DE2702531A1 - Analoge signalverarbeitungsvorrichtung - Google Patents
Analoge signalverarbeitungsvorrichtungInfo
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Description
MANITZ. FINSTERWALD & CRÄMKOW
^ München, den 21.1.1977 P/3/Wr-N 2108
NORTHERN TELECOH LIMITED 1600 Dorchester Blvd., Vest
Montreal, Quebec, Canada
Analoge Signalverarbeitungsvorrichtung
Die Erfindung betrifft eine analoge Signalverarbeitungsvorrichtung,
die insbesondere für eine Anwendung als programmierbarer Kreuzkorrelator oder Transversalfilter geeignet ist und
in einer integrierten Metalloxid-Silicium-Halbleiterstruktur
(MOS-Halbleiferstruktur) verwirklicht werden kann.
Der allgemeine Bereich der diskreten Analogsignalverarbeitung
wurde übersichtsmäßig von Dennis D. Buss und Walter H. Bailey in einem Aufsatz mit dem Titel "Applications of Charge Transfer
Devices to Analog Signal Processing" zusammengestellt, der 1974- in den IEEE Inter-Con Technical Papers der Tagungsgruppe
9 mit dem Titel "CCDs in Analog Signal Processing, Paper 9/1"
veröffentlicht wurde. Unter anderen Schaltkreisen diskutieren die Autoren ein typisches Transversalfilter. Bei dieser Ausführungsform
werden die abgetasteten (sampled) Analogsignale verzögert, beispielsweise in einer aus einer ladungsgekoppelten
Schaltung (CCD) bestehenden Verzögerungsleitung, und die unter-
(ONCHEN 22. ROBERT-KOCH-STRASSE I 7 STUTTGART SO (BAD CANNSTATT» MÖNCHEN. KONTO-NUMMER 727O
.(089)22 42 11. TELEX 5-29672PATMF SEELBERCSTR. 23/25.-ΓΕ^«^ΖΙΟ5(^72 61 POSTSCHECK : MÖNCHEN 7 7 06 2 - SOS
""" WL ™™
schiedlich verzögerten Signale werden mit verschiedenen Abgriffs-Gewichten bzw. Anschluß-Gewichtungen (tap weights)
multipliziert und summiert, um die Filterwirkung zu erzielen. In der beschriebenen Struktur bzw. Anordnung bewegen
sich die verzögerten Analogsignale bezüglich der Anordnung während die Abgriffs-Gewichte an festen Punkten in der Anordnung
angelegt werden.
Eine Ausführungsfcrm einer solchen Anordnung wird von Donald R. Lampe und anderen in einem Aufsatz mit dem Titel
"An Electrically-Reprogrammable Analog Transversal Filter" beschrieben, der 1974· im Zusammenhang mit der IEEE International
Solid-State Circuits Tagung, Tagungsgruppe XIII, mit dem Titel "Charge-Coupled Devices and Applications",
Paper 13,6 veröffentlicht wurde. In dieser Anordnung werden die analogen Abgriffs-Gewichtungen dadurch gespeichert, daß
man den CCD-Prozess mit den Metall-Nitrid-OxLd-Silicium-Prozessen
(MNOS-Prozessen) verbindet.
Eine alternative Ausführungsform eines Transversalfilter wird von J. J. Tiemann u. a. in einem Aufsatz mit dem
Titel "Intracell Charge-Transfer Structures for Signal
Processing" beschrieben, der in IE-RE Transactions on Electron Devices, Band ED-21, Hr. 5, vom Mai 1974- auf
den Seiten 300-508 erschienen ist. In dieser Anordnung
findet die Relativbewegung durch die Abgriffs-Gewichtungen
statt, die sich an den gespeicherten Analogsignalen entlang bewegen, statt umgekehrt wie in der von Lampe u. a. beschriebenen
Anordnung. Das Analogsignal wird periodisch abgetastet und als Ladung in einer von zwei Oberflächen-Potentialwannen
(potential wells) gespeichert. Die Ladung wird zwischen den Potentialwannen hin und her "gespült",
wobei sie in einer Potentialwanne untergebracht wird, um eine binäre Abgriffs-Gewichtung "1" zu kennzeichnen und in
der anderen Potentialwanne?um eine binäre Abgriffs-Gewichtung
"0" zu kennzeichnen. Die Ladungen in der Potentialwanne mit
der Abgriffsgewichtung "1" werden mittels eines Verfahrens
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mit schwimmender Elektrode (Floating electrode) abgetastet bzw. gemessen.
Da in der Struktur nach Tiemann und anderen die Größe der Oberflächenladung erfaßt wird, wirkt ein Kreuzmodulationseffekt
zwischen den Signalen störend, wenn eine Spannungserfassung mit schwimmendem Gatter (floating gate voltage
sensing) verwendet wird. Zusätzlich weist die Gesamtkapazität der Erfassungs- oder Abtastelektrode gegen Erde
eine durch die Sperrschichtkapazität verursachte Nichtlinearität auf. Mit großer kapazitiver Belastung können
solche Kreuzmodulations- und Nichtlinearitätseffekte durch eine äußere lineare Kapazität unterdrückt werden.
Dadurch wird jedoch die Ausgangssignal-Amplitude und damit das Signal/Rauschverhältnis herabgesetzt.
Es hat sich herausgestellt, daß durch Benutzung einer neuartigen Struktur, die einen schwimmenden Abfrageknoten
(floating sensing node) für die Oberflächenspannung statt für die Oberflächenladung ergibt, die Wirkungen der
Signalwechselwirkung (d. h. Kreuzmodulation), die von der Nicht linearität und der sich ändernden Versetzung des Ausgangssignals
bei einem Analogsignalverarbeitungsvorgang herrühren, ausgeschaltet werden können. Die der gegenwärtigen
Erfindung zugrunde liegende Struktur ist in ihrer Wirkung ähnlich der von Tiemann u. a. und zwar dadurch, daß
die Abgriffsgewientungen bezüglich des Analogsignals bewegt
werden, aber sie unterscheidet sich darin, daß statt der Oberflächenladung die Oberflächenspannung erfaßt wird,und
sie kann schließlich mit verschiedenen anderen Techniken als der CCD-Technik verwirklicht werden.
So wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Analogsignalverarbeitung
sanordnung geschaffen, die eine Vielzahl von Ladungsspeicherelementen umfaßt, die jeweils eine Eingangs-
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signalelektrode und eine Ausgangsabtastelektrode aufweisen,
wobei die Eingangssignalelektroden voneinander getrennt und die Ausgangserfassungselektroden miteinander verbunden sind.
Die Verarbeitungsanordnung umschließt eine gemeinsame Elektrode und eine Steuereinrichtung zum anfänglichen Ankoppeln der Eingangssignalelektroden
an eine erste Vergleichsspannungsquelle und der Ausgangserfassungselektroden hat eine zweite Vergleichspannungsquelle, um die Elektroden in Bezug auf die
gemeinsame Elektrode auf ein festes Potential zu bringen. Danach unterbricht die Steuereinrichtung die Verbindungen
zu der zweiten VergleichsSpannungsquelle und verbindet die
erfaßten Analogsignal-Potentialquellen einzeln mit ausgewählten
Eingangssignalelektroden, um die Ladungen der Speicherelemente so zu ändern, daß an den Ausgangserfassungselektroden
eine Ausgangssignalspannung abgeleitet wird, die eine Funktion der Größe der erfaßten Analogsignalpotentiale und der ausgewählten
Verbindungen der Quellen mit den Eingangssignalelektroden
ist.
In einer bevorzugten Ausführung wird die Erfindung unter
Benutzung einer Einfach/ (single level) MOS-Technologie ausgeführt,
wodurch die Ladung durch elektronische Daten manipuliert und an der Oberfläche des Halbleiter-Substrates
gespeichert wird.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert, in welcher zeigt:
Figur 1 ein schematisches Schaltbild einer erfindungsgemäßen
3-Modulanalogsignalverarbeitungsanordnung,
Figur 2 eine bildliche Darstellung eines einzelnen im Schema-Schaltbild
Figur 1 dargestellten Moduls, unter Benutzung der Einf achtorniveau-MOS-Technologie hergestellt,
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Figur 3 eine 2 χ 3-Matrix von Modulen nach Figur 2
zusammen mit der zugehörigen Steuerschaltung, die die Grundlage für ein programmierbares Transversalfilter unter Benutzung von Halbleiter-Technologie bildet, und
zusammen mit der zugehörigen Steuerschaltung, die die Grundlage für ein programmierbares Transversalfilter unter Benutzung von Halbleiter-Technologie bildet, und
Figur 4 typische Takt-Wellenzüge,die zur Steuerung des
in Figur 3 dargestellten vereinfachten programmierbaren
Transversalfilters benutzt werden.
In der folgenden, ins einzelne gehenden Beschreibung der
beispielsweise dargestellten Ausführungen sind grundsätzliche Hinweiszeichen einzelnen Elementen zugeordnet. Wenn es notwendig ist, zwischen sich wiederholenden Elementen in einer Zeile oder einer Spalte zu unterscheiden werden den grundsätzlichen Hinweiszeichen zusätzliche Hinweiszeichen oder
Ziffern hinzugefügt. Im allgemeinen wird nur auf die grundsätzlichen Hinweiszeichen bezug genommen.
beispielsweise dargestellten Ausführungen sind grundsätzliche Hinweiszeichen einzelnen Elementen zugeordnet. Wenn es notwendig ist, zwischen sich wiederholenden Elementen in einer Zeile oder einer Spalte zu unterscheiden werden den grundsätzlichen Hinweiszeichen zusätzliche Hinweiszeichen oder
Ziffern hinzugefügt. Im allgemeinen wird nur auf die grundsätzlichen Hinweiszeichen bezug genommen.
In Figur 1 umfaßt die Grundschaltung der drei Modulen A, B und C
der Analogsignalverarbeitungsanordnung drei Ladungsspeicherelemente
oder Kondensatoren C , C, und C , die jeweils eine
el O O
getrennte Eingangssignalelektrode E , E, bzw. E und eine
3. D C
gemeinsame Ausgangserfassungselektrode EQ besitzen. Analoge
Signalspannungen von den erfaßten Analogsignal-Potentialquellen V , V , und V können mittels getrennter Schalter
S3. SD SC
W. , W., und W- mit den jeweiligen Eingangselektroden E ,
E, und ΕΛ der Kondensatoren C , C, und C„ verbunden werden.
dc a ο c
Alternativ kann eine Vergleichsspannungsquelle VR mit jeder
der Eingangselektroden E , E, und E der Kondensatoren C , C-.
SL D C cL D
oder C mittels der Schalter w"oa» W0^ bzw. WQC verbunden
werden.
werden.
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Jo —
Eine weitere Vergleichspannungsquelle Vp kann mit der
Ausgangserfassungselektrode E0 mittels eines Schalters Wp verbunden werden. Der Kondensator CL steht für irgendwelche
zusätzliche Streukapazität , die zwischen der gemeinsamen Ausgangselektrode EQ und der gemeinsamen oder Erdelektrode
E vorhanden ist.
In Betrieb schließen vorprogrammierte, in dieser Figur nicht
angezeigte Steuereinrichtungen zeitwilig den Schalter VL1,
um die gemeinsame Ausgangselektrode EQ auf das feste Potential
V-p zu bringen. Dadurch ergibt sich eine Löschwirkung. Zur
Zeit des Löschens werden alle Schalter W~ geschlossen und
alle Schalter VL offengehalten, damit die jeweiligen Signalknoten
E , E, und E auf dem Vergleichspotential Vn gehalten
werden, das z. B. Erdpotential sein kann. Danach erfolgt die Erfassungs-Betätigung. Mit bezug auf das linke Modul, wird
für eine binäre Abgriffsgewichtung "O" der Schalter W ge-
oa
schlossen und der Schalter W^, geöffnet und kein Wechsel in
der Spannung des Signalknotens E verursacht. Deshalb wird
et
auch kein Wechsel in der Ausgangsspannung VQ des (schwimmenden)
Erfassungsknoten EQ erzeugt. Bei einer binären Abgriffsgewichtung
"1" wird andererseits der Schalter Wq geöffnet und der Schalter W, geschlossen, womit die Spannung des Signalknotens
E von ΥΏ nach V geändert wird. Der (schwimmende)
cL xl Sei
Erfassungsknoten EQ empfängt deshalb eine kapazitive Spannungswirkung, die proportional zur Differenz zwischen der Vergleichsspannung
VD und der Signalspannung V ist. Die Aus-
■ti Set
gangsspannung VQ beträgt, wenn das kapazitive Speicherelement
C eine Abgriffsgewichtung "1" erhält und alle anderen Aba
griffsgewichtungen "O" sind:
V0 - VP +
<Vsa - V §
wobei: Oy. Oa + Cb + C0 + O0 ist_
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_^_ 27Q2S31
Da die Signalknoten E , E, und E immer durch Spannungs-
cL D C
quellen mit niederer innerer Impedanz gespeist, werden,
ist sowohl für Abgriffsgewichtung "1" als auch Abgriffsgewichtung
"0" die Gesamtkapazität gegen Erde immer eine Konstante Cm· Auf diese Weise ist der einem Modul zugeordnete
Signalbeitrag unabhängig von den Signalbeiträgen, die den anderen Modulen zugeordnet sind. Damit wird jede
Signalbeeinflußung zwischen den Modulen, die bei den bisher
üblichen Ladungserfassungen vorhanden v/ar, vollständig überwunden.
Bei Jeder allgemeinen Zahl k von Modulen der Art, wie sie in Figur 1 dargestellt sind, ist die Gesamtspannung
V0 am Erfassungsknotenpunkt EQ gleich:
vn = Yv + Γ" Τ *v«™ · 0T1'
υ Ji om / sn η
wobei die verschiedenen Werte Δν endliche Zahlen oder
null sind, je nach dem die Abgriffsgewichtungen "1" oder
11O" sind, wie/durch die Schalter VL und W„ gesteuert wird.
Die Multiplikations- und Summationswirkung, die erforderlich
ist, um ein Transversalfilter aus der in j?igur 1 dargestellten
Struktur zu schaffen,erklärt sich so aus Gleichung (2).
Die Ausgangsspannung hängt linear von der Summe über alle Kapazitäten des Produktes aus Kapazitätswert und Analogsignalspannung
ab.
Da die in Figur 1 beschriebene Schaltung Spannungen statt Ladungen erfaßt, ist keine Ladungsbeeinflußungsstruktur wie
ein CCD erforderlich. Der Schaltkreis k.ann mit irgendeiner
linearen Analog-Technologie,z. B. mit diskreten Elementen oder unter Benutzung des Komplementärmetalloxid-Silicium-Prozesses
(CMOS-Proζess) oder mit dem Eintorniveau-MOS-Prozess
realisiert werden.
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Bei Benutzung diskreter Elemente können als Ladungsspeicherelemente C einzelne Kondensatoren und als Schalter Vq, V,. und
WR und (nicht gezeigte) Analogerfassungsschalter handelsübliche
Analog-Durchgangssehalter verwendet werden. Bei Benutzung
des CMOS-Prozesses könnten in einer integrierten
Struktur CMOS-Durchgangstore für die verschiedenen Schaltvorgänge benutzt werden. Die Ladungsspeicherelemente C
können unter Benutzung der Oxydkapazität integriert werden.
Figur 2 zeigt den besonderen Aufbau des Moduls A, der die Funktionen der Analogsignal-Verarbeitungsanordnung nach
Figur 1 unter Benutzung eines Eintorniveau-MOS-Prozesses darstellt. Der Modul A in Figur 2 umfaßt einen Ladungsspeicherkörper
10 aus p-Silicium mit einer darüber befinlichen Isolierschicht 11 aus Siliciumdioxid (SiO2)-Eine
ErfasairgaBlektrode 12, die über der SiO^-Schicht 11
angeordnet ist, bildet die geraeinsame Elektrode E_ mit
linearer Kapazität C, die einen Abschnitt 11a der Isolierschicht 11 als Dielektrikum benutzt, und die benachbarte
Erfassungsoberfläche 10e des Substrats 10 dient als getrennte Eingangselektrode E . Bei dieser besonderen
Ausführung des Aufbaus muß die Löschspannung V™ hoch
genug sein, um eine Inversion der Halbleiteroberfläche 10_ über den gesamten erwarteten Signalbereich zu ge-
el *
statten. Für das Durchschalten des analogen Eingangssignals V oder des Vergleichsignals V zu dem Oberflächenbereich
10 werden getrennte Signaltore W^. und WQ verwendet, die
jeweils Quellendiffusionen 15a, 15b>
schwimmende Übergangsdiffusionen 16a, 16b und Torelektroden 17&* 17&
aufweisen, die mit SteuerSpannungsquellen 02 bzw· 0^ verbunden
sind.
Die Wirkung des in Figur 2 dargestellten Moduls wird in der Darstellung und in der Wirkungsweise der Figur 3 klargelegt, die eine 2 χ 3-Matrix aus Modulen A, B, C, D, E
und F zeigt, die die Grundlage für einen programmierbaren
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Transversalfilter ergibt. Die Gruppen aus dreL Grundmodulen
A, B, C und D, E, F in den zwei Spalten ergeben die drei Bits mit dem höchsten Stellenv;ert eines Analogabgriffes.
An ent^rechaden horizontalen Stellen liegende Modulen sind
gleich, d. h. ihre Vertikalausdehnung auf einem gemeinsamen Substrat liegt in einem binären Verhältnisjum die
in binärem Verhältnis stehenden Kapazitäten zu erreichen. Es ist dabei festzustellen, daß die einzelnen ausgewählten
Kapazitäten mit binären Verhältnissen sich fortlaufend
ändern, da die Abgriffe fortlauferd in bezug auf
die Struktur, beispielsweise von links nach rechts,gestuft sind. Bei einer typischen Ausführung, die auf einem
einzelnen Chip bzw. Kristallplättchen von etwa 3»8 mm χ 3,8mm aufgebaut ist, wird eine 32 χ 6-Matrix im Gegensatz zu der
in Figur 3 dargestellten 2 χ 3*Matrix verwendet, um die
Transversalfilterwirkung zujergeben.
Im Betrieb wird ein Analogeingangssignal V^ dem Operationsverstärker
20 eingegeben, der in einer typischen Ausführung nicht mit auf dem Chip 30 angebracht ist. Der Ausgang des
Verstärkers 20 wird nacheinander unter Beeinflussung durch die Signale 0^ und 02 von einer Steuersignalquelle 21
auf die Kapazitäten C und C durchgegeben. Damit wird ein periodisches Erfassen und Speichern (sample and hold)
des einkommenden Analogsignals V· erhalten. Die erfaßten Signale werden dann durch die Quellfolger 22 eingekoppelt,
wodurch die Ausgangssignale V erhalten werden, die in
jedem der Module A-F eingekoppelt werden. Die Transistoren 23, die durch eine Vorspannung V^ fortwährend im offenen
Zustand gehalten werden, ergeben eine Widerstandslast für die Quellfolger 22, während Tore 24- eine negative Rückkopplung
zum Operationsverstärker 20 während des ErfassungsZeitabschnittes
ergeben, um die Nichtlinearität und die sich
ändernde Spannungsabweichung der Quellfolger 22 auszugleichen.
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Die von den Quellfolgern 22 herrührenden Signale betreiben über eine gemeinsame Diffusionszone alle binär-kapazitivgewichteten
Module so, daß eine analoge Speicherlage erreicht wird.
Wie in Figur 4 in bezug auf die Steuersignalquelle 21 gezeigt
ist, sind die St euer spannungen 0^. und 0p zweiphasige,
einander nicht überlappende Taktsignale. Die Taktspannungen
0^ und 0s,■. wechseln synchron mit 0,. einander ab, während
die Taktspannungen 0? bis 0p„ die Anwendung der Abgriffgewichtungen
Jeweils auf die Modulen A-F steuern.
Zuerst wird zum Zeitpunkt t.^ das Analogsignal V. durch die
Speicherkapazitäten Cm unter Beeinflussung durch das Taktsignal
durchgeschleust. Zur gleichen Zeit wird die Erfassungselektrode E„, die gemeinsam über den gesamten Chip 30
verbunden ist, bedingungslos durch das auf die Schleuse Wj, angelegte Taktsignal 0^ auf die Spannung Vp gebracht,
während gleichzeitig die Vergleichsspannung VR auf die
Erfassungsoberfläche durch das Taktsignal 0^. durchgeschleust
wird, das auf die mit den Modulen A-F verbundenen Schleusen 25a-25f gegeben wird.
Die digitalen, (binären) Abgriff-Gewichtssignale werden nun
bedingt (Zeit tp) den W^ -Elektroden (Figur 2) unter Einfluß
der von der Steuersignalquelle 21 heimkommenden Taktsignale 0p -0pf eingegeben. In der als Beispiel gezeigten
Ausführung wird eine Abgriffgewichtung 110 anfangs zur Zeit tp der linken Modulspalte A, B und C eingegeben.
Danach wird diese Gewichtung auf die rechte Spalte von Modulen D, E und F übertragen und durch dne Abgriffgewichtung
101 zum Zeitpunkt t^ ersetzt. Gleichfalls wird zur Zeit tp eine Abgriffsgewichtung 101 der rechten Modulspalte
D, E und F eingegeben. Wenn in der Steuerquelle 21
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eine Schieberegisterstruktur benutzt wird, um die Abgriffgewichtungs-Information
zu tragen, wird die Gewichtung 101 zur Zeit t^ wieder auf die rechte Spalte (Modulen D1 E undF)
geschoben und durch eine Abgriffgewichtung 110 in der linken
Spalte (Modulen A, B und G) zum Zeitpunkt t^ ersetzt. Es ist
selbstverständlich, daß diese Abgriffgewichtungen nur beispielsweise angeführt werden und daß sie jeweils nach den
Anforderungen des jeweiligen Transversalfilters ausgewählt werden. Die Lasttransidtoren 23 stellen eine genügend schnelle
Zeitkonstante sicher, damit die Erfassungsflächen (10a in
Figur 2) eine Spannungsbegrenzung erfahren (den Endzustand erreichen) während die Taktsignale 0p anliegen. Es ist zu
sehen, daß bei den Modulen, bei denen das erfaßte Analogsignal V zur Erfassungsoberfläche von links durchgeschleust
S
wird,die W^Elektrode während des gleichen Taktes durch die Taktsignale 0? -0pf an Erde gelegt wird, wodurch die Erfassungsfläche von der Vergleichspannung V^ isoliert wird. Wenn 0p bis 0p~ gleich null i st ? wird die Vergleich spannung VR weiterhin bis zur Erfassungsfläche durchgeschleust, während das Taktsignal 0p ansteht, damit die Oberflächenspannung für die Abgriffsgewichtung "0" festgehalten bleibt. Während des TaktIntervalls t? erscheint eine Summierung der Spannungen V0 an der gemeinsamen Erfassungselektrode E0.
wird,die W^Elektrode während des gleichen Taktes durch die Taktsignale 0? -0pf an Erde gelegt wird, wodurch die Erfassungsfläche von der Vergleichspannung V^ isoliert wird. Wenn 0p bis 0p~ gleich null i st ? wird die Vergleich spannung VR weiterhin bis zur Erfassungsfläche durchgeschleust, während das Taktsignal 0p ansteht, damit die Oberflächenspannung für die Abgriffsgewichtung "0" festgehalten bleibt. Während des TaktIntervalls t? erscheint eine Summierung der Spannungen V0 an der gemeinsamen Erfassungselektrode E0.
Während des Zeitabschnittes t-, (Figur 4) wird die erfaßte
An al og signal spannung Vx. zum Speicherkondensator C durchgeschleust
und die Erfassungselektrode EQ gelöscht. Während des Zeitintervalls t. wird den Modulen D, E, F eine Abgriffsgewichtung
110 angelegt, während die Modulen A, B und C eine Abgriffsgewichtung 101 erhalten, während wiederum eine
Summation an der Erfassungselektrode E0 erhalten wird. Diese
Abgriffsgewichtungen werden unter Einfluß des (nicht gezeigten)
digitalen Schieberregisters in der Steuersignalquelle 21 auf dem Chip 30 weitergeschoben. Der gesamte Vor-
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gang wiederholt sich wiederum,und zwar beginnt er zum
sich 7
Zeitpunkt tj- damit, daß/aas digitale Abgriff s signal zu
Zeitpunkt tj- damit, daß/aas digitale Abgriff s signal zu
den jeweiligen Analogspeicherkondensatoren w^iterbewegt.
Infolge der großen Kapazität der gemeinsamen Ausgangserfassungselektrode
Ε« kann das Ausgangssignal VQ direkt
vom Chip 30 ohne einen Ausgangsverstärker abgenommen werden.
Deshalb können diese Chips als Modulen angewendet werden, da verschiedenen Ausgänge parallel miteinander
verschaltet werden können. Um negative Abgriffsgewichtungen
zu erhalten, kann ein gleichartiges Chip benutzt werden, bei dem seine Ausgangsspannung Vq in
die negative Seite eines Operationsverstärkers gegeben wird, der, um die Inversion zu ergebenen differenzieller
Betriebsart arbeitet. Damit mehr Bits bei Digital-Analogauflösung in der analogen Abgriffgewichtung erreicht werden,
kann ein zusätzliches paralleles Chip verwendet werden, dessen Ausgangsspannung außerhalb des Chip in einem angemessenen
BinärVerhältnis vervielfacht wird, worauf das
Ergebnis mit dem Ausgang des ersten Chips addiert wird,·
Alternativ kann bei einer Vergleichsspannung V„= Bingangs-Gleichvorspannung
das Vergleichssignal VR von der gleichen
Gleichspannung abgeleitet werden, die das Eingangs-Analogsignal
vorspannt. Bei dieser Arbeitsweise wird ein Driften der Eingangsvorspannung ausgeglichen und ebenso ein vorhandenes
Eingangsrauschen bis zu Frequenzen,die etwas unterhalb
der Analogabtastfrequenz liegen. Bei dieser Betriebsart ist eine Löschbetätigung, die ein- und ausgeschaltet wird^
(0,,-Takt) nötig, um die Erfassungselektrode schwimmend zu
erhalten. Das ist deswegen nötig, weil die Erfassungsfläche
sich nach beiden Richtungen vom Vergleichspotential entfernen könnte. Damit könnte ein Löschrauschen (Njquist-rauschen) am
Ausgang auftreten.
Wenn VR auf Erdpotential liegt,ist der gesamte Spannungshub,
der auf der Erfassungselektrode EQ hervorgerufen wird, positiv
von der Löschspannung aus. So ist eine neuartige Ausgangs-
709830/0755
schaltung möglich. Mit bezug auf den FET-Schalter W^ in
Figur 3 kann eine Quellenfolger-ähnliche Wirkung erzielt
werden, wobei die Erfassungselektrode E„ eine kapazitive
Belastung des Quellenfolgers bildet (es ist zu bemerken, daß der "Quellenfolger" hier nicht als Verstärker benutzt
wird). Die Erfassungselektrode E„ kann durch einen (nicht
gezeigten), außerhalb des Chips angebrachten Widerstand ohmisch belastet werden, beispielsweise durch den Eingangswiderstand
des außerhalb des Chips befindlichen Signalverstärkers. Ein fester Gleichspannungspegel am Eingang
des "Quellenfolger" statt 0., wie gezeigt, ergibt einen
festen Vergleichspegel für die Erfassungselektrode E0,
von dem aus positive Spannungεhübe beginnen. Jeder
positive Hub vom festen Vergleichspegel geht in Richtung eines langsam dynamischen Quellenfolger-Verhaltens, so
daß der kapazitive Ausgangshub nicht verschlechtert wird.
Das darauf folgende "0^ ein"bringt alle Erfassungsflächen
auf Erdpotential und bringt damit die Erfassungselektrode
12 zurück zum Löschpegel. Der Ausgang wird auf diese Weise auf dem erforderlichen Vergleichspegel zwischen den Signalen
gehalten, ohne daß ein Löschtakt benötigt wird. Dadurch wird das mit dem Löschtakt verbundene Ausgang sraisch en beseitigt.
Die Erfindung betrifft also eine Analog-Signalverarbeitungsanordnung,bei
der die Spannung über eine Vielzahl von Ladungsspeicherelementen
erfaßt wird, um ein Ausgangssignal abzuleiten. Mit dieser Anordnung werden die bei dem Erfassen der
Ladung auftretenden gegenseitigen Signalbeeinflussungen beseitigt. Die Verarbeitungsanordnung kann einfach unter Benutzung
von IvIOS-(Metalloxid-Silicium-) Technologie ausgeführt
werden, wodurch die Ladung durch elektronische Daten manipuliert und an der Oberfläche des Halbleitersubstrates gespeichert wird.
Die Anordnung ist besonders geeignet, als programmierbarer Kreuzkorrelator oder als Transversalfilter benutzt zu werden.
- Patentansprüche 709830/0755
Claims (1)
1./Signalverarbeitungsaiiordnung mit einer Vielzahl von Ladungsspeicherelementen
(Ca), die jeweils eine Eingangssignalelektrode und eine Ausgangserfassungselektrode aufweisen,
wobei die Eingangssignalelektroden voneinander getrennt und die Ausgangssignalelektroden miteinander verbunden
sind und mit einer gemeinsamen Elektrode, dadurch gekennzeichnet , daß eine Steuereinrichtung
vorgesehen ist, die anfangs die Eingangssignalelektroden mit einer ersten Vergleichspotentialqiielle (Vj,) und die Ausgangserfassungselektroden
mit einer zweiten Vergleichspotentialquelle (Vp) verbindet, um die Elektroden auf ein
festes Potential in bezug auf die gemeinsame Elektrode (Eg) zu bringen, die danach die zweite Vergleichsspannungsquelle
(Vp) abtrennt und einzeln erfaßte Analog-Signal-Potentialquellen
(V , V , , V) mit ausgewählten Eingangssignal-
Sei SD SC
elektroden verbindet, um die Spannung der Speicherelemente so zu ändern, daß eine Ausgangssignalspannung an den Ausgangserfassungselektroden
abgeleitet wird, die eine Funktion der Größe der erfaßten Analogsignalpotentiale und der ausgewählten
Verbindungen der Quellen mit den Eingangssignalelektroden ist.
Signalverarbeitungsanordnung mit einer Vielzahl von Ladungsspeicherelementen
mit jeweils einer Eingangssignalelektrode
und einer Ausgangserfassungselektrode, wobei die Eingangserfassungselektroden
miteinander verbunden sind und mit einer gemeinsamen Elektrode dadurch gekennzeichnet,
daß jedes Speicherelement mit einem ersten Schalter (W0a' W0b' W0c} 1^ einem
709830/0755 ORIGINAL INSPECTED
zweiten Schalter (W^ , w\^, W^ ) verbunden ist, um
jeweils entweder eine erste Vergleichspotentialquelle (VR) oder eine Abtastung einer Analogsignal-Potentialquelle
(V , V-,, V) mit den Eingangs signal elektroden
zu verbinden, daß ein dritter Schalter (wV,) vorgesehen
ist, um eine zweite Vergleichspotentialquelle (Vp) mit
den Ausgangserfassungselektroden zu verbinden^und daß eine Steuereinrichtung (Figur LY) vorgesehen ist,- um
anfangs die ersten und dritten Schalter zu schließen, um die Spannung der ,Speicherelemente in bezug auf die
gemeinsame Elektrode/einzustellen, daß die Steuereinrichtung danach den dritten Schalter öffnet und wahlweise
zugeordnete erste bzw. zweite Schalter schließt bzw. öffnet, um die Spannung an ausgewählten Speicherelementen
so zu ändern, daß an den Ausgangserfassungselektroden
eine Ausgangssignalspannung abgeleitet wird, die eine Funktion der erfaßten Analogsignalpotentiale
und des Schließzustandes entweder der ersten oder der zweiten Schalter ist.
Signalverarbeitungsanordnung mit einem Halbleitersubstrat
einer Leicungsart, rait einer auf der Oberfläche des Substrates angeordneten Isolationsschicht,
mit einer Vielzahl von Speicherelektroden, die auf der
Isolationsschicht angeordnet und zusammen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet , daß jede Speicherelektrode
erste (15a) zweite (15b)Quellbereiche und erste
(16a) und zweite (16b) potentialmäßig schwimmende Bereiche zugeordnet hat, die an der Oberfläche des Substrates angeordnet
und von dazu entgegengesetzter Leitungsart and, wobei die schwimmenden Bereiche eng benachbart zu den zugehörigen
Speicherelektroden (12) angeordnet sind, um Ladung darunter zu übertragen, daß eine erste Steuerelektrode
(17a) auf der Isolierschicht direkt neben den
ersten Bereichen angeordnet ist und daß eine zweite Steuerelektrode (17Djauf. der xsoliershicht direkt neben den
709830/0755
zweiten Bereichen angeordnet ist, daß jede Steuerelektrode die Ladungsübertragung von dem zugehörigen Quellbereich
zu dem schwimmenden Bereich längs eines in dem Substrat
ausgebildeten Kanifil in Reaktion auf eine daran angelegte
Torst euerspannung steuert, daß jeder erste Quellbereich mit
abgetasteten Analogsignalquellen (V ) verbunden ist, daß jeder zweite Quellbereich mit einer ersten Vergleichspoten—
tialquelle (V„) verbunden ist, daß Steuereinrichtungen vorhanden
sind, die anfänglich eine zweite Vergleichspoten— tialquelle (Vp1) mit den gemeinsamen Speicherelektroden verbinden,
und die die Torsteuerspannung (5L) an jede der zweiten
Steuerelektroden anlegen, um das Oberflächenpotential
auf dem Substrat unterhalb der'Speicherelektroden auf das
erste Vergleichspotential zu legen, daß die Steuereinrichtung danach die zweite Vergleichspotentialquelle abtrennt
und die Torsteuer spannungen (0^ ~ 0>i) vtm ausgewählten
zweiten Steuerelektroden an ihre benachbarten erste Steuerelektroden
schaltet, um das Oberflächenpotential des Substrates unterhalb der Speicherelektroden auf das abgetastete
Analogsignalpotential hin so zu ändern, daß eine Ausgangs— signalspannung an der gemeinsamen Speicherelektrode abgeleitet
wird, die eine Funktion der abgetasteten Analogsignalpotentiale,
und der entweder an den ersten oder an den zweiten Steuerelektroden angelegten Torsteuerspannungen ist.
709830/0755
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE (1) | DE2702531A1 (de) |
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US4513260A (en) * | 1977-01-10 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Programmable frequency converting filter |
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