DE2720410A1 - Dehnungsmesstreifen sowie cermet und verfahren fuer dessen herstellung - Google Patents

Dehnungsmesstreifen sowie cermet und verfahren fuer dessen herstellung

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Description

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27?0A10 1^49 429
Anmelder: Gould Inc.,
540 East 105th Street, Cleveland, Ohio 44108, USA
Titel; "Dehnungsmeßstreifen sowie Cermet
und Verfahren für dessen Herstellung"
709847/0916
IJR. INC F. WITKSTIIOFF
DR. K. ν. FKOII M A NN Uli. IN(J. D. IIKllRF.NS UIPL. ING. H. GOKTZ
PATENTANWÄLTE
2720A10
SOOO MU NCII KN OO
SCM VVKKiKIfSTUASSK Z T Ki. r: fön <08fl> 06 20 31 TKl.KJt υ 24 070
TFl.FOHA MMK:
1ft-49 429
Beschreibung
Dehnungsmeßstreifen sowie Cermet und Verfahren für dessen Herstellung
Die Erfindung betrifft eine Zementzubereitung für Widerstandsschichten (Cermet) , einen Dehnurtpmeßstreifen mit einem dünnen Film aus dem Cermet und ein Verfahren zur Herstellung des Dehnungsmeßstreifens.
Dehnungs- und Spannungsmesser, insbesondere in Form von Dehnungsmeßstreifen werden zur elektrischen
Messung von Kräften, Druck, Biegungen, Dehnungen und dergl. angewendet. Obwohl für Dehnungsmeßstreifen im allgemeinen Metalle, z.B. Chrom, verbreitet angewendet werden, haben sich Halbleitermaterialien wegen bestimmter Vorteile ebenfalls eingeführt, da sie eine steilere Kennlinie haben und kleiner aufgebaut sein können. Das Temperaturverhalten von Halbleitern ließ jedoch nicht alle an sie zu stellenden Forderungen befriedigend erfüllen, insbes. bei Präzisionsspannungsmessungen.
Dehnungsmeßstreifen werden im allgemeinen in einer elektrischen Brückenschaltung, z.B. einer Wheatstone1sehen Brückenschaltung, eingesetzt. Es ist wichtig, daß die thermische Empfindlichkeitsänderung positiv ist und bleibt. Außerdem möchte man gerne den Widerstandstemperaturkoeffizienten derart beeinflussen können, daß er sich innerhalb eines schmalen Bereichs befindet.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zubereitung für eine Widerstandsschicht, einen Dehnungsmeßstreifen, der die genannten Forderungen besonders gut erfüllt, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Dehnungsmeßstreifens anzugeben.
Die diesbezüglichen Lösungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 1, 3 und 8. Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen 2, 4 bis 7 und 9 und 10 angegeben.
Die Isolierschicht und die Widerstandsschicht des Dehnungsmeßstreifens werden zweckmäßigerweise im Vakuum auf das Trägersubstrat aufgedampft. Nach dem Aufbringen ist ein Anlassen im Vakuum sehr zweckmäßig, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten und die thermische Empf-indlichkeitsveränderung in die gewünschten Bareiche zu legen. Ist eine besonders positive Charakteristik des Taperaturkoeffizienten des Widerstandes und der thermischen Empfindlichkeitsänderung erwünscht, läßt sich dies durch einen zweiten Anlaßvorgang bei höherer Temperatur als beim ersten Anlassen erzielen.
Ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Dehnungsmeßsteifens ist anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert, die eine Teilschnittansicht darstellt.
Der Dehnun^meßstreifen bzw. Dehnungsmesser 10 umfaßt ein Trägersubstrat 11 aus einem wärmebehandelten korrosionsfreiem Stahl, auf dessen einer Oberfläche eine Isolierschicht 12 aus Siliciummonoxyd niedergeschlagen ist. Auf dieser befindet sich eine elektrische Widerstandsschicht 13 aus einem erfindungsgemäßen Cermet, welche im Vakuum auf die Siliciummonoxydschicht aufgedampft ist. Elektrische Anschlußfahnen 14 aus Chrom für den Anschluß an die Widerstandsschicht 13 sind ebenfalls im Vakuum aufgedampft worden. Anschließend wurde der ganze Dehnungsmeßstreifen angelassen, um ihm den gewünschten Widerstandstemperaturkoeffizienten und eine postive Temperaturcharakteristik der Empfindlichkeitsveränderung zu geben.
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Die Empfindlichkeit eines Dehnungsmessers, die im wesentlichen als Ausgangsspannung in Abhängigkeit einer gegebenen Treiberspannung bei der Beanspruchung des Meßstreifens gemessen wird, ändert sich mit einer Temperaturänderung des Meßstreifens. Die in Verbindung mit Dehnungsmeßstreifen üblicherweise eingesetzte Temperaturkompensationsschaltung kann den Temperatureinfluß dann ohne weiteres ausgleichen, wenn dieser positiv ist, d.h. wenn mit der Temperatur die Änderungen oder Veränderungen der Empfindlichkeit zunehmen. Sehr schwierig dagegen ist es, lineare oder negative Veränderungen zu beherrschen. Aus diesem Grunde ist es wichtig, daß jedes für den Einsatz in Dehnungsmeßstreifen vorgesehene Material einen positiven Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeitsveränderung bei Temperaturerhöhung aufweist. um praktisch einsatzfähig zu sein.
Die erfindungsgemäß zu verwendende Zubereitung für die Widerstandsschicht ist eine Legierung aus einem keramischen Werkstoff und einem Metall, die als Cermet bezeichnet wird. Besonders gute Ergebnisse haben sich bis jetzt aus Widerstandsschichtfilmen der in den Patentansprüchen 1 bis 3 angegebenen Zusammensetzung ergeben. Besonders bevorzugt ist die Zusammensetzung gemäß Anspruch
Dehnungsmeßstreifen mit einer Widerstandsschicht gemäß Anspruch habeneinen Temperaturwiderstandskoeffizienten, der in einem sehr engen Bereich von -20 ppm/°c bis +2 0 ppm/°c liegen kann, und eine positive Temperaturcharakteristik der thermischen Empfindlichkeitsveränderung.
Man hat angenommen, daß ein Zweikomponenten-Cermet aus Chrom und Siliciummonoxyd die erwünschten Eigenschaften, die für Dehnungsmeßstreifen gefordert werden, aufweist. Es hat sich jedoch gezeigt, daß auch, wenn eine Dehnungsmeßstreifertrückenschaltung aus Chrom/ Siliciummonoxyd im Verhältnis 2,5 : 1 einen positiven Widerstandstemperaturkoeffizienten und eine positive thermische Empfindlichkeit: Veränderung aufweist, der Widerstandstemperaturkoeffizient viel zu positiv in den Fällen ist, in denen ein geringer Temperaturkoeffizient für die Empfindlichkeitsveränderung erforderlich ist.
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*mit Widerstandsschichten
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Es wurde jedoch dann überraschend gefunden, daß durch Zusatz von Nickel zu dem Cermet-Werkstoff aus Chrom und Siliciummonoxyd der Widerstandstemperaturkoeffizient in kontrollierbarer Weise erniedrigt werden kann, d.h. weniger positiv einstellbar ist, ohne daß dadurch die thermische Empfindlichkeitsveränderung eine negative Kennlinie erhält.
Während des Anlassens, insbes. bei wenigstens etwa 4300C, verändern sich die beiden Werkstoffe unterschiedlich. Bei Widerstandsschichten aus Chrom und Siliciummonoxyd stellt man eine positive Zunahme des Widerstandstemperaturkoeffizienten fest, während die thermische Empfindlichkeitsveäiderung entweder die gleiche bleibt oder abnimmt, d.h. negativ wird. Die Widerstandsschichten aus den erfindungsgemäßen drei Komponenten zeigen dagegen beim Anlassen, daß sich in positiver Richtung sowohl der Widerstandstemperaturkoeffizient als auch die thermische Empfindlichkeitsveränderung verändert. Diese Eigenschaft der positiven Veränderung (Zunahme) des Widerstandskoeffizienten und der Empf ind-.lichkeitsveränderung bewirkt die erwünchte Kontrollier- bzw. Einstellbarkeit des Widerstandstemperaturkoeffizienten ohne dadurch den Dehnungsmeßstreifen insgesamt unbrauchbar oder praktisch unbrauchbar dadurch zu machen, daß eine negative Temperatuicharakteristik der Empfindlichkeitsveränderung bewirkt wird.
Wenn nach einem Anlassen im Vakuum bei etwa 43 00C man feststellt, daß der Widerstandstemperaturkoeffizient noch nicht ausreichend positiv ist, ist ein zweites Mal bei einer höheren Temperatur, beispielsweise bei 5100C, anzulassen, um die positive Temperaturcharakteristik des Widerstandskoeffizienten und darüberhinaus die der Empfindlidiceitsveränderung zu erzielen. Im Gegensatz dazu bewirkt das Anlassen bei einer höheren Temperatur einer Widerstandsschicht aus den zwei Komponenten Chrom und Siliciummonoxyd zwar eine Zunahme der Temperaturcharakteristik des Widerstandskoeffizienten jedoch in den meisten Fällen gleichzeitig eine Abnahme der Temperaturcharakteristik der Empfindlichkeitsveränderung.
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Claims (10)

ANSPRÜCHE
1./ Cermet für elektrischleitfähige Bauelemente, insbesondere Widerstandsschichten für Spannungs- und Dehnungsmesser (Dehnungsmeßstreifen) im wesentlichen bestehend aus:
65 bis 70 % Chrom, 18 bis 32 % Siliciummonoxyd, 3 bis 12 % Nickel.
2.
Cermet nach Anspruch 1 bestehend aus;
65 % Chrom, 25 % Siliciummonoxyd, 10 % Nickel.
3. Dehnungsmeßstreifen mit einem elektrisch leitfähigen Substrat (11), einer Isolierschicht (12) auf dem Substrat und einer elektrisch leitfähigen Widerstandschicht (13) auf der Isolierschicht, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandsschicht im wesentlichen besteht aus:
65 bis 70 % Chrom, 18 bis 32 % Siliciummonxyd, 3 bis 12 % Nickel.
4. Dehnungsmeßstreifen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11) aus korrosionsfreiem Stahl besteht.
5. Dehnungsmeßstreifen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht (12) aus Siliciummonoxyd besteht.
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ORIGINAL INSPECTED
6. Dehnungsmeßstreifen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (11) aus korrosionsfreiem Stahl und die Isolierschicht (12) aus Siliciummonoxyd besteht.
7. Dehnungsmeßstreifen nach den Ansprüchen 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht (12) und die Widerstandsschicht (13) aufgedampfte Filme sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmeßstreifens nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandsschicht (13) nach dem Aufbringen auf die Isolierschicht
(12) zur Erhöhung des Temperaturkoeffizienten des Widerstands angelassen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Anlaßen durch Erhitzen des Isolierschicht- und des Widerstandsshichtfilms auf wenigstens 430 0C erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichn e t , daß ein zweites Mal bei einer höheren Temperatur als 4300C angelassen wird, insbesondere bei mehr als etwa 5100C.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4298505A (en) * 1979-11-05 1981-11-03 Corning Glass Works Resistor composition and method of manufacture thereof
US4355692A (en) * 1980-11-24 1982-10-26 General Electric Company Thick film resistor force transducers and weighing scales
JPS5884401A (ja) * 1981-11-13 1983-05-20 株式会社日立製作所 抵抗体
JPS597234A (ja) * 1982-07-05 1984-01-14 Aisin Seiki Co Ltd 圧力センサ
JPS5975104A (ja) * 1982-10-22 1984-04-27 Tokyo Electric Co Ltd 歪センサ
US4433269A (en) * 1982-11-22 1984-02-21 Burroughs Corporation Air fireable ink
JPH0770367B2 (ja) * 1988-09-12 1995-07-31 株式会社豊田中央研究所 歪ゲージ用薄膜抵抗体
US4906968A (en) * 1988-10-04 1990-03-06 Cornell Research Foundation, Inc. Percolating cermet thin film thermistor
US5367285A (en) * 1993-02-26 1994-11-22 Lake Shore Cryotronics, Inc. Metal oxy-nitride resistance films and methods of making the same
US5468936A (en) * 1993-03-23 1995-11-21 Philip Morris Incorporated Heater having a multiple-layer ceramic substrate and method of fabrication
AU7169100A (en) * 1999-11-19 2001-05-24 Gorokhovsky, Vladimir Temperature regulator for a substrate in vapour deposition processes
DE10156160B4 (de) * 2001-11-15 2007-06-14 Siemens Ag Mechanisch-elektrischer Wandler
JP5311776B2 (ja) * 2006-10-10 2013-10-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3308528A (en) * 1963-11-06 1967-03-14 Ibm Fabrication of cermet film resistors to close tolerances
DE2438048A1 (de) * 1973-08-16 1975-02-27 Trw Electronics Trw Inc Elektrischer widerstand mit anschluss und verfahren zu dessen herstellung
DE2455395A1 (de) * 1974-07-24 1976-02-05 Trw Inc Elektrische widerstands-glasurzusammensetzung und widerstand
DE2249817B2 (de) * 1971-12-17 1976-05-13 TRW Inc., Los Angeles, Calif. (V.St-A.) Elektrischer widerstand aus einem keramischen koerper und einer glasigen widerstandsschicht

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3202951A (en) * 1961-08-16 1965-08-24 Krinsky Albert Alloys and electrical transducers
US3533760A (en) * 1965-04-02 1970-10-13 Sherritt Gordon Mines Ltd Dispersion strengthened nickel-chromium alloy composition
US3498832A (en) * 1967-03-16 1970-03-03 Motorola Inc Material and method for producing cermet resistors
US3922705A (en) * 1973-06-04 1975-11-25 Gen Electric Dielectrically isolated integral silicon diaphram or other semiconductor product
US4016644A (en) * 1974-03-18 1977-04-12 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating low pressure silicon transducers
US3969278A (en) * 1974-03-26 1976-07-13 Yakov Dmitrievich Aksenov Metalloceramic current-conducting material and a method for preparing same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3308528A (en) * 1963-11-06 1967-03-14 Ibm Fabrication of cermet film resistors to close tolerances
DE2249817B2 (de) * 1971-12-17 1976-05-13 TRW Inc., Los Angeles, Calif. (V.St-A.) Elektrischer widerstand aus einem keramischen koerper und einer glasigen widerstandsschicht
DE2438048A1 (de) * 1973-08-16 1975-02-27 Trw Electronics Trw Inc Elektrischer widerstand mit anschluss und verfahren zu dessen herstellung
DE2455395A1 (de) * 1974-07-24 1976-02-05 Trw Inc Elektrische widerstands-glasurzusammensetzung und widerstand

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.: Proc. Electronics Components Conference 1962, S. 53,54 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2350669B1 (de) 1980-09-26
CA1086537A (en) 1980-09-30
NL7704994A (nl) 1977-11-08
US4100524A (en) 1978-07-11
JPS52139992A (en) 1977-11-22
JPS5920604U (ja) 1984-02-08
GB1539315A (en) 1979-01-31
FR2350669A1 (fr) 1977-12-02
DE2720410C2 (de) 1983-06-09

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