DE2848141C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2848141C2 DE2848141C2 DE2848141A DE2848141A DE2848141C2 DE 2848141 C2 DE2848141 C2 DE 2848141C2 DE 2848141 A DE2848141 A DE 2848141A DE 2848141 A DE2848141 A DE 2848141A DE 2848141 C2 DE2848141 C2 DE 2848141C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alloy
- layer
- temperature
- atoms
- carrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 65
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 65
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003763 resistance to breakage Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000036186 satiety Effects 0.000 description 1
- 235000019627 satiety Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/06—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
- H01F1/068—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder having a L10 crystallographic structure, e.g. [Co,Fe][Pt,Pd] (nano)particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Generell wird ein magnetoelektrischer Wandler in großem Umfang
als berührungsloser Schalter, als Schalterelement für einen
bürstenlosen Elektromotor oder dgl. verwendet. Beispiele für
den magnetoelektrischen Wandler sind ein Halbleiter-Hall-Element,
ein magnetoresistives Halbleiter-Element, ein planares
Hall-Element und ein ferromagnetisches magnetoresistive Element.
In dem Halbleiterelement wird die Anzahl der Träger und die
Beweglichkeit in starkem Ausmaß jedoch durch die Temperatur
beeinflußt, die Temperaturcharakteristiken sind jedoch sehr
ungünstig. Demgemäß erfordert das Halbleiterelement eine
äußere Schaltung zur Temperaturkompensation. Die Ausgangsspannung
des planaren Hall-Elements ist niedrig. Wenn ein
derartiges Element beispielsweise dazu benutzt wird, einen
bürstenlosen Elektromotor anzusteuern, erfordert dies eine
spezielle Außenschaltung, wie einen Verstärker mit hoher Verstärkung.
Ferner ist die unkompensierte Spannung des magnetoresistiven
Elements hoch im Vergleich zu der Ausgangsspannung
dieses Elements, da das betreffende magnetoresistive
Element ein DT-polelement ist. Die Änderung der nichtkompensierten
Spannung aufgrund der Änderung des Widerstands bzw.
spezifischen Widerstands in Abhängigkeit von der Temperatur
kann insbesondere nicht vernachlässigt werden im Vergleich zu
der Ausgangsspannung. Demgemäß kommt die auf die Temperaturänderung
zurückgehende Nullpunktabweichung für den praktischen
Gebrauch in Frage.
Es ist bereits ein magnetoelektrisches Wandlerelement beschrieben
worden (US-PS 39 28 836), mit dessen Hilfe die oben
beschriebenen Mängel der herkömmlichen magnetoelektrischen
Wandlerelemente teilweise überwunden werden. Die Zusammensetzung
dieser magnetoresistiven Elements besteht aus Nickel-
Kobalt-Legierungen. Für diesen Anwendungszweck werden Zusammensetzungsbereiche
einer Legierung mit ungefähr 80% Nickel
und 20% Kobalt bevorzugt. Die aus der oben genannten Patentschrift
bekannten Legierungen weisen aber keine Superstruktur
auf. Somit konnten die magnetischen Widerstandseigenschaften
der Elemente, wie die Magnetostriktionskonstante und das magnetische
Widerstands-Anisotropieverhältnis nicht entscheidend
verbessert werden.
Aus Hansen & Anderco, "Constitution of binary alloys", MCGraw-
Hill-Book Company, Inc. (1958), S. 485-487, sind zwar Nickel-
Kobalt-Legierungen in verschiedenen Mischungsverhältnissen bekannt.
Die Bildung von Superstruktur bei allen Variationen der
Gehaltsbereiche konnte bislang aufgrund der großen Ähnlichkeit
der Röntgenstreuung von Kobalt und Nickel nicht gemessen werden.
Jedoch steht fest, daß in der Umgebung von CoNi₃ diese
Superstruktur nachgewiesen ist. Über das Vorliegen von magnetischen
Widerstandseigenschaften einer derartigen Legierung
ist in diesem Zusammenhang jedoch nichts bekannt.
Aus den beiden oben genannten Veröffentlichungen sind keine
Hinweise oder Anregungen bekannt, die sich mit magnetischen
Widerstandseigenschaften einer Legierung, die eine Superstruktur
aufweist, befassen, so daß ferner auch nicht bekannt ist,
welcher Bereich von Legierungen mit Superstrukturen verwendet
werden sollte, um die Magnetostriktionskonstante und das
magnetische Widerstands-Anisotropieverhältnis zu verbessern.
In der DE-OS 25 55 826 wird ein Verfahren zur Herstellung
einer im wesentlichen geordneten Legierung beschrieben, bei
dem ein metallisches Element auf einem Träger bzw. einer Metallunterlage
gebildet wird und dann der betreffende Träger
und das metallische Element einer Wärmebehandlung ausgesetzt
werden, um ein Überstrukturgitter zu bilden. Durch diese Maßnahmen
sollen die magnetischen Eigenschaften positiv beeinflußt
werden. Das oben beschriebene Verfahren unterscheidet
sich aber in prinzipieller Weise von dem erfindungsgemäß beanspruchten
Verfahren.
Ferner hat sich herausgestellt, daß noch einige weitere Probleme
bei den oben beschriebenen, bekannten magnetoresistiven
Elementen zu lösen sind.
Im allgemeinen wird bei der Herstellung des magnetoresistiven
Elements ein Silicium-Substrat bzw. eine Si-Trägerschicht verwendet,
und zwar unter Gesichtspunkten der Massenproduktion
und der Kostensenkung. Die Bruchfestigkeit der Si-Trägerschicht
ist aufgrund ihrer dünnen Beschaffenheit gering,
woraus eine Verschlechterung der Sättigungscharakteristik des
Ausgangssignals des magnetoresistiven Elements resultiert. Die
magnetischen Widerstandseigenschaften der Elemente sind weit
gestreut; daher ergibt die Verringerung der Bruchfestigkeit
aufgrund des Piezo-Widerstandseffekts eine Mittelpunkts-Potentialabweichung
(der Potentialauslenkung des Verbindungspunkts
zwischen den beiden ferromagnetischen Streifen). Daher
müßte also für einen berührungslosen Schalter eine teure Aluminiumträgerschicht
verwendet werden, da dieser eine hohe Genauigkeit
erfordert. Überdies bevorzugt man bei magnetoresistiven
Elementen ein Legierungssystem, dessen Anisotropieverhältnis
Δρ/Δρo hinsichtlich des magnetischen Widerstands groß
ist. Die bekannten Legierungen für diesen Zweck sind Legierungen
aus 76 Ni-24 Co. Diese Ni-Co-Legierungsmasse, die im
allgemeinen durch Schmelzen und Abkühlen erhalten werden kann,
oder in einer Ni-Co-Legierungsschicht, die auf einer Trägerschicht
bei einer niedrigeren Temperatur gebildet werden
kann, enthält Nickel-Atome und Kobalt-Atome bekanntermaßen
unregelmäßig an den Gitterpunkten der flächenzentrierten
Struktur verteilt. Bei einem herkömmlichen magnetoresistiven
Element mit einer Ni-Co-Legierung, beträgt das Verhältnis
der Nickel-Atome zu den Kobalt-Atomen etwa 76/24
(76 Ni-24 Co). Diese Legierung besitzt jedoch eine große Magnetostriktionskonstante.
Ferner ist ihre Bruchfestigkeit sehr
mangelhaft. Aus diesen Gründen resultieren verschiedene Nachteile.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung
der Superstruktur für die bekannte Zusammensetzung der
magnetoresistiven Elemente zu entwickeln, so daß eine Legierung
für ein magnetoresistives Element geschaffen wird, dessen
magnetische Widerstandseigenschaften, wie die Magnetostriktionskonstante
und das magnetische Widerstands-Anisotropieverhältnis
verbessert sind.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1
gelöst.
Die Erfindung wird durch die Merkmale der Unteransprüche
weitergebildet.
Die durch die Erfindung erreichten Vorteile sind im wesentlichen
darin zu sehen, daß eine Ni-Co-Legierung mit der Zusammensetzung
40 Ni-60 Co bis 60 Ni-40 Co gemäß der Erfindung
hergestellt werden kann, die eine kleine Magnetostriktionskonstante
und darüber hinaus ein hohes Anisotropieverhältnis
bezüglich des magnetischen Widerstands aufgrund
der Bildung der geordneten Phase mit Superstruktur besitzt. Es
hat sich nun gezeigt, daß die oben beschriebenen Probleme
vollständig durch die erfindungsgemäße Verfahrensführung,
nämlich die Auswahl des Trägermaterials, des Dickenbereiches
der Kobalt-Nickel-Schicht, der Aufdampfgeschwindigkeit, gelöst
werden können, so daß eine Legierung hergestellt wird, die die
geordnete Phase mit der Superstruktur der Zusammensetzung aus
40 Ni-60 Co bis 60 Ni-40 Co besitzt.
Das Herstellungsverfahren für ein magnetoresistives Element
umfaßt nun erfindungsgemäß folgende Verfahrensschritte: Herstellen
eines Substrats bzw. einer Trägerschicht für ein
magnetoresistives Element und Bilden eines Nickel-Kobalt-
Legierungsfilmes auf der betreffenden Trägerschicht bei einer
Temperatur von mehr als 250°C, bei der die betreffende Legierung
eine geordnete Phase mit einer Superstruktur besitzt,
wobei das Verhältnis der Nickel-Atome zu den Kobalt-Atomen so
gewählt ist, daß die Atomzahl innerhalb des Bereichs von 40 : 60
bis 60 : 40 liegt.
Die Erfindung wird anhand von Beispielen und graphischen Darstellungen
näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Photographie einer Elektronenstrahl-Brechung an
einer 50 Ni-50 Co-Legierung, die auf eine Trägerschicht
bei einer Temperatur von 150°C aufgedampft ist,
Fig. 2 eine Photographie einer Elektronenstrahl-Brechung an
einer 50 Ni-50 Co-Legierung, die auf eine Trägerschicht
bei einer Temperatur von 300°C aufgedampft ist,
Fig. 3A schematisch und perspektivisch die Kristallstruktur
der Legierung gemäß Fig. 2,
Fig. 3B schematisch und perspektivisch die Kristallstruktur
von CuAu-I,
Fig. 3C schematisch und perspektivisch die Kristallstruktur
von CuAu-II,
Fig. 4 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Trägerschichttemperatur
beim Aufdampfen und der Anisotropie
einer Legierung bezüglich des magnetischen Widerstands,
Fig. 5 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Trägerschichttemperatur
beim Aufdampfen und der Anisotropie
einer weiteren Legierung hinsichtlich des magnetischen
Widerstands,
Fig. 6 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Meßtemperatur
und der Anisotropie hinsichtlich des magnetischen
Widerstands,
Fig. 7 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Trägerschichttemperatur
beim Aufdampfen und der Ausgangsspannung,
Fig. 8 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Bildung
eines Ni-Co-Legierungssystems und der Mittelpunkts-
Potentialabweichung,
Fig. 9 schematisch und perspektivisch das Meßverfahren zur
Ermittlung der Mittelpunkts-Potentialabweichung,
Fig. 10 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Bildung
des Ni-Co-Legierungssystems und der Sättigungs-
Magnetostriktionskonstanten,
Fig. 11 in einem Diagramm eine Hysteresiskurve einer Ni-Co-
Legierung,
Fig. 12 in einem Diagramm die Hysteresiskurve einer anderen
Ni-Co-Legierung.
Im folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen hinsichtlich
ihres Prinzips und Aufbaus näher erläutert.
Durch die Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer
Legierung für ein magnetoresistives Element geschaffen, das
folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
Herstellen einer Trägerschicht für ein magnetoresistives
Element und Bilden einer Nickel-Kobalt-Legierungsschicht auf
der Trägerschicht bei einer Temperatur von mindestens 250°C,
so daß die Legierung eine geordnete Phase mit einer Superstruktur
besitzt und das Verhältnis der Nickel-Atome zu den
Kobalt-Atomen zwischen 40 : 60 und 60 : 40 liegt. Der Grund
dafür, daß das Verhältnis der Nickel-Atome zu den Kobalt-
Atomen in der Legierung (Ni-Co-Legierung) gemäß der Erfindung
auf den oben angegebenen Bereich beschränkt ist, wird
zunächst erläutert. Eine Ni-Co-Legierung, die weniger als 40 Ni-60 Co
enthält, weist ein niedrigeres Anisotropieverhältnis
Δρ/Δρo hinsichtlich des magnetischen Widerstands auf und
ist daher schwierig als magnetoresistives Element zu verwenden.
Eine Ni-Co-Legierung, die mehr Ni als entsprechend dem
Verhältnis 60 Ni-40 Co enthält, weist eine größere Magnetostriktionskonstante
und eine schlechtere Bruchfestigkeit
auf. Damit ist die Abweichung des Mittelpunktspotentials eines
derartigen Elements größer, wodurch die Wirkung der Erfindung
abgeschwächt ist.
Die Schichtdicken des Ni-Co-Legierungsfilmes gemäß der Erfindung,
der beispielsweise durch Vakuum-Aufdampfung auf der Trägerschicht
gebildet ist - liegt vorzugsweise unter 10 000 Å.
Der Grund hierfür liegt darin, daß bei einer Schichtdicke von
über 10 000 Å die Impedanz des Elements zu gering ist, wodurch
die Steuerleistung erhöht wird. Ein praktischer Bereich der
Schichtdicke liegt zwischen 1000 bis 3000 Å.
Die Trägerschichttemperatur bei der Bildung der Ni-Co-Legierung,
beispielsweise durch Vakuum-Aufdampfung, liegt zweckmäßig
im Bereich von 250°C bis 500°C und vorzugsweise im Bereich
von 300°C bis 500°C. Der Grund hierfür liegt darin, daß
bei einer Trägerschichttemperatur unterhalb von 250°C die Legierung
nicht die Superstruktur- bzw. Überbauphase besitzt und
daß daher der magnetische Widerstandseffekt gering ist. Oberhalb
des oben genannten Bereiches können Nachteile bei der Bearbeitung
der Trägerschicht auftreten, da die Trägerschicht
angeschmolzen oder beschädigt werden kann. Die benötigte Zeit,
um die Temperatur anzuheben oder abzusenken, würde die Bearbeitungseigenschaften
zur Herstellung des Elements verschlechtern.
Der Vakuum-Aufdampfprozeß gemäß der Erfindung wird praktisch
mit einer Geschwindigkeit von 20 bis 100 Å/s und vorzugsweise
mit einer Geschwindigkeit von 30 bis 80 Å/s ausgeführt. Dies
heißt, daß bei einer Geschwindigkeit unterhalb von 20 Å/s die
magnetische Sättigungseigenschaft des Elements schlechter ist
und daß bei einer Geschwindigkeit über 100 Å/s die Schwierigkeit
vorhanden ist, gleichmäßige Legierungsfilme bereitzustellen,
und ferner zeigen die Eigenschaften der Elemente die
Neigung, sich stärker zu ändern.
In Fig. 1 und 2 sind Photographien bzw. Abbildungen der
Elektronenstrahlbrechung zur Erläuterung der Erfindung dargestellt.
Dabei zeigt Fig. 1 ein Vergleichsbeispiel, das sich
auf eine 50 Ni-50 Co-Legierung bezieht, die durch Aufdampfen
im Vakuum bei einer Trägerschichttemperatur von 150°C abgelagert
worden ist. In Fig. 2 ist eine Ausführungsform der
Erfindung veranschaulicht, die die Ablagerung einer 50 Ni-50 Co-
Legierung im Vakuum durch Aufdampfen bei einer Trägerschichttemperatur
von 300°C betrifft. Aus Fig. 1 ist ein Brechungsmuster
der Ni-Co-Legierung mit einem typischen flächenzentrierten
Raumgitter (FCC) veranschaulicht, wobei der innerste
Brechungsring der Ebene (111) entspricht, während der nächste
Brechungsring der Ebene (200) entspricht, usw. Diese Tatsache
veranschaulicht, daß die Anordnung der Ni-Atome und
der Co-Atome in der Legierung gemäß Fig. 1 unregelmäßig ist,
was auch durch die nachstehende Beschreibung noch ersichtlich
werden wird. Andererseits kann aus Fig. 2 klar erkannt werden,
daß viele neue Brechungsringe und Punkte sowie das flächenzentrierte
Raumgitter FCC gemäß Fig. 1 vorhanden sind. Das in
Fig. 2 dargestellte Brechungsmuster zeigt demgemäß die
Struktur der 50 Ni-50 Co-Legierung gemäß der Erfindung auf der
Grundlage des flächenzentrierten Raumgitters FCC, und überdies
enthält die betreffende Legierung ein Gitter, das mehr
Brechungsebenen aufweist als das flächenzentrierte Raumgitter
FCC.
Infolge einer detaillierten Analyse bzw. Auswertung des
Brechungsmusters gemäß Fig. 2 hat sich demgemäß gezeigt, daß
die 50 Ni-50 Co-Legierung gemäß der Erfindung die in Fig. 3A dargestellte
Superstruktur bzw. den dort dargestellten Oberaufbau
besitzt. In Fig. 3 sind mit schwarzen Kreisen Co-Atome
und mit weißen Kreisen Ni-Atome angedeutet, wobei mit a, b
und c die Hauptgitterachsen bezeichnet sind. Mit M ist die
Länge des gegenphasigen Bereichs bezeichnet, und zwar gemessen
in der Einheit der Gitterkonstante der Grundzelle bzw.
ursprünglichen Zelle. Die Struktur gemäß Fig. 3A basiert auf
den an sich bekannten Superstrukturen bzw. Aufbauten von
CuAu des Typs I (Fig. 3B) oder von CuAU des Typs II (Fig. 3C).
Dies bedeutet, daß die Anordnung der Ni- und Co-Atome in der
herkömmlichen Ni-Co-Legierung unter dem vollständig unregelmäßigen
Zustand steht, daß allerdings die Ni-Co-Legierung
gemäß der Erfindung eine geordnete bzw. regelmäßige Phase besitzt,
die den Aufbau bzw. die Superstruktur auf der Grundlage
von CuAu I oder CuAu II besitzt. Aufgrund des Vorhandenseins
einer derartigen Superstruktur bzw. eines derartigen
Aufbaus weist das Element gemäß der Erfindung einen bemerkenswert
verbesserten magnetoresistiven Effekt im Vergleich zu den
herkömmlichen Elementen auf.
In Fig. 4 ist in einem Diagramm eine Beziehung zwischen der
Trägerschichttemperatur Ts und der Anisotropie Δρ/Δρo bezüglich
des magnetischen Widerstands veranschaulicht. Dabei wurden
Proben verwendet, die eine Legierungsschicht aus 50 Ni-50 Co
aufweisen, welche im Vakuum in einer Dicke von 2500 bis
3000 Å abgelagert worden war. In diesem Fall lag die Meßtemperatur
bei Zimmertemperatur (293 K) und bei 77 K, und
ein Magnetfeld von 159,2 kA/m wurde benutzt. Durch den in Fig. 4
schraffiert dargestellten Bereich ist ein Übergangsbereich
zwischen dem geordneten Zustand mit der Superstruktur und
dem regellosen Zustand der Anordnung der Ni- und Co-Atome
veranschaulicht. Die Anordnung der Ni- und Co-Atome befindet
sich im regellosen Zustand innerhalb eines Bereichs der Trägerschichttemperatur,
die unterhalb der des Übergangsbereichs
liegt. Die betreffende Anordnung der Atome befindet sich
aber im geordneten Zustand innerhalb des Bereichs einer
Trägerschichttemperatur, die höher ist als die des Übergangsbereichs.
Die betreffenden Atome befinden sich insbesondere
im Zustand starker Ordnung bei einer Trägerschichttemperatur
oberhalb von 523 K (250°C). In Fig. 4 ist die Tatsache veranschaulicht,
daß das Anisotropieverhältnis Δρ/Δρo bezüglich
des magnetischen Widerstands im Zustand der Regellosigkeit
relativ niedrig ist und stark ansteigt, wenn die Trägerschichttemperatur
von dem betreffenden Verhältnis aus ansteigt
oder um die Übergangstemperatur herum. Ferner geht
aus Fig. 4 hervor, daß das Verhältnis Δρ/Δρo beim höchsten
Wert im geordneten Zustand konstant wird oder in die Sättigung
gelangt. Wie aus Fig. 4 ferner hervorgeht, liegt der Wert
des Verhältnisses über dem gemessenen Wert in der Legierungsmenge,
wie dies von L. Smit in der Zeitschrift "Physica", XVI,
Nr. 6, 612 (1951), angegeben worden ist. Demgemäß dürfte verständlich
sein, daß die Ni-Co-Legierung, die die Superstruktur
bzw. den Aufbau im geordneten Zustand gemäß der
Erfindung besitzt, ein deutlich höheres Anisotropieverhältnis
Δρ/Δρo bezüglich des magnetischen Widerstands besitzt als
die herkömmliche Ni-Co-Legierung im nichtgeordneten bzw.
regellosen Zustand. Überdies zeigt ein Vergleich der Fig. 5
mit der Fig. 4, daß der Spitzenpunkt oder Sättigungspunkt
des Anisotropieverhältnisses bezüglich des magnetischen Widerstands
der Ni-Co-Legierung gemäß der Erfindung die Neigung
besitzt, generell sich zu Werten nach rechts in der Zeichnung
hin zu verschieben, wenn die Dicke der Ni-Co-Legierungsschichten
geringer ist als bei der oben beschriebenen Schicht.
In Fig. 6 ist die Temperaturabhängigkeit des Anisotrop-
Verhältnisses Δρ/Δρo bezüglich des magnetischen Widerstands
bei den in Fig. 4 angesetzten Proben entsprechenden Proben
für den geordneten Zustand (Trägerschichttemperatur Ts bei
der Vakuumaufdampfung: 561 K) und im regellosen Zustand
(Trägerschichttemperatur Ts bei der Vakuumaufdampfung: 419 K)
veranschaulicht. Auch aus diesen Daten ergibt sich, daß die
Anisotropie bezüglich des magnetischen Widerstands beim geordneten
Zustand gemäß der Erfindung über den gesamten Gebrauchstemperaturbereich
höher gehalten wird, und zwar insbesondere
bei der niederen Temperatur.
Fig. 7 zeigt in einem Diagramm eine Beziehung zwischen der
Trägerschichttemperatur Ts bei der Vakuumaufdampfung und der
Ausgangsspannung des magnetoresistiven Elements, welches den
Legierungsfilm aus 54 Ni-46 Co (entsprechend Fig. 5) aufweist.
Die für die Verwendung vorgesehenen Proben wurden dadurch
hergestellt, daß nach der Hochfrequenz-Schmelzung von
Ni und Co im gewünschten Verhältnis in der Ar-Gasatmosphäre
unter einem Druck von 1,013 × 10⁵ Pa das geschmolzene Gemisch in eine
Eisenform gegossen und daß die so gegossene Legierungsplatte
in eine Bandform für die Vakuumaufdampfung gebracht
wurde, indem ein Kaltwalzverfahren angewandt wurde. Die Trägerschicht
für die Vakuumaufdampfung war eine ebene Glasplatte
mit einer Dicke von 1 mm. Zur Durchführung des Überzugs-
Aufdampfungsverfahrens im Vakuum wurde das Widerstandsheizverfahren
unter Verwendung eines elektrischen Wolfram-Widerstands
benützt. Das Vakuum betrug 2,66 × 10-3 Pa. Die
Trägerschichttemperaturen beim Aufdampfen betrugen 150, 200,
250, 300 bzw. 350°C. Die Legierungsschichtdicke betrug etwa
1800 Å. Die Messungen wurden unter einer Steuergleichspannung
von 10 V vorgenommen, und die Magnetfelder betrugen 15,92
bzw. 159,2 kA/m. Wie aus Fig. 7 deutlich hervorgeht, nimmt die
Ausgangsspannung um die Trägerschichttemperatur von 250°C herum
stark zu, d. h. um die Übergangstemperatur zwischen dem geordneten
Zustand mit der Superstruktur und dem regellosen
bzw. unregelmäßigen Zustand. Obwohl die Trägerschichttemperaturen
in Fig. 7 in Richtung auf höhere Werte verschoben sind,
und zwar mit Rücksicht auf die Schichtdickendifferenz
im Vergleich zu der in Fig. 4 gezeigten Situation
veranschaulicht Fig. 7 jedoch in entsprechender
Weise die in Fig. 4 erkennbare Charakteristik. Dies
ergibt sich ohne weiteres daraus, daß
die Änderung der Ausgangsspannung im Verhältnis zu dem
Anisotropieverhältnis Δρ/Δρo bezüglich des magnetischen Widerstands
steht.
Die Ausgangsspannungen des Elements, in welchem ein Si-Substrat
verwendet wurde, sind in der nachstehenden Tabelle
aufgeführt. Die Messungen wurden unter einer Steuergleichspannung
von 10 V und einem Magnetfeld von 7,96 kA/m durchgeführt.
Ein Element mit einer Legierungsschicht aus 76 Ni-24 Co
wurde als Vergleichsbeispiel verwendet. Diese Schicht
wurde durch Anwendung eines Überzugaufdampfverfahrens im
Vakuum auf die Trägerschicht bei einer Temperatur von 250°C
abgelagert. Ein Element mit einer Legierungsschicht aus
54 Ni-46 Co wurde im Vakuum im Zuge eines Überzugaufdampfverfahrens
auf der Trägerschicht bei einer Trägerschichttemperatur
von 300°C abgelagert. Diese Legierungsschicht wurde als
Ausführungsform der Erfindung benutzt.
Aus der vorstehenden Tabelle geht hervor, daß die Abnahme der
Ausgangsspannung der 54 Ni-46 Co-Legierung gemäß der Erfindung
geringer ist als bei der herkömmlichen 76 Ni-24 Co-Legierung
mit dem höchsten Anisotropieverhältnis Δρ/Δρo hinsichtlich des
magnetischen Widerstands. Der Abfall der Ausgangsspannung der
Legierung gemäß der Erfindung ruft in der Praxis nahezu kein
Problem hervor. Dies dürfte ohne weiteres aus der Tatsache
heraus zu verstehen sein, daß das Anisotropieverhältnis Δρ/Δρo
bezüglich des magnetischen Widerstands und die Ausgangsspannung
des Elements deutlich durch einen solchen Aufbau
des Elements verbessert sind, wie dies für die Erfindung
gemäß Fig. 4 und 7 zutrifft.
Fig. 8 zeigt in einem Diagramm eine Beziehung zwischen den
Zusammensetzungen von Ni-Co-Legierungen und den Mittelpunkts-
Potentialabweichungen der Elemente. Die Messung bezüglich der
Mittelpunkts-Potentialabweichung wurde in der aus Fig. 9 ersichtlichen
Weise vorgenommen. Dabei wurde ein magnetoresistives
Element verwendet, welches eine Isolations-Trägerschicht,
einen ersten, einen stromleitenden ferromagnetischen
Metallfilmstreifen auf der Trägerschicht, der eine Stromleitfähigkeit
hauptsächlich in einer Richtung besitzt, und einen
zweiten stromleitenden ferromagnetischen Metallfilmstreifen
auf der Trägerschicht mit einer Stromleiteigenschaft, die
hauptsächlich in einer weitgehend rechtwinklig zu der genannten
einen Richtung verlaufenden Richtung verläuft, aufweist.
Dabei sind die ersten Enden der Streifen miteinander verbunden.
Ein Stromeingangsanschluß ist mit den gegenüberliegenden
Enden der Streifen verbunden, und ein Ausgangsanschluß ist
mit dem Verbindungspunkt zwischen den beiden Streifen verbunden.
Das Probenelement 1 mit einer Abmessung von
5 · 3 · 1 mm³ wurde auf einer Trägerplatte 2 mit einem Spalt
von 4 mm aufgebracht. Ein Gewicht 3 von 1000 g und einer
Gewichtsfläche von 2,5 mm ⌀wurde auf das Element aufgesetzt.
Die Mittelpunkts-Potentialabweichung des Elements, d. h. die
Ausgangsspannung an einem Ausgangsanschluß 6, wurde mittels
einer externen Widerstandsbrücke unter der Belastung durch
das Gewicht 3 gemessen. Dabei wurden 22 Arten von Legierungszusammensetzungen
verwendet, die aus dem Bereich von
40 Ni-60 Co bis 81 Ni-19 Co ausgewählt waren. Legierungen mit
einer außerhalb des angegebenen Bereichs liegenden Zusammensetzung
wurden aus der Messung herausgenommen, und zwar aufgrund
der abrupten Abnahme ihres Anisotropieeffekts bezüglich
des magnetischen Widerstands. Proben waren die Legierungen
für die Vakuumaufdampfung, welche Legierungen in derselben
Weise hergestellt wurden, wie dies oben unter Bezugnahme auf
Fig. 7 beschrieben worden ist. Ferner wurden ebene Glasplatten
mit einer Dicke von 1 mm als Trägerschichten für den im
Vakuum aufgebrachten Aufdampfüberzug verwendet. Das Widerstandsheizverfahren
unter der Verwendung eines elektrischen
Wolframwiderstands wurde im Zuge der Durchführung des Vakuum-
Aufdampfüberzugverfahrens benutzt. In diesem Fall betrug das
Vakuum 1,33 × 10-3 Pa, die Trägerschichttemperatur betrug 250°C,
und die mittlere Überzugsgeschwindigkeit lag bei 2500 Å/min,
wobei die Abkühlungsgeschwindigkeit 1,5 bis 2,0 K/min betrug.
Ein Probenstück 5 des magnetoresistiven Elements enthielt
ein Muster mit drei Anschlüssen, nämlich einem Ausgangsanschluß
6 und Stromspeisungsanschlüssen 7 und 8. Das
Muster 5 hatte einen Elektrodenteil mit einer großen Fläche.
Ein Photolack wurde als Maske für die Herstellung des Musters
verwendet (als Photolack wurde ein Lack mit der Handelsbezeichnung
OFPR verwendet). Ferner wurde zur Herstellung des
Musters als Ätzmittel eine Mischung aus konzentrierter HNO₃
und H₂O verwendet (konzentrierte HNO₃ : H₂O = 1 : 4). Um die
Trägerschicht 4 zu schneiden, wurde ein Diamantschneider verwendet.
Die Aluminiumschichtdicke betrug selektiv etwa 2500 Å,
bei der die Dickenabhängigkeit der Magnetwiderstands-Anisotropie
unberücksichtigt bleiben konnte.
In Fig. 8 ist klar gezeigt, daß der Verformungseffekt (Mittelpunkts-
Potentialabweichung) bei der Zusammensetzung von
etwa 54 Ni-46 Co Null wird. Aus einem weiteren experimentellen
Ergebnis (hier nicht beschrieben) hat sich ferner gezeigt,
daß der Nullpunkt des Verformungseffekts unabhängig von der
Trägerschichttemperatur ist. Die Mittelpunkts-Potentialabweichung
des Elementes mit einer Legierungsschicht, die mehr
Ni enthält als 54 Ni-46 Co, zeigt negative Werte, wobei der
jeweilige absolute Wert nahezu linear mit zunehmendem Ni-Gehalt
zunimmt. Andererseits weist die Mittelpunkts-Potentialabweichung
des Elements mit einer Legierungsschicht, die
weniger Ni enthält als 54 Ni-46 Co, positive Werte auf, wobei
die Werte allmählich mit abnehmendem Ni-Gehalt zunehmen und
schließlich bei der Zusammensetzung von 40 Ni-60 Co in die
Sättigung gelangen. Ein negativer Wert von -Δ V der Abweichung,
dessen absoluter Wert gleich dem Sättigungswert Δ V der Abweichung
etwa der 50 Ni-60 Co-Legierung ist, wird bei der Zusammensetzung
von 60 Ni-40 Co erhalten. Daraus ergibt sich,
daß die Zusammensetzungen der Ni im Bereich von 40 bis
60 Atomprozent enthaltenden Legierungen unerläßlich sind
für die Legierung gemäß der Erfindung, um die Magnetwiderstands-
Anisotropie hochzuhalten und um die Mittelpunkts-
Potentialabweichung innerhalb des gewünschten Bereichs (-Δ V
bis Δ V) klein zu halten. Aus Fig. 8 dürfte ersichtlich sein,
daß die Mittelpunkts-Potentialabweichung der Legierung von
40 Ni-60 Co deutlich kleiner ist als die der herkömmlichen
Legierung von 76 Ni-24 Co. Der Grund hierfür wird
durch die Tatsache gestützt, daß die Legierung mit einer
Zusammensetzung im Bereich von 40 Ni-60 Co bis 60 Ni-40 Co gemäß
der Erfindung eine kleine Magnetostriktionskonstante besitzt
und daß die Bruchfestigkeit des Elements verbessert ist.
Fig. 10 zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Zusammensetzung
des Legierungssystems von der Sättigungs-Magnetostriktionskonstanten,
wie sie von R. M. Bozorth in "Ferromagnetism",
Seite 673 (1951), D. Van Nostrand Company, Inc.,
New York, angegeben worden ist. Die Kurve in Fig. 10 ist der
in Fig. 8 gezeigten Kurve äußerst ähnlich, woraufhin ermittelt
worden ist, daß eine enge Beziehung zwischen dem
Verformungseffekt und der Sättigungs-Magnetostriktionskonstanten
vorhanden zu sein scheint.
Die Magnetostriktion stellt ein Phänomen dar, gemäß dem die
äußere Form eines ferromagnetischen Materials verformt wird,
wenn das Material magnetisiert wird. Wenn man annimmt, daß l₀
das Material im entmagnetisierten Zustand eine Länge von l₀
besitzt und eine Verlängerung des in die Sättigung magnetisierten
Materials mit Δ l bezeichnet wird, dann ist die
Sättigungs-Magnetostriktion definiert als λ s=Δ l/l₀, wobei
λ s als Sättigungs-Magnetostriktionskonstante bezeichnet wird.
Diese Konstante λ s weist einen positiven Wert auf, d. h., daß
λ s<0 ist, wenn die Verlängerungsrichtung parallel zu der
Magnetisierungsrichtung verläuft; die betreffende Konstante
weist einen negativen Wert auf, was bedeutet, daß λ s<0 ist,
wenn die Verlängerungsrichtung senkrecht zu der Magnetisierungsrichtung
verläuft und wenn das Material in der Magnetisierungsrichtung
zusammenschrumpft. Wenn demgegenüber eine
Kraft bzw. Spanung auf das Material ausgeübt wird, wird die
Magnetisierungsrichtung jedes magnetischen Bereichs dieses
Materials durch die resultierende Beanspruchung geändert.
In dem Fall, daß das Material durch eine Dehnungsspannung
verlängert wird und λ s positiv ist (λ s<0), wird die
Magnetisierung jedes magnetischen Bereichs parallel zu der Belastung
verändert, und wenn λ s negativ ist (λ s<0), dann ändert sich
die Magnetisierung senkrecht zu der Beanspruchung. Diese
Änderungen in der Magnetisierungsrichtung treten in jedem
magnetischen Bereich auf, wobei die positiven Magnetisierungen
und die negativen Magnetisierungen einander äquivalent
sind. Deshalb erscheint die Magnetisierung nicht immer als
Gesamtheit im Zustand vollständiger Entmagnetisierung. Wenn
das Material einer Druckbeanspruchung ausgesetzt wird, und
zwar in positiver bzw. negativer Richtung, dann kehrt sich
die Magnetisierung im Vergleich zu der obigen Spannungsbeanspruchung
um. Sogar dann, wenn die Magnetisierung in dem
Material nicht durch die Beanspruchung erzeugt wird, hängt
der Magnetwiderstands-Anisotropieeffekt von dem Winkel der
Magnetsierungsrichtung ab, wobei die Stromrichtung durch
die Änderung der Magnetisierungsrichtung des jeweiligen
magnetischen Bereichs beeinflußt wird (außerdem sind in diesem
Fall die positive Magnetisierung und die negative Magnetisierung
einander gleichwertig). Wenn demgemäß ein Material,
welches eine das Material deformierende Magnetostriktion besitzt,
einer äußeren Belastung ausgesetzt wird, dann wird
die Magnetisierungsrichtung des jeweiligen magnetischen
Bereichs generell durch die Magnetostriktion geändert, und
außerdem wird der elektrische Widerstand im allgemeinen aufgrund
des Magnetwiderstands-Anisotropieeffekts geändert. Wenn
demgemäß ein Material mit geringer Magnetostriktion gemäß der
Erfindung für ein magnetoresistives Element auf der Grundlage
der Ergebnisse gemäß Fig. 8 und 10 ausgewählt wird, dann
können die Nachteile aufgrund des oben erwähnten Effekts bei
einem derartigen Element klar vermieden werden. Mit anderen
Worten ausgedrückt heißt dies, daß dann, wenn ein magnetoresistives
Element aus einem Material hergestellt wird, welches
die geringe Magnetostriktion gemäß der Erfindung aufweist,
ein eine Zerbrechungsfestigkeit besitzendes Element
erhalten werden kann, welches durch die Belastung der
Trägerschicht nicht beeinflußt wird.
Fig. 11 und 12 zeigen die Sättigungscharakteristiken der
Ausgangsspannung des magnetoresistiven Elements. Fig. 11
zeigt dabei ein Vergleichsbeispiel der herkömmlichen
76 Ni-24 Co-Zusammensetzung, und Fig. 12 zeigt eine Ausführungsform
der 54 Ni-46 Co-Zusammensetzung gemäß der Erfindung.
In diesen Fällen beträgt die Steuergleichspannung 10 V.
Bei einem durch Aufdampfen aufgebrachten Film unterscheidet
sich das abgelagerte Schichtmaterial im allgemeinen
von dem Trägerschichtmaterial, weshalb eine im Zuge
der langsamen Abkühlung infolge des Unterschieds zwischen
den Wärmeausdehnungskoeffizienten hervorgerufene Beanspruchung
von der niedergeschlagenen Schicht absorbiert wird. Dabei
existiert ein Fall, daß die innere Spannung der betreffenden
Schicht die Bruchspannung der Schicht hervorruft. Je stärker
das Anhaften zwischen der Trägerschicht und der Filmoberfläche
bzw. Schichtoberfläche ist, umso niedriger ist die
absorbierte Spannung in der Grenzfläche zwischen den beiden
Schichten und umso höher ist die akkumulierte Spannung in
der Filmschicht. Demgemäß neigt die akkumulierte Spannung
in der Filmschicht dazu anzusteigen, wenn der Unterschied
zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Substrats und
der Filmschicht größer wird und wenn die Haftfestigkeit
zwischen den betreffenden Schichten größer wird. Die sich so
ergebende innere Spannung in dem Film ruft die Magnetostriktionsenergie
hervor und beeinflußt die magnetische
Eigenschaft des Films. Andererseits ist das die Sättigungseigenschaft
eines magnetoresistiven Elements bestimmende
Sättigungs-Magnetfeld als äußeres Magnetfeld definiert,
welches erforderlich ist, um die Magnetisierungsrichtung
jedes magnetischen Bereichs in der Magnetfeldrichtung gleich
zu machen. Das Sättigungs-Magnetfeld ist durch ein Magnetfeld
bestimmt, welches die Entmagnetisierungsfeldenergie
in Abhängigkeit vom Verhältnis der Breite zur Länge des
Streifenmusters des Elements überwindet. Wenn jedoch ein
weiterer Zustand des im Vakuum aufgedampften Überzugs oder
eine andere Art von Trägerschicht verwendet wird, dann
existiert eine größere Möglichkeit dafür, daß die Sättigungseigenschaft
eines derartigen Elements infolge der Magnetostriktionsenergie
beeinträchtigt wird.
Wie aus Fig. 11 und 12 hervorgeht, liegt das Sättigungs-
Magnetfeld des Elementes mit der herkömmlichen Zusammensetzung
über 200 Oe; dieser Wert ist wesentlich höher als
der gemäß der Erfindung. Da die Bedingungen bezüglich des im
Vakuum aufgedampften Überzugs und bezüglich der Art der Trägerschicht
des Elements in Fig. 11 und in Fig. 12 gleich
sind, basiert der oben aufgezeigte Unterschied bezüglich des
Sättigungs-Magnetfeldes klar auf der Magnetostriktionskonstanten.
Damit kann angenommen werden, daß die Magnetostriktionsenergie,
d. h. das äquivalente Magnetfeld, die
Sättigungseigenschaft des Elements beeinflußt. Andererseits
zeigen die Fig. 11 und 12, daß die Hysteresis des Elementes
mit der herkömmlichen Zusammensetzung wesentlich größer ist
als jene der Zusammensetzung gemäß der Erfindung. Die
Hysteresis hängt von der Energie und Beweglichkeit der
magnetischen Bereichswände ab. Die Energie der magnetischen
Bereichswände steht außerdem in dichter Beziehung zu der
Magnetostriktionsenergie. Die Beweglichkeit der magnetischen
Bereichswände steht im übrigen in Beziehung zu der Magnetostriktionsenergie,
und zwar durch die Verteilung der inneren
Spannung. Demgemäß ist die Hysteresis des Elements mit der
Zusammensetzung, die eine kleine Magnetostriktionskonstante
besitzt, natürlich klein. Daneben ist bei dem herkömmlichen
magnetoresistiven Element die Sättigungseigenschaft relativ
schlecht, und die Hysteresis innerhalb der Elementmengen und
zwischen den Elementmengen weicht erheblich voneinander ab.
Dies wird als natürliches Ergebnis mit Rücksicht auf die Art
und Weise der Akkumulation der Magnetostriktionsenergie angenommen,
d. h., daß die inneren Spannungen innerhalb der
Elementmengen und zwischen den Elementmengen nicht als
einander gleich angenommen werden. Außerdem folgt hieraus,
daß die Zusammensetzung mit der kleinen Magnetostriktionskonstante
gemäß der Erfindung von Vorteil ist.
Wie oben beschrieben, weist die Legierung gemäß der Erfindung
eine geordnete Phase mit einer Superstruktur auf, wobei die
Zusammensetzung im Bereich von 40 Ni-60 Co bis 60 Ni-40 Co liegt.
Diese Zusammensetzung wird auf der Trägerschicht bei einer
Trägerschichttemperatur von mehr als 250°C abgelagert, was
dazu führt, daß die Magnetostriktionskonstante des Elements
einen bemerkenswerten kleinen Wert besitzt. Damit kann ein
magnetoresistives Element bzw. ein Magnetwiderstandselement
bereitgestellt werden, welches eine gute Zerbrechungsfestigkeit
und eine gute Sättigungseigenschaft sowie eine geringe
Eigenschaftsschwankung besitzt und das in keinerlei Hinsicht
gegenüber dem herkömmlichen magnetoresistiven Element hinsichtich
des Magnetwiderstands-Anisotropieeffekts und der
Ausgangsspannung unterlegen ist.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven
Elements, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Schicht auf ein Trägermaterial aufgedampft wird,
in welcher die Anzahlen der Nickelatome und Kobaltatome
innerhalb eines Bereichs von 40 : 60 bis 60 : 40 liegen,
wobei ein Trägermaterial ausgewählt wird, dessen Ausdehnungskoeffizient
dem der Ni-Co-Schicht weitgehend entspricht
und durch das eine zu hohe Haftung der Ni-Co-Schicht
vermieden wird, wobei das Trägermaterial auf
mindestens 250°C erwärmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
als Trägermaterial Glas verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ni-Co-Schicht auf dem Trägermaterial bei einer
Temperatur des Trägermaterials von 250 bis 500°C, vorzugsweise
300 bis 500°C, aufgedampft wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ni-Co-Schicht mit einer Dicke von weniger 10 000 Å,
vorzugsweise mit einer Dicke im Bereich von 1000 bis 3000 Å
aufgedampft wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ni-Co-Schicht auf das Trägermaterial mit einer
Geschwindigkeit von 20 bis 100 Å/s, vorzugsweise einer
Geschwindigkeit von 40 bis 80 Å/s aufgedampft wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Anzahlen der Ni-Atome und der Co-Atome zu 54 : 46
gewählt sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53022626A JPS5823453B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 磁電変換素子用合金及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2848141A1 DE2848141A1 (de) | 1979-08-30 |
DE2848141C2 true DE2848141C2 (de) | 1988-05-11 |
Family
ID=12088030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782848141 Granted DE2848141A1 (de) | 1978-02-27 | 1978-11-06 | Legierung fuer ein magnetoresistives element und verfahren zur herstellung einer solchen legierung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4212688A (de) |
JP (1) | JPS5823453B2 (de) |
CA (1) | CA1105743A (de) |
DE (1) | DE2848141A1 (de) |
FR (1) | FR2418274A1 (de) |
GB (1) | GB2015571B (de) |
NL (1) | NL7811024A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3020277A1 (de) * | 1980-05-28 | 1981-12-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verwendung von nickel-kobalt-sinterwerkstoffen fuer elektrische relais-kontakte |
JPS58135688A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗素子の製造方法 |
US4476454A (en) * | 1983-06-30 | 1984-10-09 | International Business Machines Corporation | New magnetoresistive materials |
JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
US4873605A (en) * | 1986-03-03 | 1989-10-10 | Innovex, Inc. | Magnetic treatment of ferromagnetic materials |
JPS6359063A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-14 | Ricoh Co Ltd | 文書作成装置 |
JPS63118041A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Sankin Kogyo Kk | 抗菌性合金 |
US6144544A (en) * | 1996-10-01 | 2000-11-07 | Milov; Vladimir N. | Apparatus and method for material treatment using a magnetic field |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1342993A (en) * | 1915-11-22 | 1920-06-08 | Gen Electric | Alloy |
JPS575067B2 (de) * | 1973-07-13 | 1982-01-28 | ||
JPS51125639A (en) * | 1974-12-20 | 1976-11-02 | Sony Corp | Process for preparing regularly combined metal |
-
1978
- 1978-02-27 JP JP53022626A patent/JPS5823453B2/ja not_active Expired
- 1978-10-30 CA CA314,934A patent/CA1105743A/en not_active Expired
- 1978-11-01 US US05/956,672 patent/US4212688A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-11-03 GB GB7843155A patent/GB2015571B/en not_active Expired
- 1978-11-06 NL NL7811024A patent/NL7811024A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-11-06 DE DE19782848141 patent/DE2848141A1/de active Granted
- 1978-11-06 FR FR7831376A patent/FR2418274A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2418274A1 (fr) | 1979-09-21 |
DE2848141A1 (de) | 1979-08-30 |
FR2418274B1 (de) | 1982-07-09 |
US4212688A (en) | 1980-07-15 |
NL7811024A (nl) | 1979-08-29 |
CA1105743A (en) | 1981-07-28 |
GB2015571A (en) | 1979-09-12 |
GB2015571B (en) | 1982-04-28 |
JPS5823453B2 (ja) | 1983-05-16 |
JPS54114427A (en) | 1979-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69132804T2 (de) | Magnetwiderstandseffekt-element | |
DE69404267T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistives Material enthaltenden Gegenstands | |
DE69106334T2 (de) | Mehrsicht Film mit magnetoresistiven Effekt und magnetoresitives Element. | |
DE60026892T2 (de) | Verfahren zum Behandeln eines dünnen und zerbrechlichen Metallbandes und aus einem nanokristallinen Legierungsband hergestellte magnetische Werkstücke | |
DE3518864C2 (de) | ||
DE3905625C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Magnetkopfes | |
DE4408274C2 (de) | Magnetoresistenzeffekt-Element | |
DE69219936T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element | |
DE2165052B2 (de) | Verwendung einer legierung auf eisen-chrom-kobalt-basis zur herstellung von dauermagneten | |
DE3650621T2 (de) | Supraleiter für Magnetfeldabschirmung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE68921856T2 (de) | Weichmagnetische auf Fe-basierende Legierung. | |
DE112018008152T5 (de) | Seltenerdmagnet, Seltenerd-Sputtermagnet, Seltenerddiffusionsmagnet und Verfahren zur Herstellung | |
DE2719731A1 (de) | Mehrschichtschaltung | |
DE3443601A1 (de) | Magnetaufzeichnungsmedium | |
DE2848141C2 (de) | ||
DE3737266C2 (de) | Weichmagnetischer Dünnfilm | |
DE3032708C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Magnetfeld-Sensors | |
DE69211438T2 (de) | Magnetoresistant-Effekt Element | |
DE69820937T2 (de) | Kriechfreier Folien Dehnungsmesstreifen durch Füllstoffanteil und Umkehrstellenverhältnis | |
DE19744348A1 (de) | Magnetisches Speichermedium und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69406169T2 (de) | Mechanischer Sensor | |
DE2342886C3 (de) | Magnetische Dünnschichtanordnung zum Verarbeiten von binär codierten Daten durch Verschieben von Zylinderdomänen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2720410A1 (de) | Dehnungsmesstreifen sowie cermet und verfahren fuer dessen herstellung | |
DE3627213C2 (de) | ||
DE69618517T2 (de) | Dünne magnetische Filme und ihre Verwendungen in Magnetdünnschichtelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |