DE2659199A1 - Logische majoritaetsentscheidungsschaltung - Google Patents
Logische majoritaetsentscheidungsschaltungInfo
- Publication number
- DE2659199A1 DE2659199A1 DE19762659199 DE2659199A DE2659199A1 DE 2659199 A1 DE2659199 A1 DE 2659199A1 DE 19762659199 DE19762659199 DE 19762659199 DE 2659199 A DE2659199 A DE 2659199A DE 2659199 A1 DE2659199 A1 DE 2659199A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuits
- input signal
- circuit
- mos transistors
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/20—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits characterised by logic function, e.g. AND, OR, NOR, NOT circuits
- H03K19/23—Majority or minority circuits, i.e. giving output having the state of the majority or the minority of the inputs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
- -S ■ 2059199
Kreise können nur mit MOS-Transistoren gebildet werden und sind als integrierte Kreise leicht herstellbar.
Die Erfindung betrifft eine logische Majoritätsentseheidungsschaltung
mit Transistoren des Aufbaus Metall-Oxyd-Halbleiter, d.h. MOS-Transistoren.
Es sind mehrere Arten von Schaltungen zum Bestimmen der
Majorität der Zählwerte mehrerer Zählkreise entwickelt worden. Diese bekannten Kreise verwenden beispielsweise
ein Verfahren zum Addieren von Strömen durch Widerstände oder von Magnetflüssen durch Magnetkerne. Diese Schaltungen
sind im Aufbau einfach, eignen sich jedoch nicht für die
Herstellung als integrierte Schaltungen.
Es ist auch eine logische Majoritätsentscheidungsschaltung mit Transistoren und Dioden entwickelt worden, die zur
Herstellung als integrierte Schaltung geeignet ist. Diese Schaltung enthält drei 2-Eingang-UND-Tore und ein
3-Eingang-ODER-Tor im beispielsweisen Falle der Bestimmung
der Majorität von drei Signalen, wobei die Schaltung so
ausgestaltet ist, daß ein Ausgangssignal "1" erzeugt wird, wenn Eingangssignale "1" zwei oder drei Eingängen zugeführt
werden, und ein. Ausgangssignal "0" erzeugt wird,
wenn ein Eingangssignal "1" einem der drei Eingänge zugeführt wird. .
Da ein UND-Tor oder ein ODER-Tor aus vielen elektronischen
Teilen besteht, hat die oben erwähnte logische Mehrheitsentscheidungsschaltung
den Nachteil eines komplizierten Aufbaus zusätzlich zu der Notwendigkeit der großen Zahl
der Teile, auch für eine Majoritätsentscheidung von nur drei Eingangssignalen. Die Schaltung für die Majoritätsentscheidung von nur drei Eingangssignalen ist wegen dieser
Nachteile bisher nicht als Schaltung realisiert worden, die eine ungerade Zahl von logischen Kreisen aufweist und
in der Lage ist, die Majorität von Ausgangssignalen der
709828/0883
logischen Kreise zu bestimmen oder einzeln die Ausgangssignale von den logischen Kreisen abzunehmen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine logische
Majoritätsentseheidungsschaltung zu schaffen, die nur mit
einer relativ kleinen Zahl von MOS-Transistoren gebildet werden kann und die für eine Herstellung als integrierte
Schaltung sehr geeignet ist.
Die Erfindung soll des weiteren eine logische Majoritätsentscheidungsschaltung
schaffen, welche die Majorität der Ausgangssignale von vielen logischen Schaltungen bestimmen
kann, die für eine Herstellung als integrierte Schaltung zusammen mit den logischen Kreisen geeignet ist und die
im Schaltungsaufbau einfach ist.
Die Erfindung soll des weiteren eine logische Majoritätsentscheidungsschaltung
schaffen, die mehrere logische Kreise aufweist und die Majorität der Ausgangssignale
dieser Kreise bestimmt und in der die Majorität der Ausgangssignale einer ausgewählten ungeraden Zahl von logischen
Kreisen bestimmt werden kann.
Die Erfindung soll des weiteren eine logische Majoritätsentscheidungsschaltung
schaffen, die mehrere logische Kreise aufweist und die Majorität der Ausgangssignale
dieser Kreise bestimmt und in der das Ausgangssignal von einem ausgewählten logischen Kreis erhalten
werden kann.
Die Erfindung soll des weiteren eine logische Majoritätsentscheidungsschaltung
schaffen, die mehrere logische Kreise aufweist, die Majorität der Ausgangssignale dieser
Kreise bestimmt und nur mit MOS-Transistoren gebildet ist.
Zur Lösung dienen die Merkmale der Ansprüche.
Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der sind
709828/0883
Fig. 1 ein Schaltbild eines Beispiels einer bekannten logischen Majoritätsentscheidungsschaltung,
Fig. 2 ein Schaltbild eines Eingangssignal-Grundkreises in der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung
nach der Erfindung,
Fig. 3 ein Schaltbild einer*Ausführungsform der logischen
Majoritätsentseheidungsschaltung der Erfindung,
Fig. 4- eine graphische Darstellung der Arbeitsweise der
in Fig. 3 gezeigten Schaltung,
Fig. 3 ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform der
Erfindung,
Fig. 6 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der
logischen Majoritätsentseheidungsschaltung nach der
Erfindung, die eine Majoritätsentscheidungsfunktion und eine Auswahlfunktion aufweist, und
Fig. 7 ein Schaltbild einer abgewandelten Form der in Fig.
gezeigten logischen Majoritätsentscheidungsschaltung.
Als logische Majoritätsentseheidungsschaltung, die zur
Herstellung als integrierte Schaltung mit Halbleiterelementen,
wie Transistoren, Dioden usw. geeignet ist, ist beispielsweise, wie in Fig. 1 gezeigt ist, eine Schaltung bekannt,
die zum Bestimmen der Majorität von drei Signalen verwendet wird. Die dargestellte Schaltung besteht aus drei UKD-Toren
1 bis 3» von denen jedes zwei Eingänge aufweist, und einem
ODER-Tor 4, das drei Eingänge aufweist. Die Schaltung kann ein Ausgangssignal "1" an einem Ausgangsanschluß D1 abgeben,
wenn Eingangssignale an zwei oder drei der Eingangsanschlüsse A', B1 und C angelegt worden sind, und ein Ausgangssignal
11O" an dem Ausgangs ans chluß D1 abgeben, wenn ein Eingangssignal
an einen der Eingangsanschlüsse angelegt worden ist.
Ein UND-Tor oder ein ODER-Tor besteht jedoch, wie oben erwähnt wurde, aus vielen elektronischen Teilen, so daß auch
für eine Majoritätsentscheidung von nur drei
709 828/088 3
* 2GS9 193
Eingangssignalen eine große Zahl von Teilen erforderlich
ist \ind der Schaltungsaufbau unvermeidbar kompliziert wird.
Gemäß der Erfindung ist die logische Majoritätsentscheidungsschaltung
mit einer kleinen Zahl von elektronischen Teilen, insbesondere nur MOS-Transistoren gebildet und hat einen
einfachen Schaltungsaufbau, wobei mehrere Funktionen im Zusammenwirken mit anderen logischen Kreisen ausgeführt
werden können.
Fig. 2 zeigt einen Kingangssignal-Grundkreis 10, in dem
die Drainanschlüsse D eines P-Kanal-MOS-Transistors Q,1
und eines N-Kanal-KOS-Transistors Q2 miteinander verbunden
sind, um einen Ausgangsanschluß OP zu bilden. Die Gateanschlüsse G der Transistoren sind auch miteinander verbunden,
um einen Eingangsanschluß IP zu bilden.
Die Ausführungsform der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung
nach Fig. 3 verwendet den Eingangssignal-Grundkreis 10 und im Aufbau dazu identische Eingangssignal-Grundkreise
20 und 30. Die Sourceanschlüsse S der P-Kanal-MOS-Transistoren
Q1, Q3 und Q5 der Eingangssignal-Grundschaltungen
10, 20 und 30 sind mit einem Spannungsquellenanschluß
VDD verbunden und die Sourceanschlüsse S der N-Kanal-MOS-Transistoren Q2, Q4- und Q6 sind geerdet. Des
weiteren sind die Verbindungspunkte der Drainanschlüsse D der P- und N-Kanal-MOS-Transistoren der Eingangsεignal-Grundkreise
10, 20 und 30 miteinander verbunden, um einen Ausgangsanschluß R zu bilden.
Wenn die Eingangsanschlüsse A, B und C der logischen
Majoritätsentscheidungsschaltung des in Fig. 3 gezeigten
Aufbaus alle äquipotential zu dem Spannungsquellenanschluß VDD sind, leiten die N-Kanal-MOS-Transistoren Q2, Q4 und Q6
und leiten nicht die P-Kanal-MOS-Transistoren Q1, Q3 und QJ?,
was zu 0 V am Ausgangsanschluß R führt.
709828/0883
■ 5 2bSCj l99
Venn umgekehrt die Eingangsanschlüsse A, B und C alle auf
O V. sind, sind die N-Kanal-MOS-Transistoren Q2, Q4 und Q6
nicht leitend und die P-Kanal-MOS-Transistoren Q1, Q3 und
Q5 leitend, was·dazu führt, daß das Ausgangssignal
äquipotential mit dem Spannungsquellenanschluß VDD wird.
Wenn einer der Eingangsanscfhlüsse A, B und C äquipotential
mit dem Spannungsquellenanschluß VDD ist und 'die beiden anderen Eingangsanschlüsse ein Potential von 0 V haben,
leitet der mit dec: Spannungsquellenanschluß VDD äquipotential gehaltene.N-Kanal-MOS-Transistor und leiten die
anderen N-Kanal-MOS-Transistoren nicht.
Die Ausgangsspannung in diesem Fall kann graphisch aus
Fig. 4 erhalten werden.
Pig. 4 zeigt eine VDS-ID-Kennlinie der in Pig. 3 gezeigten
logischen Majoritätsentscheidungsschaltung, wobei die
Abszisse die Source-Drain-Spanriung VDS zeigt und die Ordinate den Drainstrom ID angibt. A ist die Kurve des
Betriebs im Falle von zwei leitfähigen N-Kanal-MOS-Transistoren.
B ist die Kurve des Betriebs im Falle eines leitfähigen N-Kanal-MOS-Transistors. G ist die Kurve
des Betriebs im Falle von zwei leitfähigen P-Kanal-MOS-Transistoren
und D ist die Kurve des Betriebs im Falle eines leitfähigen P-Kanal-MOS-Transistors.
Gemäß Fig.4 ist der Schnittpunkt X der Kurven B und G
die erzeugte Ausgangsspannung, wenn ein N-Kanal-MOS-Transistor
und zwei P-Kanal-MOS-Transistoren leitend sind.
Diese Spannung ist etwas kleiner als die Äüsgangsspannung,
die erzeugt würde, wenn alle Eingangsanschlüsse das Potential 0 V haben (welche Äüsgangsspannung äquipotential
mit dem Spannungsquellenanschluß VDD ist), ist aber ausreichend näher an VDD als der Schwellwert Vth einer
logischen Schaltung unter Verwendung von komplementären MOS-Transistoren. Demgemäß erzeugt die vorstehend
709 828/088 3
erwähnte Spannung dieselbe Wirkung wie die Eingangsspannung
VDD in der logischen Schaltung der nächsten Stufe, auch
wenn eine Nichtgleichförmigkeit der Teile, des Rauschenss
usw. berücksichtigt wird.
wenn eine Nichtgleichförmigkeit der Teile, des Rauschenss
usw. berücksichtigt wird.
Wenn zwei der Eingangsanschlüsse A, B und C äquipotential
mit dem Spannungsquellenanschluß VDD sind, verschiebt sich die Ausgangsspannung zum Punkt Y und ist im wesentlichen 0 V.
mit dem Spannungsquellenanschluß VDD sind, verschiebt sich die Ausgangsspannung zum Punkt Y und ist im wesentlichen 0 V.
Deshalb haben die Eingangs- und Ausgangsspannungen die
folgenden Beziehungen:
folgenden Beziehungen:
Emgangssp annung | Aus g angs s ρ annung | |
Alle Eingänge | 0 V | VDD |
Ein Eingang | VDD | VDD |
Zwei Eingänge | VDD | 0 V |
Alle Eingänge | VDD | 0 V |
Wenn 0 V und VDD jeweils als logische "0" und logische "1" angenommen werden, werden die folgenden Beziehungen erhalten:
Eingang | C | Ausgang | Eingang | B | G | Ausg |
A B | 0 | A | 1 | 0 | ||
0 0 | 1 | Λ | 1 | 0 | 1 | 0 |
0 0 | 0 | Λ | 1 | 1 | 1 | 0 |
0 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 |
1 0 | Λ | 1 | 0 |
Das bedeutet, daß eine Majoritätsentscheidung der umgekehrten Werte der drei Eingänge ausgeführt wird.
Bei der voranstehenden Ausführungsform sind drei Eingangssignal-Grundkreise
nebeneinander angeordnet und die Majoritätsentscheidung von drei Signalen wird ausgeführt. Es ist
aber auch möglich, die Majoritätsentscheidung von einer
größeren Zahl von Eingangssignalen auszuführen, indem
größeren Zahl von Eingangssignalen auszuführen, indem
709828/088 3
2GG9 1 99
nebeneinander eine ungerade Zahl von Eingangssignal-Grundkreisen,
beispielsweise fünf, sieben od.dgl. angeordnet wird.
Da bei der Ausführungsform nach Fig. 5 ein Ausgangs signal
der Majoritätsentscheidung von umgekehrten Signalen an Eingangspunkten T1, T2 und T3 der Eingangssignal-Grundkreise
1O1 20 und 30 an dem Ausgangsanschluß R in genau derselben
Weise wie bei der Ausführungsform der Fig. 3 auftritt,
wird die Beschreibung hinsichtlich dieser Arbeitsweise nicht wiederholt.
Logische Kreise "I1 II und III enthalten jeweils eine Reihenschaltung
eines Kreises aus MOS-Transistoren mit Kanälen
eines Leitfähigkeitstyps und eines Kreises mit derselben
Zahl von MOS-Transistoren mit Kanälen des anderen Leitfähigkeitstyps.
Die Verbindungspunkte TI1 T2 und T3 der Kreispaare bilden Ausgangsanschlüsse und die Gateanschlüsse
der MOS-Transistoren mit Kanälen des einen Leitfähigkeitstyps und der MOS-Transistoren mit Kanälen des anderen Leitfähigkeitstyps
werden paarweise verbunden, um Eingangsanschlüsse
zu bilden. Die Ausgangsanschlüsse T1, T2 und T3 werden
jeweils mit den Eingangssignal-Grundkreisen 10, 20 und 30
verbunden.
In dem logischen Kreis I sind eine Reihenschaltung von
P-Kanal-M03-Transistoren QA1, OJB1 und QC1 und eine Parallelschaltung
von N-Kanal-MOS-Transistoren QA2, QB2 und QC2
in Reihe zwischen Spannungsquellenanschlüsse VDD und VSS (* 0 V) geschaltet und der Verbindungspunkt T1 der beiden
Kreise bildet den Ausgangsanschluß, wie oben erwähnt wurde.
Andererseits sind die Eingangsanschlüsse A, B und C jeweils
mit den Gateanschlüssen der Paare der MOS-Transistoren QA1
und QA2, QB1 und QB2 und QC1 und QG2 mit Kanälen entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps verbunden.
7098?8/088 3
Der logische Kreis I gibt an seinem Ausgangsanschluß T1
eine umgekehrte logische Summe der drei Eingänge A, B und C, d.h. A+B+C ab. Wenn nämlich die Eingänge A, B und C alle
"1" sind, sind die P-Kanal-MOS-Transistoren QA.1, QB1 und QC1
nicht leitend, jedoch leiten die N-Kanal-MOS-Transistoren
QA2, QB2 und QC2. Wenn die Eingänge A, B und C alle "0" sind, leiten die P-Kanal-MOS-Transistoren QA1, QB1 und QC1
und leiten die N-Kanal-MOS-Transistoren QA2, QB2 und QC2 nicht.
Wenn demgemäß wenigstens einer der Eingänge A, B und C "1"
ist, leitet wenigstens einer der P-Kanal-MOS-Transistoren
QA1, QB1 und QC1 der Serienschaltung nicht und leitet
wenigstens einer der F-Kanal-MOS-Transistoren QA2, QB2 und
QC2, was den Ausgangsanschluß T1 äquipotential mit dem
Spannungs que llenans chluß VSS, d.h. "0", macht.
Wenn die drei Eingänge A, B und C alle "0" sind, leiten alle P-Kanal-MOS-Transistoren QA1, QB1 und QC1 und leiten
alle N-Kanal-MOS-Transistoren QA2, QB2 und QC2 nicht, so
daß der Ausgangsanschluß T1 äquipotential mit dem Spannungsquellenanschluß
VSS, d.h. "1", wird.
Wenn auch in dem logischen Kreis II beide Eingänge D und E "1" sind, erscheint 11O" an dem Aus gangs ans chluß T2. Wenn
aber wenigstens einer der Eingänge "0" ist, leitet wenigstens einer der MOS-Transistoren QD1 und QE1, so daß
"1" an dem Ausgangsanschluß T2 abgegeben wird. Mit anderen
Worten wird D-E (Inversion des logischen Produkts der beiden Eingänge D und E) erhalten.
Der logische Kreis III erzeugt an seinem Ausgangsanschluß T3
ein umgekehrtes Ausgangssignal der logischen Summe des logischen Produkts von zwei der drei Eingänge F, G und H,
d.h.F-G+H. Da der Aufbau und die Arbeitsweise des logischen
Kreises III gleich denen der oben erwähnten logischen Kreise I und II sind, wird dies nicht beschrieben.
709828/0883
Die Ausfuhrungsform einer logischen Majoritätsentscheidungsschaltung
nach der Erfindung in Fig. 6 enthält ebenfalls logische Kreise I, II, III und IV, von denen jeder
aus MOS-Transistoren besteht. Eingangssignal-Grundkreise 10, 20, 50 und 4-0 werden jeweils mit Eingangssignalen von
Ausgangsanschlüssen T1, T2, T3 und T4 der logischen Kreise
I, II, III und IV wie im Falle bei der Ausführungsform der Fig. "5 gespeiste Ausgangsanschlüsse 0P1, 0P2, 0P3 und
0P4 der Eingangssignal-Grundkreise 10, 2O9 30 und 40 sind
mit dem Ausgangsanschluß R der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung
jeweils über Schaltkreise S1, S2, S3 und S4- verbunden.
Die Schaltkreise S1, S2, S3 und S4- sind jeweils durch
Parallelschaltungen von P- und N-Kanal-MOS-Transistoren
QPI und QN1, QP2 und QN2, QP3 und QN3 und QP4 und QN4-gebildet.
Die Schaltkreise S1, S2, S3 und S4· werden jeweils
ein- und ausgeschaltet, indem Signale "0" und "1" oder "1" und "0" an die Gateanschlüsse des Paars der MOS-Transistoren
über Anschlußpaare El und L1, L2 und L2, IJ3 und L3,
sowie IA" und IA angelegt werden.
Der logische Kreis I besteht aus einer Reihenschaltung eines Reihenkreises von zwei P-Kanal-MOS-Transistoren QA1
und Qß1 und einem Parallelkreis von zwei N-Kanal-MOS-Transistoren
QA2 und QB2, wobei der Verbindungspunkt T1 der
beiden Kreise als Ausgangsanschluß dient. Der logische Kreis I weist des weiteren zwei Eingangsanschlüsse A und B
auf, wobei der eine Eingangsanschluß A mit den Gateanschlüssen
des P-Kanal-MOS-Transistors QA1 und des N-Kanal-MOS-Transistors
QA2 verbunden ist und der andere Eingangsanschluß B
mit den Gatanschlüssen des P-Kanal-MOS-Transistors QB1 und
des N-Kanal-MOS-Transistors QB2 verbunden ist.
Wenn in dem logischen Kreis I wenigstens einer der beiden
Eingänge A und B "1" ist, leitet wenigstens einer der MOS-Transistoren
QA2 und QB2 und leitet wenigstens einer der
709828/088 3
MOS-Transistoren QA1 und QB1 nicht, so daß "O" am Ausgangsanschluß T1 abgegeben wird. Wenn die Eingänge A und B beide
"0" sind, werden beide MOS-Transistoren QA1 und QB1
leitend und bleiben die anderen MOS-Transistoren QA2 und QB2 nicht leitend, wodurch "1" an dem Ausgangsanschluß T1
erzeugt wird. Mit anderen Worten tritt für die Eingänge A und B ein Ausgang A+B, d.h. eine Inversion der logischen
Summe der Eingänge, an dem Ausgangsanschluß T1 auf. Der
logische Kreis I bildet einen NOR-Kreis.
Bei dieser Ausführungsform sind die logischen Kreise I, II, III und IV im Aufbau alle genau identisch. Wenn nun
eine ausgewählte ungerade Zahl von Schaltkreisen, beispielsweise S1, S2 und S3, eingeschaltet wird und wenn der verbleibende
Schaltkreis S4 ausgeschaltet wird, ist es möglich, an dem Ausgangsanschluß R ein Majoritätsentscheidungsausgangssignal
der umgekehrten Signale der Ausgänge der logischen Kreise I, II und III zu erhalten.
Wenn des weiteren einer der Schaltkreise, beispielsweise S1,
getrennt eingeschaltet wird und die anderen Schaltkreise S2, S3 und S4 ausgeschaltet werden, kann ein Ausgangssignal
nur von dem logischen Kreis I für den Schaltkreis S1 an dem Ausgangsanschluß R erhalten werden. Da der Ausgangsanschluß T1 des logischen Kreises I durch den Eingangssignal-Grundkreis
10 umgekehrt ist, tritt jedoch in diesem Fall die logische Summe der beiden Eingänge A und B an
dem Ausgangsanschluß R auf.
Die Ausführungsform der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung
der Erfindung nach Fig. 7 enthält auch logische Kreise I, II, III und IV, von denen jeder aus MOS-Transistoren
besteht, wobei Eingangssignal-Grundkreise 10, 20, 30 und 40 jeweils mit EingangsSignalen von Ausgangsanschlüssen
T1, T2, T3 und T4 der logischen Kreise gespeist werden. Die jeweils paarweise zusammengeschalteten logischen
Kreise und Eingangssignal-Grundkreise (I und 10, II und 20, III und 30,sowie IV und 40) sind jeweils mit den
709828/0883
Spannungsquellenanschlüssen VDD und VSS über Paare von P- und N-Kanal-MOS-Transistoren QP1 und QN1, QP2 und QN2,
QP3 und QN3 sowie QP4- und QtM- verbunden. Durch Anlegen
von Signalen "0" und "1" oder "1" und "0" an die Gateanschlüsse der Paare der MOS-Transistoren über Anschlußpaare
TA und L1, E2 und L2, Ü3 und L3 sowie TA und IA-werden
die MOS-Transistoren gesteuert, um den Schaltvorgang der Zuführung oder des Abschaltens der Spannung an die
entsprechenden Paare der logischen Kreise und der Eingangssignal-Grundkreise auszuführen.
Da der Aufbau und die Arbeitsweise der logischen Kreise I, II, III und IV und auch die Arbeitsweise im Zusammenhang
mit den daran angeschlossenen Eingangssignal-Grundkreisen genau gleich denen sind, die voranstehend unter Bezugnahme
auf den logischen Kreis I in Fig. 6 beschrieben worden sind, wird diese Beschreibung nicht wiederholt.
Wie oben beschrieben wurde, sind die Schaltkreise S1, S2,
S3 und S4- jeweils durch Paare von MOS-Transistoren QP1 und
QN1, QP2 und QN2, QP3 und QN3 sowie QP4 und QEM- gebildet.
Es wird nun angenommen,daß Eingangssignale 11O" und "Λ"
getrennt an die Anschlußpaare TA und L1, E2 und L2 sowie
und L3 angelegt werden und daß Eingangssignale "1" und
0" an das verbleibende Anschlußpaar TA und IA angelegt werden und daß die Schaltkreise S1, S2 und S3 eingeschaltet
sind und der Schaltkreis S4 ausgeschaltet ist.
Die logischen Kreise I, II und III und die Eingangssignal-Grundkreise
10, 20 und 30, die entsprechend den Schaltkreisen S1, S2 und S3 eingeschaltet sind, sind mit der
Spannungsquelle verbunden und werden betätigt, um an dem Ausgangsanschluß R das Majoritätsentscheidungsausgangssignal
der Ausgänge von den logischen Kreisen I, II und III zu erzeugen, wie vorangehend unter Bezugnahme auf die Fig. 5
und 6 beschrieben wurde. Da der Schaltkreis S4- sich im
709828/0883
Aus zustand "befindet, sind der logische Kreis IV und der
Eingangssignal-Grundkreis 4-0 nicht betätigt und es wird von diesen kein Ausgangssignal erzeugt.
Auch wenn einer der vier Schaltkreise, beispielsweise S1,
eingeschaltet ist und die anderen Schaltkreise S2, S3 und
S4- ausgeschaltet sind, kann das Ausgangssignal von dem
logischen Kreis I allein, der durch den Schaltkreis S1 betätigt wird, an dem Ausgangsanschluß E abgeleitet werden.
Da auch in diesem Fall das Ausgangssignal an dem Ausgangsanschluß T1 des logischen Kreises I durch den Eingangssignal-Grundkreis
10 wie im Fall der Fig. 6 umgekehrt wird, tritt die logische Summe der beiden Eingänge A und B,
d.h. A+B, an dem Ausgangsanschluß R auf.
Bei der Ausfuhrungsform in Fig. 7 fließt kein Strom
in dem nicht ausgewählten logischen Kreis und dem Eingangssignal-Grundkreis, so daß dadurch Leistung gespart wird.
7098?8/0883
Claims (6)
- Patentansprüche■V Logische Majoritätsentscheidung^schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß eine "ungerade Zahl von Eingangssignal-Grundschaltungen (10, 20, 30) vorgesehen ist, daß jeder Eingangssignal-Grundkreis aus einem MOS-Transistor eines Leitfähigkeitstyps und einem MOS-Transistor des anderen Leitfähigkeitstyps besteht, daß eine Elektrode jedes MOS-Transistors mit einer Elektrode des anderen MOS-Transistors verbunden ist, um an dem Verbindungspunkt den Ausgangsanschluß jedes Eingangssignal-Grundkreises zu bilden, daß die Gateanschlüsse der MOS-Transistoren miteinander verbunden sind, um an dem Verbindungspunkt einen der Ausgangsanschlüsse der Majoritätsentscheidungsschaltung zu bilden, daß die anderen Anschlüsse der MOS-Transistoren an eine Spannungsquelle angeschaltet sind, um jeden Eingangssignal-Grundkreis parallel dazu zu schalten, und daß die Ausgangsanschlüsse der Eingangssignal-Grundkreise miteinander verbunden sind, um an dem Verbindungspunkt den Ausgangsanschluß der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung zu bilden.
- 2. Logische Majoritätsentscheidungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine ungerade Zahl von logischen Kreisen (I, II, III) parallel zu der Spannungsquelle geschaltet sind, daß die logischen Kreise jeweils eine Reihenschaltung eines Kreises aus MOS-Transistoren des einen Leitfähigkeitstyps und eins Kreises aus derselben Zahl von MOS-Transistoren des anderen Leitfähigkeitstyps enthalten, wobei der Verbindungspunkt den Ausgangsanschluß jedes logischen Kreises bildet, daß die Gateanschlüsse jedes Paars der MOS-Transistoren des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps miteinander verbunden sind, wobei der Verbindungspunkt den Eingangsanschluß des logischen Kreises bildet, und daß die Ausgangsanschlüsse der logischen Kreise jeweils mit den Eingangssignal-Grundkreisen verbunden sind.709828/0883 original inspected
- 3. Logische Majoritätsentscheidungsschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Eingangssignal-Grundschaltungen (10, 20, 30, 40) vorgesehen sind, von denen jede aus einem MOS-Transistor eines Leitfähigkeitstyps und einem MOS-Transistor des anderen Leitfähigkeitstyps besteht, daß eine der Elektroden jedes der MOS-Transistoren mit einer der Elektroden des anderen MOS-Transistors verbunden ist, um an dem Verbindungspunkt den Ausgangsanschluß jedes Eingangssignal-Grundkreises zu bilden, daß die Gateanschlüsse der MOS-Transistoren miteinander verbunden sind, um an dem Verbindungspunkt einen der Eingangsanschlüsse der logischen Majoritätsentscheidungsschaltung zu bilden, daß die anderen Elektroden der MOS-Transistoren mit einer Spannungsquelle verbunden sind, um daran alle Eingangssignal-Grundkreise parallel anzuschalten, daß die Ausgangsanschlüsse aller Eingangssignal-Grundkreise miteinander verbunden sind, um den Ausgangsanschluß des Majoritätsentscheidungskreises zu bilden, daß mehrere logische Kreise (I, II, III, IV) parallel zu der Spannungsquelle geschaltet sind, daß jeder logische Kreis eine Reihenschaltung eines Kreises aus MOS-Transistoren des einen Leitfähigkeitstyps und eines Kreises mit derselben Zahl von MOS-Transistoren des anderen Leitfähigkeitstyps enthält, wobei der Verbindungspunkt den Ausgangsanschluß bildet, daß die Gateanschlüsse jedes Paars der MOS-Transistoren des einen Leitfähigkeitstyps und des anderen Leitfähigkeitstyps miteinander verbunden sind, wobei der ■Verbindungspunkt den Eingangsanschluß bildet, daß die Ausgangsanschlüsse der logischen Kreise jeweils mit den Eingangssignal-Grundkreisen verbunden sind und daß Schaltkreise (S1, S2, S3» S4) jeweils mit den Eingangssignal-Grundkreisen zum getrennten Erzeugen nur einer ungeraden Zahl von AusgangsSignalen von den Eingangssignal-Grundkreisen verbunden sind.709828/088326SB 199
- 4. Logische Majoritätsentscheidungsschaltung nach Anspruch 35 dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkreise jeweils aus einem MOS-Transistor eines Leitfähigkeitstyps und einem MOS-Transistor des anderen Leitfähigkeitstyps "bestehen und daß die MOS-Transistoren jeweils so gesteuert werden, daß sie gleichzeitig ein- und ausgeschaltet werden.
- 5. Logische Majoritätsentseheidungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkreise jeweils in Spannungsquellenverbindungsteilen der Eingangssignal-Grundkreise zum Ein- und Ausschalten der Spannungsquelle vorgesehen sind, um die Eingangssignal-Grundkreise zu betätigen.
- 6. Logische Majoritätsentscheidungsschaltung nach Anspruch 4-, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkreise jeweils in Spannungsquellenverbindungsteilen der Eingangssignal-Grundkreise zum Ein- und Ausschalten der Spannungsquelle vorgesehen sind, um gleichzeitig die Eingangssignal-Grundkreise und die daran angeschalteten logischen Kreise zu betätigen.7· Logische Majoritätsentscheidungsschaltung nach Anspruch 4-, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkreise jeweils in Ausgangsteilen der Eingangssignal-Grundkreise zum Ein- und Ausschalten der Ausgangssignale vorgesehen sind.709828/0883
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15812375A JPS5283054A (en) | 1975-12-30 | 1975-12-30 | Majority decision logical circuit |
JP15812475A JPS5283055A (en) | 1975-12-30 | 1975-12-30 | Logical circuit with majority decision function and selection function |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2659199A1 true DE2659199A1 (de) | 1977-07-14 |
Family
ID=26485355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762659199 Pending DE2659199A1 (de) | 1975-12-30 | 1976-12-28 | Logische majoritaetsentscheidungsschaltung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4091293A (de) |
DE (1) | DE2659199A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2947502A1 (de) * | 1979-11-24 | 1981-05-27 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Schaltungsanordnung zur logischen verknuepfung von funktionsgruppen |
DE3148410A1 (de) * | 1980-12-05 | 1982-11-04 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | Programmierbare verknuepfungsschaltung |
US4495427A (en) * | 1980-12-05 | 1985-01-22 | Rca Corporation | Programmable logic gates and networks |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4375683A (en) * | 1980-11-12 | 1983-03-01 | August Systems | Fault tolerant computational system and voter circuit |
DE3120163A1 (de) * | 1981-05-21 | 1982-12-09 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Cmos-auswahlschaltung |
JPS6030215A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Toshiba Corp | Cmos論理回路 |
JPS61154221A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 多数決回路 |
US4755696A (en) * | 1987-06-25 | 1988-07-05 | Delco Electronics Corporation | CMOS binary threshold comparator |
US4896059A (en) * | 1988-07-26 | 1990-01-23 | Microelectronics Center Of North Carolina | Circuit to perform variable threshold logic |
US5387827A (en) * | 1990-01-20 | 1995-02-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit having logic gates |
JP2897507B2 (ja) * | 1992-01-23 | 1999-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体論理回路 |
US7388400B2 (en) * | 1993-01-07 | 2008-06-17 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor integrated circuits with power reduction mechanism |
JP3229135B2 (ja) * | 1994-09-14 | 2001-11-12 | 三菱電機株式会社 | アナログ/デジタル変換装置 |
US6377097B1 (en) | 2000-03-13 | 2002-04-23 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for reducing the vulnerability of latches to single event upsets |
US6910173B2 (en) * | 2000-08-08 | 2005-06-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Word voter for redundant systems |
NO320344B1 (no) * | 2003-12-11 | 2005-11-28 | Leiv Eiriksson Nyskapning As | Kretselement |
US7129742B1 (en) | 2005-02-23 | 2006-10-31 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Majority logic circuit |
US7557643B2 (en) * | 2007-01-08 | 2009-07-07 | Sandisk Corporation | De-glitch circuit |
FR2960720A1 (fr) | 2010-05-25 | 2011-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de protection d'un circuit logique contre des radiations externes et dispositif electronique associe. |
US8570061B2 (en) * | 2011-07-05 | 2013-10-29 | Honeywell International Inc. | (N-1)-out-of-N voter mux with enhanced drive |
KR101803464B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2017-12-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 다수 판정 회로 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3356858A (en) * | 1963-06-18 | 1967-12-05 | Fairchild Camera Instr Co | Low stand-by power complementary field effect circuitry |
CA945641A (en) * | 1970-04-27 | 1974-04-16 | Tokyo Shibaura Electric Co. | Logic circuit using complementary type insulated gate field effect transistors |
US3715603A (en) * | 1971-10-28 | 1973-02-06 | Rca Corp | Threshold gate circuits employing field-effect transistors |
US3925685A (en) * | 1973-04-30 | 1975-12-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Time sharing information circuit |
US3896429A (en) * | 1973-06-25 | 1975-07-22 | Hughes Aircraft Co | Segment decoder for numeric display |
JPS5620734B2 (de) * | 1973-07-31 | 1981-05-15 | ||
US3900742A (en) * | 1974-06-24 | 1975-08-19 | Us Navy | Threshold logic using complementary mos device |
-
1976
- 1976-12-15 US US05/750,884 patent/US4091293A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-12-28 DE DE19762659199 patent/DE2659199A1/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2947502A1 (de) * | 1979-11-24 | 1981-05-27 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Schaltungsanordnung zur logischen verknuepfung von funktionsgruppen |
DE3148410A1 (de) * | 1980-12-05 | 1982-11-04 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | Programmierbare verknuepfungsschaltung |
US4495427A (en) * | 1980-12-05 | 1985-01-22 | Rca Corporation | Programmable logic gates and networks |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4091293A (en) | 1978-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2659199A1 (de) | Logische majoritaetsentscheidungsschaltung | |
DE112016001160B4 (de) | Kompaktes ReRAM-basiertes FPGA | |
DE112005003742B9 (de) | LVDS-Treiber mit Pre-Emphasis | |
DE4326134B4 (de) | Eingangswechseldetektorschaltung | |
DE69413478T2 (de) | Inverter mit Verzögerungselement mit variabler Impedanz | |
DE4041426C2 (de) | ||
DE1011181B (de) | Matrix-Schaltung | |
DE3880239T2 (de) | Verstärkerschaltung die eine Lastschaltung enthält. | |
DE2510604C2 (de) | Integrierte Digitalschaltung | |
DE3784285T2 (de) | Integrierte komplementaere mos-schaltung. | |
DE2309080C3 (de) | Binäruntersetzerstufe | |
DE4017617C2 (de) | Spannungserzeugungsschaltung mit geringer Leistungsaufnahme und stabiler Ausgangsspannung bei kleiner Schaltkreisfläche | |
DE2140305B2 (de) | Statisches Schieberegister | |
DE3232843C2 (de) | MOS-Logikschaltung | |
DE69132064T2 (de) | Trommelverschieber | |
EP0203535B1 (de) | Verfahren zur Simulation eines Fehlers in einer logischen Schaltung und Schaltungsanordnung zur Durchführung desselben | |
DE69001669T2 (de) | Gegen rauschen geschuetzter schwellwertdetektor. | |
DE2525690C3 (de) | Logische DOT-Verknüpfungsschaltung in Komplementär-Feldeffekttransistor-Technik | |
DE2509732B2 (de) | Schaltungsanordnung zur Korrelation zweier Gruppen paralleler Binärsignale | |
DE1287128B (de) | Logische Schaltung mit mehreren Stromlenkgattern | |
DE19503036C1 (de) | Differenzverstärker | |
DE3026361C2 (de) | ||
DE19501707C1 (de) | Elektrisches Bauelement und Verfahren zum Abgleichen der inneren Laufzeit eines solchen elektrischen Bauelements | |
DE69010126T2 (de) | Integrierte, programmierbare Logikanordnung. | |
DE69112476T2 (de) | Integrierter Halbleiterschaltkreis. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHW | Rejection |