DE2648425A1

DE2648425A1 - Binaere logische grundschaltung

Info

Publication number: DE2648425A1
Application number: DE19762648425
Authority: DE
Inventors: Lothar Dipl Phys Blossfeld
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1976-10-26
Filing date: 1976-10-26
Publication date: 1978-04-27
Also published as: DE2648425B2; FR2369751A1; IT1087135B; JPS5353952A; NL7711632A

Description

Deutsche ITT Industries GmbH L. Blossfeld 14

Hans-Bunte-Str. 19 Mo/kn

7800 Freiburg i. Br. 25. Oktober 19 76

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG

FREIBURG I. BR.

Binäre logische Grundschaltung

Die Erfindung betrifft eine binäre logische Grunδ schaltung mit mindesten;? zv/ei binärsignalflußmäßig derart hintereinandergeschalteten Transistorstufen, daß der Kollektor eines Transistors einer ersten Stufe mit der Basis eines Transistors einer sweiten Stufe galvanisch direkt und mit jedem Verbindiingspunkt Basis/Kollektor ein Strom von einer ersten Betriebsspannungsquelle aus zuführender Schaltungsteil verbunden ist.

Die Schaltung ist dabei so betrieben, daß in Abhängigkeit vom vorhandenen Binär:«ustand H oder L^- der im jeweiligen Transistor fließende Basisstrom entweder einen unteren Strom·- pegel I oder einen oberen Strompegel I annimmt.

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Logische Schaltungskonzepte, die eine derartige Kopplung zweier binärsignalflußmäßig hintereinandergeschalteter Transistorstufen aufweisen, sind beispielsweise die sogenannten DCTL-S.chaltungen, also mittels bipolarer Transistoren realisierte direkt gekoppelte Transistor-Logik-Schaltungen, sowie

die unter der Bezeichnung I L-Schaltungen bekannten integrierten Logik-Schaltungen, die aufgrund ihrer speziellen Realisierung als integrierte Schaltung eine besonders hohe Packungsdichte erlauben. Dem unteren Strompegel I entspricht dabei praktisch der Strom null.

Bei logischen Grundschaltungen der eingangs genannten Art ist die Schaltgeschwindigkeit der einzelnen Stufen und damit auch der'Maximalwert der Frequenz der zu verarbeitenden Signale wesentlich vom Binärsignal-Spannungshub ^U abhängig. Unter Binärsignal-Spannungshub J U wird hierbei die Differenz zwischen der dem einen logischen Binärzustand H zugeordneten Signalspannung U„ und der dem anderen logischen Binärzustand L

π
zugeordneten Signalspannung IL verstanden. Die Abhängigkeit der Schaltgeschwindigkeit vom Binärsignal-Spannungshub /J U ist im wesentlichen darauf zurückzuführen, daß die einzelnen Stufen der Schaltung kapazitätsbehaftet sind und diese Kapazitäten durch die Signalspannungen auf-, ent- oder umgeladen werden müssen. Die Kapazitäten bestehen dabei z. T. aus Eingangs- bzw. Ausgangskapazitäten der verwendeten Transistoren, aber auch aus Streu- und Schaltungskapazitäten.

Bei den erwähnten I L-Schaltungen ist es bereits bekannt, eine Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit dadurch zu erreichen, daß der Binärsignal-Spannungshub mittels sogenannter Schottky-Dioden verringert werden kann, wobei diese Schottky-Dioden

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- zr -

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entweder in eier Basiszuleitung oder in der Kollektorzuleituug beispielsweise eines Invertertransistors angeordnet sind oder eine Schottky-Diode Basis und Kollektor eines derartigen Transistors verbindet. Hiermit läßt sich jedoch lediglich eine Schaltcjeschwindigkeitserhöhung um etwa den Faktor 2 gegenüber Schaltungen ohne Schottky-Dioden erreichen.

Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine weitere wesentliche Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit bei binären logischen Grundschaltungen der eingangs genannten Art zu erreichen. Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 bis 4 zeigen die Schaltbilder von vier verschiedenen Varianten eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung,

Fig. 5 zeigt das Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 6 bis 8 zeigen die Schaltbilder dreier Varianten eines dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung

Fig. 9 zeigt das Ersatzschaltbild einer Anwendung der

Erfindung bei einer I'L-Schaltung, und

Fig. 10 zeigt zwei Strom-Spannungs-Diagramme zur Funktionserläuterung der Erfindung anhand des Schciltbildesj nach Fig. 9.

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Zunächst seien die in den Fig. 1 bis 9 gemeinsam vorhandenen Bauelemente und deren Zusammenschaltung näher erläutert. Allen in den Figuren gazeigten Ausführungsbeispielen sind die Transistoren 1, 2 sowie der Schaltungsteil 4 gemeinsam, der in den Fig. 1 bis 8 mit dem Schaltzeichen einer Kons Lantstromquelle wiedergegeben ist. Selbstverständlich kann ans^itt einer Koristcintstroinquelle auch ein ohmseher Widerstand oder ein als ohmseher Widers Land geschaltetes Bauelement, beispielsweise ein als- Widerstand geschalteter Feldeffekttransistor, als Schaltungsteil 4 vorgesehen werden.

Der Kollektor des Transistors 1, der zu einer erstem Transistorstufe gehört, ist galvanisch direkt mit der Basis des Transistors 2 verbunden, der zu einer zweiten Transistorstufe gehört, die binärsignalfluß.mäßig mit der ersten Transistorstufe hintereinandergeschaltet ist. Die Emitter der Transistoren 1,2 liegen in sämtlichen Ausführungsbeispielen am Schaltungsnullpunkt, während die Basis des Transistors 1 bezüglich des Binärsignalflusses den Eingang darstellt. Der Transistor 2 ist mit drei Kollektoren gezeichnet, die als verschiedene Ausgänge bezüglich des Binärsignalflusses wirken. Der Schaltungsteil 4 führt dem Verbindungspunkt Basis/Kollektor der jeweiligen Transistoren 1,2 von der ersten Betriebsspannungsquelle U1 einen Strom zu (Ströme I₄₁, I/o/ I₄₇ in Fig. 9), der entsprechend der Erfindung größer als die Differenz ^i I aus dem oberen Strompegel I„ und dem unteren Strompegel I_L ist: I_4-. > 4.1 = Ig - Ij..

Ferner ist entsprechend der Erfindung in den vier Varianten des ersten Ausführungsbeispiels nach den Fig. 1 bis 4 das mindestens eine Sperrschicht enthaltende Bauelement 3 vorgesehen, das derart geschaltet ist, daß es den für den jeweiligen Binärzustand H, L der Transistoren 1,2 der ersten und der zweiten Stufe erforderlichen Kollektorstrom mindestens teilweise liefert.

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Hierzu liegt in der ersten Variante nach Fig. 1 das Bauelement 3 mit seinem einen Anschluß an der Basis des Transistors 2 und somit auch am Kollektor des Transistors 1. Sein SpannungsvorsorguncjEanschluß liegt an der zweiten Betriebsspnnnuncfsquelle U2 und sein Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle U3. In der zweiten Variante nach Fig. 2 liegt der Spannungsversorgungsanschluß des Bauelements 3 ein der ersten Betriebsspannungsquelle U1 und der Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle U3. In der dritten Variante nach Fig. 3 liegt der Spannungsversorgungsanschluß des Bauelements 3 wiederum an der ersten Betriebsspannungsquelle U1 und der Steueranschluß ebenfalls an dieser Betriebsspannungsquelle. In der vierten Variante nach Fig. 4 liegt der Versorgurigsanschluß des Bauelements 3 am Schaltungsnullpunkt und der Steueranschluß an der dritten Betriebsspannungsquelle U3.

Im zweiten Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 dient als Bauelement 3 mit mindestens einer Sperrschicht die Schottky-Diode 5, deren Kathode mit der Basis des Transistors 2 und dem Kollektor des Transistors 1 verbunden ist, während deren Anode an der weiteren Betriebsspannungsquelle U4 liegt. Werden bei der Anordnung nach Fig. 5 anstatt der wie in allen Ausführungsbeispielen gezeigten npn-Transistoren 1, 2 pnp-Transistoren gewählt, so ist die Polarität der Schottky-Diode 5 entsprechend umzukehren.

Bei den drei Varianten des dritten Ausführungsbeispiels entsprechend den Fig. 6 bis 8 dient als Bauelement 3 mit mindestens einer Sperrschicht der Zusatztransistor 6, der von der gleichen Leitungsart wie die Transistoren 1, 2 ist. Er liegt mit seinem Emitter am Kollektor des Transistors 1 und der Basis des Transistors 2. Die erste Variante nach Fig. G entspricht

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der Anordnung nach Fig. .1, die zweite Variante nach Fig. 7 der Anordnung nach Fig. 2 und die dritte Variante nach Fig. der Anordnung nach Fig. 3. In Fig. 6 liegt somit der Kollektor des Zusatztransistors 6 an der zweiten Betriebsspannungsquelle U2, während er in Fig. 7 und 8 an der ersten Betriebsspannungsquelle U1 liegt. Die Basis des Zusatztransistors ist in den Fig. 6 und 7 mit der dritten Betriebsspannungsquelle U3 und in Fig. 8 mit der ersten Betriebsspannungsquelle U1 verbunden.

In Fig. 9 ist das Ersatzschaltbild einer Anwendung der Er-

finduncf bei den erwähnten I L-Schaltungen gezeigt, das zugleich der Erläuterung der Funktionsweise der Erfindung in Verbindung mit den Fig. 10a, 10b dient, wozu in Fig. 9 die hierzu erforderlichen Spannungen und Ströme eingezeichnet sind.

Das Schaltbild nach Fig. 9 enthält zusätzlich zu den Transistorstufen mit den Transistoren 1, 2 nach den Fig. 1 bis 8 noch eine weitere Transistorstufe mit dem Transistor 7, dessen Basis am Kollektor des Transistors 2 und dessen Emitter am Schaltungsnullpunkt liegt.

Das stromzuführende Bauelement 4 nach den Fig. 1 bis 8 ist in Fig. 9 ein ilultikollektortransistor mit den Teiltransistoren 41, 42, 47, dessen Leitungsart zu der der Transistoren 1,2, 7 komplementär ist. Die Emitter der Teiltransistoren 41, 42, 47 liegen an der ersten Betriebsspannungsquelle U1, die Basen am Schaltungsnullpunkt und der jeweilige KollektO3r am entsprechenden Kollektor der Transistoren 1, 2, 7. Die Teil--

2 transistoren 41, 42, 47 stellen bei Realisierung in I L-Technik die in dieser Technik so genannten Injektoren dar.

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In üblichen I 'L-Schaltungen liefert jeder Injektor einen konstanten Strom, der entweder vollständig zum Basisstrom des ziujcoi;dneten Transistors (entsprechend Transistor 2) wird, vioim dieser Transistor durchgesteuert und der vorausgehende Transistor (entsprechend Transistor 1) demzufolge gesperrt ist, oder vollständig zum Kollektorstrom des vorausgehenden Transistors (Transistor 1) wird, wenn dieser Transistor durchgesteuert und somit, der nachfolgende Transistor (Transistor 2) gesperrt ist. Der konstante Injektorstrom liefert also bei den bekannten I L-Schaltungen in Abhängigkeit vom Binärzustand entweder einen Basisstrom oder einen Kollektorstrom. Bezogen auf denselben Injektor wechselt also der Flußweg des von ihm gelieferten Stroms vom einen Binärzustand zum anderen Binärzustand.

Die erforderlichen Zusatztransistoren 6 nach den Fig. 1 bis sind in Fig. 9 zum Multiemittertransxstor 60 zusammengefaßt, dessen einzelne Emitter zu der jeweiligen Basis der Transistoren 1,2, 7 führen. In diesen Emittern fließen die Ströme I_C1, l_c~, I_fV

Dl Ό/. DJ

In den Kollektoren der Teiltransistoren 41, 42, 47 fließen die Ströme I₄₁/ ¹^?' ^-λτ ^Λη ^^{er Basis} des Transistors 1 liegt die obere Binärsianalspannung U , und dessen Basisstrom ist somit gleich dem oberen Strompegel I . Dasselbe gilt für den Transistor 7. Am Kollektor des Transistors 1 sowie dem des Transistors 7 und somit: auch an der Basis des Transistors 2 liegt damit die untere Binärsignalspannung U , und dessen

Jj

Basisstrom ist gleich dem unteren Strornpegel I- . Im Kollektor des Transistors 1 fließt somit ein Strom der Größe B₁I , in dem des Transistors 2 ein Strom der Größe B,.I_T und in dem des

ί Jj

Transistors 7 ein Strom der Größe B~I_IT, wobei B₁, B„, B.. die Stromverstärkuncjsfakto.ren der Transistoren 1, 2, 7 in Emitterschaltung sind.

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Für die Zwecke der folgenden Funktionsbeschreibung wird die Gleichheit der Transistoren 1, 2, 7, der Emitterflächen des Multiemittertransistors GO und der Kollektoren des Multikollektortransistors vorausgesetzt, so daß gilt:

T = T = T = T

61 62 ^Χ63 ^X

T — T — T = T

^X41 ^X42 ^X47 ^X

B₁ =B₂ =Β_Ί =B

Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen binären logischen Grundschaltung kann nun anhand der Strom-Spannungs-Diagramme der Fig. 10a, 10b näher erläutert werden. In den Fig. 10a, 10b ist als jeweilige Abszisse die Spannung U am Kollektor des Transistors 1 und der Basis des Transistors 2 gewählt. In Fig. 10a ist als Ordinate einer der Emitterströme I. des Multiemittertransistors 60 und in Fig. 10b als Ordinate der Emitterstrom I^ des Transistors 1 gewählt.

In Fig. 10a ist die Kurve 9 eine Eingangskennlinie des Multiemittertransistors 60, wie sie bei als gesperrt gedachten Transistoren 1,2 und einer am jeweiligen Emitter des Multiemitter-transistors 60 anliegenden Spannung U gemessen werden kann, d. h. diese Kennlinie ist eine der zu den einzelnen Emitter-Basis-Strecken gehörenden Ernitter-Basis-Sperrschicht-Kenrilinien. Aufgrund der gewählten Schaltung und Meßanordnung verläuft diese Kennlinie wie gezeigt von der Spannung U3 als ihrem Ursprung aus nach links in Fig. 10a sich öffnend.

In Fig. 10b ist die Kurve 10 die entsprechende Eingangskennlinie des Transistors 1, also dessen Basis-Emitter-Sperrschicht-

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Kennlinie. In Fig. 10b ist auf der Kurve 10 derjenige Arbeitspunkt eingezeichnet, der dem oben erläuterten Binärzustand
entspricht, d. h., wenn an der Basis des Transistors 1 die
obere BinärDignalspannung U liegt. Dann fließt im Transistor 1 der Basisstrom I_TT, der Kollektorstrom BI„ und der Emitterstrom I₁ = I_TT(B+1).

I η

Für den Verbindungspunkt Basis von Transistor 2 / Kollektor
von Transistor 1 gilt somit nach Kirchhoff:

I₄ + I₆ -- I_L + BI_H

¹G ^{= 1}L ^{+ BI}H -

Für den Verbindungspunkt Basis von Transistor 2 / Kollektor
von Transistor 1 gilt andererseits:

^{= 1}H ^{+ BI}L - ¹A

Die Arbeitspunkte U-. / I, und EL· / I_ß sind in Fig. 10a eingetragen. Die Lage dieser Arbeitspunkte läßt sich durch entsprechende Wahl der dritten Betriebsspannung U3 parallel zur
Abszisse zusammen mit der Kurve 9 verschieben. Durch Wahl des
Stromes I. unter Berücksichtigung der erfindungsgemäßen Bedingung I. 'y fi! I = I - I_T lassen sich die Arbeitspunkte auf der Kennlinie 9 verschieben. Dies kann beispielsweise, wie in
Fig. 9 gezeigt, durch Verändern des gemeinsamen Widerstands 8 geschehen, über den die erste Betriebsspannung U1 aus der
Hauptbetriebsspannung U gewonnen wird.

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- V?r-

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Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß zum Arbeitspunkt ü_L / (I_L + BI_n - I₄) bzw. U_H / (I_H + BI_L - I₄) in Fig. 10a der entsprechende Arbeitspunkt in Fig. 10b gehört, der dem Schnittpunkt von Kurve 10 mit der gestrichelten Ordinatenlinie U₁. entspricht. In gleicher Weise gehört zum Arbeitspunkt U₁₁ / I_TI (B+1) bzw. U₁. / I_T (B+1) von Fig. 10b derjenige

ti Ii Jj Jj

Arbeitspunkt in Fig. 10a, der dem Schnittpunkt von Kurve 9 mit der gestrichelten Ordinatenlinie U_TT bzv/. U_T entsnricht.

ti. Jj

Aus Fig. 10 wird bereits ersichtlich, daß die Erfindung von

2
der oben anhand der üblichen I L-Schaltungen mit oder ohne Schottky-Dioden geschilderten hierfür charakteristischen Betriebsart bewußt abweicht, daß nämlich im einen Binärzustand ein Transistor gesperrt und dieser· im anderen Binärzustand leitend ist.

Daraus ergibt sich der wesentliche Vorteil der binären logischen Grundschaltung nach der Erfindung, daß sie schon ab einem Wert des Binärsignal-Spannungshubs £ U betriebsfähig ist, der der Temperaturspannung U der verwendeten Transistoren entspricht, also bei Siliciumtransxstoren schon bei einem Binärsignal-Spannungshub von etwa 25 mV. Im folgenden wird gezeigt, daß bereits für einen Hub von 25 mV in beiden Binärzuständen die Kollektorströme BI , BI₁. der Transistoren sich um

H Jj

etwa einen Faktor 3 voneinander unterscheiden und dies völlig ausreichend zum Betrieb als binäre logische Grundschaltung ist.

Für die Binärsignalspannungen U„, U_T gilt nach bekannten Glei-

Xl Jj

chungen der Transistortheorie:

U_H = ü_T in -*4- (2)

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- y- Fl 914 Ιο L. Biosrifeld

I₁- (B-H)
ü_L = ü_T in -i~- (3)

Hierbei ist I eine einem Reststrom entsprechende Konst cm te. Pur /Ju gilt somit:

I (B+1) I (B+1) I

^U - ü - D_L = Ü_T (In -2-J In -±-j ) = U In -f- (4)

oo L

Für ^U / U = 1, also J U Ä5J 25 mV, gilt somit:

I_H / I_L a e i» 3 . (5)

Der oben erwähnten oberen Binärsignalspannung U„ ist der obere Strompegel I zugeordnet, der mit den anderen Strömen und Spannungen wie folgt verknüpft ist:

¹H ^{β 1}O ^{+ Σ}4 - ^BIL

Für I_fi gilt aber analog zu (2) oder (3):

U3-U = 1_Q exp -y (7)

Ebenso gilt für I_n. :

ι u_L
¹L ⁼ bTT ^exp if_T

Somit gilt für I :

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U 3 -U U

¹H = ¹O ^(eXP I

Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß selbstverständlich die an sich in praxi immer erfüllte Bedingung gelten muß, daß in jeder Stufe die Spannungsverstärkung größer als eins ist, deimit ein Eingangsspannungshub mindestens gleich groß als Ausgangsspannungslmb wieder auftritt.

.. Obv.'ohl die binäre logische Grundschaltung nach der Erfindung sich insbesondere für Schaltungen nach den eingangs erwähnten

Schaltungsprinzipien der DCTL- bzw. I L-Technik eignet, ist das der Erfindung zugrundeliegende Prinzip auch bei den bekannten TTL-Schaltungen anwendbar, soweit es sich um innerhalb der einzelnen integrierten Schaltungen ablaufende Binärsignalflüsse handelt. Der Erfinder hat nämlich erkannt, daß es für das störsichere Arbeiten innerhalb der integrierten Schaltungen, also auf dem jeweiligen Halbleiterkristall, nicht erforderlich ist, den bei TTL-Schaltungen üblichen großen Binärsignal-Spannungshub anzuwenden, da die Störungen, derentwegen dieser große Hub an sich bei TTL-Schaltungen angewendet wird, erst auftreten, wenn die Signale außerhalb der integrierten Schaltung gelangen. Die bekannten TTL-Schaltungen können daher mittels der Erfindung so modifiziert werden, daß innerhalb der integrierten Schaltungen der Binärsignal-Spannungshub entsprechend reduziert wird und beim Übergang auf außerhalb liegende Schaltungsteile entsprechende Stufen zur Anhebung des Binärsignal-Spannungshubs auf den üblichen Wert vorgesehen werden.

Aufgrund der in den Fig. 10a, 10b gezeigten Kennlinien und der daran erläuterten Funktionsweise ist es ohne weiteres klar, daß anstatt des Zusatztransistors 6 nach den Fig. 6 bis 8

_ ι "3 _

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/JS

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oder anstatt de?: Schottky-Diode nach Fig. 5 a\ich andere Bauelcitiente mit vergleichbarem Sperrschichtverhalten verwendet v/erden können. Da derartige binäre logische Schaltungen, wie bereits erwähnt, im allgemeinen als integrierte Schaltungen realisiert werden, hängt die Wahl für das Bauelement mit mindestens einer Sperrschicht dann von der speziell vorgesehenen Realisierungstechnik ab, d, h. es wird ein solches Bauelement gewählt, das mit der gevrählten Realisierungstechnik verträglich ist.

9 Patentansprüche

2 Blatt Zeichnung

mit 10 Figuren

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Claims

- χ- Fi 914 L· Blossfeld 14 Patentansprüche

1. Binäre logische Grundschalbung mit mindestens zwei binärsignalflußmäßig derart hintereinandergeschalteten Transistorr;tufcn, anß dor Kollektor eines Transistors einer or:;H'n S L ufc: mit der H;i.'jia ei nc· ο Trani;J.;;t fir;: einer zweiton StuCo galvanisch direkt und mit jedem Verbindungspunkt Basis;/Kollektor ein von einer ersten Betriebsspannungsquelle aus Strom zuführender Schaltungsteil verbunden ist, wobei in Abhängigkeit vom vorhandenen Binärzustand der im jeweiligen Transistor fließende Basisstrom entweder einen unteren Strompegel oder einen oberen Strompegel annimmt, dadurch gekennzeichnet, daß der stromzuführende' Echaltungsteil (4) einen Strom (I₄) zuführt, der größer als die Differenz (/il) aus dem oberen (I„) und dem unteren (I₁.) Strompegel ist,

Ii Ij

und daß zusätzlich zum stromzufülirendon Schaltuncjstcil (4) mit jedem Kollektor ein mindestens eine Sperrschicht enthaltendes und derart geschaltetes Bauelement (3) verbunden ist, daß es den für den jeweiligen Binärzustand (H, L) der Transistoren (1, 2) der ersten und der zweiten Stufe erforderlichen Kollektorstrom mindestens teilweise liefert.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Bauelement (3) mit mindestens einer Sperrschicht eine Schottky-Diode (5) dient.

3. Schaltung 11 eich Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht mit der Basis des Transistors (2) der zweiten Stufe

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verbundene Anschluß der Schottky-Diode (5) an einer weiteren Betriebsspannung (U4) liegt.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Betriebsspannung (U4) der Schottky-Diode (5) die erste Betriebsspannung (U1) dient,

5. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Bauelement (3) mit mindestens einer Sperrschicht ein Zusatztransistor (6) dient.

6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Zusatztransistors (6) mit der Basis des Transistors (2) der zweiten Stufe verbunden ist und daß der Kollektor des Zusatztransistors (6) an einer zweiten Betriebsspannung (U2) sowie dessen Basis an einer dritten Betriebsspannung (U3) liegt.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis und der Kollektor des Zusatztransistors (6) an derselben Betriebsspannung (U1) liegen.

8. Schciltung mit mehreren binärsignalflußmäßig hintereinandergeschalteten binären logischen Grundschaltungen mich Anspruch 1 und einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mit jeder Basis verbundenen Zusatztransistoren (G) zu einem MuItiemittertransistor (60) vereinigt sind.

9. Anwendung der binären logischen Grundschaltung nach einem

2 der /Ansprüche 1 bis 8 bei sogenannten 1 L-Schaltungen.

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