DE2700979C3 - Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Aufdampfprozessen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Aufdampfprozessen

Info

Publication number
DE2700979C3
DE2700979C3 DE2700979A DE2700979A DE2700979C3 DE 2700979 C3 DE2700979 C3 DE 2700979C3 DE 2700979 A DE2700979 A DE 2700979A DE 2700979 A DE2700979 A DE 2700979A DE 2700979 C3 DE2700979 C3 DE 2700979C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vapor
sensor
evaporated
electrons
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2700979A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2700979A1 (de
DE2700979B2 (de
Inventor
Chih-Shun Los Altos Calif. Lu (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leybold Inficon Inc
Original Assignee
Inficon Leybold Heraeus Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inficon Leybold Heraeus Inc filed Critical Inficon Leybold Heraeus Inc
Publication of DE2700979A1 publication Critical patent/DE2700979A1/de
Publication of DE2700979B2 publication Critical patent/DE2700979B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2700979C3 publication Critical patent/DE2700979C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Kontrolle der Aufdampfrate und/oder der Zusammensetzung des aufzudampfenden Materials während eines Aufdampfprozesses im Vakuum, bei dem ein Anteil des aufzudampfenden Materials eine Meßzone durchströmt, in der das aufzudampfende Material einer Strahlung ausgesetzt wird, sowie auf eine geeignete Vorrichtung dafür.
Eine Mehrzahl von Aufdampfraten-Anzeigegeräten ist bisher entwickelt worden. Diese haben sich jedoch als unzulänglich erwiesen, insbesondere wenn sie in Hochleistungssystemen angewendet werden. Bei Quarz-Kristall-Detektoren weist der Kristall eine
empfindliche Fläche auf, auf dem die aufzudampfenden Teilchen kondensieren. Die natürliche Schwingungsfre- -;uenz des Quarzes wird durch diese Kondensation beeinfiußt, und die Frequenzänderung ist ein Maß für die Masse des kondensierten Materials. Quarz-Kristall-Detektoren haben deshalb nur eine ι ehr begrenzte Lebensdauer, da die auf dem Kristall aufwachsende Schicht nach kurzer Zeit zu stark ist.
Eine andere Anzeigemethode ist entwickelt worden, die auf der Ionisierung des Stromes der aufzudampfenden Teilchen -lurch Elektronen-Beschüß beruht (US-PS 3168 418). Die Größe des sich daraus ergebenden lonenstroms ist dabei ein Maß für die Aufdampfrate. Dieses Verfahren benötigt äußerst empfindliche lonenstrom-Meßgeräte in der Vakuumkammer, welche sehr empfänglich für elektrische Störungen sind. Weiterhin ist es nicht möglich, damit verschiedene Materialien zu unterscheiden.
Außerdem ist es bei Vakuum-Aufdampfprozessen, bei denen die Verdampfung des Materials mit hilfe einer Elektronenstrahlkanone bewirkt wird, bekannt, die Intensität des emittierten Lichtes, das von der ionisierten Dampfwolke direkt oberhalb der Verdampfungsquelle ausgeht, zu beobachten. Wegen der sich schnell ändernden Dampfdichte nahe der Verdampfungsquelle, dem unkontrollierbaren Ionisationszustand und dem gestreuten Licht von vielen möglichen Störquellen variiert das ausgesendete Licht ständig und ist deshalb zur Kontrolle der Aufdampf rate ungeeignet.
Schließlich wurde noch versucht, die Teilchen in der Aufdampfkammer derart zu bombardieren, daß si? Röntgenstrahlen aussenden, die für besondere Teilchen charakteristisch sind. Die zur Erzeugung der Röntgenstrahlung notwendige Spannung und die zum Schutz der Benutzer notwendigen Abschirmungen sind dabei derart aufwendig, daß ein solches Verfahren nicht mehr wirtschaftlich realisiert werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem eine kontinuierliche Kontrolle der Aufdampfrate und/oder der Zusammensetzung des aufzudampfenden Materials genau und weitgehend störungsfrei möglich ist. Außerdem sol! eine relativ einfache und unempfindliche Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens geschaffen werden. 4;
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die in den Patentansprüchen enthaltenen Maßnahmen gelöst.
Mit einem Verfahren bzw. mit einer Vorrichtung nach der Erfindung ist die kontinuierliche Messung der Aufdampfrate und die Analyse der aufzudampfenden so Materialien in weiten Bereichen möglich.
Das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung sind unabhängig davon anwendbar, ob die aufzudampfenden Materialien aus Dielektrika oder Metallen bestehen bzw. ob die Verdampfung des Materials mit Hilfe einer Elektronenkanone, Induktionsheizung, Widerstandsheizung oder dergleichen vorgenommen wird. Das Ausgangssignal ist relativ linear zur Aufdampfrate und nicht durch Störungen von elektrischen Ladungen, geladene Teilchen und Schwankungen des Kammerdruckes beeinflußt. Weiterhin ist es möglich, beim Gegenstand der Erfindung mit einem Elektronenstrahl mit relativ niedriger Energie auszukommen, der keine aufwendigen Abschirmungen benötigt, so daß in einfacher Weise eine genaue Messung der Aufdampfrate und Analyse der Eigenschaften des aufzudampfenden Materials, insbesondere bei Hochleistungsanlagen, erfolgen kann. Da die Meßzone klein ist und darüber hinaus den aus aufzudampfenden Teilchen bestehendtn Strom nur wenig beeinflußt, ist der in der Kammer ablaufende Aufdampfprozeß durch die erfindungsgemäße Überwachung nahezu nicht gestört.
Das von dem das Licht registrierenden Detektor gelieferte Signal kann in den verschiedensten bekannten Meßgeräten zwecks Feststellung der Art des aufzudampfenden Materials oder auch der Restgaszusammensetzung in der Kammer analysiert werden. Weiterhin besteht die Möglichkeit mit diesem Signal die Aufdampfrate und damit auch die Dicke der aufgedampften Schicht zu überwachen sowie den Verdampfer zu steuern bzw. zu schalten.
Einzelheiten eines bevorzugten Ausführungsbeispieles der Erfindung soll anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispieles erläutert werden. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische, perspektivische Ansicht eines Sensors nach der Erfindung, bei dem die Wände teilweise entfernt sind;
F i g. 2 eine schematische Ansicht eines Sensors nach F i g. 1, angeordnet in einer Vakuumaufdampfapparatur;
F i g. 3 ein Blockdiagramm für die Verarbeitung der vom Sensor gelieferten Signale.
In den Figuren sind gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der Sensor 10 ist in F i g. 1 schematisch als rechteckförmiges Gebilde mit einem Boden 12, einer nicht dargestellten Deckenwand, zwei einander gegenüberliegenden Seitenwänden 14 und 15 (die Wand 15 ist nur teilweise sichtbar) und Stirnwänden 16 und 17 (die Stirnwand 17 ist ebenfalls mir teilweise sichtbar) dargestellt. Der Boden 12 und die Deckenwand weisen Durchgänge 20 auf. durch die eine beschränkte Menge der aufzudampfenden, zu kontrollierenden Materialien in definierter Weise strömen (Teilchenstrom U).
Die Seitenwand 15 weist eine öffnung 22 auf, die den Durchtritt von senkrecht zum Teilchenstrom emittierter Licht (Lichtstrom 23) zuläßt.
Mit 25 ist eine Wendel bezeichnet, die als Quelle für einen Elektronenstrahl zur Anregung der aufzudampfenden Teilchen dient. Die erzeugten Elektronen haben relativ niedrige Energie, und zwar in der Größenordnung von weniger als 300 eV, was genügt um die Elektronen der äußeren Schale der Atome des aufzudampfenden Materials anzuregen. Am entgegengesetzten Ende des Sensor-Gehäuses ist eine Anode 27 vorgesehen, so daß der der Anregung dienende Elektronenstrahl 24, der von der Wendel 25 erzeugt wird, den aus aufzudampfenden Teilchen bestehenden Strahl kreuzt, wie schematisch in F i g. 1 gezeigt. Um den Elektronenstrahl 24 eine definierte Energie und eine relativ gut definierte Form zu geben, sind positiv geladene Fokussierelektronen 28 und 29 im Wege des Elektronenstrahls vorgesehen, und zwar vorzugsweise mit rechteckigem Querschnitt. Dadurch wird außerdem sichergestellt, daß sich der Elektronenstrahl und der aus aufzudampfenden Teilchen bestehende Strahl in definierte Weise kreuzen.
Beim Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 ist der Sensor 10 in der Vakuum-Aufdampfkammer 35 angeordnet. In dieser Kammer befindet sich ebenfalls die Quelle für das aufzuaampfende Material (Verdampfer ??) die schematisch als elektrisch beheizt dargestellt ist. Die Versorgungseinheit ist mit 65 bezeichnet. Dargestellt ist weiterhin ein Quarz-Kristall-Sensor 38. der zur Kalibration des Sensors 10 benutzt werden kann. Der Sensor 10
ist oberhalb des Verdampfers 37 angeordnet, und zwar mit einem Abstand, der sicherstellt, daß der Sensor von einem typischen Anteil des aufzudampfenden Materials durchströmt wird ;r, ' nicht von den schnell sich ändernden Dampfdichten nahe des Verdampfers 37 heeintiiiüt wird. In der Wand der Verdampferkaminer 35 isi eine optische und elektrische Durchführung 39 vo; gesehen, durch oie die elektrischen Verbindungen zu den Elementen des Sensors hindurchgefuhrl sind und durch üie sich eine Lichtübertragungsleitung 41 in Form einer starren Lichtröhre oder eines flexiblen Fiberglaskabels erstreckt.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel fuhrt die Lichtleitung zu einem optischen Fenster 43 und dann durch ein Filter 45 (oder Monochromator), der z. B. nur solche Wellenlängen des emittierten Lichtes durchläßt, die von den interessierenden, zu überwachenden Komponenten des aufzudampfenden Materials ausgehen. Das gefilterte Licht mit der interessierenden Wellenlänge wird dann dem Photo-Detektor 47 zugeführt. Das Signal des Photodetektors 47 kann einer Vielzahl von Meß- und Kontrolleinrichtung zugeführt werden. Das in der Fig. 3 dargestellte Blockdiagramm zeigt ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel für eine solche Kontrolleinheit.
Die Meß- und Kontrolleinheit 50 (gestrichelte Linie) kann z. B. Stromversorgungseinrichtungen 52 und 53 für den Photodetektor 47 bzw. für die Wendel 25 enthalten. Das Signal des Photodetektors 47 wird einer Strom/ Spannungs-Schalteinheit 54 zugeführt, deren Ausgangssignal über einen Verstärker 55 mit variabler Verstärkung einem phasenempfindlichen Detektor 56 zugeführt wird. Zur Erzeugung einer modul'erten Frequenz ist ein Modulator 58, z. B. ein Oszillator oder dergleichen vorgesehen. Diese wird dem phasenempfindlichen Detektor 56 sowie — über eine Anodenspannungskontrolleinheit 59 — einer Emissionsstromkontrolleinheit 60 zugeführt, die mit der Stromversorgungseinheit 53 für die Wendel 25 und mit dem Sensor 10 verbunden ist. Die Modulatorfrequenz ist so gewählt, daß die Auswertung nicht durch aus der Umgebung stammende Störstrahlen gestört wird. Frequenzen in der Größenordnung von mehr als 200 Hz haben sich als besonders geeignet erwiesen. Das modulierte Ausgangssignal des phasenempfindlichen Detektors 56 wird einem Differenz-Signal-Detektor 61 zugeführt, der noch mit einer die Aufdampfrate festlegenden Einheit 62 verbunden ist. Das Ausgangssignal wird über eine Steuereinheit 63 einer Summeneinheit 64 zugeführt, die ein Korrektursignal in Abhängigkeit von der Abweichung zwischen der kontrollierten Aufdampfrate und der gewünschten Aufdampfrate cizxügt. Mit diesem Signal erfolgt eine Kontrolle und Steuerung der Versorgungseinheit 65 für den Verdampfer 37.
Ein Sensor 10 nach der Erfindung wird — wie in F i g. 2 dargestellt — derart in die Verdampferkammer 35 eingebracht, daß seine Öffnung 20 mil ausreichei.deir Abstand oberhalb des Verdampfers 37 liegt Diüch d". Durchführungsöffnung 39 hindurch erfolgt die elektrische und optische Verbindung der in der Verdampfer kaminer 35 angeordneten Elemente. Mit Hilfe der Wende1 2S wird ein Elektronenstrahl rirla"" niedrigei Energie ..zeugt, der es ermöglicht, t!ie Elektronen der außen η Sei.Je der Atome des aufzudampfender Materials anzuregen. Das Gehäuse des Sensors 10, dit
.j Ar.oJc 27 und die Fokussierionselektrode 28 und 29 sine .ur^ugbweise Bestandteile einer gemeisamen, auch die Wendel 2> umfassenden elektrischen Einheit. In einerr bevoiTugTer. Ausiührungsbeispiel wird die Wendel 25 auf negativem Potential gehalten. DL Anode 27, die Fokussierelek'.rodcn 28 und 29 sowie das Gehäuse haben alle das gleiche positive Potential.
Der Elektronenstrahl, der infolge der Potential-Differenz zwischen der Wend?l 25 und der Anode 2 p-zeugt wird, ist vorzugsweise elektronisch gepulst, und zwar mit Hilfe des Modulators 58 bei einer Frequenz um 200 Hz, so daß jedes Störsignal mit Hilfe konventioneller phasenempfindlicher Detektoren eliminiert werden kann. Der relativ niederenergetische Elektronenstrah reicht aus, um die Elektronen der äußeren Schale der Atome des aufzudampfenden Materials innerhalb der Vakuumkammer 35 anzuregen. Dadurch werden einige Elektronen der äußeren Schale auf höhere Energie niveaus angehoben. Danach gehen sie wieder über in den Gnmdzustand und emittieren dabei Photonen mit einer bestimmten Wellenlänge, die charakteristisch ist für die Art des angeregten Atoms oder Moleküls.
Wenn die F.mission mit Hilfe eines skannenden Monochromators analysiert wird, erhält man ein charakteristisches Spektrum der aufzudampfender Materie. Dadurch erhält man die Möglichkeit über das emiiterte Licht das aufzudampfende Material und auch das noch in der Anlage befindliche Restgas zu identifizieren. Für bestimmte Emissionslinien ist die Intensität gegenüber der Energiekurve der Elektronen als optische Anregungsfunktion bekannt. Um die Atome anzuregen, muß die Elektronenenergie größer sein als die Schwellenenergie. Die Erzeugung brauchbarer Spektrallinien wird durch Auswahl einer angemessenen Elektronenenergie oberhalb des Schwellenwertes er-
■ii reicht. Bei fester Wellenlänge und fester Elektronenenergie ist die Intensität der emittierten Photonen proportional zur Dichte des den Sensor durchströmenden Dampfes des aufzudampfenden Materials.
Durch Beschränkung des Flugweges des aufzudampfenden Materials mit Hilfe der vom Sensor gebildeten Meßzone und durch Ablenkung des Photonenweges im Sensor aus dem Weg des strömenden Dampfes erhält man klare Spektrallinien ausreichender Intensität, und zwar bei bereits relativ niedriger Anregungsenergie der Elektronen des Elektronenstrahls.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (17)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Komrolle der Aufdampfrate und/oder der Zusammensetzung des aufzudampfenden Materials während eines Aufdampfprozesses im Vakuum, bei dem ein Anteil des aufzudampfenden Materials eine Meßzone durchströmt, in der das aufzudampfende Material einer Strahlung ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Art der Strahlung se gewählt wird, daß die Elektronen von zumindest einem Teil der die Meßzone durchströmenden Atome des aufzudampfenden Materials auf ein höheres Energieniveau gehoben werden und daß die beim Rück-Übergang in den niedrigen Energiezustand entstehenden Photonen als Maß für die Aufdampfrate bzw. als Informationssignal für die Zusammensetzung des aufzudampfenden Materials registriert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der aufzudampfenden Materie auf einem definierten, linearen Weg durch die Meßzone geführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anregung des aufzudampfenden Materials mit Hilfe eines die Meßzone durchströmenden Elektronenstroms bewirkt wird, dessen Elektronen eine Energie kleiner als 300 eV haben.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maßnahme zur Anregung der Atome unabhängig ist von der Maßnahme für die Erzeugung des Dampfes.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß störende Strahlungen durch Verwendung eines gepulsten Elektronenstrahls und eines phasenempfindlichen Detektors eliminiert werden.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einer Vakuumkammer sowie einem darin befindlichen Verdampfer und mindestens einem zu bedampfenden Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß in der Vakuumkammer (35) ein von einem Teil des Dampfes durchströmter Sensor (to) vorgesehen ist, der eine Meßzone bildet, daß eine Strahlungsquelle (25, 27, 28, 29) zur Anregung der Elektronen der äußeren Schale der Atome des die Meßzone durchströmenden Dampfes im Sensor vorgesehen ist, und daß eine Meß- und Kontrolleinrichtung (45, 47, 50) zur Registrierung des beim Rück-Übergang in den niedrigeren Energiezustand von den Atomen ausgehenden Lichts vorhanden ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsquelle zur Anregung der Atome von einer Elektronenquelle (35) und geeigneten Beschleunigungselektroden (27, 28, 29) gebildet wird und daß zur Registrierung des ausgesandten Lichts ein senkrecht zur Richtung des Elektronenstrahls angeordneter Photodetektor (47) vorgesehen ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor (10) im wesentlichen quaderförmig ausgebildet ist, daß der Boden (12) und die obere Wand öffnungen (20) für den Durchtritt des Anteils des zu verdampfenden Materials aufweisen, daß die Elektronenquelle (25) und die Beschleunigungs- und Fokussierelektroden (27, 28, 29) derart angeordnet sind, daß der Elektronenstrahl senkrecht zum Teilchenstrahl aus aufzudampfender
Materie gerichtet ist und daß die Optik-Öffnung (22) derart in einer Seitenwand (15) angeordnet ist, daß das senkrecht zur Ebene der beiden Ströme (Teilchen und Elektronen) gerichtete Licht registriert wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Erzeugung eines gepulsten Elektronenstrahls ermöglichende Elektronenquelle vorgesehen ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Elektronen auf der einen Seite des Sensorgehäuses eine Wendel (25) vorgesehen ist und daß auf der anderen Seite des Gehäuses die Anode (27) angeordnet ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Wendel (25) zur Erzeugung der Elektronen Bestandteil eines von dem Verdampfer unabhängigen elektronischen Steuerkreises ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch II, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgung für die Wendel (25) einen Modulator zur Frequenzkontrolle umfaßt und daß der Photodetektor (47) Bestandteil eines elektrischen Stromkreises ist, der einen phasenempfindlichen Detektor aufweist
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis
12, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen zur Steuerung der Verdampferleistung in Abhängigkeit vom Signal des Photodetektors vorgesehen sind.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis
13, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen zur Analyse der Wellenlänge des durch Photoemission entstandenen Lichts vorgesehen sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis
14, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zur Registrierung des emittierten Lichts aus einem Photodetektor (47) und einem diesem Detektor vorgelagerten Filter (45) bzw. Monochromator bestehen.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis
15, dadurch gekennzeichnet, daß zur Übertragung des Lichts vom Innern der Vakuumkammer nach außen zum Photodetektor ein aus einem starren Rohr (41) oder aus einem Fiberglaskabel bestehender Lichtleiter vorgesehen ist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis
16, dadurch gekennzeichnet, daß zur Eichung des Sensors (10) ein Quarzkristall-Sensor vorzugsweise verschiebbar in der Vakuumkammer (35) angeordnet ist.
DE2700979A 1976-01-30 1977-01-12 Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Aufdampfprozessen Expired DE2700979C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/653,936 US4036167A (en) 1976-01-30 1976-01-30 Apparatus for monitoring vacuum deposition processes

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2700979A1 DE2700979A1 (de) 1977-08-04
DE2700979B2 DE2700979B2 (de) 1978-06-22
DE2700979C3 true DE2700979C3 (de) 1979-02-22

Family

ID=24622868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2700979A Expired DE2700979C3 (de) 1976-01-30 1977-01-12 Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Aufdampfprozessen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4036167A (de)
CH (1) CH611029A5 (de)
DE (1) DE2700979C3 (de)
FR (1) FR2339857A1 (de)
GB (1) GB1543702A (de)
IT (1) IT1076330B (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4172020A (en) * 1978-05-24 1979-10-23 Gould Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling sputter deposition processes
DE2940616A1 (de) * 1979-10-06 1981-04-16 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum plasma-aetzen in plasma-reaktoren
US4324812A (en) * 1980-05-29 1982-04-13 Ransburg Corporation Method for controlling the flow of coating material
US4406252A (en) * 1980-12-29 1983-09-27 Rockwell International Corporation Inductive heating arrangement for evaporating thin film alloy onto a substrate
US4335266A (en) * 1980-12-31 1982-06-15 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
USRE31968E (en) * 1980-12-31 1985-08-13 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
JPS57161063A (en) * 1981-03-31 1982-10-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method and device for sticking metallic oxide film on substrate
US4394237A (en) * 1981-07-17 1983-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Spectroscopic monitoring of gas-solid processes
GB2125541B (en) * 1982-08-13 1986-02-12 Inst Tzvetna Metalurgia Method and device for determination of dust content in dust gas flow
GB2130716A (en) * 1982-11-26 1984-06-06 Philips Electronic Associated Method of determining the composition of an alloy film grown by a layer-by layer process
US4428811A (en) 1983-04-04 1984-01-31 Borg-Warner Corporation Rapid rate reactive sputtering of a group IVb metal
US4478173A (en) * 1983-04-18 1984-10-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method and apparatus for sensing and controlling the intensity of energy in a deposition system
JPS60204626A (ja) * 1984-03-30 1985-10-16 Anelva Corp 酸化鉄薄膜の形成方法および装置
US4845041A (en) * 1985-11-20 1989-07-04 Analyte Corporation Atomic-absorption sputtering chamber and system
JPS62188941A (ja) * 1986-02-14 1987-08-18 Anelva Corp 真空蒸着のモニタリング用センサ−
US4988871A (en) * 1989-05-08 1991-01-29 Leybold Inficon, Inc. Gas partial pressure sensor for vacuum chamber
US5087815A (en) * 1989-11-08 1992-02-11 Schultz J Albert High resolution mass spectrometry of recoiled ions for isotopic and trace elemental analysis
DE4304612C2 (de) * 1993-02-16 1995-03-16 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur kontinuierlichen Messung der stofflichen Zusammensetzung des Dampfes einer Schmelze oder eines zu verdampfenden Materials im Vakuum
DE19607400C2 (de) * 1996-02-28 1999-09-09 Leybold Ag Verdampferschiffchen für eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
DE19609970A1 (de) 1996-03-14 1997-09-18 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
US6558735B2 (en) * 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices
DE10361903A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren zur spektroskopischen Analyse einer biologischen oder chemischen Substanz
US7719681B2 (en) * 2007-10-12 2010-05-18 Inficon Apparatus and method for measuring vapor flux density
WO2011082291A1 (en) 2009-12-31 2011-07-07 First Solar, Inc. Flux monitor
DE102012200211A1 (de) * 2012-01-09 2013-07-11 Carl Zeiss Nts Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbearbeitung eines Substrates
CN107532290B (zh) 2015-03-31 2022-04-01 布勒阿尔策瑙股份有限公司 用于生产涂覆的基板的方法
DE102022208770A1 (de) 2022-08-24 2024-02-29 Hochschule Reutlingen, Körperschaft des öffentlichen Rechts Vorrichtung zum Erfassen von mindestens einer gasförmigen Komponente in einem Gas

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3168418A (en) * 1962-03-27 1965-02-02 Alloyd Electronics Device for monitoring and controlling evaporation rate in vacuum deposition
US3373278A (en) * 1965-01-06 1968-03-12 United States Steel Corp Determination of vapor coating rate by x-rays emitted from said vapor
FR1541499A (fr) * 1966-10-31 1968-10-04 Air Reduction Procédé et appareil de contrôle de la densité d'une vapeur par spectroscopie
CH475559A (fr) * 1967-04-21 1969-07-15 Battelle Development Corp Procédé de mesure de la vitesse d'évaporation sous vide, jauge pour la mise en oeuvre de ce procédé et application de ce procédé
US3612859A (en) * 1968-01-31 1971-10-12 Westinghouse Electric Corp Method for measuring and controlling the density of a metallic vapor
LU59669A1 (de) * 1969-10-17 1971-08-10
US3734620A (en) * 1971-04-01 1973-05-22 Ibm Multiple band atomic absorption apparatus for simultaneously measuring different physical parameters of a material

Also Published As

Publication number Publication date
GB1543702A (en) 1979-04-04
DE2700979A1 (de) 1977-08-04
FR2339857A1 (fr) 1977-08-26
CH611029A5 (de) 1979-05-15
US4036167A (en) 1977-07-19
DE2700979B2 (de) 1978-06-22
IT1076330B (it) 1985-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2700979C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Aufdampfprozessen
EP0184680B1 (de) Einrichtung zum Erkennen der Auftreffstelle eines Ladungsträgerstrahls auf einem Target
EP0282835B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden
DE2165106A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Atomspektren
DE2029141A1 (de) Fluoreszierende Analyse-Strahlenquelle zur gleichzeitigen Erzeugung von fluoreszierender, weicher Röntgenstrahlung und einer für die Analyseprobe charakteristische Sekundär-Elektronenemission
DE1648808C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen einer Dampfdichte
DE1929429B2 (de) Vorrichtung zur spektrochemischen analyse eines materials
DE2105805C3 (de) Gerät zur Elektronenspektroskopie
DE3623044A1 (de) Verfahren zur regelung der dampfdichte bei plasmagestuetzten beschichtungsverfahren mit bogenentladungsverdampfern und einrichtung dazu
DE1295311B (de) Vorrichtung zum Herstellen von Metallueberzuegen durch Vakuumaufdampfen
DE2420656C3 (de) Vorrichtung zur Elektronenstrahlverdampfung
DE102005058160A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Analyse metallischer Proben
DE1548978A1 (de) Vorrichtung zur Messung der Stroemung eines Partikelstromes und diese Vorrichtung verwendendes System zur Dampfablagerung auf Traegerschichten
Zubek et al. Near-threshold photoionisation studies of N2
DE3630068C1 (en) Method, in particular for determining extremely low concentrations of elements and molecules in sample matrices by using laser beams
DE2637364A1 (de) Geraet zur spektroskopischen untersuchung der zusammensetzung einer unbekannten substanz und diesbezuegliches verfahren
DE3015352A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum spektoskopischen naschweis von an der oberflaeche eines festkoerpers befindlichen elementen
DE19828903C2 (de) Photoionisationsdetektor zum Gasspurennachweis im ppb-Bereich
DE1773242C3 (de) Meßgerät zur Ermittlung und Regelung der Verdampfungsgeschwindigkeit von im Vakuum verdampften Substanzen
DE2149234A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur spektroskopischen UEberwachung der Dichte eines in einem Elektronenstrahlofen erzeugten Dampfes
DE2305102A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur messung des dampfflusses durch ionisierung bei verdampfung im vakuum
DE3223334A1 (de) Verfahren fuer die spektroskopie und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2258532A1 (de) Durch mikrowellen angeregter emissionsdetektor
DE3803840A1 (de) Fotometer
DE2123066C3 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen einer Probe mit Elektronen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee