl zwischen Kühlelement und iialbleiterchip als auch zwischen Kühlelement und dem leitenden Gehäuse auf. Dabei kann der Halbleiterchip infolge der verschiedenen thermischen Ausdehnung der Teile unzulässigen mechanischen Spannungen ausgesetzt sein.
  • In elektronischen Geräten werden häufig mehrere lialbleiterchips auf einem einzelnen Träger montiert und in einem gemeinsamen Gehäuse eingeschlossen. Wenn einer dieser Chips defekt wird, ist es bei verlötet Gehäuse nicht möglich, dieses zur Behebung des Defekts zu öffnen.
  • Eine andere Möglichkeit, Chips zu kapseln, die sowohl gute thermische Leitfähigkeit als auch die Möglichkeit, mechanische Spannungen auszugleichen, aufweist, ist aus IBII Technical Disclosure Bulletin, Band 14, Nr. 9, Februar 1972, Seite 2689 bekannt. Dort wird eine Wärmebrücke zwischen Chip und Kühlkörper vorgeschlagen, welche aus Dispersionsmaterial besteht, das nicht aushärtet. Ein solches llaterial hat aber eine zu geringe Wärmeleitfähigkeit und kann korrodierend sein.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die Kühlung von iialbleiterchips und anderen elektronischen Bauelementen, wie z.fl. ochleistungstransistoren, Widerstände etc., zu verbessern. Insbesondere soll zwischen dem Chip und dem Kühlelement eine Brücke hoher Wärmeleitfähigkeit vorgesehen werden, ohne den Chip unzulässigen mechanischen Spannungen auszusetzen. Vorteilhafterweise soll die Kapselung demontierbar sein, damit Reperaturen innerhalb der Apparatur möglich sind.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch eine wärmeleitfähige Wärjnebrücke zwischen dem Bauteil und dem Kühlelement gelöst, wobei die Wärmebrücke mit einem der beiden Teile metallisch fest verbunden ist, während sie mit dem anderen lediglich in Berührung steht.
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen im einzelnen beschrieben. Die Zeichnungen zeigen: Fig. 1 Uuerschnitt durch eine gekapselte integrierte Halbleitervorrichtung, in der eine Wärmehriikke mit dem Gehäuse verlötet ist, Fig. 2 Querschnitt durch das gleiche Gehäuse, in dem die Wärmebrücke auf dem Halbleiterbauteil aufliegt, Fig. 3 Querschnitt durch ein ähnliches Gehäuse, in dem die Wärmebrücke mit dem Halbleiterchip verlötet ist, Fig. 4 Querschnitt durch ein Gehäuse, in dem auf dem Halbleiterchip eine Kühlplatte aufliegt, Fig. 5 Querschnitt durch ein ähnliches Gehäuse, in dem eine vergrößerte Kühlplatte auf dem Chip aufliegt, Fig. 6 Querschnitt durch ein Gehäuse mit mehreren integrierten Halbleiterchips, deren jeder mit einer Wärmebrucke ausgerüstet ist, Fig. 7 Querschnitt durch ein Gehäuse mit einer zur Anpassung vorbereiteten Wärmebrücke.
  • Fign. 1 und 2 zeigen die Einkapselung eines Halbleiterchips 1, der auf ein Substrat 2 aus Keramik oder Tonerde montiert ist. Das Substrat trägt Anschlußflächen 3, die mit dem Chip durch Lötkontakte 6 verbunden sind. Ein wärmeleitfähiges Gehäuse 5 umschließt zusammen mit dem Substrat 2 den Chip hermetisch. Das Substrat hat auf seiner Unterseite nicht gezeichnete Anschlußstifte, die mit den Anschlußflächen 3 elektrisch leitend verbunden sind.
  • Die Montage der Chips ist, soweit bisher beschrieben, bekannt, vgl. DT-AS 1 640 467. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Wärmebrücke 7 zwischen der Innenseite des Gehäuses 5 und dem Chip 1. Es ist dabei wesentlich, daß nur eine Fläche der Wärmebrücke 7 mit entweder dem Gehäuse 5 oder dem Chip 1 metallische fest verbunden ist, wogegen die andere Fläche lediglich aufliegt.
  • Bevor die Wärmebrücke 7 mit dem Chip 1 in Berührung komr,lt, wird sie, wie Fig. 1 zeigt, mit dem Gehäuse 5 mittels der Schicht 6 verlötet. Besteht beispielsweise das Gehäuse 5 aus Aluminium, so kann die Schicht 6 aus Kupfer bestehen, das auf das Aluminium aufgedampft ist, damit dieses gelötet werden kann. Die Wärmebrücke 7, die vorzugsweise aus Indium besteht, wird auf die Schicht 6 aufgeschmolzen. Weil Indium mit Kupfer legiert, entsteht eine metallisch feste Verbindung zwischen Wärmebrücke und Gehäuse. Die Schicht 6 kann auch aus Nickel, Gold, Cr-Cu-Au oder anderen Metallen bestehen.
  • oie Wärmebrücke kann auch auf andere Weise mit dem Gehäuse verbunden werden. Das Gehäuse 5 kann dabei aus Kupfer oder Messing bestehen, mit lem das Indium sich ohne eine Schicht 6 verlöten läßt. In diesem Fall muß aber dafür gesorgt werden, daß das Indium nicht zu weit zerfließt, was z.B. durch eine Chromschicht auf der ganzen Innenfläche des Gehäuses 5 mit Ausnahme der Fläche 6 geschehen kann. Praktisch wird das Chrom auf der Innenseite des Gehäuses aufgedampft und darauf durch fräsen oder ätzen an den Stellen entfernt, denen ein Chip gegenüber steht, und das Indium dann durch Erwärmen mit dem Messing oder Kupfer verbunden. Das Chrom verhindert das Zerfließen des Indiums.
  • Die angelötete Wärmebrücke 7 wird darauf oberhalb der großen oberen Fläche des Chips 1 angeordnet, wie Fig. 1 zeigt. Das Gehäuse wird nun niedergepreßt, wodurch sich die aus dem weichen Metall bestehende Wärmebrücke 7 so verformt, wie dies Fig. 2 zeigt. Am einfachsten geschieht dies mittels eines Gewichts, das auf das Substrat gelegt wird, wenn das Gehäuse unten ist, oder das auf das Gehäuse gelegt wird, wenn das Substrat unten ist.
  • Beim Aufpressen des Gehäuses auf das Substrat ist es wichtig, darauf zu achten, daß durch den Druck die Lötverbindungen 6 nicht beschädigt werden. Dazu kann Indium für die Wärmebrücke 7 und Blei-Zinn- oder Blei-Indium-Lot für die Lötverbindungen 4 verwendet werden. Bei einem 5 x 5 mm großen Chip mit 240 oder mehr Lötverbindungen 4 ist die Auflagefläche der Wärmebrücke 7 etwa sechmal so groß wie die Gesamtfläche der Lötverbindungen 4. Die Bruchbelastung der Lötverbindungen ist bei Raumteraperatur jedoch 13mal so groß als die der Wärmebrücke 7, weshalb diese zuerst nachgibt.
  • Der Sicherheitsfaktor wird noch größer, wenn Gehäuse oder Kappe und Substrat bei erhöhter Temperatur zusammengepreßt werden. Dadurch wird die Verformbarkeit von Indium stärker erhöht als die des Blei-Zinn- oder des Blei-Indium-Lots. Bei 600 C z.B. ist das Verhältnis der Verformbarkeit von Blei-Zinn-Lot zu Indium größer als 20, d.h. wesentlich größer als der Grenzwert von 6, der mindestens erreicht sein muß. Die Widerstandsfähigkeit der Lötverbindungen kann auch durch Veryießen, z.B. mit Polyimid-Amid erhöht werden.
  • Auch ist es möglich, blinde Lötverbindungen einzufügen, wodurch die Zahl der Lötverbindungen erhöht und die einzelne Lötverbindung weniger belastet wird. Die Wärmebrücke 7 kleiner zu wahlen hat den Nachteil geringerer Wärmeleitfähigkeit. In einem Gehäuse gemäß Fign. 1 und 2 wurde ein Wärmewiderstand von 2,50 C/W zwischen dem Chip und der Luft erreicht. Ohne die aus Indium bestehende Wärmebrücke 7 beträgt der Wärmewiderstand 140 C/W.
  • Es ist oft notwendig, den Chip 1 von dem Gehäuse elektrisch zu isolieren. Offenbar gibt es dazu verschiedene Möglichkeiten. So kann man zwischen der Innenfläche des Gehäuses 5 und der Lötschicht 6 eine isolierende Schicht anordnen. Auch kann eine dünne Isolationsschicht, wie Siliziumdioxid, Silizium nitrid etc., auf der Oberfläche des Chips 1 aufgebracht sein. Ist der Chip ein Silizium-IIalbleiterchip, so wird Siliziumdioxid normalerweise während der Fabrikation der integrierten Schaltung entstehen.
  • Das Gehäuse 5 kann auch aus einem elektrisch isolierenden, jedoch thermisch gut leitenden Material wie Berilliumoxid bestehen.
  • Die Erfindung wird im Zusammenhang mit Chips beschrieben, die auf Lötverbindungen stehen. Sie kann jedoch ohne weiteres auch bei anderen Chipverbindungen, wie sie durch Thermokompression oder Ultraschall zwischen den Chipanschlüssen und den Anschlußflächen 3 herstellbar sind, benützt werden.
  • Um den Wärmekontakt zwischen Chip 1 und Wärmebrücke 7 zu verbessern, kann an der Trennfläche ein wärmeleitendes ilaterial wie Siliconöl vorhanden sein.
  • Fig. 3 zeigt eine gekapselte Halbleitervorrichtung, bei der die Lötverbindung zwischen Chip 1 und Warmebrücke 7 mittels der löttähigen Schicht 8 hergestellt ist. Das Gehäuse 5 ist mit der Wärmebrücke 7 nicht fest verbunden. Die Schicht 8 kann aus Cr-Cu-Au bestehen, mit dem Indium gut verlötbar ist und das gut auf Silizium oder dessen Isolatoren wie Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid haftet. Auch Cr-Cu-Au, Cr-Ni und Ti-Pd-Au stellen lötfähige Kontakte zwischen Silizium und Indium her.
  • Die Vorrichtung nach Fig. 3 ist ähnlich derjenigen nach Fig.
  • 1 oder 2 hergestellt. Die Schicht 8 wird vorzugsweise auf die Oberfläche des Chips 1 aufgedampft. Darauf wird die aus Indium bestehende Wärmebrücke 7 angeordnet und durch Erwärmen auf ihren Schmelzpunkt verlötet. Wenn die Wärmebrücke erstarrt ist, wird das Substrat 2 wieder in das Gehäuse 5 gepreßt, damit sich die Wärmebrücke entsprechend verformt.
  • In der Ausführungsform nach Fig. 4 ist eine Kühlplatte 9 zwischen der Wärmebrücke 7 und dem wärmeerzeugenden Chip 1 eingesetzt. Die Kühlplatte 9 liegt zum Kühlen gleichmäßig auf der gesamten Oberfläche des Chips 1 auf. Die Kühlplatte könnte auch dazu dienen, den Chip von der Wärmebrücke elektrisch zu isolieren. In einer Anordnung mit mehreren Chips kann eine solche Platte elektrische Verbindungen zwischen den einzelnen Chips vermeiden, ohne die Wärmeableitung zu beeinflussen.
  • Die Kühlplatte 9 besteht vorzugsweise aus Silizium, dessen beiae Seiten mit Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid belegt sind. Ihre Oberfläche kann auch aus anodisiertem Aluminium oder aus Berilliumoxid bestehen. Letzteres Material hat den Vorteil, ein guter elektrischer Isolator und trotzdem ein guter Wärmeleiter zu sein. In pulverisiertem Zustand ist es jedoch sehr giftig und im großen und ganzen dürfte beim heutigen Stand der Technik eine isolierte Siliziumscheibe vorteilhafter sein.
  • Die Kühlplatte 9 kann auch eine Kupferschicht aufweisen. Dadurch würde Oberflächenkorrosion der Wärmebrücke 7 vermieden, welche bei reinem Indium vorkommen kann. Zudem würde sie das Kleben des Indiums am Chip 1 vermeiden.
  • Wie Fig. 4 zeigt, ist die Wärmebrücke 7 sowohl mit dem Gehäuse 5 als auch der Kühlplatte 9 metallisch fest verbunden. Die Fläche zwischen Chip 1 und Kühlplatte 9 ist jedoch nur eine Berührungfläche. Durch Zusammenpressen der Wärmebrücke wird erreicht, daß sich Chip und Kühlplatte so innig als möglich berühren, womit für optimale Wärmeübertragung vom Chip 1 auf das Gehäuse 5 gesorgt ist. Die Kühlplatte 9 der Fig. 4 eröffnet die tsöglichkeit, zahlreiche kleine Wärmebrücken anstelle der einen Wärmebrücke 7 zu verwenden. Dadurch können Schwierigkeiten vermieden werden, die möglicherweise bei der Verformung eines einzelnen großen Sletallkörpers auftreten. Die Wärmeübertragung ist trotzdem problemlos, da der unverlötete Wärmekontakt dieser einen höheren Widerstand bietet als die Wärmebrücke (n>. Solche Mehrfach-Wärmebrücken sind besonders vorteilhaft bei Verwendung großer Halbleiterchips, etwa der Größe 1 cm2.
  • Zur Kühlung ungleichmäßiger Bauteile oder von Bauteilen mit nichtplanaren Oberflächen bietet sich ebenfalls die Verwendung einer Kühlplatte an. Das Bauteil 10 in Fig. 5 beispielsweise könnte zylindrisch sein. Es kann trotzdem mit der Kühlplatte 11 verlötet werden, die dann so herzustellen ist, daß sie auf das Bauteil 10 paßt. Die flache Oberfläche der Kühlplatte steht dann in Berührung, aber nicht in metallischer Verbindung mit der Kontaktplatte 12, die ihrerseits nilt der Wärmebrücke 13 verlötet ist. Die Wärmebrücke ist wiederum über die Lötschicht 14 mit dem Gehäuse 15 verlötet. Die elektrischen Anschlüsse des Chips 10 sind durch das Substrat 16 hindurch mit den Kontaktstiften 17 verbunden.
  • Fig. 6 zeigt den Uuersclmitt durch einen mit vielen Chips ausgerüsteten IWSodul. Solche Moduln, die 100 oder mehr integrierte Halbleiterchips enthalten, wurden schon vorgeschlagen, jedoch, soweit bekannt, nicht praktisch hergestellt. Sie sollten mit einer siedenden Flüssigkeit gekühlt werden, wodurch jedoch die weiter oben erwähnten Schwierigkeiten entstehen.
  • Jeder Chip 18 ist thermisch über eine Wärmebrücke 19 mit dem Kühlkörper 20 verbunden. Die Verbindung kann auf jede der vorstehend beschriebenen Arten hergestellt sein. Vorzugsweise wird der Kühlkörper 20 aus I¢Solybdän oder Berilliumoxid hergestellt, die beide genügend niedrige Ausdehnungskoeffizienten haben, daß sie mit dem keramischen Substrat 21 verbunden werden können, das die Steckerstifte 22 trägt. Wegen der Bearbeitungsschwierigkeiten des !4molybdäns und der Giftigkeit des Berilliumoxids wird man praktisch Aluminium oder Kupfer verwenden. Die Rippe 23 begrenzt den Druck auf die Chips 18 beim Anpressen der Wärmebrücken 19.
  • Wenn das Gehäuse auf das Substrat aufgepreßt ist, ist dasselbe durch einen O-Ring 24 und eine Verschlußklammer 16 hermetisch verschlossen. Uber den Zuführstutzen 25 kann der Innenraum mit einem Gas, z.B. Helium, gefüllt werden, das einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als Luft hat und die Wärmeübertragung verbessert. Die Kapsel 21 enthält in der Kammer 26 eine Kühlflüssigkeit. Dabei kann Wasser, Freon oder ein anderes Kühlmittel verwendet werden, das von der Oberfläche her durch die Anschlüsse 27 einströmt und zu einem nicht dargestellten äußeren Kühler zurückfließt.
  • Bei den bisherigen Ausführungsarten wurde davon ausgegangen, daß die Wärmebrücke, die zur Wärmeübertragung zwischen dem wärmeerzeugenden Bauteil und dem wärmeableitenden Gehäuse angeordnet ist, als kugelförmiger körper eingebracht und danach zwischen Chip und Gehäuse auf die richtige Dicke gequetscht wird. Anhand der Fig. 7 soll nun eine andere Möglichkeit beschrieben werden, die dort vorteilhaft ist, wo der lialbleiterchip 1 bzw. die ihn tragenden Lötverbindungen 4 nicht imstande sind, den zum Quetschen des Indium nötigen Druck aufzunehmen.
  • Das Indiumkügelchen wird auf der an der Innenseites des Gehäuses 5 angebrachten Lötschicht 6 befestigt und danach in die Form 28, Fig. 7, verformt bzw. flachgedrückt. Das ist leicht möglich, da das Indium ein ziemlich weiches Metall ist.
  • Es kann dazu ein Stempel mit konkaver Stirnfläche benützt werden. Wird anstelle des Indiums z.B. eutektisches Pb-Sn verwendet, so kann die Formgebung auch in der flüssigen Phase vorgenommen werden. Das Gehäuse wird dann in bezug auf Chip 2 so angeordnet, daß der Abstand zwischen Chipoberfläciie und der Unterseite der Wärmebrücke etwa 20 bis 40 pm beträgt. Danach wird das Indium durch Erwärmen auf etwa 1600 C verflüssigt. Infolge der Oberflächenspannung hat das flüssige Indium die Tendenz, eine Kugel zu bilden und diese Tendenz kann durch richtige Platzierung uer Vorrichtung noch durch die Schwerkraft verstärkt werden. Dadurch nimmt die aus Indium bestehende Wärmebrücke 7 die in Fig. 2 gezeigte Form an, obwohl es sich mit dem Chip 2 nicht metallisch verbindet. Vielmehr bleibt zwischen dem Chip 2 und der Wärmebrücke 7 ein Zwischenraum, der aufgrund von Kapazitätsmessungen etwa 1 pm oder weniger beträgt. Die Abmessung des Zwischenraums hängt von den Herstellungstoleranzen und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der verschiedenen verwendeten Materialien ab. Die Berührung zwischen Wärmebrücke und Chip ist vergleichbar einer kalten" Lötstelle. Sie führt jedenfalls dazu, mechanische Spannungen, die bei der wechselnden Wärme im Chip oder den Lötverbindungen auftreten würden, zu vermeiden. Sie erlaubt außerdem, das Gehäuse abzunehmen, um am Chip oder den Schaltungen Reparaturen durchzuführen.
  • Außer Indium kann, wie bereits erwähnt, eutektisches Blei-Zinn oder auch reines Zinn verwendet werden. Wie ebenfalls erwähnt, kann der Wärmewiderstand zwischen Chip und Kapsel durch eine Heliumatmosphäre innerhalb des Gehäuses weiter verringert werden, da die Warmeleitfahigkeit von Helium sechsmal größer ist als die von Luft. Zudem ist Helium ein inertes Gas. Andererseits kann, wie ebenfalls erwähnt, die Chipoberfläche mit Siliconöl befeuchtet werden, wodurch ebenfalls die Wärmeleitfähigkeit wesentlich verbessert wird. Es ist dabei vorteilhaft, das öl erst nachträglich, nach der Anpassung der Wärmebrücke, anzubringen.

Claims (25)

  1. PATENTANSPRÜCHE 1. Anordnung für ein gekapseltes elektronisches Bauteil mit Wärmeableitung von dem elektronischen Bauteil über mindestens eine Wärmebrücke nach einem Kühlkörper oder Gehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebrücke (7) einseitig mit entweder dem Bauteil (1) oder dem Kühlkörper (5) metallisch verbunden ist, während ihre anuere Seite auf dem Kühlkörper bzw. der Bauteil (1) lose aufliegt.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebrücke (7) aus Indium oder einer Indiumlegierung besteht.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauteil ein Halbleiterchip (1) ist, der durch Lötverbindungen (4) mit auf einen Substrat (2) angeordneten Anschlüssen (3) verbunden ist.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebrücke (7) mit einer Fläche des Kühlkörpers oder Gehäuses (5) metallisch fest verbunden ist und nit der Oberfläche des Bauteils (1) in Berührung steht (Fig. 2).
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit an der Trennfläche, an der die Wärmebrücke aufliegt, eine Fluidumschicht vorgesehen ist.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 4, bei der der Kühlkörper aus nicht lötfähigem Material besteht, gekennzeichnet durch eine auf seiner Oberfläche angebrachte Schicht (6, 14) aus einem lötfähigen Metall.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebrücke (7) nsit der Oberfläche des elektronischen Bauteils (1) metallisch fest verbunden ist und mit dem Kühlkörper oder Gehäuse in Berührung steht (Fig. 3).
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine auf der Oberfläche des Bauteiles angebrachten Schicht (8) aus lötfähigem Metall.
  9. 9. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebrücke (7) auf einer Seite mit dem Kühlkörper oder Gehäuse (5) fest verbunden ist und auf der anderen Seite mit einer Kühlplatte (9) metallisch fest verbunden ist, und daß die Kühlplatte auf dem Bauteil (1) lose aufliegt (Fig.4).
  10. 10. Anordnully nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen einer Kühlplatte (9) und dem Kühlkörper oder Gehäuse mehrere wärmebrücken angeordnet sind.
  11. 11. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dann sie mehrere Bauteile (18) aufweist, deren jedes über eine Wärmebrücke (19) wärmeleitend mit dem Kühlkörper oder Gehäuse (20, 26, 27) in Verbindung steht (Fig.6)
  12. 12. Verfahren zura herstellen einer Anordnung für ein gekapseltes elektronisches Bauteil mit Wärmeableitung von dem elektronischen Bauteil über eine Wärmebrücke nach einem Kühlkörper oder Gehäuse nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst ein aus einem niedrigschmelzenden Metall oder einer ebensolchen Legierung bestehendes Kügelchen als Wärmebrücke einseitig mit einer Hauptfläche des elektronischen Bauteils oder des Kühlkörpers bzw. Gehäuses metallurgisch fest verbunden wird, worauf das Kügelchen gegenüber der Hauptfläche des jeweils anderen Bauteils angeordnet wird, und daß das Kügelchen dann solange so weit erwärmt wird, daß das Kügelchen, ohne mit der anderen Hauptfläche eine feste Verbindung einzugehen, an dieser Hauptfläche praktisch anliegt, den Zwischenraum zwischen den beiden Hauptflächen ausfüllt und damit eine wärmeleitende Wärmebrücke bildet.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeerzeugende elektronische Bauteil ein Halbleiterplättchen ist, das an der aer olengenannten iiauptfläciie gegenüberliegenden Oberfläche des Bauteils über Lötverbindungen mit einem Substrat verLuriden ist.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem der Kühlkörper oder das Gehäuse aus einem Material besteht, mit dem das Kügelchen keine metallische Verbindung einzugehen vermag, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptfläche des Kühlkörpers oder Gehäuses zunächst mit einer mit dem Kügelchen verlötbaren oder verschweißbaren metallischen Schicht überzogen wird, und daß dann das Kügelchen mit dieser so vorbereiteten Hauptfläche fest verbunden wird.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse oder der Kühlkörper aus Aluminium besteht, das an der dem elektronischen Bauteil gegenüberliegenden Hauptfläche mit einer Schicht aus Kupfer, Nickel, Gola oder C1irom-Kupfer-Gold überzogen wird.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem der Kühlkörper oder das Gehäuse aus einem Material besthet, mit dem das Kügelchen eine metallische Verbindung einzugehen vermag, dadurch gekennzeichnet, daß außerhalb der mit dem Kügelchen zu verbindenden Hauptfläche der Kühlkörper oder das Gehäuse mit einem Material überzogen wird, das mit dem Material des Kügelchens nicht verlötbar oder verschweißbar ist.
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper oder das Gehäuse aus Kupfer oder Messing besteht und daß ein Ueberzug aus Chrom verwendet wird.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß nach Fertigstellen der Wärmebrücke das Gehäuse nochmals geöffnet und an der Trennfläche mit der Wärmebrücke eine wärmeleitende Flüssigkeit aufgebracht wird, worauf die Anordnung wieder zusammengebaut wird.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst das Kügelchen mit einer Hauptfläche des Halbleiterbauteils fest verbunden, d.h. verlötet oder verschweißt wird, daß dann das Kügelchen in der Nähe der Hauptfläche des Kühlkörpers oder des Gehäuses angeordnet wird und daß das Kügelchen dann solange so weit erwärmt wird, daß das Kügelchen, ohne mit der anderen Hauptfläche eine feste Verbindung einzugehen, an dieser Hauptfläche praktisch anliegt, den Zwischenraum zwischen den beiden Hauptflächen ausfüllt und damit eine wärmeleitende Wärmebrücke bildet.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem die Oberfläche mit dem Kügelchen keine Verbindung einzugehen vermag, dadurch gekennzeichnet, daß diese Oberfläche zunächst n.it einer mit dem Kügelchen verlötbaren oder verscliweiß-Laren Schicht überzogen wird, und daß dann (ias Kügelchen mit dieser Oberfläche fest verbunden wird.
  21. 21. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Anordnen des Kügelchen gegenüber der Hauptfläche des jeweils anderen Bauteils ein weiteres Kügelchen auf dem Kühlkörper oder Gehäuse angeordnet wird, so daß die beiden Kügelchen nach der Erwärmung eine Legierung bilden.
  22. 22. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß ein in seinen Abmessungen den Abmessungen des Ilalbleiterplcittchens entsprechendes Element verwendet wird, daß dieses Bauelement an der dem Halbleiterplättchen abgewandten Oberfläche mit dem Kügelchen fest verbunden wird, daß anschließend des Kügelchen gegenüber der Hauptfläche des Kühlkörpers oder des Gehäuses angeordnet wird und daß das Kügelchen dann solange soweit erwärmt wird, daß das Kügelchen ohne mit dem Kühlkörper oder dem Gehäuse eine leitende Verbindung einzugehen, an diesen praktisch anliegt, den Zwischenraum zwischen den beiden hauptflcichen ausfüllt und damit eine wärmeleitende Wärmebrücke bildet.
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement ein Plättchen ist, das mindestens eine ebenso große Hauptfläche aufweist, wie das Halbleiterplättchen.
  24. 24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchen aus Siliziumdioxid, Berilliumoxid oder anodisiertem Alul,linium besteht.
  25. 25. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß als hiaterial für das metallische Kügelchen ein Lötmetall oder eine Lötlegierung verwendet wird.
DE2729074A 1976-09-03 1977-06-28 Anordnung für ein gekapseltes Halbleiterschaltungsplättchen und Verfahren zu deren Herstellung Expired DE2729074C2 (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126829A (en) * 1988-09-26 1992-06-30 Hitachi, Ltd. Cooling apparatus for electronic device
DE4410467A1 (de) * 1993-07-06 1995-01-19 Hewlett Packard Co Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
WO1999030365A1 (en) * 1997-12-08 1999-06-17 Unisys Corporation Electromechanical assembly having a pressed joint with low thermal resistance which is residue-free when disassembled

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8324839D0 (en) * 1983-09-16 1983-10-19 Lucas Ind Plc Mounting carrier for microelectronic silicon chip

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1042762B (de) * 1955-02-26 1958-11-06 Siemens Ag Flaechengleichrichter bzw. -transistor, welcher mit mindestens einer seiner Elektroden flaechenhaft mit einem die Verlustwaerme abfuehrenden Koerper in Kontakt steht
DE1640467B1 (de) * 1965-06-18 1970-12-03 Ibm Verfahren zum kontaktgerechten Aufbringen von mikrominiaturisierten Komponenten auf eine dielektrische Grundplatte

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1042762B (de) * 1955-02-26 1958-11-06 Siemens Ag Flaechengleichrichter bzw. -transistor, welcher mit mindestens einer seiner Elektroden flaechenhaft mit einem die Verlustwaerme abfuehrenden Koerper in Kontakt steht
DE1640467B1 (de) * 1965-06-18 1970-12-03 Ibm Verfahren zum kontaktgerechten Aufbringen von mikrominiaturisierten Komponenten auf eine dielektrische Grundplatte

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 13, Nr. 2, Juli 1970, S. 442 *
IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 14, Nr. 9, Febr. 1972 *
Propekt "Siliziumgleichrichter" der Fa. Standard Elektrik vom Nov. 1957, S.8 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126829A (en) * 1988-09-26 1992-06-30 Hitachi, Ltd. Cooling apparatus for electronic device
DE4410467A1 (de) * 1993-07-06 1995-01-19 Hewlett Packard Co Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
DE4410467C2 (de) * 1993-07-06 1999-03-25 Hewlett Packard Co Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
WO1999030365A1 (en) * 1997-12-08 1999-06-17 Unisys Corporation Electromechanical assembly having a pressed joint with low thermal resistance which is residue-free when disassembled

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ES462067A1 (es) 1978-06-01
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