DE2648425A1 - Binaere logische grundschaltung - Google Patents
Binaere logische grundschaltungInfo
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- DE2648425A1 DE2648425A1 DE19762648425 DE2648425A DE2648425A1 DE 2648425 A1 DE2648425 A1 DE 2648425A1 DE 19762648425 DE19762648425 DE 19762648425 DE 2648425 A DE2648425 A DE 2648425A DE 2648425 A1 DE2648425 A1 DE 2648425A1
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Description
Deutsche ITT Industries GmbH L. Blossfeld 14
Hans-Bunte-Str. 19 Mo/kn
7800 Freiburg i. Br. 25. Oktober 19 76
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
FREIBURG I. BR.
Binäre logische Grundschaltung
Die Erfindung betrifft eine binäre logische Grunδ schaltung
mit mindesten;? zv/ei binärsignalflußmäßig derart hintereinandergeschalteten
Transistorstufen, daß der Kollektor eines Transistors einer ersten Stufe mit der Basis eines Transistors
einer sweiten Stufe galvanisch direkt und mit jedem Verbindiingspunkt
Basis/Kollektor ein Strom von einer ersten Betriebsspannungsquelle
aus zuführender Schaltungsteil verbunden ist.
Die Schaltung ist dabei so betrieben, daß in Abhängigkeit vom vorhandenen Binär:«ustand H oder L- der im jeweiligen Transistor
fließende Basisstrom entweder einen unteren Strom·- pegel I oder einen oberen Strompegel I annimmt.
_ ο —
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Fl 314 if L. Blossfeld 14
Logische Schaltungskonzepte, die eine derartige Kopplung zweier binärsignalflußmäßig hintereinandergeschalteter Transistorstufen
aufweisen, sind beispielsweise die sogenannten DCTL-S.chaltungen, also mittels bipolarer Transistoren realisierte
direkt gekoppelte Transistor-Logik-Schaltungen, sowie
die unter der Bezeichnung I L-Schaltungen bekannten integrierten
Logik-Schaltungen, die aufgrund ihrer speziellen Realisierung als integrierte Schaltung eine besonders hohe
Packungsdichte erlauben. Dem unteren Strompegel I entspricht dabei praktisch der Strom null.
Bei logischen Grundschaltungen der eingangs genannten Art ist
die Schaltgeschwindigkeit der einzelnen Stufen und damit auch der'Maximalwert der Frequenz der zu verarbeitenden Signale
wesentlich vom Binärsignal-Spannungshub ^U abhängig. Unter
Binärsignal-Spannungshub J U wird hierbei die Differenz
zwischen der dem einen logischen Binärzustand H zugeordneten Signalspannung U„ und der dem anderen logischen Binärzustand L
π
zugeordneten Signalspannung IL verstanden. Die Abhängigkeit der Schaltgeschwindigkeit vom Binärsignal-Spannungshub /J U ist im wesentlichen darauf zurückzuführen, daß die einzelnen Stufen der Schaltung kapazitätsbehaftet sind und diese Kapazitäten durch die Signalspannungen auf-, ent- oder umgeladen werden müssen. Die Kapazitäten bestehen dabei z. T. aus Eingangs- bzw. Ausgangskapazitäten der verwendeten Transistoren, aber auch aus Streu- und Schaltungskapazitäten.
zugeordneten Signalspannung IL verstanden. Die Abhängigkeit der Schaltgeschwindigkeit vom Binärsignal-Spannungshub /J U ist im wesentlichen darauf zurückzuführen, daß die einzelnen Stufen der Schaltung kapazitätsbehaftet sind und diese Kapazitäten durch die Signalspannungen auf-, ent- oder umgeladen werden müssen. Die Kapazitäten bestehen dabei z. T. aus Eingangs- bzw. Ausgangskapazitäten der verwendeten Transistoren, aber auch aus Streu- und Schaltungskapazitäten.
Bei den erwähnten I L-Schaltungen ist es bereits bekannt, eine Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit dadurch zu erreichen,
daß der Binärsignal-Spannungshub mittels sogenannter Schottky-Dioden verringert werden kann, wobei diese Schottky-Dioden
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- zr -
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entweder in eier Basiszuleitung oder in der Kollektorzuleituug
beispielsweise eines Invertertransistors angeordnet sind oder
eine Schottky-Diode Basis und Kollektor eines derartigen Transistors verbindet. Hiermit läßt sich jedoch lediglich
eine Schaltcjeschwindigkeitserhöhung um etwa den Faktor 2 gegenüber
Schaltungen ohne Schottky-Dioden erreichen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine weitere wesentliche Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit bei binären
logischen Grundschaltungen der eingangs genannten Art zu erreichen. Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil
des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 bis 4 zeigen die Schaltbilder von vier verschiedenen Varianten eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Fig. 5 zeigt das Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 bis 8 zeigen die Schaltbilder dreier Varianten eines dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung
Fig. 9 zeigt das Ersatzschaltbild einer Anwendung der
Erfindung bei einer I'L-Schaltung, und
Fig. 10 zeigt zwei Strom-Spannungs-Diagramme zur Funktionserläuterung
der Erfindung anhand des Schciltbildesj nach Fig. 9.
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Zunächst seien die in den Fig. 1 bis 9 gemeinsam vorhandenen
Bauelemente und deren Zusammenschaltung näher erläutert. Allen in den Figuren gazeigten Ausführungsbeispielen sind die
Transistoren 1, 2 sowie der Schaltungsteil 4 gemeinsam, der in
den Fig. 1 bis 8 mit dem Schaltzeichen einer Kons Lantstromquelle
wiedergegeben ist. Selbstverständlich kann ans^itt
einer Koristcintstroinquelle auch ein ohmseher Widerstand oder
ein als ohmseher Widers Land geschaltetes Bauelement, beispielsweise
ein als- Widerstand geschalteter Feldeffekttransistor, als Schaltungsteil 4 vorgesehen werden.
Der Kollektor des Transistors 1, der zu einer erstem Transistorstufe
gehört, ist galvanisch direkt mit der Basis des Transistors 2 verbunden, der zu einer zweiten Transistorstufe
gehört, die binärsignalfluß.mäßig mit der ersten Transistorstufe hintereinandergeschaltet ist. Die Emitter der Transistoren
1,2 liegen in sämtlichen Ausführungsbeispielen am Schaltungsnullpunkt, während die Basis des Transistors 1
bezüglich des Binärsignalflusses den Eingang darstellt. Der Transistor 2 ist mit drei Kollektoren gezeichnet, die als
verschiedene Ausgänge bezüglich des Binärsignalflusses wirken. Der Schaltungsteil 4 führt dem Verbindungspunkt Basis/Kollektor
der jeweiligen Transistoren 1,2 von der ersten Betriebsspannungsquelle U1 einen Strom zu (Ströme I41, I/o/ I47 in
Fig. 9), der entsprechend der Erfindung größer als die Differenz ^i I aus dem oberen Strompegel I„ und dem unteren Strompegel
IL ist: I4-.
> 4.1 = Ig - Ij..
Ferner ist entsprechend der Erfindung in den vier Varianten des ersten Ausführungsbeispiels nach den Fig. 1 bis 4 das
mindestens eine Sperrschicht enthaltende Bauelement 3 vorgesehen, das derart geschaltet ist, daß es den für den jeweiligen
Binärzustand H, L der Transistoren 1,2 der ersten und der zweiten Stufe erforderlichen Kollektorstrom mindestens
teilweise liefert.
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Fl 914 3- L. Blossfeld
Hierzu liegt in der ersten Variante nach Fig. 1 das Bauelement 3 mit seinem einen Anschluß an der Basis des Transistors
2 und somit auch am Kollektor des Transistors 1. Sein SpannungsvorsorguncjEanschluß liegt an der zweiten Betriebsspnnnuncfsquelle
U2 und sein Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle U3. In der zweiten Variante nach
Fig. 2 liegt der Spannungsversorgungsanschluß des Bauelements 3 ein der ersten Betriebsspannungsquelle U1 und der
Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle U3. In
der dritten Variante nach Fig. 3 liegt der Spannungsversorgungsanschluß des Bauelements 3 wiederum an der ersten Betriebsspannungsquelle
U1 und der Steueranschluß ebenfalls an dieser Betriebsspannungsquelle. In der vierten Variante nach
Fig. 4 liegt der Versorgurigsanschluß des Bauelements 3 am Schaltungsnullpunkt und der Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle
U3.
Im zweiten Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 dient als Bauelement 3 mit mindestens einer Sperrschicht die Schottky-Diode 5,
deren Kathode mit der Basis des Transistors 2 und dem Kollektor des Transistors 1 verbunden ist, während deren Anode an
der weiteren Betriebsspannungsquelle U4 liegt. Werden bei der Anordnung nach Fig. 5 anstatt der wie in allen Ausführungsbeispielen gezeigten npn-Transistoren 1, 2 pnp-Transistoren
gewählt, so ist die Polarität der Schottky-Diode 5 entsprechend umzukehren.
Bei den drei Varianten des dritten Ausführungsbeispiels entsprechend
den Fig. 6 bis 8 dient als Bauelement 3 mit mindestens einer Sperrschicht der Zusatztransistor 6, der von der
gleichen Leitungsart wie die Transistoren 1, 2 ist. Er liegt
mit seinem Emitter am Kollektor des Transistors 1 und der Basis des Transistors 2. Die erste Variante nach Fig. G entspricht
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der Anordnung nach Fig. .1, die zweite Variante nach Fig. 7
der Anordnung nach Fig. 2 und die dritte Variante nach Fig. der Anordnung nach Fig. 3. In Fig. 6 liegt somit der Kollektor
des Zusatztransistors 6 an der zweiten Betriebsspannungsquelle U2, während er in Fig. 7 und 8 an der ersten Betriebsspannungsquelle
U1 liegt. Die Basis des Zusatztransistors ist in den Fig. 6 und 7 mit der dritten Betriebsspannungsquelle
U3 und in Fig. 8 mit der ersten Betriebsspannungsquelle
U1 verbunden.
In Fig. 9 ist das Ersatzschaltbild einer Anwendung der Er-
finduncf bei den erwähnten I L-Schaltungen gezeigt, das zugleich
der Erläuterung der Funktionsweise der Erfindung in Verbindung mit den Fig. 10a, 10b dient, wozu in Fig. 9 die
hierzu erforderlichen Spannungen und Ströme eingezeichnet
sind.
Das Schaltbild nach Fig. 9 enthält zusätzlich zu den Transistorstufen
mit den Transistoren 1, 2 nach den Fig. 1 bis 8 noch eine weitere Transistorstufe mit dem Transistor 7, dessen
Basis am Kollektor des Transistors 2 und dessen Emitter am Schaltungsnullpunkt liegt.
Das stromzuführende Bauelement 4 nach den Fig. 1 bis 8 ist in Fig. 9 ein ilultikollektortransistor mit den Teiltransistoren
41, 42, 47, dessen Leitungsart zu der der Transistoren 1,2, 7 komplementär ist. Die Emitter der Teiltransistoren 41,
42, 47 liegen an der ersten Betriebsspannungsquelle U1, die Basen am Schaltungsnullpunkt und der jeweilige KollektO3r am
entsprechenden Kollektor der Transistoren 1, 2, 7. Die Teil--
2 transistoren 41, 42, 47 stellen bei Realisierung in I L-Technik
die in dieser Technik so genannten Injektoren dar.
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In üblichen I 'L-Schaltungen liefert jeder Injektor einen konstanten
Strom, der entweder vollständig zum Basisstrom des ziujcoi;dneten Transistors (entsprechend Transistor 2) wird,
vioim dieser Transistor durchgesteuert und der vorausgehende
Transistor (entsprechend Transistor 1) demzufolge gesperrt ist, oder vollständig zum Kollektorstrom des vorausgehenden
Transistors (Transistor 1) wird, wenn dieser Transistor durchgesteuert und somit, der nachfolgende Transistor (Transistor 2)
gesperrt ist. Der konstante Injektorstrom liefert also bei
den bekannten I L-Schaltungen in Abhängigkeit vom Binärzustand entweder einen Basisstrom oder einen Kollektorstrom. Bezogen
auf denselben Injektor wechselt also der Flußweg des von ihm gelieferten Stroms vom einen Binärzustand zum anderen Binärzustand.
Die erforderlichen Zusatztransistoren 6 nach den Fig. 1 bis sind in Fig. 9 zum Multiemittertransxstor 60 zusammengefaßt,
dessen einzelne Emitter zu der jeweiligen Basis der Transistoren 1,2, 7 führen. In diesen Emittern fließen die
Ströme IC1, lc~, IfV
Dl Ό/. DJ
In den Kollektoren der Teiltransistoren 41, 42, 47 fließen die Ströme I41/ 1^?' ^-λτ Λη ^er Basis des Transistors 1 liegt
die obere Binärsianalspannung U , und dessen Basisstrom ist
somit gleich dem oberen Strompegel I . Dasselbe gilt für den Transistor 7. Am Kollektor des Transistors 1 sowie dem des
Transistors 7 und somit: auch an der Basis des Transistors 2 liegt damit die untere Binärsignalspannung U , und dessen
Jj
Basisstrom ist gleich dem unteren Strornpegel I- . Im Kollektor
des Transistors 1 fließt somit ein Strom der Größe B1I , in
dem des Transistors 2 ein Strom der Größe B,.IT und in dem des
ί Jj
Transistors 7 ein Strom der Größe B~IIT, wobei B1, B„, B.. die
Stromverstärkuncjsfakto.ren der Transistoren 1, 2, 7 in Emitterschaltung
sind.
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Für die Zwecke der folgenden Funktionsbeschreibung wird die Gleichheit der Transistoren 1, 2, 7, der Emitterflächen des
Multiemittertransistors GO und der Kollektoren des Multikollektortransistors
vorausgesetzt, so daß gilt:
T = T = T = T
61 62 Χ63 X
T — T — T = T
X41 X42 X47 X
B1 =B2 =ΒΊ =B
Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen binären logischen Grundschaltung kann nun anhand der Strom-Spannungs-Diagramme
der Fig. 10a, 10b näher erläutert werden. In den Fig. 10a, 10b ist als jeweilige Abszisse die Spannung U am Kollektor des
Transistors 1 und der Basis des Transistors 2 gewählt. In Fig. 10a ist als Ordinate einer der Emitterströme I. des Multiemittertransistors
60 und in Fig. 10b als Ordinate der Emitterstrom I^ des Transistors 1 gewählt.
In Fig. 10a ist die Kurve 9 eine Eingangskennlinie des Multiemittertransistors
60, wie sie bei als gesperrt gedachten Transistoren 1,2 und einer am jeweiligen Emitter des Multiemitter-transistors
60 anliegenden Spannung U gemessen werden kann, d. h. diese Kennlinie ist eine der zu den einzelnen Emitter-Basis-Strecken
gehörenden Ernitter-Basis-Sperrschicht-Kenrilinien.
Aufgrund der gewählten Schaltung und Meßanordnung verläuft diese Kennlinie wie gezeigt von der Spannung U3 als ihrem Ursprung
aus nach links in Fig. 10a sich öffnend.
In Fig. 10b ist die Kurve 10 die entsprechende Eingangskennlinie des Transistors 1, also dessen Basis-Emitter-Sperrschicht-
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Kennlinie. In Fig. 10b ist auf der Kurve 10 derjenige Arbeitspunkt eingezeichnet, der dem oben erläuterten Binärzustand
entspricht, d. h., wenn an der Basis des Transistors 1 die
obere BinärDignalspannung U liegt. Dann fließt im Transistor 1 der Basisstrom ITT, der Kollektorstrom BI„ und der Emitterstrom I1 = ITT(B+1).
entspricht, d. h., wenn an der Basis des Transistors 1 die
obere BinärDignalspannung U liegt. Dann fließt im Transistor 1 der Basisstrom ITT, der Kollektorstrom BI„ und der Emitterstrom I1 = ITT(B+1).
I η
Für den Verbindungspunkt Basis von Transistor 2 / Kollektor
von Transistor 1 gilt somit nach Kirchhoff:
von Transistor 1 gilt somit nach Kirchhoff:
I4 + I6 -- IL + BIH
1G = 1L + BIH -
Für den Verbindungspunkt Basis von Transistor 2 / Kollektor
von Transistor 1 gilt andererseits:
von Transistor 1 gilt andererseits:
= 1H + BIL - 1A
Die Arbeitspunkte U-. / I, und EL· / Iß sind in Fig. 10a eingetragen.
Die Lage dieser Arbeitspunkte läßt sich durch entsprechende Wahl der dritten Betriebsspannung U3 parallel zur
Abszisse zusammen mit der Kurve 9 verschieben. Durch Wahl des
Stromes I. unter Berücksichtigung der erfindungsgemäßen Bedingung I. 'y fi! I = I - IT lassen sich die Arbeitspunkte auf der Kennlinie 9 verschieben. Dies kann beispielsweise, wie in
Fig. 9 gezeigt, durch Verändern des gemeinsamen Widerstands 8 geschehen, über den die erste Betriebsspannung U1 aus der
Hauptbetriebsspannung U gewonnen wird.
Abszisse zusammen mit der Kurve 9 verschieben. Durch Wahl des
Stromes I. unter Berücksichtigung der erfindungsgemäßen Bedingung I. 'y fi! I = I - IT lassen sich die Arbeitspunkte auf der Kennlinie 9 verschieben. Dies kann beispielsweise, wie in
Fig. 9 gezeigt, durch Verändern des gemeinsamen Widerstands 8 geschehen, über den die erste Betriebsspannung U1 aus der
Hauptbetriebsspannung U gewonnen wird.
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- V?r-
L. Biossfeld 14
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß zum Arbeitspunkt üL / (IL + BIn - I4) bzw. UH / (IH + BIL - I4) in
Fig. 10a der entsprechende Arbeitspunkt in Fig. 10b gehört, der dem Schnittpunkt von Kurve 10 mit der gestrichelten Ordinatenlinie
U1. entspricht. In gleicher Weise gehört zum Arbeitspunkt
U11 / ITI (B+1) bzw. U1. / IT (B+1) von Fig. 10b derjenige
ti Ii Jj Jj
Arbeitspunkt in Fig. 10a, der dem Schnittpunkt von Kurve 9 mit
der gestrichelten Ordinatenlinie UTT bzv/. UT entsnricht.
ti. Jj
Aus Fig. 10 wird bereits ersichtlich, daß die Erfindung von
2
der oben anhand der üblichen I L-Schaltungen mit oder ohne Schottky-Dioden geschilderten hierfür charakteristischen Betriebsart bewußt abweicht, daß nämlich im einen Binärzustand ein Transistor gesperrt und dieser· im anderen Binärzustand leitend ist.
der oben anhand der üblichen I L-Schaltungen mit oder ohne Schottky-Dioden geschilderten hierfür charakteristischen Betriebsart bewußt abweicht, daß nämlich im einen Binärzustand ein Transistor gesperrt und dieser· im anderen Binärzustand leitend ist.
Daraus ergibt sich der wesentliche Vorteil der binären logischen Grundschaltung nach der Erfindung, daß sie schon ab
einem Wert des Binärsignal-Spannungshubs £ U betriebsfähig ist,
der der Temperaturspannung U der verwendeten Transistoren
entspricht, also bei Siliciumtransxstoren schon bei einem Binärsignal-Spannungshub von etwa 25 mV. Im folgenden wird gezeigt,
daß bereits für einen Hub von 25 mV in beiden Binärzuständen die Kollektorströme BI , BI1. der Transistoren sich um
H Jj
etwa einen Faktor 3 voneinander unterscheiden und dies völlig ausreichend zum Betrieb als binäre logische Grundschaltung ist.
Für die Binärsignalspannungen U„, UT gilt nach bekannten Glei-
Xl Jj
chungen der Transistortheorie:
UH = üT in -*4-
(2)
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I1- (B-H)
üL = üT in -i~- (3)
üL = üT in -i~- (3)
Hierbei ist I eine einem Reststrom entsprechende Konst cm te.
Pur /Ju gilt somit:
I (B+1) I (B+1) I
^U - ü - DL = ÜT (In -2-J In -±-j ) = U In -f- (4)
oo L
Für ^U / U = 1, also J U Ä5J 25 mV, gilt somit:
IH / IL a e i» 3 . (5)
Der oben erwähnten oberen Binärsignalspannung U„ ist der obere
Strompegel I zugeordnet, der mit den anderen Strömen und Spannungen
wie folgt verknüpft ist:
1H β 1O + Σ4 - BIL
Für Ifi gilt aber analog zu (2) oder (3):
U3-U = 1Q exp -y
(7)
Ebenso gilt für In. :
ι uL
1L = bTT exp ifT
1L = bTT exp ifT
Somit gilt für I :
12 -
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U 3 -U U
1H = 1O (eXP I
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß selbstverständlich
die an sich in praxi immer erfüllte Bedingung gelten muß, daß in jeder Stufe die Spannungsverstärkung größer als
eins ist, deimit ein Eingangsspannungshub mindestens gleich groß
als Ausgangsspannungslmb wieder auftritt.
.. Obv.'ohl die binäre logische Grundschaltung nach der Erfindung
sich insbesondere für Schaltungen nach den eingangs erwähnten
Schaltungsprinzipien der DCTL- bzw. I L-Technik eignet, ist das der Erfindung zugrundeliegende Prinzip auch bei den bekannten
TTL-Schaltungen anwendbar, soweit es sich um innerhalb der einzelnen integrierten Schaltungen ablaufende Binärsignalflüsse
handelt. Der Erfinder hat nämlich erkannt, daß es für das störsichere Arbeiten innerhalb der integrierten Schaltungen, also
auf dem jeweiligen Halbleiterkristall, nicht erforderlich ist, den bei TTL-Schaltungen üblichen großen Binärsignal-Spannungshub
anzuwenden, da die Störungen, derentwegen dieser große Hub an sich bei TTL-Schaltungen angewendet wird, erst auftreten, wenn
die Signale außerhalb der integrierten Schaltung gelangen. Die bekannten TTL-Schaltungen können daher mittels der Erfindung
so modifiziert werden, daß innerhalb der integrierten Schaltungen der Binärsignal-Spannungshub entsprechend reduziert wird
und beim Übergang auf außerhalb liegende Schaltungsteile entsprechende
Stufen zur Anhebung des Binärsignal-Spannungshubs auf den üblichen Wert vorgesehen werden.
Aufgrund der in den Fig. 10a, 10b gezeigten Kennlinien und der daran erläuterten Funktionsweise ist es ohne weiteres klar,
daß anstatt des Zusatztransistors 6 nach den Fig. 6 bis 8
_ ι "3 _
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/JS
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oder anstatt de?: Schottky-Diode nach Fig. 5 a\ich andere Bauelcitiente
mit vergleichbarem Sperrschichtverhalten verwendet v/erden können. Da derartige binäre logische Schaltungen, wie
bereits erwähnt, im allgemeinen als integrierte Schaltungen realisiert werden, hängt die Wahl für das Bauelement mit mindestens
einer Sperrschicht dann von der speziell vorgesehenen Realisierungstechnik ab, d, h. es wird ein solches Bauelement
gewählt, das mit der gevrählten Realisierungstechnik verträglich ist.
9 Patentansprüche
2 Blatt Zeichnung
mit 10 Figuren
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Claims (9)
1. Binäre logische Grundschalbung mit mindestens zwei binärsignalflußmäßig
derart hintereinandergeschalteten Transistorr;tufcn, anß dor Kollektor eines Transistors einer
or:;H'n S L ufc: mit der H;i.'jia ei nc· ο Trani;J.;;t fir;: einer zweiton
StuCo galvanisch direkt und mit jedem Verbindungspunkt
Basis;/Kollektor ein von einer ersten Betriebsspannungsquelle aus Strom zuführender Schaltungsteil verbunden ist, wobei
in Abhängigkeit vom vorhandenen Binärzustand der im jeweiligen Transistor fließende Basisstrom entweder einen unteren
Strompegel oder einen oberen Strompegel annimmt, dadurch gekennzeichnet, daß der stromzuführende' Echaltungsteil (4)
einen Strom (I4) zuführt, der größer als die Differenz (/il)
aus dem oberen (I„) und dem unteren (I1.) Strompegel ist,
Ii Ij
und daß zusätzlich zum stromzufülirendon Schaltuncjstcil (4)
mit jedem Kollektor ein mindestens eine Sperrschicht enthaltendes und derart geschaltetes Bauelement (3) verbunden
ist, daß es den für den jeweiligen Binärzustand (H, L) der Transistoren (1, 2) der ersten und der zweiten Stufe
erforderlichen Kollektorstrom mindestens teilweise liefert.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Bauelement (3) mit mindestens einer Sperrschicht eine Schottky-Diode (5) dient.
3. Schaltung 11 eich Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
nicht mit der Basis des Transistors (2) der zweiten Stufe
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Π 914 Z L. Biossfeld
verbundene Anschluß der Schottky-Diode (5) an einer weiteren
Betriebsspannung (U4) liegt.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Betriebsspannung (U4) der Schottky-Diode (5) die
erste Betriebsspannung (U1) dient,
5. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Bauelement (3) mit mindestens einer Sperrschicht ein
Zusatztransistor (6) dient.
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Zusatztransistors (6) mit der Basis des
Transistors (2) der zweiten Stufe verbunden ist und daß der Kollektor des Zusatztransistors (6) an einer zweiten
Betriebsspannung (U2) sowie dessen Basis an einer dritten Betriebsspannung (U3) liegt.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis und der Kollektor des Zusatztransistors (6) an
derselben Betriebsspannung (U1) liegen.
8. Schciltung mit mehreren binärsignalflußmäßig hintereinandergeschalteten
binären logischen Grundschaltungen mich Anspruch 1 und einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die mit jeder Basis verbundenen Zusatztransistoren (G) zu einem MuItiemittertransistor (60)
vereinigt sind.
9. Anwendung der binären logischen Grundschaltung nach einem
2 der /Ansprüche 1 bis 8 bei sogenannten 1 L-Schaltungen.
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Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762648425 DE2648425A1 (de) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Binaere logische grundschaltung |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2648425A1 true DE2648425A1 (de) | 1978-04-27 |
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Family
ID=5991432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE (1) | DE2648425A1 (de) |
FR (1) | FR2369751A1 (de) |
IT (1) | IT1087135B (de) |
NL (1) | NL7711632A (de) |
Families Citing this family (1)
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Family Cites Families (3)
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FR2342589A1 (fr) * | 1976-02-27 | 1977-09-23 | Thomson Csf | Composant pour circuits logiques et circuits logiques equipes de ce composant |
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1976
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1977
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- 1977-10-26 JP JP12767077A patent/JPS5353952A/ja active Pending
Also Published As
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NL7711632A (nl) | 1978-04-28 |
JPS5353952A (en) | 1978-05-16 |
FR2369751A1 (fr) | 1978-05-26 |
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